薄化矽片方法
2023-05-03 06:40:16 5
專利名稱：薄化矽片方法
技術領域：
本發明涉及一種薄化矽片方法，特別涉及一種可節省成本的薄化矽片方法。
背景技術：
請參閱圖1，自晶柱切削為多個的片狀矽片薄片後，需要進行研磨拋光處理，現分述如下步驟S11對矽片進行研磨，此步驟的目的在於對矽片表面進行拋光。
步驟S12清洗研磨過的矽片表面，以去除殘餘矽片表面的雜質。
步驟S13對矽片施以熱處理，以使矽片表面排除殘餘應力，改善表面結構。
步驟S14出貨前對拋光、清洗、熱處理的矽片作最終檢查，以確定產品品質。
發明內容
本發明的主要目的在於提供一種薄化矽片方法，它可節省用料成本矽片。
為達上述目的，本發明的薄化矽片方法首先在矽片一表面形成一表面結合膠的薄層，再研磨薄化矽片另一表面，同時在該另一表面形成表面保護膠的薄層，接著進行矽片的裁切，後將表面保護膠予以溶解，使得殘存表面結合膠的薄層。
本發明提供一種薄化矽片方法可節省用料成本矽片。
以下結合附圖及具體實施例詳加說明本發明的目的、技術內容、特點及其有益效果。
圖1為現有技術薄化矽片方法流程示意圖。
圖2為本發明薄化矽片方法流程示意圖。
圖3為本發明薄化矽片方法實施示意圖。
標號說明12矽片14表面結合膠16表面保護膠
具體實施例方式
本發明提供一種薄化矽片方法，它可節省用料成本矽片。
本發明提供的薄化矽片方法如圖2所示，該薄化矽片方法包括以下步驟，現分別敘述如下步驟S21請同時參閱圖3，該圖為本發明薄化矽片方法實施示意圖，實施時先在一矽片12的一表面形成一層表面結合膠14，目的在於防止因稍後研磨薄化而誤傷矽片12表面的情形；其中欲設置半導體組件的一面，通常也是形成表面結合膠14的一面。
步驟S22研磨薄化矽片12未形成表面結合膠14的另一表面，再在該研磨的一面形成一層表面保護膠16。此步驟的目的在於使稍後裁切處理時，得以保持矽片12最穩固的狀態，而減少矽片12表面特性或材料性質遭受破壞。經過研磨薄化矽片12的處理後的厚度介於50μm至150μm的間，另外可在研磨後對矽片12施以清洗，以使後來形成的表面保護膠16可更緊密附著矽片12。控制表面保護膠16小於表面結合膠14的溶解度，使得不斷增強蝕刻液的同時，表面保護膠16完全溶解而表面結合膠14仍不會溶解。如圖3所示，通過表面結合膠14的薄層可以將矽片12形成半導體組件的一麵包覆進去，且本步驟的研磨薄化處理還可更薄化矽片12，使得先前裁切的矽片12可以更淺薄，故本發明提供的薄化矽片12工藝與現有技術相比，更節省用料成本。
步驟S23烘烤矽片12，使分別在矽片12二表面形成的表面結合膠14及表面保護膠16的薄層凝固定型，並可使矽片12表面原子適當擴散，以使矽片12表面形成一無缺陷層。此步驟的目的在於強化矽片12與表面結合膠14或表面保護膠16的薄層間的附著，也使得稍後進行的裁切得以於穩固附著狀態下進行，減少因各層間相互滑移造成矽片12的受損，同時改善矽片12表面性質。
步驟S24將烘烤過的矽片12裁切為多個晶片。如同前述，因為表面結合膠14及表面保護膠16的薄層在矽片12的二表面緊密附著，故本步驟裁切的處理，可以使得損壞矽片12程度更小，從而進一步達到節省生產成本的目的。
步驟S25將裁切形成的多個晶片的表面保護膠16溶解。正如前述的選材，本步驟將使表面保護膠16溶解而仍保存表面結合膠14，同時在溶解晶片的過程中，尚可採用機械式手臂或夾具等夾持晶片，以利於將晶片置入蝕刻液或自蝕刻液中取出。
步驟S26挑選成品的品質，以確保成品係為無損且可使用，同時以前述步驟S21至步驟S26的方法處理下一片矽片。
以上所述的實施例僅為了說明本發明的技術思想及特點，其目的在使本領域的普通技術人員能夠了解本發明的內容並據以實施，本專利的範圍並不僅局限於上述具體實施例，即凡依本發明所揭示的精神所作的同等變化或修飾，仍涵蓋在本發明的保護範圍內。
權利要求
1.一種薄化矽片方法，它是用以薄化切削成型的片狀矽片的工藝，包括以下步驟在一矽片的一表面形成一層表面結合膠；研磨薄化該矽片的另一表面，再在該另一表面形成一層表面保護膠；烘烤該矽片；將該矽片裁切為多個晶片；溶解該表面結合膠；以及挑選成品並處理另一片矽片。
2.根據權利要求1所述的薄化矽片方法，其特徵在於所述表面保護膠溶解度小於該矽片及該表面結合膠。
3.根據權利要求1所述的薄化矽片方法，其特徵在於所述研磨薄化的矽片厚度為50μm至150μm。
4.根據權利要求1所述的薄化矽片方法，其特徵在於所述溶解該表面結合膠的步驟，是通過一機械式夾具夾持該晶片。
全文摘要
本發明提供一種薄化矽片方法，它是在矽片的二表面分別形成表面結合膠及表面保護膠，其中形成表面保護膠之前施以薄化處理，待表面結合膠及表面保護膠經過烘烤乾燥則切割矽片，最後將溶解度較低的表面保護膠溶解而得成品，必要時進行挑選以維護品質。本發明的薄化矽片方法可適用於極淺薄的矽片，進而達到節省生產成本的目的。
文檔編號H01L21/70GK1866473SQ200510025999
公開日2006年11月22日 申請日期2005年5月19日 優先權日2005年5月19日
發明者蔡南雄 申請人:上海宏力半導體製造有限公司