衝擊高壓線路的製作方法
2023-10-18 03:17:44
專利名稱：衝擊高壓線路的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種衝擊高壓線路，尤其是一種用於匝間衝擊測試儀的衝擊高壓線路。
背景技術：
目前匝間衝擊測試儀的高壓發生電路，一般採用二種方法，第一種方法是採用高壓變壓器，把工頻直接變換為所需的高壓電，通過調壓器進行調正，再經整流變成所需的直流電壓。第二種方法是採用半橋式脈衝寬度調製開關穩壓電源電路，產生可調節的直流高電壓，此高電壓直接用於衝擊測試。以上二種方法對產生穩定的高電壓都有一定的困難，所以影響了測試精度。
發明內容
本實用新型的目的是針對現有技術中高電壓不穩定的缺點而提供一種具有穩定高電壓從而使匝間衝擊測試儀的測試精度有很大提高的衝擊高壓線路。
本實用新型的目的是按如下的方式來實現的本實用新型所述的衝擊高壓線路，包括半橋式直流高壓變換電路、比較電路、可編程邏輯器件、分壓電路、觸發電路、可控矽輸出電路，半橋式直流高壓變換電路經電阻R與電容C線連接，電容C的一端與可控矽輸出電路相連接並與分壓電路相連接，電容C的另一端與地相連接；分壓電路與比較電路和半橋直流高壓變換電路連接接，分壓電路由來自單片機的信號P1-P8控制，半橋式直流高壓變換電路與比較電路相聯接，比較電路與可編程邏輯器件相連接，可編程邏輯器件與觸發電路和半橋式直流高壓變換電路相連接，觸發電路與可控矽輸出電路相聯接。
本實用新型所述的衝擊高壓線路，其工作過程如下半橋式直流高壓變換產生直流高壓，直流高壓通過電阻R對電容C進行充電，並通過分壓後反饋到半橋式直流高壓變換，通過單片機發出的P1～P8信號，對分壓電路進行控制，改變電壓的分壓比，從而控制了電容C上的直流高電壓，當單片機發出啟動信號Pc，信號經編程邏輯器件，並發出脈衝信號關閉半橋式直流高壓變換，半橋式直流高壓變換停止工作，電容C上的電壓下降，經分壓電路後的Vm也隨之下降，Ve是來自半橋式直流高壓變換中穩定的基準電壓，與Vm一同到比較電路，當Vm與Ve相同時，比較電路發出信號到可編程邏輯器件，此時可編程邏輯器件發出信號，通過觸發電路觸發可控矽導通，並同時啟動AD取樣。
本實用新型的積極效果如下在上述工作中，由於觸發可控矽時的C上電壓的穩定度是決定於Ve，並且是在半橋式直流高壓變換在停止工作時觸發的，此時噪聲很小，所以此電路大大的提高了測試儀的精度。
圖1是本實用新型電路方框圖。
圖2是本實用新型半橋式直流高壓變換電路示意圖。
圖3是本實用新型比較電路示意圖。
圖4是本實用新型可編程邏輯器件電路示意圖。
圖5是本實用新型分壓電路示意圖。
圖6是本實用新型觸發電路示意圖。
圖7A、圖7B是本實用新型可控矽輸出電路示意圖。
圖1中1為半橋式直流高壓變換電路 2為比較電路3為可編程邏輯器件分壓電路 4為分壓電路5為觸發電路 6為可控矽輸出電路具體實施方式
如圖1所示，本實用新型所述的衝擊高壓線路，包括半橋式直流高壓變換電路1、比較電路2、可編程邏輯器件3、分壓電路4、觸發電路5、可控矽輸出電路6，半橋式直流高壓變換電路1經電阻R與電容C線連接，電容C的一端與可控矽輸出電路6相連接並與分壓電路4相連接，電容C的另一端與地相連接；分壓電路4與比較電路2和半橋直流高壓變換電路1連接接，分壓電路4由來自單片機的信號P1-P8控制，半橋式直流高壓變換電路1與比較電路2相聯接，比較電路2與可編程邏輯器件3相連接，可編程邏輯器件3與觸發電路5和半橋式直流高壓變換電路1相連接，觸發電路5與可控矽輸出電路6相聯接。
如圖2所示，所述的半橋式直流高壓變換電路由集成電路U2(SG3525)產生調寬脈衝，脈衝的寬度是根據基準電壓Ve與輸出反饋電壓Vm決定的，使輸出電壓Vh在規定值內，調寬脈衝經耦合變壓器T1、功率管BG1、BG2到高壓變壓器T2，輸出高電壓經電阻R9，對電容C11、C12進行充電，充電電壓Vh經分壓電路反饋到Inv、iN，其特徵在於可編程邏輯器件3有一信號SPR到集成電路U2的S-DOWN端，可控制半橋式直流高壓變換工作或停止工作；Ve為一穩定電壓，也可來自U2的Vre。
如圖3所示，所述的比較電路由IC21、IC22、IC23相互連接而成，其IC22作為比較器，其一組信號來於Vm，另一組信號來於Ve，Ve通過R12、R13的分壓到IC22。
如圖4所示，可編程邏輯電路是由GAL16V8D組成，主要作用是單片機發出觸發信號SCRi後，該電路發出SPR信號關閉半橋式直流高壓變換中的集成電路U2，當收到來自比較電路的信號PB，該電路發出SCRO信號觸發可控矽，該電路同時啟動AD工作。
如圖5所示，所述的分壓電路，高電壓Vh經R31、R32到由多組電阻並聯而成的電阻網上，產生分壓為Vm，MOS管GB3～GB10，可以控制每隻並聯電阻的導通與截止，即改變總並聯電阻值，並聯電阻阻值為R18＝2R16、R20＝2R18、R22＝2R20、R24＝2R22、R26＝2R24、R28＝2R26、R30＝2R28，P1～P8信號來自單片機可控制總並聯電阻值，從而控制了Vh的電壓值。
如圖6所示，所述的觸發電路由推動集成塊IC51、電阻R33、電容C22、二極體D3、變壓器T3組成，觸發脈衝推動T3初級，當有多組可控矽串聯時，次級由多組組成，分別推動可控矽。
如圖7A、圖7B所示，可控矽輸出電路，根據不同的測試由多只可控矽串聯或並聯組成，每隻可控矽並上一隻電阻，使其反向電壓均勻，經二極體D4後到被測線圈，經二極體D5後到一電感。
以上所述是本實用新型的較佳實施例，凡依本實用新型技術方案所做的改變，所產生的功能未超出本實用新型技術方案範圍時，均屬於本實用新型的保護範圍。
權利要求1.一種用於匝間衝擊測試儀的衝擊高壓線路，其特徵在於所述衝擊高壓線路包括半橋式直流高壓變換電路、比較電路、可編程邏輯器件、分壓電路、觸發電路、可控矽輸出電路，半橋式直流高壓變換經電阻R與電容C線連接，電容C一端與可控矽電路相連接並與分壓電路相連接，分壓電路與比較電路與半橋直流高壓變換連接，分壓電路由來自單片機的信號控制，比較電路與可編程邏輯器件相連，比較電路與分壓電路相聯接，可編程邏輯器件與觸發電路相連接，觸發電路與可控矽相聯接。
2.根據權利1所述的衝擊高壓線路，其特徵在於半橋式直流高壓變換電路中集成U2的S-DOWN端，與可編程邏輯器件信號線SPR相連接。
3.根據權利1所述的衝擊高壓線路，其特徵在於所述的比較電路由IC21、IC22、IC23相互連接而成。
4.根據權利1所述的衝擊高壓線路，其特徵在於所述的分壓電路，由多組電阻R16、R18、R20、R22、R24、R26、R28、R30並聯組成，並串上電阻R31、R32，每隻並聯電阻串有BG3～BG10。
5.根據權利4所述的衝擊高壓線路，其特徵在於所述的BG3、BG4、BG5、BG6、BG7、BG8、BG9、BG10，均為VMOS電晶體，分別由來自單片機的信號P1～P8控制。
專利摘要本實用新型涉及一種衝擊高壓線路，尤其是一種用於匝間衝擊測試儀的衝擊高壓線路。所述衝擊高壓線路包括半橋式直流高壓變換電路、比較電路、可編程邏輯器件、分壓電路、觸發電路、可控矽輸出電路，半橋式直流高壓變換經電阻R與電容C線連接，電容C一端與可控矽電路相連接並與分壓電路相連接。分壓電路與比較電路與半橋直流高壓變換連接。分壓電路由來自單片機的信號控制。比較電路與可編程邏輯器件相連。比較電路與分壓電路相聯接。可編程邏輯器件與觸發電路相連接。觸發電路與可控矽相聯接。本實用新型具有穩定高電壓，從而使匝間衝擊測試儀的測試精度有很大提高。
文檔編號H02M3/04GK2891471SQ200520044219
公開日2007年4月18日 申請日期2005年8月11日 優先權日2005年8月11日
發明者竺香松, 竺北康, 吳啟連, 徐新松 申請人:上海滬光電子控制設備廠