一種結構簡單的三銀low-e玻璃的製作方法

2023-09-17 20:07:45

一種結構簡單的三銀low-e玻璃的製作方法
【專利摘要】一種結構簡單的三銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次設有第一ITO介質層、第一Ag層、第二ITO介質層、第二Ag層、第三ITO介質層、第三Ag層、以及第四ITO介質層。本發明結構簡單，且具有與傳統三銀LOW-E玻璃相當的節能效果。
【專利說明】一種結構簡單的三銀LOW-E玻璃

【技術領域】
:
[0001]本發明涉及一種結構簡單的三銀LOW-E玻璃。

【背景技術】
:
[0002]LOff-E玻璃，是一種高端的低輻射玻璃，是在玻璃基材表面鍍制包括銀層在內的多層金屬及其它化合物組成的膜系產品，具有節能減排及裝飾幕牆的雙重功效。
[0003]然而，隨著節能減排政策的不斷深入,人們對玻璃的節能指標要求越來越高,部分城市的節能要求，連雙銀LOW-E玻璃都達不到其節能要求，只能尋求三銀LOW-E玻璃，但傳統的三銀LOW-E玻璃最低需要14層膜才能達到要求，結構複雜。
[0004]故有必要對現有的產品作出改進，以提供一種既能達到節能效果，結構又簡單的三銀LOW-E玻璃。


【發明內容】

:
[0005]本發明的目的在於提供一種結構簡單的三銀LOW-E玻璃，其結構簡單，且具有與傳統三銀LOW-E玻璃相當的節能效果。
[0006]一種結構簡單的三銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次設有第一 ITO介質層、第一 Ag層、第二 ITO介質層、第二 Ag層、第三ITO介質層、第三Ag層、以及第四ITO介質層。
[0007]本發明可通過如下方案進行改進:
[0008]所述第一 ITO介質層的厚度為80nm。
[0009]所述第一 Ag層的厚度為10nm。
[0010]所述第二 ITO介質層的厚度為120nm。
[0011]所述第二 Ag層的厚度為10nm。
[0012]所述第三ITO介質層的厚度為120nm。
[0013]所述第三Ag層的厚度為10nm。
[0014]所述第四ITO介質層的厚度為80nm。
[0015]本發明具有如下優點:1、本發明創新地採用7層膜，不但結構簡單，而且能達到傳統三銀LOW-E玻璃的節能要求。2、生產設備簡單，全是金屬濺射，無反應濺射，工藝穩定。3、設備投入小。

【專利附圖】

【附圖說明】
:
[0016]圖1為本發明結構剖視圖。

【具體實施方式】
:
[0017]如圖所示，一種結構簡單的三銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材1，所述玻璃基材I的上表面由下而上依次設有第一 ITO介質層2、第一 Ag層3、第二 ITO介質層4、第二 Ag層5、第三ITO介質層6、第三Ag層7、以及第四ITO介質層8。
[0018]進一步地，所述第一 ITO介質層2的厚度為80nm。其採用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射氧化銦錫靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣製備而成，其中，氬氧比為:(400SCCM?420SCCM): (20?40SCCM)。該層起到底層介質層、阻擋層、平整層這三層的作用。可以提高產品透過率，並可以保護Ag層，阻擋Ag層被侵蝕，造成玻璃氧化。
[0019]再進一步地，所述第一 Ag層3的厚度為10nm，為功能層。其採用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射銀靶、氬氣作為濺射氣體製備而成，氬氣氣體流量為500?550SCCM。
[0020]更進一步地，所述第二 ITO介質層4的厚度為120nm。其採用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射氧化銦錫靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣製備而成，其中，氬氧比為:(400SCCM?420SCCM): (20?40SCCM)。該層起到中間介質層、阻擋層、平整層這三層的作用。可以提高產品透過率，並可以保護Ag層，阻擋Ag層被侵蝕，造成玻璃氧化。
[0021]又進一步地，所述第二 Ag層5的厚度為10nm，為功能層。其採用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射銀靶、氬氣作為濺射氣體製備而成，氬氣氣體流量為500?550SCCM。
[0022]再進一步地，所述第三ITO介質層6的厚度為120nm。其採用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射氧化銦錫靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣製備而成，其中，氬氧比為:(400SCCM?420SCCM): (20?40SCCM)。該層起到中間介質層、阻擋層、平整層這三層的作用。可以提高產品透過率，並可以保護Ag層，阻擋Ag層被侵蝕，造成玻璃氧化。
[0023]更進一步地，所述第三Ag層7的厚度為10nm，為功能層。其採用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射銀靶、氬氣作為濺射氣體製備而成，氬氣氣體流量為500?550SCCM。
[0024]又進一步地，所述第四ITO介質層8的厚度為80nm。其採用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射氧化銦錫靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣製備而成，其中，氬氧比為:(400SCCM?420SCCM): (20?40SCCM)。該層起到頂層介質層、阻擋層、保護層這三層的作用。可以提高產品透過率，並可以保護Ag層，阻擋Ag層被侵蝕，防止玻璃被機械及化學損傷。
[0025]本發明創新地採用7層膜，不但結構簡單，而且能達到傳統三銀LOW-E玻璃的節能要求。另外，本發明生產設備簡單，全是金屬濺射，無反應濺射，工藝穩定。其次，本發明設備投入小。
[0026]以上所述僅為本發明的較佳實施例，並非用來限定本發明實施的範圍，凡依本發明專利範圍所做的同等變化與修飾，皆落入本發明專利涵蓋的範圍。
【權利要求】
1.一種結構簡單的三銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材，其特徵在於:所述玻璃基材的上表面由下而上依次設有第一 ITO介質層、第一 Ag層、第二 ITO介質層、第二 Ag層、第三ITO介質層、第三Ag層、以及第四ITO介質層。
2.根據權利要求1所述的一種結構簡單的三銀LOW-E玻璃，其特徵在於:所述第一ITO介質層的厚度為80nm。
3.根據權利要求1所述的一種結構簡單的三銀LOW-E玻璃，其特徵在於:所述第一Ag層的厚度為10nm。
4.根據權利要求1所述的一種結構簡單的三銀LOW-E玻璃，其特徵在於:所述第二ITO介質層的厚度為120nm。
5.根據權利要求1所述的一種結構簡單的三銀LOW-E玻璃，其特徵在於:所述第二Ag層的厚度為10nm。
6.根據權利要求1所述的一種結構簡單的三銀LOW-E玻璃，其特徵在於:所述第三ITO介質層的厚度為120nm。
7.根據權利要求1所述的一種結構簡單的三銀LOW-E玻璃，其特徵在於:所述第三Ag層的厚度為10nm。
8.根據權利要求1所述的一種結構簡單的三銀LOW-E玻璃，其特徵在於:所述第四ITO介質層的厚度為80nm。
【文檔編號】B32B17/06GK104309218SQ201410606285
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2014年10月30日 優先權日:2014年10月30日
【發明者】禹幸福, 陳圓 申請人:中山市亨立達機械有限公司