有機金屬聚合物組合物，製備它的方法，和由其製造的有機發光二極體的製作方法

2023-04-25 01:28:31

有機金屬聚合物組合物，製備它的方法，和由其製造的有機發光二極體的製作方法
【專利摘要】本發明提供一種組合物，其包括至少一種摻雜劑，和含有至少一種選自結構I的單元的聚合物，其中M選自Fe，Co，或Ni；R1，R2，R3和R4各自獨立地選自氫；氘；滷素；取代的或未取代的C1-C16烷基；取代的或未取代的C6-C16芳基；取代的或未取代的C3-C16環烷基；取代的或未取代的5-至7-元雜環烷基；稠合有一個或多個環烷基的取代的或未取代的C6-C16芳基；稠合有一個或多個取代的或未取代的芳族環的5-至7-元雜環烷基或者稠合有一個或多個取代的或未取代的芳族環的C3-C16環烷基；取代的或未取代的C1-C16甲矽烷基，氰基，硝基，或羥基；n為大於或等於1；x為0至4；和y為0至4。這些聚合物（具有或沒有摻雜劑）可以用於製備膜和電子器件如有機發光二極體(OLED)。
【專利說明】有機金屬聚合物組合物，製備它的方法，和由其製造的有機發光二極體
【技術領域】
[0001]本發明涉及有機金屬聚合物組合物，製備它的方法，和由其製造的有機發光二極體。
【背景技術】
[0002]OLED(有機發光二極體)是發光二極體(LED)，其中電致發光層(emissiveelectroluminescent layer)是有機化合物的膜,所述有機化合物響應電流而發光。典型的OLED具有多-層結構，並且通常包括氧化銦錫(ITO)陽極，和金屬陰極。幾個有機層夾在所述ITO陽極和金屬陰極之間，例如空穴注入層(HIL)，空穴傳輸層(HTL)，發光材料層(EML)，電子傳輸層(ETL)，和電子注入層(EIL)。為了便於空穴注入，和獲得光滑表面，位於ITO陽極和空穴傳輸層之間的空穴注入層(HIL)常常是理想的。最通常使用的HIL材料是聚(3，4-亞乙基二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)絡合物(PED0T/PSS)。但是，由PED0T/PSS製備的OLED由於腐蝕而顯示出短的壽命，所述的腐蝕由PED0T/PSS的高酸度誘導。此外，所述PED0T/PSS溶液常常是基於水的。當將它用於OLED時，在該膜中痕量的溼氣殘餘物可能導致電路腐蝕，並且導致設備腐爛。因此，一直需要用於OLED應用的HIL材料，尤其是非水性HIL組合物。
[0003]JP2008/111941A披露了一種電致變色設備，其特徵在於形成於支撐基板上的具有透明電極的一對電極結構，將其放置使得該透明電極通過電解質層彼此面對。多孔電極(其中吸附了通過氧化或還原而顯色的電致變色著色材料)形成於該電極結構對中的至少一個透明電極；和帶有具有預定結構的二茂鐵高分子化合物的多孔電極形成於構成該相對電極結構的透明電極上。`
[0004]CN1786010A披露了一種光致變色二茂鐵二亞芳基化合物。所述二茂鐵二亞芳基化合物是載體開關材料(carrier switch material),能夠用作OLED器件的有機發光層。
[0005]Leung, Chem.Mater., 20, 540-552 (2008)描述了使用二茂鐵作為電化學聚合單體的一個構成模塊，和由這些單體製備的聚合物作為OLED中的HIL的用途。該HIL的活性部
分為三芳基胺。
[0006]教導在電子器件中有用的材料的參考文獻包括W02010/082924(可交聯的銅酞菁絡合物)，W02011/120709 (二次平面單核過渡金屬絡合物(quadratic planar mononucleartransition metal complexes)), W02004/041962 (硼酸或硼酸衍生物和有機或有機金屬部分的可交聯複合材料)，具有基質聚合物的US2011/0198666(p-摻雜劑(Al，Be或Ir)，US2008/073440(Ir的可交聯的複合材料)，W02003/022008 (摻雜有金屬絡合物的有機基質)，US2005/0260444 (配合至金屬中心的大環配體)，和US2009/0212280 (摻雜有金屬絡合物η-摻雜劑的有機半導性基體)。
[0007]但是，如上所述，仍然需要新的用於OLED應用的HIL材料，尤其是非水性HIL組合物。
【發明內容】

[0008]本發明提供一種組合物,其包括至少一種摻雜劑,和含有至少一種選自結構I的
單元的聚合物:
[0009]
【權利要求】
1.一種組合物，其包括至少一種摻雜劑，和含有至少一種選自結構I的單元的聚合物:
2.權利要求1的組合物，其中所述摻雜劑為P-型摻雜劑。
3.權利要求1的組合物,其中M為Fe。
4.前述權利要求中任一項的組合物，其中η為I至1，000，和X和y都為O。
5.權利要求1-3中任一項的組合物，其中所述聚合物包括選自以下結構的至少一種單元
6.權利要求1-3中任一項的組合物，其中該聚合物含有選自以下結構的至少一種單元:

7.權利要求1-3中任一項的組合物，其中所述P-型摻雜劑為包括至少一個苯基的有機金屬鹽。
8.權利要求7的組合物，其中所述P-型摻雜劑具有選自以下之一的結構:
9.權利要求1-3中任一項的組合物，其中所述組合物中聚合物的量為7(^七％至99界七％，和組合物中P-型摻雜劑的量為lwt%至30wt%，都基於該組合物的重量。
10.一種膜，其包括至少兩層，層A和層B，其中層A由組合物A形成，所述組合物A包括含有至少一種選自結構I的單元的聚合物:
11.權利要求10的膜,其中層B為空穴傳輸層。
12.一種電子器件，其包括至少一個由組合物A形成的組件，所述組合物A包括含有至少一種選自結構I的單元的聚合物:
13.權利要求12的電子器件，還包括第一電極。
14.權利要求13的電子器件，還包括置於所述第一電極之上的第二電極。
15.權利要求13的電子器件，其中所述至少一個由組合物A形成的組件是有機層，其置於所述第一和第二電極之間。
【文檔編號】C08K5/55GK103819904SQ201310574848
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2013年11月15日 優先權日:2012年11月16日
【發明者】J.J.馮 申請人:陶氏環球技術有限責任公司