P型埋層引出孔電阻值的監測結構的製作方法
2023-04-22 19:56:56
專利名稱：P型埋層引出孔電阻值的監測結構的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體集成電路的監測結構，特別是涉及一種P型埋層引出孔電阻值的監測結構。
背景技術：
如圖1所示，為現有P型埋層引出孔電阻值的監測結構的示意圖，在P型襯底上形成有淺槽隔離或場氧，所述監測結構包括一單體結構，所述單體結構包括一 P型埋層，所述P型埋層形成於所述淺槽隔離或所述場氧的底部。所述P型埋層頂部的所述淺槽隔離或所述場氧中形成有二個引出孔，在所述引出孔中填充有金屬並和所述P型埋層形成連接。測試時，在二個所述引出孔分別和測試電壓的高低端即高電壓或低電壓連接。現有監測結構在測試時，雖然P型襯底間有電位差，但是P型襯底與P型埋層的電位相同，產生的電流會大量從P型襯底流走，因此也就無法較準確地監測所述P型埋層引出孔的電阻值。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種P型埋層引出孔電阻值的監測結構，能穩定有效地監測P型埋層引出孔的電阻。為解決上述技術問題，本發明提供一種P型埋層引出孔電阻值的監測結構，在P型襯底上形成有淺槽隔離或場氧，所述監測結構至少包括一單體結構，所述單體結構包括一P型埋層，所述P型埋層形成於所述淺槽隔離或所述場氧的底部；所述P型埋層頂部的所述淺槽隔離或所述場氧中形成有第一引出孔和第二引出孔，所述第一引出孔和所述第二引出孔中填充有金屬並和所述P型埋層形成連接。在所述P型埋層對應的所述淺槽隔離或所述場氧的底部分別形成有一 N型埋層，所述N型埋層環繞在所述P型埋層的周側並和所述P型埋層的周圍側面形成接觸；在所述N型埋層頂部的所述淺槽隔離或所述場氧中形成有第三引出孔，所述第三引出孔中填充有金屬並和所述N型埋層形成連接。在所述第一引出孔、所述第二引出孔和所述第三引出孔上分別形成有金屬線並通過各所述金屬線和外部電壓形成連接；測試時，所述第一引出孔和所述第二引出孔分別和測試電壓的高低端連接；所述第三弓I出孔和正電壓連接，使所述P型埋層周圍的PN結反向偏置。進一步的改進是，所述監測結構由多個所述單體結構串聯而成；多個所述單體結構的串聯方法為當前單體結構的所述第一引出孔的金屬線和上一個單體結構的所述第二引出孔的金屬線相連、當前單體結構的所述第二引出孔的金屬線和下一個單體結構的所述第一引出孔的金屬線相連、各所述單體結構的所述第三引出孔的金屬線相連；測試時，首尾兩端的所述單體結構的所述第一引出孔或所述第二引出孔分別和測試電壓的高低端連接；各所述單體結構的所述第三弓I出孔和正電壓連接。進一步的改進是，所述N型埋層的內外側面間寬度為Ιμπι。進一步的改進是，考慮到所述P型埋層和所述N型埋層在工藝中都有0. 3 μ m的擴散，故所述第一引出孔、所述第二引出孔和所述P型埋層的外側面的距離大於0.3μπι。更優選擇為，所述第一引出孔、所述第二引出孔和所述P型埋層的外側面的距離為1 μ m。進一步的改進是，為了減少由於所述P型埋層的過長距離產生的漏電流，所述P型埋層所對應的所述第一引出孔、所述第二引出孔間的距離要取最小值，該最小值由金屬線包孔和金屬線的最小間距獲得。更優選擇為，所述P型埋層所對應的所述第一引出孔、所述第二引出孔間的距離為0. 3 μ m。為0.3 μ m。進一步的改進是，通過增加所述金屬線寬度，能夠減少所述金屬線的電阻，從而能夠使所述測試結構的P型襯底的漏電流減少。優選為，所述金屬線的寬度為2μπι。所述金屬線為鋁線。進一步的改進是，通過增大相鄰兩個所述單體結構的所述P型埋層的間距，能夠增加P型襯底的電阻，從而能使金屬線上的電流增大。相鄰兩個所述單體結構的所述P型埋層的間距為20 μ m。本發明監測結構通過在所述P型埋層的周圍設置N型埋層，測試時在所述N型埋層上加上正電位，能使所述P型埋層周圍的PN結反向偏置，從而能夠減少電流從襯底漏走，起到隔離作用。另外本發明監測結構的較小的P型埋層的第一引出孔和第二引出孔間距的設置、較寬的金屬線的寬度的設置，能夠大大增加測試端的電流的收集能力。多個單體結構串聯的方式使本發明監測結構的監測數據更加準確。
下面結合附圖和具體實施方式
對本發明作進一步詳細的說明圖1是現有P型埋層引出孔電阻值的監測結構的剖面圖；圖2是本發明實施例單體結構的剖面圖；圖3是本發明實施例單體結構的平面版圖；圖4是本發明實施例的平面版圖；圖5是本發明實施例的單體結構帶尺寸標示的剖面圖。
具體實施例方式如圖2和圖3所示，分別是本發明實施例P型埋層引出孔電阻值的監測結構的單體結構的剖面圖和平面版圖。本發明實施例P型埋層引出孔電阻值的監測結構的P型襯底上形成有淺槽隔離或場氧，所述監測結構至少包括一單體結構，所述單體結構包括一 P型埋層，所述P型埋層形成於所述淺槽隔離或所述場氧的底部；所述P型埋層頂部的所述淺槽隔離或所述場氧中形成有第一引出孔和第二引出孔，所述第一引出孔和所述第二引出孔中填充有金屬並和所述P型埋層形成連接。在所述P型埋層對應的所述淺槽隔離或所述場氧的底部分別形成有一 N型埋層，所述N型埋層環繞在所述P型埋層的周側並和所述P型埋層的周圍側面形成接觸；在所述N型埋層頂部的所述淺槽隔離或所述場氧中形成有第三引出孔，所述第三引出孔中填充有金屬並和所述N型埋層形成連接。在所述第一引出孔、所述第二引出孔和所述第三引出孔上分別形成有金屬線並通過各所述金屬線和外部電壓形成連接。如圖4所示，是本發明實施例的平面版圖，所述監測結構由多個所述單體結構串聯而成；多個所述單體結構的串聯方法為當前單體結構的所述第一引出孔的金屬線和上一個單體結構的所述第二引出孔的金屬線相連、當前單體結構的所述第二引出孔的金屬線和下一個單體結構的所述第一引出孔的金屬線相連、各所述單體結構的所述第三引出孔的金屬線相連；測試時，首尾兩端的所述單體結構的所述第一引出孔或所述第二引出孔分別和測試電壓的高低端即圖4所示的高電壓和低電壓連接；各所述單體結構的所述第三引出孔和正電壓連接。如圖4和圖5所示，包括有本發明實施例的各種尺寸的標示。所述N型埋層的內外側面間寬度A要滿足在所述N型埋層加正電壓時能夠產生足夠的耗盡寬度，本發明實施例中所述N型埋層的內外側面間寬度A為Ιμπι。考慮到所述P型埋層和所述N型埋層在工藝中都有0. 3 μ m的擴散，故所述第一引出孔、所述第二引出孔和所述P型埋層的外側面的距離B大於0.3 μ m，本發明實施例中所述第一引出孔、所述第二引出孔和所述P型埋層的外側面的距離B為1 μ m。為了減少由於所述P型埋層的過長距離產生的漏電流，所述P型埋層所對應的所述第一引出孔、所述第二引出孔間的距離C要取最小值，該最小值由金屬線包孔和金屬線的最小間距獲得。本發明實施例中所述P型埋層所對應的所述第一引出孔、所述第二引出孔間的距離C為0. 3 μ m。通過增加所述金屬線寬度D，能夠減少所述金屬線的電阻，從而能夠使所述測試結構的P型襯底的漏電流減少。本發明實施例中所述金屬線的寬度D為2μπι。所述金屬線為招線。通過增大相鄰兩個所述單體結構的所述P型埋層的間距Ε，能夠增加P型襯底的電阻，從而能使金屬線上的電流增大。相鄰兩個所述單體結構的所述P型埋層的間距E為 20 μ m0以上通過具體實施例對本發明進行了詳細的說明，但這些並非構成對本發明的限制。在不脫離本發明原理的情況下，本領域的技術人員還可做出許多變形和改進，這些也應視為本發明的保護範圍。
權利要求
1.一種P型埋層引出孔電阻值的監測結構，在P型襯底上形成有淺槽隔離或場氧，其特徵在於，所述監測結構至少包括一單體結構，所述單體結構包括一 P型埋層，所述P型埋層形成於所述淺槽隔離或所述場氧的底部；所述P型埋層頂部的所述淺槽隔離或所述場氧中形成有第一引出孔和第二引出孔，所述第一引出孔和所述第二引出孔中填充有金屬並和所述P型埋層形成連接；在所述P型埋層對應的所述淺槽隔離或所述場氧的底部分別形成有一 N型埋層，所述N型埋層環繞在所述P型埋層的周側並和所述P型埋層的周圍側面形成接觸；在所述N型埋層頂部的所述淺槽隔離或所述場氧中形成有第三引出孔，所述第三引出孔中填充有金屬並和所述N型埋層形成連接；在所述第一引出孔、所述第二引出孔和所述第三引出孔上分別形成有金屬線並通過各所述金屬線和外部電壓形成連接；測試時，所述第一引出孔和所述第二引出孔分別和測試電壓的高低端連接；所述第三引出孔和正電壓連接。
2.如權利要求1所述P型埋層引出孔電阻值的監測結構，其特徵在於所述監測結構由多個所述單體結構串聯而成；多個所述單體結構的串聯方法為當前單體結構的所述第一引出孔的金屬線和上一個單體結構的所述第二引出孔的金屬線相連、當前單體結構的所述第二引出孔的金屬線和下一個單體結構的所述第一引出孔的金屬線相連、各所述單體結構的所述第三引出孔的金屬線相連；測試時，首尾兩端的所述單體結構的所述第一引出孔或所述第二引出孔分別和測試電壓的高低端連接；各所述單體結構的所述第三引出孔和正電壓連接。
3.如權利要求1所述P型埋層引出孔電阻值的監測結構，其特徵在於所述N型埋層的內外側面間寬度為1 μ m。
4.如權利要求1所述P型埋層引出孔電阻值的監測結構，其特徵在於所述第一引出孔、所述第二引出孔和所述P型埋層的外側面的距離大於0. 3 μ m。
5.如權利要求4所述P型埋層引出孔電阻值的監測結構，其特徵在於所述第一引出孔、所述第二引出孔和所述P型埋層的外側面的距離為ι μ m。
6.如權利要求1所述P型埋層引出孔電阻值的監測結構，其特徵在於所述P型埋層所對應的所述第一引出孔、所述第二引出孔間的距離為0.3μπι。
7.如權利要求1所述P型埋層引出孔電阻值的監測結構，其特徵在於所述金屬線的寬度為2μπι。
8.如權利要求2所述P型埋層引出孔電阻值的監測結構，其特徵在於相鄰兩個所述單體結構的所述P型埋層的間距為20 μ m。
全文摘要
本發明公開了一種P型埋層引出孔電阻值的監測結構，監測結構的單體結構的P型埋層的周側環繞一N型埋層。通過在N型埋層上加上正電位，能使P型埋層周圍的PN結反向偏置，從而能夠減少電流從襯底漏走，起到隔離作用。本發明監測結構的P型埋層的引出孔之間的間距較小、金屬線的寬度較大，能夠大大增加測試端的電流的收集能力。通過多個單體結構的串聯來形成監測結構能使監測數據更加準確。
文檔編號G01R27/02GK102593101SQ20111000242
公開日2012年7月18日 申請日期2011年1月7日 優先權日2011年1月7日
發明者周正良, 朱麗霞 申請人:上海華虹Nec電子有限公司