去雷射損傷層洗液的製作方法
2023-05-25 03:13:51
專利名稱：去雷射損傷層洗液的製作方法
技術領域：
本發明涉及太陽能電池製作技術，尤其是一種去雷射損傷的洗液。
背景技術：
目前，實驗室廣泛採用SE(選擇性發射結)來製備高效電池，其在電池的柵線下重擴有利於正Ag電機的接觸，降低了 Rs ；同時在活性區輕擴，降低了表面複合，提高了開壓和短流。然而，採用傳統的SE法，矽片要經過諸多的高溫過程，在高溫過中容易引入雜質，影響矽片的質量，並最終導致效率的下降；而目前還常用的是雷射刻槽並同時摻雜，形成柵線的重擴區，然而雷射摻雜引起的損傷層，對矽片的電性能影響很大(有研究表明損傷層區是吸雜中心)，直接導致電池片的開壓下降。
發明內容
為了克服上述缺陷，本發明要解決的技術問題是針對現有電池矽片中的損傷層的問題，提供一種清洗損傷層的清洗液。為了克服背景技術中存在的缺陷，本發明解決其技術問題所採用的技術方案是 一種去雷射損傷層洗液，由水、氟化銨、氫氟酸和硝酸組成，在IL水中加入60-80g氟化銨、 10-20ml氫氟酸溶液和10_20ml硝酸溶液混合製成。在本發明中所述的氫氟酸溶液的質量濃度為49%，所述的硝酸溶液的質量濃度為 65% 68%，本發明中採用這樣混合方式有利於去處矽片表面的矽的氧化物和大部分的金
屬元素。有益效果採用本發明的洗液可以有效的去除矽片表面的矽的氧化物和大部分的金屬元素，可以降低PN結漏電流(也稱為反向飽和電流或空間電荷區漏電流)，使的開壓上升。
具體實施例方式實施例一IL水中加入80g氟化銨、20ml 49%氫氟酸溶液和20ml65 %的硝酸溶液混合製成去雷射損傷層洗液，並採用該洗液對單晶矽片(P型，電阻率為0.5 3)，經過鹼制絨(金字塔)，擴散(SHR = 70)，後清洗(去邊緣PN結及其背面刻蝕)，PECVD,正面雷射並摻雜(ShR =5-10ohm)，去損傷層，Suns-Voc 測試。實施例二IL水中加入60g氟化銨、IOml 49%氫氟酸溶液和10ml68 %的硝酸溶液混合製成去雷射損傷層洗液，並採用該洗液對單晶矽片(P型，電阻率為0.5 3)，經過鹼制絨(金字塔)，擴散(SHR = 70)，後清洗(去邊緣PN結及其背面刻蝕)，PECVD,正面雷射並摻雜(ShR =5-10ohm)，去損傷層，Suns-Voc 測試。實施例一和實施例二的測試結果如下表
測試結果如下
權利要求
1.一種去雷射損傷層洗液，其特徵在於由水、氟化銨、氫氟酸和硝酸組成，在IL水中加入60-80g氟化銨、10-20ml氫氟酸溶液和10_20ml硝酸溶液混合製成。
2.如權利要求1所述的去雷射損傷層洗液，其特徵在於所述的氫氟酸溶液的質量濃度為49%，所述的硝酸溶液的質量濃度為65% 68%。
全文摘要
本發明涉及太陽能電池製作技術，尤其是一種去雷射損傷的洗液，由水、氟化銨、氫氟酸和硝酸組成，在1L水中加入60-80g氟化銨、10-20ml氫氟酸溶液和10-20ml硝酸溶液混合製成，採用本發明的洗液可以有效的去除矽片表面的矽的氧化物和大部分的金屬元素，可以降低PN結漏電流(也稱為反向飽和電流或空間電荷區漏電流)，使的開壓上升。
文檔編號H01L21/306GK102157616SQ20111003219
公開日2011年8月17日 申請日期2011年1月29日 優先權日2011年1月29日
發明者黃書斌 申請人:常州天合光能有限公司