二氧化錫膜溶解法的製作方法

2023-05-09 06:01:51

專利名稱:二氧化錫膜溶解法的製作方法
本發明是清除附在襯底材料表面的二氧化錫透明導電晶體薄膜的方法。
二氧化錫晶體薄膜是一種比較理想的半導體薄膜，它所具有的光學電學等物理特性使之在不少技術領域：
得到廣泛的應用。由於製成二氧化錫膜的工藝成品率不可能百分之百，因而必須清除非成品上的二氧化錫膜，使襯底材料或器皿得以回收使用。對於清除二氧化錫膜的方法，曾有過用強鹼或氫氟酸、或二氧化矽腐蝕液的嘗試，但都溶解不完全，留有斑塊;襯底材料被嚴重剝蝕或留下腐蝕坑，使襯底材料不能再用。
本發明的目的是提供一種在常溫常壓下，既能迅速、完全溶解二氧化錫膜，又不腐蝕襯底材料的溶解二氧化錫膜的方法。
本發明的要點在於在常溫常壓下配製具有強酸性、還原性和絡合性的溶液，將附有二氧化錫膜的襯底材料淹沒於其中，適當加熱(也可不加熱)至大量氣泡產生，十五分鐘後取出，迅速用純水衝淨。該溶液由濃鹽酸、濃氫氟酸和鈦絲(或鈦粉)組成。濃鹽酸和濃氫氟酸的用量按體積比可以為80-95%和20-5%，以95%和5%效果最佳。鈦絲(或鈦粉)的用量以保證溶解過程中不斷產生氫氣為準，一般每立方米溶液加入150-200千克。
本發明用於製備SIS太陽電池時，將附有二氧化錫膜的矽片(膜的面積均為480平方釐米)置入2×10-4立方米體積比為95%的濃鹽酸和5%的濃氫氟酸溶液中，溶液中加入3×10-2千克鈦絲，處理後的矽片無二氧化錫膜，表面平整光滑，晶相顯微鏡下看不到斑點和腐蝕坑，用該矽片製成的太陽電池和新矽片的性能相同。
本發明操作簡便，能迅速完全溶解二氧化錫膜，不腐蝕襯底材料，且成本低。
權利要求
1.一種溶解附在襯底材料表面的二氧化錫晶體薄膜的方法，在常溫常壓下將附有二氧化錫膜的襯底材料淹沒於配製的溶液中處理15分鐘後，迅速取出衝淨，其特徵在於溶液由濃鹽酸、濃氫氟酸、鈦絲(或鈦粉)組成，濃鹽酸和濃氫氟酸的用量按體積比為80-95%和20-5%，鈦絲(或鈦粉)的用量為每立方米溶液150-200千克。
2.按權利要求
1所述的方法，其特徵在於濃鹽酸和濃氫氟酸的用量按體積比為95%和5%。
專利摘要
一種溶解附在襯底材料表面的二氧化錫晶體薄膜的方法，在常溫常壓下將附有二氧化錫膜的襯底材料淹沒於配製的溶液中處理後，迅速取出用純水衝淨。該溶液由按體積比為80—95％的濃鹽酸和20—5％的濃氫氟酸以及按每立方米溶液加入150—200千克的鈦絲組成。本發明操作簡便，能迅速、完全溶解二氧化錫膜，不腐蝕襯底材料且成本低。
文檔編號H01L31/18GK86100187SQ86100187
公開日1987年7月22日 申請日期1986年1月10日
發明者施兆順 申請人:雲南師範大學導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan