降低多晶矽片翹曲度的裝置的製作方法

2023-10-19 05:46:07 1

專利名稱：降低多晶矽片翹曲度的裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種降低多晶矽片翹曲度的裝置。
背景技術：
如圖1所示為現有技術中多晶矽薄膜生長裝置，其包括反應爐管1，反應爐管1上下分別設置有電加熱器12。反應爐管1內底部設置有進氣管2。進氣管2 —端設置有進口 21。進氣管2管壁設置有均勻分布的通孔(圖中未示出)。一部分反應氣體自進口 21，經進氣管2橫向流動後穿過通孔進入反應爐管1內。反應爐管1內遠離進氣管2的進口 21的一端設置有爐口進氣管3。爐口進氣管3的上端設置有進口 31。爐口進氣管3的管壁上設置有通孔(圖中未示出)。另一部分反應氣體自進口 31進入爐口進氣管3縱向流動後穿過通孔進入反應爐管1內。反應爐管1靠近進氣管2的進口 21的一端設置有抽氣管11。抽真空裝置(圖中未示出)經抽氣管11抽出反應爐管1內的氣體，以增加反應爐管1內的反應氣體的流動性。這種生長多晶的裝置缺點之一是反應氣體分布不均勻，導致生長的多晶薄膜厚度不均勻，且易造成生長多晶後的矽片翹曲度超出使用要求的標準。未生長多晶薄膜前的矽片WARP平均值一般為10左右。在有些應用領域，需要WARP彡37。利用現有技術中的裝置和方法，經過多晶工藝後，WARP增加量平均27. 47，無法達到使用要求，增幅過大造成不良率上升。在矽片表面生長多晶後，翹曲度均會增加。增加幅度過大時無法滿足使用要求。多晶生長工藝的各參數值對翹曲度增加幅度也會產生影響，尋找一種可降低多晶矽片翹曲度的生產方法及裝置以解決翹曲度過大是本領域內重要的技術問題。

發明內容
本發明的目的是為了克服現有技術中的不足，提供防止生長多晶後的矽片翹曲度過大、可降低多晶矽片翹曲度的裝置。為實現以上目的，本發明通過以下技術方案實現降低多晶矽片翹曲度的裝置，包括反應爐管，其特徵在於，所述反應爐管底部設置有彌散管，彌散管兩端均設置有進口 ；彌散管管壁上設置有多個通孔；彌散管通過通孔與反應爐管連通。優選地是，位於反應爐管內的彌散管中間0. 3倍管長範圍內的通孔密度為其他部分的通孔密度的5-15倍。所述的0. 3倍管長是指自位於反應爐管內的彌散管中點分別向兩端延伸0. 15倍的長度。優選地是，位於反應爐管內的彌散管上的通孔以位於反應爐管內的彌散管中點為中心對稱設置。離進口越近，則壓力越大，壓力越大，則流速越快。而彌散管中部是離氣源最遠的地方，因此在彌散管靠近進口的地方稀疏設置通孔，而中部密集設置通孔，可有助於反應管內的壓力均勻。本發明通過選擇合適的裝置，在矽片表面生長多晶薄膜後，WARP增加量最小可達到5. 35。且矽片的均勻性也能達到使用要求。


圖1為現有技術中使用的在矽片表面生長多晶矽薄膜的裝置結構示意圖。圖2為本發明中使用的在矽片表面生長多晶矽薄膜的裝置結構示意圖。圖3為本發明中的位於反應爐管內的彌散管結構示意圖。圖4為使用本發明中的裝置生產矽片的warp值與均勻性與溫度的對應曲線圖。
具體實施例方式下面結合附圖對本發明進行詳細的描述如圖2所示，可降低多晶矽片翹曲度的裝置，其包括反應爐管1，反應爐管上下均設置有加熱器12，用於為反應爐管1加熱。反應爐管1內底部設置有彌散管4。彌散管4 兩端分別設置有第一進口 41和第二進口 42。如圖3所示，彌散管位於反應爐管內的長度L 為2300mm。彌散管4管壁設置有通孔43。自彌散管4位於反應爐管1內的兩端至0. 35L， 即805mm範圍內分別設置有一個通孔，剩餘0. 3L即690mm範圍內設置有12個通孔。使用時，反應氣體分別自第一進口 41和第二進口 42進入彌散管4內，在彌散管4 內橫向流動後穿過通孔43進入反應爐管1內。反應爐管1設置有抽氣管11。抽真空裝置 (圖中未示出)經抽氣管11抽出反應爐管1內的氣體，以增加反應爐管1內的反應氣體的流動性。分別使用使用上述裝置現有技術中的裝置，在相同的工藝參數條件下生產的多晶
矽片的翹曲度數值如下表所示
權利要求
1.降低多晶矽片翹曲度的裝置，包括反應爐管，其特徵在於，所述反應爐管底部設置有彌散管，彌散管兩端均設置有進口 ；彌散管管壁上設置有多個通孔；彌散管通過通孔與反應爐管連通。
2.根據權利要求1所述的降低多晶矽片翹曲度的裝置，其特徵在於，位於反應爐管內的彌散管中間0. 3倍管長範圍內的通孔密度為其他部分的通孔密度的5-15倍。
3.根據權利要求2所述的降低多晶矽片翹曲度的裝置，其特徵在於，位於反應爐管內的彌散管上的通孔以位於反應爐管內的彌散管中點為中心對稱設置。
全文摘要
本發明公開了一種降低多晶矽片翹曲度的裝置，包括反應爐管，其特徵在於，所述反應爐管底部設置有彌散管，彌散管兩端均設置有進口；彌散管管壁上設置有多個通孔；彌散管通過通孔與反應爐管連通。本發明通過選擇合適的裝置，在矽片表面生長多晶薄膜後，WARP增加量最小可達到5.35。且矽片的均勻性也能達到使用要求。
文檔編號C30B28/14GK102345165SQ201110231808
公開日2012年2月8日 申請日期2011年8月14日 優先權日2011年8月14日
發明者江笠 申請人:上海合晶矽材料有限公司