一種需要背鍍金屬的led晶片的分裂方法

2023-05-10 14:27:01 2

一種需要背鍍金屬的led晶片的分裂方法
【專利摘要】本發明涉及一種需要背鍍金屬的LED晶片的分裂方法，其方法步驟為：將減薄完後未背鍍金屬的LED晶片，電極一面朝上放置在貼膜機上，用不乾膠膜貼至鐵環上；將防劃保護鋁片放置在貼完後的晶片上，使晶片位於防劃保護鋁片的正中央；將放置防劃保護鋁片的晶片連同鐵環，放置劃片機的工作平臺上；打開劃片機，將晶片的背面沿著晶片電極的切割道劃出一道道溝槽；取出劃完後的晶片，將晶片上的不乾膠膜撕下；將晶片傳至蒸鍍機上，對晶片進行蒸鍍背鍍金屬；將背鍍完後的晶片，背面朝上，貼到鐵環上；將貼完膜的晶片放置裂片機上，對其裂片。本方法能夠方便劃片時對切割道的校準，且能夠有效提高晶片的亮度。
【專利說明】 —種需要背鍍金屬的LED晶片的分裂方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種需要背鍍金屬的LED晶片的分裂方法，屬於LED生產領域。
【背景技術】
[0002]隨著LED技術的發展，人們對LED晶片的亮度要求也越來越高，目前常用的提供大尺寸LED晶片亮度的方法是將LED晶片的背面背鍍一層金屬，通過增加反射，從而提高晶片的亮度。晶片的生產過程中，需要一個將晶片分解的過程，以往的工藝，是減薄完後，先將晶片背面背鍍上金屬，然後再進行劃片裂片工藝，但是由於背鍍金屬不透明，因此增加了劃片校準時的難度，往往會出現劃至管芯上，從而降低了晶片的良率，增加了生產成本。
[0003]

【發明內容】

[0004]本發明針對現有技術存在的不足，提供一種需要背鍍金屬的LED晶片的分裂方法。
本發明解決上述技術問題的技術方案如下:一種需要背鍍金屬的LED晶片的分裂方法，其方法步驟為:
(1)將減薄完後未背鍍金屬的LED晶片，電極一面朝上放置在貼膜機上，用不乾膠膜貼至鐵環上；
(2)將防劃保護鋁片放置在貼完後的晶片上，使晶片位於防劃保護鋁片的正中央；
(3)將放置防劃保護鋁片的晶片連同鐵環，放置劃片機的工作平臺上；
(4)打開劃片機，將晶片的背面沿著晶片電極的切割道劃出一道道溝槽；
(5)取出劃完後的晶片，將晶片上的不乾膠膜撕下；
(6)將晶片傳至蒸鍍機上，對晶片進行蒸鍍背鍍金屬；
(7)將背鍍完後的晶片，背面朝上，貼到鐵環上；
(8)將貼完膜的晶片放置裂片機上，對其裂片。
[0005]進一步的，所述劃片後的溝槽深度為晶片厚度的1/6-1/4。
[0006]本發明的有益效果是:本發明方法通過在背鍍金屬之前將晶片用雷射劃出溝槽，能夠方便校準晶片，從而保證了晶片上溝槽的精確度，保證了裂片質量，且劃片後對晶片背鍍金屬，能夠有效增加背鍍金屬的有效性，增加了晶片的發光亮度。
【具體實施方式】
[0007]以下對本發明的原理和特徵進行描述，所舉實例只用於解釋本發明，並非用於限定本發明的範圍。
[0008]一種需要背鍍金屬的LED晶片的分裂方法，其方法步驟為:
(I)將減薄完後未背鍍金屬的LED晶片，電極一面朝上放置在貼膜機上，用不乾膠膜貼至鐵環上； (2)將防劃保護鋁片放置在貼完後的晶片上，使晶片位於防劃保護鋁片的正中央；
(3)將放置防劃保護鋁片的晶片連同鐵環，放置劃片機的工作平臺上；
(4)打開劃片機，將晶片的背面沿著晶片電極的切割道劃出一道道溝槽；
(5)取出劃完後的晶片，將晶片上的不乾膠膜撕下；
(6)將晶片傳至蒸鍍機上，對晶片進行蒸鍍背鍍金屬；
(7)將背鍍完後的晶片，背面朝上，貼到鐵環上；
(8)將貼完膜的晶片放置裂片機上，對其裂片。
[0009]所述劃片後的溝槽深度為晶片厚度的1/6-1/4
以上所述僅為本發明的較佳實施例，並不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。
【權利要求】
1.一種需要背鍍金屬的LED晶片的分裂方法，其方法步驟為: 將減薄完後未背鍍金屬的LED晶片，電極一面朝上放置在貼膜機上，用不乾膠膜貼至鐵環上； 將防劃保護鋁片放置在貼完後的晶片上，使晶片位於防劃保護鋁片的正中央； 將放置防劃保護鋁片的晶片連同鐵環，放置劃片機的工作平臺上； 打開劃片機，將晶片的背面沿著晶片電極的切割道劃出一道道溝槽； 取出劃完後的晶片，將晶片上的不乾膠膜撕下； 將晶片傳至蒸鍍機上，對晶片進行蒸鍍背鍍金屬； 將背鍍完後的晶片，背面朝上，貼到鐵環上； 將貼完膜的晶片放置裂片機上，對其裂片。
2.根據權利要求1所述的一種需要背鍍金屬的LED晶片的分裂方法，其特徵在於，所述劃片後的溝槽深度為晶片厚度的1/6-1/4。
【文檔編號】H01L33/00GK103872187SQ201210531347
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2012年12月12日 優先權日:2012年12月12日
【發明者】朱振明 申請人:煙臺史密得機電設備製造有限公司