高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃的製作方法

2023-05-11 06:24:56 2

高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃的製作方法
【專利摘要】本實用新型提出一種高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特徵在於，該鍍膜玻璃依次包括：玻璃基板/底層電介質層/第一阻擋層/第一功能層/第二阻擋層/中間電介質層/第三阻擋層/第二功能層/第四阻擋層/頂層電介質層；其中，底層、頂層電介質層為Si3N4層；第一，第二、第三、第四阻擋層為ZnO層或者AZO層或者NiCrOx層；第一、第二功能層為Ag層；中間電介質層為ZnSnO3層或者Si3N4和ZnSnO3的組合層。本實用新型提出的一種高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃，採用新穎的架構膜系，其優點在於：（1）產品的可見光透過率高，Tr≥80；（2）產品鋼前鋼後數據漂移小，機械性能較好且穩定；（3）產品外觀顏色接近自然色，真實美觀舒適。
【專利說明】高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及鍍膜玻璃【技術領域】，具體的，涉及一種高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃。
【背景技術】
[0002]LOff-E玻璃是在玻璃表面利用磁控濺射法沉積多層膜，在多層膜層材料中沉積一層或兩層或兩層以上的純銀基材而成的高性能玻璃製品。LOW-E玻璃突出地強調了玻璃對太陽熱輻射的遮蔽效果，將玻璃的高透光性與太陽熱輻射的低透過性巧妙地結合在一起，成功地解決了高透光與低傳熱係數U值，遮陽係數SC值的雙重優勢並存的難題具有很好節能效果。
[0003]而雙銀LOW-E玻璃，相比於單銀LOW-E玻璃，在產品的性能上又有了很大程度的提高，在透光率相同的情況下，雙銀LOW-E玻璃具有更低的遮陽係數SC，能更大限度地將太陽光過濾成冷光源；另一方面，雙銀LOW-E玻璃的傳熱係數較單銀LOW-E更低，進一步提高了外窗的保溫性能，真正達到了冬暖夏涼。總的來說，雙銀LOW-E玻璃較單銀LOW-E玻璃在滿足良好採光性能的同時，更大程度的提高了室內熱舒適度，減少了設備採暖製冷的運行時間，節約了電能，是節約環保的好產品。
[0004]雙銀LOW-E玻璃存在許多優點的同時，也避免不了出現一些缺陷，如:產品可見光透過率低；產品性能不穩定；後續加工困難等。
實用新型內容
[0005]為了解決現有技術上的上述缺陷，本實用新型提出了一種高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃，其目的在於提高鍍膜玻璃的可見光透過率，穩定產品的性能，美化玻璃的外觀顏色。
[0006]本實用新型提出的一種高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特徵在於，該鍍膜玻璃依次包括:玻璃基板/底層電介質/第一阻擋層/第一功能層/第二阻擋層/中間電介質層/第三阻擋層/第二功能層/第四阻擋層/頂層電介質層；其中，底層、頂層電介質層為Si3N4層；第一，第二、第三、第四阻擋層為ZnO層或者AZO層或者NiCrOx層；第一、第二功能層為Ag層；中間電介質層為ZnSn03層或者Si3N4和ZnSn03的組合層。
[0007]其中，所述的底層、頂層電介質層Si3N4層的膜層厚度範圍為10~50nm。
[0008]其中，所述的第一， 第二、第三、第四阻擋層為ZnO層或者AZO層或者NiCrOx層的膜層厚度範圍為I~30nm。
[0009]其中，所述的第一、第二功能層Ag層的膜層厚度範圍為I~30nm。
[0010]其中，所述的中間電介質層ZnSn03層或者Si3N4和ZnSn03的組合層的膜層厚度範圍為30~IOOnm0
[0011]本實用新型提出的一種高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃，採用新穎的架構膜系，其優點在於:(1)產品的可見光透過率高，Tr ^ 80 ; (2)產品鋼前鋼後數據漂移小，機械性能較好且穩定；(3)產品外觀顏色接近自然色，真實美觀。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是本實用新型高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃的結構示意圖；
[0013]圖2是本實用新型高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃的製造工藝的流程結構示意圖；
[0014]圖3是本實用新型高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃的膜面反射光譜曲線圖；
[0015]圖4是本實用新型高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃的玻璃面反射光譜曲線圖；
[0016]圖5是本實用新型高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃的透射特性譜圖。
【具體實施方式】
[0017]為了闡明本實用新型的技術方案及技術目的，下面結合附圖及【具體實施方式】對本實用新型做進一步的介紹。
[0018]如圖1所示，本實用新型提出的一種高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃，包括有玻璃基板I和鍍制在所述玻璃基板I上的多個膜層。從玻璃基板I向上，依次為:底層電介質層2，第一阻擋層3，第一功能層4，第二阻擋層5，中間電介質層6，第三阻擋層7，第二功能層8，第四阻擋層9，頂層電介質層10。
[0019]下面通過具體的實施例進一步來說明本實用新型。
[0020]本實用新型提出的一種高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特徵在於，該鍍膜玻璃包括:玻璃基板I/底層電介質層2/第一阻擋層3/第一功能層4/第二阻擋層5/中間電介質層6/第三阻擋層7/第二功能層8/第四阻擋層9/頂層電介質層10。
[0021]具體的，在本實施例證，所述的底層、頂層電介質層為Si3N4層；第一、第三阻擋層為ZnO層；第一、第二功能層為Ag層；第二、第四阻擋層為AZO層；中間電介質層為ZnSn03層，即各層依次為 Glass/Si3N4/Zn0/Ag/AZ0/ZnSn03/Zn0/Ag/AZ0/Si3N4。
[0022]其中，所述的底層、頂層電介質層Si3N4層的膜層厚度範圍為10?50nm。
[0023]所述的第一，第三阻擋層ZnO層的膜層厚度範圍為I?30nm。
[0024]所述的第一、第二功能層Ag層的膜層厚度範圍為I?30nm。
[0025]所述的第二，第四阻擋層AZO層的膜層厚度範圍為I?30nm。
[0026]所述的中間電介質層ZnSn03層的膜層厚度範圍為30?lOOnm。
[0027]本實用新型採用真空磁控濺射鍍膜技術，在玻璃基板的表面逐層鍍膜，如圖2所示，在玻璃基板I上鍍底層電介質層Si3N4層2 ;在底層電介質層Si3N4層2上鍍第一阻擋層ZnO層3 ;在第一阻擋層ZnO層3上鍍第一功能層Ag層4 ;在第一功能層Ag層4上鍍第二阻擋層AZO層5 ;在第二阻擋層AZO層5上鍍中間電介質層ZnSn03層6 ;在中間電介質層ZnSn03層6上鍍第三阻擋層ZnO層7 ;在第三阻擋層ZnO層7上鍍第二功能層Ag層8 ;在第二功能層Ag層8上鍍第四阻擋層AZO層9 ;在第四阻擋層AZO層9上鍍頂層電介質層Si3N4 層 10。
[0028]其中，所述的底層、頂層電介質層Si3N4層，使用矽鋁靶，採用旋轉雙陰極，中頻電源濺射的方式，在工藝氣體N2與Ar的參與下，濺射沉積形成膜；其濺射功率為10?100KW;真空派射的工藝氣壓為:8.0E-3mbar?1.0E-3mbar。[0029]其中，所述的第一，第三阻擋層ZnO層，使用鋅鋁靶，採用旋轉雙陰極，中頻電源濺射的方式，在工藝氣體O2與Ar的參與下，濺射沉積形成膜；其濺射功率為I~80KW;真空灘射的工藝氣壓為:8.0E-3mbar~1.0E-3mbar。
[0030]其中，所述的第一、第二功能層Ag層，使用銀靶，採用平面陰極，直流磁控濺射的方式，在工藝氣體Ar的參與下，濺射沉積形成膜；其濺射功率為I~20KW;真空濺射的工藝氣壓為:8.0E-3mbar ~1.0E-3mbar。
[0031]其中，所述的第二，第四阻擋層AZO層，使用AZO靶，採用旋轉雙陰極，中頻電源濺射的方式，在工藝氣體Ar的參與下，濺射沉積形成膜；其濺射功率為I~80KW ;真空濺射的工藝氣壓為:8.0E-3mbar ~1.0E-3mbar。
[0032]其中，所述的中間電介質層ZnSn03層，使用鋅錫靶，採用旋轉雙陰極，中頻電源濺射的方式，在工藝氣體O2與Ar的參與下，濺射沉積形成膜；其濺射功率為10~100KW;真空灘射的工藝氣壓為:8.0E-3mbar~1.0E-3mbar。
[0033]圖3是本實用新型高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃的膜面反射光譜曲線圖，反映了玻璃的鍍膜面在可見光不同頻段內對可見光的反光率；圖4是本實用新型高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃的玻璃面反射光譜曲線圖，反映了玻璃面在可見光不同的頻段內對可見光的反光率；
[0034]圖5是本實用新型高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃的透射特性譜圖，反映了鍍膜玻璃在可見光不同的頻段內對可見光的透過率。
[0035]本實施例使用11個交流旋轉陰極，2個直流平面陰極，制出了一種高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃，其工藝參數和靶的位置如下表所示:
[0036]
【權利要求】
1.一種高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特徵在於，該鍍膜玻璃依次包括:玻璃基板/底層電介質層/第一阻擋層/第一功能層/第二阻擋層/中間電介質層/第三阻擋層/第二功能層/第四阻擋層/頂層電介質層；其中，底層、頂層電介質層為Si3N4層；第一，第二、第三、第四阻擋層為ZnO層或者AZO層或者NiCrOx層；第一、第二功能層為Ag層；中間電介質層為ZnSn03層或者Si3N4和ZnSn03的組合層。
2.根據權利要求1所述的高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特徵在於:所述的底層、頂層電介質層Si3N4層的膜層厚度範圍為10?50nm。
3.根據權利要求1所述的高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特徵在於:所述的第一，第二、第三、第四阻擋層為ZnO層或者AZO層或者NiCrOx層的膜層厚度範圍為I?30nm。
4.根據權利要求1所述的高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特徵在於:所述的第一、第二功能層Ag層的膜層厚度範圍為I?30nm。
5.根據權利要求1所述的高透型可鋼化雙銀低輻射鍍膜玻璃，其特徵在於:所述的中間電介質層為ZnSn03層或者Si3N4和ZnSn03的組合層的膜層厚度範圍為30?lOOnm。
【文檔編號】B32B15/04GK203391418SQ201320445657
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年7月25日 優先權日:2013年7月25日
【發明者】林嘉佑 申請人:林嘉佑