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用有機溶劑進行矽片清洗的方法

2023-12-06 16:43:11

專利名稱:用有機溶劑進行矽片清洗的方法
技術領域:
本發明涉及太陽能級矽片的製造技術領域,特別涉及矽片清洗技木。
背景技術:
太陽能級矽片由於製成後下段為太陽能電池制絨段,在酸制絨過程中主要依 靠矽片的晶體缺陷和矽片表面損傷層,所以在矽片清洗時既要將矽片表面髒汙清洗乾淨,並且不能破壞娃片表面損傷層。目前矽片的清洗方法為酸洗或者鹼洗與矽片反應的矽片清洗方法。無論是酸性溶液還是鹼性溶液都一定會破壞矽片製造過程中留下的機械損傷層,但在後段的酸制絨過程中,酸液主要依靠矽片的晶體缺陷和機械損傷層來進行制絨,所以呈酸性或者鹼性的無機清洗液無法保證制絨效果。而使用有機清洗劑,就可克服以上存在的缺陷。

發明內容
本發明的目的是提供一種用有機溶劑進行矽片清洗的方法,此方法可以輕鬆的把矽片表面的髒汙清洗乾淨,並且保留了矽片原有的機械損傷層,使矽片在後段酸制絨過程中反射率多降低2%左右。不僅清洗效率提高,而且不會引入雜質離子,減少了清洗成本與汙染。為實現上述發明目的,本發明採用如下技術方案
用有機溶劑進行矽片清洗的方法,其特徵在於依次進行以下步驟a矽片從砂漿液中取出後,立即放入50 — 100攝氏度的熱純水中超聲清洗,清洗10 — 30分鐘;b之後,矽片放入有機清洗液YB中,在溫度為30 — 75攝氏度時進行超聲清洗,清洗30分鐘以上;其中所述有機清洗液YB為有機溶物こ醇與丙酮為溶質的水溶液;在溶液混合吋,こ醇的濃度為95%以上,こ醇在溶液體積中所佔比例為44% — 75%,丙酮的濃度為99%以上,丙酮在溶液體積中所佔比例為10%以上,其餘為純水;所述超聲波的頻率28 — 40kHz,功率為1000 —3000W。進ー步
所述超聲波的頻率是40kHz ;功率是2500-3000W。本發明的有益效果是由於,第一歩主要清洗了矽片表面所殘留的金屬屑和砂漿,第二步主要清洗了矽片表面的油汙和有機溶劑,從而此方法可以輕鬆的把矽片表面的髒汙清洗乾淨,並且保留了矽片原有的機械損傷層。經檢測,使矽片在後段酸制絨過程中反射率多降低2%左右。不僅清洗效率提高,而且不會引入雜質離子,減少了清洗成本與汙染。
具體實施例方式為了使本技術領域的人員更好地理解本發明方案,並使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂,下面結合實施例對本發明作進ー步詳細的說明。
實施例
首先矽片在切片後應該立即放入50至100攝氏度的熱水中進行超聲清洗,清洗好的矽片應該立即放入到溫度在45到75攝氏度的YB清洗液中超聲清洗。YB清洗液應在常溫下配製,配製所需溶劑為乙醇和丙酮,乙醇在溶液體積中所佔比例為45%至75%,丙酮在溶液體積中所佔比例為10%以上。YB超聲清洗的時間根據矽片情況而定。在矽片從砂漿液中取出來後暴露空氣中的時間超過半小時以上,而且表面髒汙比較多的情況下,時間為45分鐘以上;在矽片從砂漿液中取出後立即清洗,且表面髒汙較少情況下,時間為30分鐘以上。以上所述,僅為本發明的具體實施方式
,但本發明的保護範圍並不局限於此,任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術範圍 內,可輕易想到的變化或替換,都應涵蓋在本發明的保護範圍之內。
權利要求
1.用有機溶劑進行矽片清洗的方法,其特徵在於依次進行以下步驟a矽片從砂漿液中取出後,立即放入50 - 100攝氏度的熱純水中超聲清洗,清洗10 - 30分鐘;b之後,矽片放入有機清洗液YB中,在溫度為30 - 75攝氏度時進行超聲清洗,清洗30分鐘以上;其中所述有機清洗液YB為有機溶物乙醇與丙酮為溶質的水溶液;在溶液混合時,乙醇的濃度為95%以上,乙醇在溶液體積中所佔比例為44% - 75%,丙酮的濃度為99%以上,丙酮在溶液體積中所佔比例為10%以上,其餘為純水;所述超聲波的頻率28 - 40kHz,功率為1000 —3000W。
2.根據權利要求I所述的用有機溶劑進行矽片清洗的方法,其特徵在於所述的超聲波的頻率是40kHz ;功率是2500-3000W。
全文摘要
本發明公開了一種用有機溶劑進行矽片清洗的方法,涉及矽片清洗技術,依次進行以下步驟a矽片從砂漿液中取出後,立即放入50-100攝氏度的熱水中超聲清洗,清洗10-30分鐘;b之後,矽片放入有機清洗液YB中,在溫度為30-75攝氏度時進行超聲清洗,清洗30分鐘以上;其中所述有機清洗液YB為有機溶物乙醇與丙酮為溶質的水溶液;所述超聲波的頻率28-40kHz,功率為2500-3000W。本發明的有益效果是此方法可以輕鬆的把矽片表面的髒汙清洗乾淨,並且保留了矽片原有的機械損傷層。經檢測,使矽片在後段酸制絨過程中反射率多降低2%左右。不僅清洗效率提高,而且不會引入雜質離子,減少了清洗成本與汙染。
文檔編號B08B3/12GK102806217SQ201210298448
公開日2012年12月5日 申請日期2012年8月21日 優先權日2012年8月21日
發明者石堅, 孫志剛, 劉茂華, 韓子強 申請人:安陽市鳳凰光伏科技有限公司, 石堅

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