真空等離子刻蝕反應腔體設備的製作方法
2023-09-19 01:28:10 2
專利名稱：真空等離子刻蝕反應腔體設備的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種半導體集成電路製造設備，特別是涉及一種真空等離子刻蝕反應腔體設備。
背景技術：
半導體晶片生產設備的真空等離子刻蝕反應腔體設備系統，等離子刻蝕工藝反應腔上下部分需要大功率高頻(大於或等於13.56MHz)的交變電源，將工藝反應腔中的刻蝕氣體分子離子化，從而對各種薄膜(如多晶矽、氮化矽、氧化矽等)和矽襯底材料進行刻蝕。現有真空等離子刻蝕反應腔體下電極中傳片的頂針，使用金屬棒串聯IOK歐的純電阻，用來阻止大功率高頻(大於或等於13.56MHz)的交變電源功率的流失，並在大功率高頻(大於或等於13.56MHz)的交變電源停止時，對產品矽片形成靜電放電功能，便於矽片傳片頂針上移。但是由於靜電放電迴路電阻大(10K歐)，造成靜電放電不足，矽片傳片頂針上移不暢，產生傳片出錯。
實用新型內容本實用新型所要解決的技術問題是提供一種真空等離子刻蝕反應腔體設備，能即滿足阻止大功率高頻(大於或等於13.56MHz)的交變電源功率的流失，又改善靜電放電迴路。為解決上述技術問題，本實用新型提供的一種真空等離子刻蝕反應腔體設備，包括腔體上極板及腔體下極板，所述腔體上極板及腔體下極板分別連接交變電源，矽片設置在所訴腔體下極板的上方，腔體下極板中設置有多個通孔，用於通過頂針，每個所述頂針中串聯一電感，所述頂針設 置在頂針支撐架上，所述頂針支撐架與氣缸相連，通過所述氣缸帶動所述頂針上下移動，所述氣缸接地。進一步的，所述頂針結構包括擋板、頂針上部及頂針下部，其中擋板設置於頂針上部與頂針下部之間，取到限位的作用。進一步的，所述交變電源的頻率大於或等於13.56MHz。進一步的，所述電感的感抗大於或等於IOK歐。進一步的，所述電感串聯在所述頂針下部中。本實用新型的真空等離子刻蝕反應腔體設備，根據電感的隔交流通直流的特性，使用頂針串聯一電感，即滿足阻止大功率高頻的交變電源功率的流失，又改善靜電放電迴路。
以下結合附圖和具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細的說明:
圖1是本實用新型真空等離子刻蝕反應腔體設備在矽片刻蝕中的結構示意圖；圖2是本實用新型真空等離子刻蝕反應腔體設備在矽片刻蝕後的結構示意圖；[0014]圖3是本實用新型真空等離子刻蝕反應腔體設備的頂針結構示意圖。主要附圖標記說明:腔體上極板I 腔體下極板2矽片3通孔4頂針5電感6頂針支撐架7氣缸8擋板51頂針上部52頂針下部5具體實施方式
為使貴審查員對本實用新型的目的、特徵及功效能夠有更進一步的了解與認識，以下配合附圖詳述如後。如
圖1所示，為本實用新型真空等離子刻蝕反應腔體設備在矽片刻蝕中的結構示意圖，腔體上極板I及腔體下極板2分別連接大功率高頻(大於或等於13.56MHz)的交變電源，矽片3設置在腔體下極板2的上方，腔體下極板2中設置有多個通孔4，用於通過頂針5,每個頂針5中串聯一在所述交變電源條件下感抗大於或等於IOK歐的電感6,頂針5設置在頂針支撐架7上，頂針 支撐架7與氣缸8相連，通過氣缸8帶動頂針5上下移動，氣缸8接地。則根據公式L = 10/2 L=10/2w f，π f，可以得出本實用新型滿足阻止大功率高頻(大於或等於13.56MHz)的交變電源功率的流失，又改善靜電放電迴路。其中L表示電感，單位為毫亨，f表示頻率。如圖2為本實用新型真空等離子刻蝕反應腔體設備在矽片刻蝕後的結構示意圖，從圖2可以看出，腔體在娃片3刻蝕完後，頂針5將娃片3頂起，進彳丁傳送。如圖3所示，為本實用新型真空等離子刻蝕反應腔體設備的頂針結構示意圖，包括擋板51，頂針上部52及頂針下部53，其中擋板51設置於頂針上部52與頂針下部53之間，取到限位的作用，頂針上部52用於通過腔體下極板2中的通孔4頂起矽片3，頂針下部53中串聯電感6。以上通過具體實施例對本實用新型進行了詳細的說明，但這些並非構成對本實用新型的限制。在不脫離本實用新型原理的情況下，本領域的技術人員還可做出許多變形和改進，這些也應視為本實用新型的保護範圍。
權利要求1.一種真空等離子刻蝕反應腔體設備，其特徵在於，包括腔體上極板及腔體下極板，所述腔體上極板及腔體下極板分別連接交變電源，矽片設置在所訴腔體下極板的上方，腔體下極板中設置有多個通孔，用於通過頂針，每個所述頂針中串聯一電感，所述頂針設置在頂針支撐架上，所述頂針支撐架與氣缸相連，通過所述氣缸帶動所述頂針上下移動，所述氣缸接地。
2.如權利要求1所述真空等離子刻蝕反應腔體設備，其特徵在於，所述頂針結構包括擋板、頂針上部及頂針下部，其中擋板設置於頂針上部與頂針下部之間，取到限位的作用。
3.如權利要求1所述真空等離子刻蝕反應腔體設備，其特徵在於，所述交變電源的頻率大於或等於13.56MHz ο
4.如權利要求3所述真空等離子刻蝕反應腔體設備，其特徵在於，所述電感的感抗大於或等於IOK歐。
5.如權利要求2所示的真空等離子刻蝕反應腔體設備，其特徵在於，所述電感串聯在所述頂針下部中。
專利摘要本實用新型公開了一種真空等離子刻蝕反應腔體設備，包括腔體上極板及腔體下極板，所述腔體上極板及腔體下極板分別連接交變電源，矽片設置在所訴腔體下極板的上方，腔體下極板中設置有多個通孔，用於通過頂針，每個所述頂針中串聯一電感，所述頂針設置在頂針支撐架上，所述頂針支撐架與氣缸相連，通過所述氣缸帶動所述頂針上下移動，所述氣缸接地。本實用新型能滿足阻止大功率高頻的交變電源功率的流失，又改善靜電放電迴路。
文檔編號H01J37/04GK203085485SQ201320016210
公開日2013年7月24日 申請日期2013年1月11日 優先權日2013年1月11日
發明者孫希 申請人:上海華虹Nec電子有限公司