利用碳納米管陣列來製造場致發射電極的方法

2023-09-17 18:45:30

專利名稱：利用碳納米管陣列來製造場致發射電極的方法
技術領域：
本發明涉及一種製造場致發射電極的方法，其中碳納米管(CNTs)按照產生電磁場的方向排列。更具體的，本發明涉及一種製造包括按照產生電磁場方向排列碳納米管(CNTs)的場致發射電極的方法，該方法包括以下步驟，在固定到電磁場發生器上部的基板上，對已在溶劑中稀釋的碳納管(CNT)溶液進行分散，並對按照電磁場發生器產生的電磁場方向排列的碳納米管進行固定。
背景技術：
通常，場致發射裝置是一種光源，其基於真空中的電子發射，並涉及一種利用被強電場加速的微粒去撞擊螢光材料使其發射出電子的原理來發光的元素。上述場致發射裝置具有以下優點，例如極高的光發射效率，實現輕質的能力，與常規照明光源例如白熾燈泡相比體積小，並且因不像螢光燈那樣使用重金屬所以對環境無害。因而，已將其認為是下一代的光源，在各種照明領域和顯示裝置中使用。
場致發射裝置的性能很大程度上依賴於發射電極發射電場的能力。近年來，已將碳納米管(CNTs)廣泛用作發射器電極中的電子發射材料，其具有極好的電子發射特性。
碳納米管是一種碳的同素異形體，由地球中大量存在的碳組成。它們是管狀材料，其中碳原子以六邊形蜂巢結構形式與其他碳結合。它們的直徑大約為納米尺寸(1/109米)，並且他們的長度為幾百納米到幾微米。與其他材料相比碳納米管具有較大的長寬比。已知碳納米管具有極好的機械性能和電選擇性，並特別的，由於較大的長寬比而具有極好的電磁場發生性能。
已經介紹了由於碳納米管極好的場發射特性而將其用作為場發射顯示器的陽極材料。在先前的文件中(Kim，J.M.等人，Applied PhysicsLetters，75(20)3129，1999)，利用機械摩擦將碳納米管與聚合絡合物以特定方向排列，並測量所合成碳納米管的場發射特性。然而，在這個情況中，存在嚴重地缺陷，即必須在製造處理過程中燃制已混合的聚合物，並且還存在一個問題，即很難在大區域中按照產生的電磁場方向排列碳納米管。
並且，已提出這樣一種方法，在高溫下直接製備碳納米管以便按照特定方向排列碳納米管(Wong C.P.，等人，Carbon，44253，2006)。然而，因其具有嚴重缺陷而並不能實際應用，因為在顯示裝置中作為陽極板的氧化銦錫(ITO)玻璃不能抗高溫。
試圖解決上述問題而提出一種用於製造場致發射電極的方法，其包括將碳納米管附著在基板上，在該基板上塗敷導電聚合物，並按照特定方向排列碳納米管(韓國專利公開號NO.2006-0024725)。然而，該方法也未能在大區域中以高密度按照產生電磁場方向排列碳納米管，並且不能克服在製造處理期間必須燃制聚合物的缺陷。
由此，迫切需要研發出一種用於製造場致發射電極的方法，其利用簡單的過程，在大區域中以高密度在沿著產生電磁場方向的特定方向排列碳納米管。
因此，本發明者盡其努力來解決現有按照特定方向排列碳納米管的方法中所存在的問題。結果，本發明者發現，將碳納管排列在固定到電磁場發生器上部上的基板上，然後利用金屬來固定時，有可能製造出場致發射電極，其包括在大區域中以高密度排列的碳納米管，由此完成本發明。

發明內容
由此，本發明的目的是提供一種具有極好場發射特性的場致發射電極，其中把在大區域中以高密度排列的碳納米管用金屬固定到基板上，以及其製造場致發射電極的方法。
為了實現上述目的，一個方面，本發明提供一種用於製造場致發射電極的方法，其中包含有按照磁場方向排列的碳納米管，該方法包括以下步驟(a)在固定到磁場發生器上部的基板上，對已在有機溶劑中稀釋的碳納米管溶液或結合了磁性粒子的碳納米管溶液進行分散；(b)在磁場發生器所產生的磁場中，通過從已分散到基板上的溶液中蒸發掉有機溶劑，在基板上按照所產生的磁場方向排列碳納米管和(c)在基板上沉積金屬，使得即使在零磁場條件下，按照產生的磁場方向排列的碳納米管可以在其排列方向上固定。
在本發明中，所產生的磁場方向優選是與基板呈垂直，水平，或垂直與水平間形成的任意角度，並且優選地，通過利用物理-化學方法將磁性粒子結合到碳納米管上來獲得結合了磁性粒子的碳納米管。並且，在用酸處理碳納米管的方法、使磁性粒子被還原反應的方法、和在碳納米管上鍍磁性粒子的方法中，最好是選擇物理-化學方法。
在本發明中，步驟(a)中的磁場發生器優選的是磁鐵，磁場發生器所產生的磁場大小優選為0.005-10特斯拉(T)。
在本發明中，優選的磁性粒子是含鐵(Fe)的粒子。含鐵(Fe)粒子優選的是從由氯化鐵(FeCl3)，氧化亞鐵(FeO)，氧化鐵(Fe2O3)和四氧化三鐵(Fe3O4)所組成的組中選定。
另一方面，本發明提供一種根據所述方法製造的場致發射電極，其中在沉積有金屬的基板上，結合了磁性粒子的碳納米管以磁場方向排列。
又一方面，本發明提供一種製造場致發射電極的方法，其包含按照電場方向排列的碳納米管，該方法包括以下步驟(a)在固定到電場發生器上部的基板上，對已在有機溶劑中稀釋的碳納米管溶液或結合了磁性粒子的碳納米管的溶液進行分散；(b)在電場發生器所產生的電場中，通過從已分散到基板上的溶液中蒸發掉有機溶劑，在基板上按照所產生的電場方向排列碳納米管；和(c)在基板上沉積金屬，使得即使在零電場條件下，按照產生的電場方向排列的碳納米管可以在其排列方向上固定。
在本發明中，所產生的電場方向優選是與基板呈垂直，水平，或垂直與水平間形成的任意角度，而且步驟(a)中的電場發生器為電場。並電場的大小優選為1-500V/μm。
在本發明中，優選的，步驟(a)另外包括添加分散劑。該分散劑從由有機溶劑四辛基溴化銨(TOAB)，表面活性劑曲拉通X-100(TritonX-100)，十二烷基硫酸鈉(SDS)，十二烷基苯磺酸鈉(NADDBS)和聚乙烯[2-(2『-乙基己氧基)-5-(苯乙炔基)-1，4-亞苯基1，2-亞乙烯基](PAPPV，poly[2-(2『-ethylhexyloxy)-5-(phenylethynyl)-1，4-phenylenevinylene])所組成的組中選定。
在本發明中，在固定到電場發生器上部的基板上，對已在有機溶劑中稀釋的碳納米管溶液進行分散的步驟(a)中，優選的利用從旋塗方法，噴射方法，浸漬塗布方法，和噴墨方法所組成的組中選定的方法來實現。並且，優選的重複步驟(a)和(b)1-1000次來提高碳納米管的密度。此外，碳納米管優選為單層、雙層或多層碳納米管。
在本發明中，步驟(a)中的溶劑優選地從由水(H2O)，二甲基甲醯胺(DMF)，N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)，二甲基乙醯胺(DMAc)，環己酮，乙醇，三氯甲烷，二氯甲烷，1，2-二氯苯和乙醚所組成的組中選定。步驟(a)中的基板優選地從由氧化銦錫(ITO)玻璃，玻璃，石英，玻璃晶片，矽晶片，應用矽，塑料和透明的聚合物所組成的組中選定。步驟(b)中的溶劑優選地通過將溶液加熱到20-300℃的溫度來去除。此外，在上述有機溶劑中，三氯甲烷，二氯甲烷，二乙醚和類似物具有良好的揮發性，從而即使在室溫中也可將它們去除。
在本發明中，在對碳納米管進行分散的步驟(a)中，碳納米管的濃度優選為0.001-1.0wt％，且步驟(a)中已分散在基板上的碳納米管數量為1pg/cm2-1g/cm2(每單位面積中的碳納米管數量)。
在本發明中，步驟(c)中的金屬優選地沉積成厚度為1-5000nm。並且步驟(c)中的金屬優選地從由鈦(Ti)，鉬(Mo)，金(Au)，銀(Ag)，鋁(Al)，鈣(Ca)，鎘(Cd)，鐵(Fe)，鎳(Ni)，鉑(Pt)，鋅(Zn)和銅(Cu)所組成的組中選定。
又一方面，本發明提供一種根據所述方法所製造的場致發射電極，其中在其上沉積有金屬的基板上以產生電場方向排列碳納米管。
通過以下的詳細描述和所附的權利要求將更為清楚地理解本發明的上述及其他目的，特徵以及實施例。


圖1表示通過應用磁場排列的碳納米管的示意圖。
圖2表示碳納米管淨化之前和之後的透射電鏡(TEM)照片(左側50,000倍放大倍率；右側100,000倍放大倍率)，其中圖2(a)表示在淨化前含有雜質的碳納米管，圖2(b)表示淨化後純淨的碳納米管。
圖3表示磁性粒子結合到碳納米管上的透射電鏡(TEM)照片(左側50,000倍放大倍率；右側100,000倍放大倍率)。
圖4表示從圖1(d)上清除掉磁體後的基板，並且表示按照所產生的磁場方向排列的碳納米管的掃描電鏡(SEM)照片(上側50,000倍放大倍率；下側25,000倍放大倍率)，其中圖4(a)表示以80°角度傾斜的基板，圖4(b)表示以45°角度傾斜的基板。
圖5根據本發明按照產生磁場方向排列的碳納米管照片。
圖6表示根據本發明按照所產生的電場方向排列的碳納米管場致發射特性的圖表。
具體實施例方式
碳納米管具有特有的電磁特性，當結合了磁性粒子的碳納米管固定到基板上時，該基板上具有流過其上的電場或磁場，可製造出具有更優良場致發射特性的場致發射電極。
一方面，本發明涉及一種用於製造場致發射電極的方法，其中按照所產生的磁場或電場方向排列碳納米管(CNTs)。
在本發明中，根據圖1所示的方法製造場致發射電極，其中具有磁性粒子結合到其上的碳納米管，按照所產生的磁場或電場方向排列。具體的，如圖1a所示，首先準備好在本發明中將要使用的環形磁鐵，磁場強度為1000高斯(G)。之後，將其上排列有碳納米管的氧化銦錫(ITO)玻璃用碳粘合劑(參見圖1b)連接到磁鐵上。然後，將具有磁性粒子結合到其上的碳納米管分散體滴落在氧化銦錫玻璃上(參見圖1c)。此後，在玻璃上沉積金屬，從而按照所產生的磁場或電場的方向排列並固定碳納米管(參見圖1d)。
在五個獨立步驟中將進一步詳細描述用於製造場致發射電極的方法。
步驟1製備碳納米管在本發明中使用的碳納米管並不受特別限制，並且可從市場購買到或可根據任何常規方法製備出。為了本發明的使用，碳納米管應具有清潔的表面並且不包含金屬催化劑。而且，本發明中所使用的碳納米管優選的是單層，雙層或多層碳納米管，並且可根據Hipco(高壓一氧化碳裂解法)製備。
步驟2將磁性粒子結合到碳納米管上為了將磁性粒子結合到步驟1中所製備的碳納米管上，將氯化鐵(FeCl3)，氧化亞鐵(FeO)，氧化鐵(Fe2O3)和四氧化三鐵(Fe3O4)添加到乙醇，蒸餾水和己烷的混合物中，並加熱從而製備出油酸鐵絡合物。所製備的油酸鐵絡合物與油酸和二甲基甲醯胺(DMF)混合，並將步驟1中所製備的碳納米管添加到混合物中。包含有添加到其中的碳納米管的混合物完全溶解在1-十八碳烯中，並再對其加熱，從而從該混合物中蒸發掉溶劑。用乙醇將剩餘材料洗滌3-4遍，由此製備具有磁性粒子結合到其上的碳納米管。
步驟3在基板上分散結合了磁性粒子的碳納米管將步驟2中所製備出的結合了磁性粒子的碳納米管至少在一種溶劑中稀釋，該溶劑從由二甲基甲醯胺(DMF)，N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)，二甲基乙醯胺(DMAc)，環己酮，乙醇，三氯甲烷，二氯甲烷，1，2-二氯苯和乙醚所組成的組中選定，其濃度為0.001-1.0wt％。之後，將結合了磁性粒子的碳納米管的分散體滴到氧化銦錫(ITO)玻璃基板上，該氧化銦錫(ITO)玻璃基板固定到具有磁場的磁鐵上部，並且可蒸發該溶劑。
步驟4提高基板上結合了磁性粒子的碳納米管的密度在步驟3中製備的氧化銦錫(ITO)玻璃基板上，完全蒸發溶劑，添加1-2滴已在溶劑中稀釋的結合了磁性粒子的碳納米管的分散體，然後可在高溫條件下將該溶劑蒸發。為了提高結合了的磁性粒子碳納米管的密度，可重複上述步驟5-20次，通過這麼做，根據上述方法製備的結合了磁性粒子的碳納米管按照磁鐵所產生的磁場方向排列。
步驟5將結合了磁性粒子的碳納米管固定到基板上為了即使在零磁場條件下仍能使步驟4中的按照磁場方向排列的碳納米管在其排列方向上固定，將從由鈦(Ti)，鉬(Mo)，金(Au)，鋁(Al)，鈣(Ca)，鎘(Cd)，鐵(Fe)，鎳(Ni)，鉑(Pt)，鋅(Zn)和銅(Cu)所組成的組中選出的一種金屬沉積在基板上，由此製造出純淨的場致發射電極。
另一方面，本發明涉及一種用於製造場致發射電極的方法，在其中按照所產生的電場方向排列碳納米管(CNTs)。
在上述描述中，僅詳細描述了包含有將磁鐵作為電磁場發生器並通過將磁性粒子結合到其上來排列碳納米管的方法。然而，通過前面的描述，電場發生器是電場，並且通過將表面活性劑添加到碳納米管溶液中以在基板上排列碳納米管來製造場致發射電極，或通過在固定到電磁場發生器上的基板上排列純淨的碳納米管來製造場致發射電極，對於本領域技術人員來說都是顯而易見的。具體的，可通過以下步驟製造出按照所產生的電場方向排列的場致發射電極(a)在固定到電場發生器上部的基板上，對已在有機溶劑中稀釋的碳納米管溶液進行分散；(b)在電場發生器所產生的電場中，通過從已分散到基板上的溶液中蒸發掉有機溶劑，在基板上按照所產生的電場方向排列碳納米管；和(c)為了即使在零電場條件下仍能使按照產生電場方向排列的碳納米管在其排列方向中固定，在基板上沉積金屬。
根據本發明，可製造出場致發射電極，在其中按照所產生的電磁場方向，與基板呈垂直，水平，或垂直與水平間形成的任意角度排列碳納米管(CNTs)。並且，可利用在大區域中按照所產生電磁場方向以高密度排列特有的場致發射性能的碳納米管，來製造具有極大改進了場致發射效果的場致發射電極。根據本發明方法製造出的場致發射電極可作為顯示器的場致發射電極，並且也可利用場致發射現象，在掃描電子顯微鏡(SEM)和透射電子顯微鏡(TEM)中應用。
實施例以下將通過實施例對本發明進行更為詳細的描述。然而，可以理解的是，可將這些實施例修改為其他各種形式，而且本發明的範圍並不受這些實施例的限制。給出實施例是為了向本領域技術人員更為全面地描述本發明。
實施例1製備碳納米管在365℃的熔爐中放置500mg的碳納米管，其中將它們進行90分鐘的熱處理，同時將0.1SLM(每分鐘的標準公升)的空氣注入到熔爐中。將已熱處理過的碳納米管添加到500ml的鹽酸中，進行1個小時的超聲處理，並通過1個過濾器對其進行過濾。之後，將已過濾的碳納米管添加到500ml的鹽酸中，進行1個小時的超聲處理，以及通過1個1-μm過濾器對其進行過濾。重複鹽酸處理過程3-5次來淨化碳納米管。並且，用透射電鏡(TEM)照片顯示出在淨化處理之前和之後的碳納米管(參見圖2)。結果，如圖2中所示，在淨化前碳納米管含有雜質(參見圖2a)，而在淨化之後它們不含有雜質(參見圖2b)。將已淨化的碳納米管浸入到硫酸和過氧化氫的混合物(4∶1v/v)中，並攪拌9小時從而切割它們。之後，在蒸餾水中稀釋所得到的碳納米管，通過500-nm過濾器進行過濾，並在120℃的烘箱中乾燥至少12個小時。
實施例2將磁性粒子結合到碳納米管上將10.8g的氯化鐵(FeCl3·6H2O)和36.5g的油酸鈉(Cl8H33NaO2)添加到80ml乙醇、60ml蒸餾水和140ml己烷的混合物中，並在70℃的條件下加熱4小時，由此製備出油酸鐵絡合物。將12g的製備好的油酸鐵絡合物，2.83g的油酸和3ml二甲基甲醯胺(DMF)溶劑彼此混合，並在該混合物中分散150mg實施例1中所製備的碳納米管。
之後，在室溫下，在130ml的1-十八烯中完全溶解該混合物，並將混合物加熱到320℃的溫度，在那個溫度使其進行30分鐘的反應，之後冷卻到室溫。用乙醇對反應材料進行3-4次的洗滌，離心去除掉上清液，之後通過1-μm過濾器進行過濾，由此提供有氧化鐵(Fe2O3)結合到其上的碳納米管。利用透射電鏡(TEM)照片觀測到所製備出的碳納米管(參見圖3)。結果，如圖3中所示，可以看到的是，碳納米管具有結合到其上的磁性粒子。
實施例3在基板上分散磁性粒子-碳納米管將實施例2中製備出的5mg磁性粒子-碳納米管在50ml的二甲基甲醯胺(DMF)中分散，然後在40ml的純淨二甲基甲醯胺(DMF)中稀釋10ml的分散體。
同時，將氧化銦錫(ITO)玻璃固定到具有1000高斯磁場強度的磁鐵上，並將其放置到120℃的烘箱內。當氧化銦錫(ITO)玻璃的溫度升高到120℃時，將1μl在二甲基甲醯胺中稀釋了的結合了磁性粒子的碳納米管的上述溶液滴在烘箱內的氧化銦錫(ITO)玻璃上，並在120℃中保持10分鐘，使二甲基甲醯胺(DMF)蒸發掉。
實施例4提高基板上的結合了磁性粒子的碳納米管的密度將大約1μl已在二甲基甲醯胺中稀釋過的結合了磁性粒子的碳納米管溶液進一步滴在實施例3中製備的氧化銦錫(ITO)玻璃基板上，該玻璃基板上的二甲基甲醯胺(DMF)已被完全蒸發掉。之後，將裝有玻璃基板的烘箱在溫度120℃中保持10分鐘，從而蒸發掉二甲基甲醯胺(DMF)。為了提高基板上的結合了磁性粒子的碳納米管的密度，重複這個步驟幾十次。
通過掃描電鏡(SEM)照片觀測根據上述方法製備的基板，結果，可以看到的是，結合了磁性粒子的碳納米管按照磁鐵所產生的磁場方向排列(參見圖4)。
實施例5在基板上固定結合了磁性粒子的碳納米管為了即使在零磁場條件下仍能按照所產生的磁場方向排列結合了磁性粒子的碳納米管，在室溫中，利用e射線沉積系統(MooHan有限公司，韓國)以0.5nm/sec的速度，在基板上沉積總高度為30nm和70nm的鈦(Ti)。在完成沉積之後，拆掉磁鐵，由此製造出純淨的場致發射電極(參見圖5)。如圖5所示，可以看到的是，在場致發射電極中的碳納米管按照所產生的磁場方向排列。
並且，為了檢測在製造的場致發射電極中碳納米管電極的場致發射特性，根據一個電場對碳納米管的電流密度進行測量(參見圖6)。如圖6中所示，可以看到的是，根據本發明的場致發射電極具有極好的場致發射特性。
工業應用如前所述，根據本發明，可以簡單的步驟製造包括高密度和高性能的碳納米管(CNTs)按照所產生的電磁場方向中排列的場致發射電極。根據本發明的場致發射電極可作為顯示器的場致發射電極，也可利用場致發射現象在掃描電子顯微鏡(SEM)和透射電子顯微鏡(TEM)中應用。
雖然參考具體說明的實施例已對本發明進行了描述，但是並不受這些實施例的限制，而是通過所附加的權利要求來限制。可以理解的是，本領域的技術人員在不超出本發明的範圍和精神的條件下可對實施方式進行改變和修改。
權利要求
1.一種製造場致發射電極的方法，該場致發射電極包括按照磁場方向排列的碳納米管，該方法包括以下步驟(a)在固定到磁場發生器上部的基板上，對已在有機溶劑中稀釋的碳納米管或結合了磁性粒子的碳納米管的溶液進行分散；(b)在電場發生器所產生的磁場中，通過蒸發分散在基板上的溶液中有機溶劑，在基板上按照磁場方向排列碳納米管；和(c)在基板上沉積金屬，使得即使在零磁場條件下，按照產生的磁場方向排列的碳納米管可以在其排列方向上固定。
2.根據權利要求1中所述的製造場致發射電極的方法，其特徵在於所產生的磁場方向是與基板呈垂直，水平，或垂直與水平間形成的任意角度。
3.根據權利要求1中所述的製造場致發射電極的方法，其特徵在於利用物理-化學方法將磁性粒子結合到碳納米管上來獲得結合了磁性粒子的碳納米管。
4.根據權利要求3中所述的製造場致發射電極的方法，其特徵在於物理-化學方法是從用酸處理碳納米管的方法、使磁性粒子被還原反應的方法和在碳納米管上鍍磁性粒子的方法組成的組中選擇。
5.根據權利要求1中所述的製造場致發射電極的方法，其特徵在於磁性粒子是含鐵(Fe)粒子。
6.根據權利要求1中所述的製造場致發射電極的方法，其特徵在於磁場發生器所產生的磁場大小為0.005-10特斯拉(T)。
7.一種製造場致發射電極的方法，該場致發射電極包括按照電場方向排列的碳納米管，該方法包括以下步驟(a)在固定到電場發生器上部的基板上，對已在有機溶劑中稀釋的碳納米管溶液進行分散；(b)在電場發生器所產生的電場中，通過蒸發分散在基板上的溶液中有機溶劑，在基板上按照電場方向排列碳納米管；和(c)在基板上沉積金屬，使得即使在零電場條件下，按照產生的電場方向排列的碳納米管可以在其排列方向上固定。
8.根據權利要求7中所述的製造場致發射電極的方法，其特徵在於所產生的電場方向與基板呈垂直，水平，或垂直與水平間形成的任意角度。
9.根據權利要求7中所述的製造場致發射電極的方法，其特徵在於步驟(a)中的電場發生器是電場。
10.根據權利要求9中所述的製造場致發射電極的方法，其特徵在於電場大小為0.1V/μm～500V/μm。
11.根據權利要求7中所述的製造場致發射電極的方法，其特徵在於步驟(a)還包括添加分散劑。
12.根據權利要求11中所述的製造場致發射電極的方法，其特徵在於分散劑是從有機溶劑四辛基溴化銨(TOAB)，表面活性劑曲拉通X-100(Triton X-100)，十二烷基硫酸鈉(SDS)，十二烷基苯磺酸鈉(NADDBS)和PAPPV(聚乙烯[2-(2『-乙基己氧基)-5-(苯乙炔基)-1，4-亞苯基1，2-亞乙烯基])所組成的組中選定。
13.根據權利要求1或7中所述的製造場致發射電極的方法，其特徵在於在固定到電場發生器上部的基板上，對已在有機溶劑中稀釋了的碳納米管溶液進行分散的步驟(a)是，利用了從旋塗方法，噴射方法，浸漬塗布方法，和噴墨方法組成的組中選定的方法來實現該步驟。
14.根據權利要求1或7中所述的製造場致發射電極的方法，其特徵在於重複步驟(a)和(b)1-1000次，從而提高碳納米管的密度。
15.根據權利要求1或7中所述的製造場致發射電極的方法，其特徵在於步驟(a)中的溶劑是從水(H2O)，二甲基甲醯胺(DMF)，N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)，二甲基乙醯胺(DMAc)，環己酮，乙醇，三氯甲烷，二氯甲烷，1，2-二氯苯和乙醚組成的組中選定的。
16.根據權利要求1或7中所述的製造場致發射電極的方法，其特徵在於步驟(a)中的基板是從氧化銦錫(ITO)玻璃，玻璃，石英，玻璃晶片，矽晶片，應用矽，塑料和透明聚合物組成的組中選定的。
17.根據權利要求1或7中所述的製造場致發射電極的方法，其特徵在於步驟(a)中分散的碳納米管的碳納米管濃度為0.001-1.0wt％。
18.根據權利要求1或7所述中的製造場致發射電極的方法，其特徵在於步驟(b)中的溶劑通過將溶液加熱到20-300℃溫度來去除掉。
19.根據權利要求1或7中所述的製造場致發射電極的方法，其特徵在於步驟(a)中分散在基板上的碳納米管數量為1pg/cm2-1g/cm2(每單位面積中的碳納米管數量)
20.根據權利要求1或7中所述的製造場致發射電極的方法，其特徵在於步驟(c)中的金屬沉積厚度為1-5000nm。
21.根據權利要求1或7中所述的製造場致發射電極的方法，其特徵在於步驟(c)中的金屬是從鈦(Ti)，鉬(Mo)，金(Au)，銀(Ag)，鋁(Al)，鈣(Ca)，鎘(Cd)，鐵(Fe)，鎳(Ni)，鉑(Pt)，鋅(Zn)和銅(Cu)組成的組中選定的。
全文摘要
本發明涉及一種製造場致發射電極的方法，其中碳納米管(CNTs)按照產生磁場的方向排列。具體的，該方法包括以下步驟在固定到電磁場發生器上部的基板上，對已在有機溶劑中稀釋的碳納米管(CNTs)溶液進行分散，固定以電磁場發生器所產生的電磁場方向排列的碳納米管。根據所公開的方法，通過簡單的過程製造出按照所產生的電磁場方向排列的高密度、高性能的碳納米管，並可應用於場致發射顯示器(FED)的陽極材料，傳感器，電極，背光以及類似物。
文檔編號H01J9/02GK101079356SQ20071010376
公開日2007年11月28日 申請日期2007年5月23日 優先權日2006年5月26日
發明者鄭喜臺, 尹相天, 高永觀 申請人:韓國科學技術院