超聲換能組件及其製造方法
2024-03-04 09:47:15
超聲換能組件及其製造方法
【專利摘要】本發明涉及超聲換能器組件(100),該超聲換能器組件包括用於在總的傳輸方向（A）上發射超聲波的超聲換能器元件（175、175a）。超聲換能器元件（175、175a）中的每一個或部分超聲換能器元件（175、175a）中的每一個包括：具有相對於總的傳輸方向（A）的上表面、下表面和側表面的壓電層（110、110a），以及下電極層（111、111a）和上電極層（112、112a）。在所述壓電層中的至少一個特定壓電層（110a）的側表面的至少部分上施加導電層（125），以使得所述導電層（125）連接至所述特定壓電層（110a）的所述上電極層（112a）和所述下電極層（111a）。
【專利說明】超聲換能組件及其製造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及超聲換能器組件，其包括用於在總的(general)傳輸方向上發射超聲波的超聲換能器元件。本發明進一步涉及製造這樣的超聲換能器組件的方法。
【背景技術】
[0002]US2008/0315331A1公開了一種換能器組件，其具有通過形成在cMUT陣列中的過孔以及通過ASIC來提供的地連接。換能器模塊包括形成在半導體襯底上的cMUT換能器子陣列，其中前電極位於隔膜之上，並且其中該隔膜懸置在絕緣載體之上。個體單元包括用於從ASIC電路單元接收信號的底部電極。導電過孔形成在位於相鄰的換能器單元之間的絕緣載體內以將前電極連接到cMUT襯底上的接觸部。然而，在US2008/0315331A1中所公開的換能器組件相當的複雜，因此並不容易製造。
【發明內容】
[0003]本發明的目的是提供超聲換能器組件以及相應的製造方法，該製造方法提供了更簡單的製造且由此提供了更便宜的超聲換能器組件。
[0004]在本發明的第一方面中提出了超聲換能器組件，所述超聲換能器組件包括用於在總的傳輸方向上發射超聲波的超聲換能器兀件。所述超聲換能器兀件中的每一個或部分所述超聲換能器中的每一個包括:壓電層，其具有上表面、下表面和相對於一般傳輸方向的側表面；以及下電極層和上電極層。進一步地，在所述壓電層中的至少一個特定壓電層的側表面的至少部分上(直接地)施加導電層，以使得所述導電層連接至所述特定壓電層的所述上電極層和所述下電極層。
[0005]在本發明的進一步的方面中，提供了製造超聲換能器組件的方法，所述組件包括用於在總的傳輸方向上發射超聲波的超聲換能器元件。所述方法包括:針對超聲換能器元件中的每一個或部分超聲換能器中的每一個提供壓電層，所述壓電層具有上表面、下表面和相對於一般傳輸方向的側表面。所述方法進一步包括:針對超聲換能器兀件中的每一個或部分超聲換能器元件中的每一個，布置或施加下電極層以及布置或施加上電極層。所述方法進一步包括，在所述壓電層中的至少一個特定壓電層的側表面的至少部分上(直接地)施加導電層，以使得所述導電層連接至所述特定壓電層的所述上電極層和所述下電極層。
[0006]在另一個方面中，提供了製造超聲換能器組件的方法，所述組件包括用於在一般的傳輸方向上發射超聲波的超聲換能器兀件。所述方法包括:提供具有上表面、下表面和側表面的壓電材料的公共層。所述方法進一步包括:在所述公共壓電層的所述下表面上施加公共下電極層；在所述公共壓電層的所述上表面上施加公共上電極層；以及在所述公共壓電層的每一個側表面上施加導電層，以使得所述導電層連接至所述公共上電極層和所述公共下電極層。所述方法進一步包括:從塗敷的壓電材料的公共層中切出或切分出(diceout)所述超聲換能器元件。
[0007]關於總的傳輸方向，總的方向表不超聲波在該方向上從超聲換能器兀件發射。特別地，所述上表面或上電極層布置成在總的傳輸方向上位於比所述下表面或下電極層更前方的位置。特別地，總的傳送方向可以垂直於由超聲換能器元件的上部所形成的表面。所述壓電層的下表面和上表面中的每一個均可以布置為垂直於總的傳輸方向，以及/或者，所述側表面可以布置為與總的傳輸方向平行。當在上電極層和下電極層之間施加電壓時，在總的傳輸方向上從所述壓電層發射超聲波。所述下電極層為所述壓電層或換能器元件充當下電極。所述上電極層為所述壓電層或換能器元件充當上電極。
[0008]優選地，在所述壓電層的所述下表面上施加所述下電極層，並且，在所述壓電層的所述上表面上施加所述上電極層。或者，在所述壓電層和所述電極之間還可以具有中間層。
[0009]本發明的基本構思是，在所述上電極和外部電連接之間，特別是到地，提供短的電通路。在所述壓電層中的至少一個特定壓電層的側表面的至少部分上，特別是在所述壓電層中的至少一個特定壓電層的側表面的整體上(直接地)施加導電層，以使得所述導電層連接至所述特定壓電層的所述上電極層和所述下電極層。關於(直接地)施加所述導電層，這表示在所述壓電層和所施加的導電層之間沒有中間層。所述導電層在所述特定壓電層的上電極層和下電極層之間提供電連接，用於外部電連接，特別地用於到地的外部電連接。或者，也可以提供到電壓電位的外部電連接。通過提供從相應的超聲換能器元件或所述特定壓電層的上電極層至下電極層的電通路，來提供短的電通路，尤其是用於地迴路電流(ground return current)的電通路，同時製造過程很簡單。
[0010]在從屬權利要求中限定了本發明的優選實施例。應當理解，要求保護的製造方法與要求保護的超聲換能器組件以及與在從屬權利要求中所限定的具有類似的和/或等同的優選實施例。同樣，應當理解，要求保護的超聲換能器組件與要求保護的製造方法以及與在從屬權利要求中所限定的具有類似的和/或等同的優選實施例。
[0011]在一個實施例中，具有特定壓電層的超聲換能器元件是虛設元件而不能操作用以發射或接收超聲波。通過在所述特定壓電層或相應的超聲換能器元件的上電極層和下電極層之間提供電通路，所述壓電層不再起作用。因此，所述特定超聲換能器元件是虛設元件而不能操作用以發射或接收超聲波。因此，所述特定換能器元件被犧牲，因為其不再起換能器元件的作用。然而，即使所述特定超聲換能器元件被犧牲，也顯著地簡化了超聲換能器組件的製造，由此提供更便宜的超聲換能器組件。
[0012]在進一步的實施例中，具有特定壓電層的超聲換能器元件是在超聲換能器元件的(一維的)行或(二維的)陣列中的最外面的超聲換能器元件。以該方式，所述導電層被施加至最外面的超聲換能器組件，由此提供了簡單的施加所述導電層的方式。在該實施例的變換例中，施加所述導電層的側表面是在超聲換能器元件的行或陣列中的面向外的側表面。
[0013]在該實施例的進一步的變換例中，具有特定壓電層的超聲換能器元件是在超聲換能器元件的(二維的)陣列或(一維的)行的端部處的最外面的超聲換能器元件。以該方式，在超聲換能器元件的(一維的)行的兩端或超聲換能器元件的(二維的)陣列的邊緣處的部分或所有的超聲換能器元件可以是虛設元件，而不能操作用以發射或接收超聲波。關於一維的行，表不僅在一個方向上布置換能器兀件(布置為在行中一個接著一個)。關於二維的陣列，表示在兩個方向上布置換能器元件(在行和列上布置)。
[0014]在進一步的實施例中，所述組件進一步包括導電連接層，該導電連接層電氣連接超聲換能器元件的上電極層。這是一個提供用於外部電連接，特別是到地的外部電連接的公共上電極的簡單的方式。在一個示例中，導電連接層可以(直接地)施加到上電極層或導電連接層可以形成上電極層。在另一個示例中，在上電極層和導電連接層之間可以具有附加的導電層。
[0015]在進一步的實施例中，所述組件進一步包括:施加到所述上電極層的至少一個匹配層，和/或施加到下電極層的至少一個去匹配層。以該方式，可以改善所述超聲換能器組件的性能。通過提供至少一個匹配層，尤其是多個匹配層到上電極，實現了對可以在其上放置超聲換能器組件的用戶(患者)的身體的阻抗匹配。通過提供至少一個去匹配層，尤其是正好一個去匹配層到下電極，可以實現在總的傳輸方向上超聲波的基本上所有發射能的反射。匹配層和/或去匹配層可以特別地由導電材料構成。在一個示例中，匹配層可以由石墨製成，並且/或者去匹配層可以由鎢或碳化鎢製成。
[0016]在該實施例的變型例中，在至少一個匹配層和/或去匹配層的側表面上進一步施加導電層。由於僅在特定超聲換能器元件(層疊體(stack oflayers))的部分上施加導電層可能較為困難，所以此外在匹配層和/或去匹配層的側表面上施加導電層提供了更簡單的製造方式。層疊體的整個側表面由此可以塗敷有一個導電層。
[0017]在該變型例的變型中，上導電層施加到最上的匹配層，以及/或者下導電層施加到最下的去匹配層。由於僅在特定超聲換能器元件的側表面上施加導電層較為困難，所以此外施加上導電層和/或下導電層至層疊體提供了更簡單的製造方式。
[0018]在又一實施例中，超聲換能器元件的下電極層中的每一個或部分超聲換能器元件的下電極層連接至至少一個半導體晶片。半導體晶片例如可以是ASIC等。半導體晶片可以用於控制超聲換能器元件的傳輸和/或接收，例如使用波束形成從而將超聲波調整為相對於總的傳送方向成一角度。特別地，外部電連接，特別是到地的外部電連接可以通過半導體晶片來提供。
[0019]在進一步的實施例中，具有特定壓電層的超聲換能器元件的下電極層連接至用於外部電連接的柔性電路。以該方式，可以提供外部電連接，尤其是到地的外部電連接。因此，可以提供用於地迴路電流的電通路。在該實施例的變型例中，特定超聲換能器元件的下電極層連接至半導體晶片，所述半導體晶片連接至柔性電路。因此，可以提供用於地迴路電流的電通路。
[0020]在進一步的實施例中，通過金屬化來施加導電層。以該方式，提供了簡單的製造方法，特別是塗敷所述導電層的簡單方法。在示例中，導電層可以由金或其它適當的可以通過金屬化來施加的導電材料製成。
[0021]在該實施例的變型例中，通過濺射或施加導電環氧樹脂來執行金屬化。濺射或施加導電環氧樹脂是尤其適當的製造方法。
[0022]在另一個實施例中，在一個公共金屬化步驟中將下電極層、上電極層和導電層施加到壓電材料的公共層。在該實施例的變型例中，在已經執行公共金屬化步驟之後，從壓電材料的公共層中切出或切分出超聲換能器元件。通過提供壓電材料的公共層，簡化了製造過程，其中在所述壓電材料的公共層上施加公共上電極層和公共下電極層和在所述側表面上的導電層。然後，僅需要從壓電材料的公共金屬化層切出或切分出超聲換能器元件。以該方式，也提供了在電連接方面較小的變化性，因為存在公共上電極層和公共下電極層。【專利附圖】
【附圖說明】
[0023]根據下文所描述的實施例本發明的這些以及其他方面將變得顯而易見，並且參考下文所描述的實施例對本發明的這些以及其他方面作出了說明。在以下的附圖中:
[0024]圖1示出了根據實施例的超聲換能器組件的截面圖；
[0025]圖2a至2e示出了根據實施例的製造方法的連續的製造步驟；以及
[0026]圖3a至3g中的每一個均示出了根據不同的實施例的超聲換能器組件的截面圖。
【具體實施方式】
[0027]圖1示出了根據實施例的超聲換能器組件100的截面圖。超聲換能器組件100包括用於在總的傳輸方向A上發射超聲波的超聲換能器元件175、175a。超聲換能器元件175、175a可以布置成(一維的)行或(二維的)陣列。為了簡化的目的，在圖1的截面圖中僅例示了三個所述的超聲換能器元件。應當理解，可以具有布置成行或陣列的任意數目的附加的超聲換能器元件。
[0028]在圖1的實施例中，超聲換能器元件175、175a中的每一個均包括壓電層110、110a,該壓電層110、110a具有相對於總的傳輸方向A的上表面、下表面和側表面。壓電層110、110a的上表面和下表面中的每一個均布置為垂直於總的傳輸方向A。側表面被布置為與總的傳輸方向A平行。超聲換能器兀件175、175a中的每一個進一步包括:布置在壓電層110、110a的下表面上的下電極層111、111a和布置在壓電層110、110a的上表面上的上電極層112、112a。關於總的傳輸方向，總的方向表不超聲波在該方向上從超聲換能器兀件175、175a發射。如圖1所示，壓電層110、110a的上表面或上電極層112、112a被布置為在總的傳輸方向A上位於比壓電層110的相應的下表面或下電極層lll、llla更前方的位置。這裡總的傳輸方向A垂直於由超聲換能器兀件175、175a的上部所形成的表面。當在換能器兀件175的上電極層112和下電極層111之間施加電壓時，在總的傳輸方向A上從所述超聲換能器元件175的壓電層110發射超聲波。
[0029]導電層125(直接地)施加在所述壓電層中的至少一個特定壓電層110a的側表面的至少部分上，特別是施加在整個側表面上。具有所述特定壓電層110a的超聲換能器元件是圖1的實施例中的換能器元件175a。如圖1中所示，在壓電層110a和所施加的導電層125之間沒有中間層，因此，導電層125被直接地施加。施加導電層125，以使得導電層125連接到特定換能器元件175a的所述特定壓電層110a的上電極層112a和下電極層111a。以該方式，可以提供上電極112a和外部電連接(通過下電極111a)之間，特別是到地的短的電通路。所述電通路由圖1中的箭頭示意性地示出。通過提供從特定超聲換能器元件175a的所述特定壓電層110a的上電極層112a至下電極層111a的該電通路，提供了短的電通路，尤其是用於地迴路電流的電通路，並且同時製造過程很簡單。
[0030]以該方式，具有特定壓電層110a的特定超聲換能器元件175a被製作為一虛設元件，而不能操作用以發射或接收超聲波。因此，當特定換能器元件175a不再起到超聲換能器元件的作用時，就犧牲該特定換能器元件175a。然而，即使犧牲該特定超聲換能器元件175，也顯著地簡化了超聲換能器組件100 (下文將更加具體地解釋)的製造。
[0031]如圖1的實施例所示，具有特定壓電層110a (虛設元件)的特定超聲換能器元件175a是在超聲換能器元件的行或陣列中最外面的超聲換能器元件175a。特別是，施加有導電層125的側表面是在行或陣列中面向外的側表面。
[0032]在圖1的實施例中，超聲換能器組件100進一步包括導電連接層180，該導電連接層180電氣連接上電極層112、112a。在該實施例中，(直接地)將導電連接層180施加至上電極層112、112a。或者，該導電連接層180還可以形成上電極層112、112a。如之前所解釋的那樣，導電連接層180連接上電極層112、112a，從而提供回流通路(由圖1中的箭頭表示)。
[0033]如圖1的實施例所示，超聲換能器元件175、175a的下電極層111、111a中的每一個均連接至半導體晶片160。使用導電柱形凸塊190來提供電連接。然而，還可以以任何其它適當的方式來提供電連接。半導體晶片160例如可以是ASIC等。半導體晶片160可以用於控制超聲換能器元件175、175a的傳輸和/或接收，例如使用波束形成從而將超聲波調整為相對於總的傳輸方向A成一角度。在圖1的實施例中，半導體晶片160布置在背襯165上。背襯165提供對換能器組件的支撐。通過半導體晶片(例如ASIC)來提供(到地的)外部電連接。
[0034]使用連接器200將半導體晶片160連接至柔性電路185。以該方式，具有特定壓電層110a的特定超聲換能器元件175a的下電極層111a也連接至用於外部電連接的柔性電路185。因此，可以提供地迴路電流通路。更特別地，特定超聲換能器元件175a的下電極層111a連接至半導體晶片160，該半導體晶片160還連接至柔性電路185，由此提供地迴路電流通路。
[0035]柔性電路185可以包括用於這樣的電連接的地線。柔性電路185可以進一步包括系統通道線和半導體晶片控制線(例如ASIC控制線)。每一個系統通道線在換能器元件175的相對應的一個與外部超聲計算系統(未示出)(例如，超聲成像系統)之間發射數據信號。每個數據信號例如可以控制相對應的換能器元件175的傳輸和/或接收。半導體晶片控制線(例如ASIC控制線)對半導體晶片(例如，ASIC)的功能進行控制。同軸線纜(未示出)例如可以連接到用於外部電連接的柔性電路185，特別是連接到超聲計算系統。用於地連接或用於連接到電壓電位的地或電壓和/或電流源可以位於超聲計算系統中。或者，地或電壓和/或電流源還可以位於任何其它適當的位置，例如附接到超聲換能器組件或布置為緊挨著超聲換能器組件。
[0036]圖2a至2e示出了根據實施例的製造超聲換能器組件的方法的連續的製造步驟，特別是用於製造圖1的實施例的超聲換能器組件100。在第一步驟中，如圖2a所示，該方法包括:提供具有上表面、下表面和側表面的壓電材料的公共層110』。使用該公共壓電層100』，可以為超聲換能器兀件175、175a中的每一個提供具有相對於總的傳輸方向A的上表面、下表面和側表面的壓電層110、110a。
[0037]在後續的步驟中，如圖2b所示，在公共壓電層100』的下表面上施加公共下電極層111』，在公共壓電層110』的上表面上施加公共上電極層112』，並在公共壓電層100』的每一個側表面上施加導電層125，以使得導電層125連接到公共上電極層112』和公共下電極層111』。可以通過金屬化來施加導電層125和/或電極層，例如通過濺射或施加導電環氧樹月旨。如從圖2b中可以看出的那樣，在一個公共金屬化步驟中，將下電極層lll、llla，上電極層112、112a和導電層125施加至壓電材料的公共層110』。
[0038]在隨後的步驟中，如圖2c所示，在已經執行公共金屬化步驟(如參考圖2b所解釋的那樣)之後，從塗敷的或金屬化的壓電材料的公共層110』切出或切分出超聲換能器元件175、175a。
[0039]以該方式可以實現，針對超聲換能器元件175、175a中的每一個，在壓電層110、110a的下表面上布置下電極層lll、llla，並且在壓電層110、110a的上表面上布置上電極層112、112a。進一步地，導電層125 (直接地)施加在特定壓電層110a的側表面上，以使得導電層125連接至所述特定壓電層110a的上電極層112a和下電極層111a。
[0040]在圖2c中，具有特定壓電層110a的特定超聲換能器元件175a是在超聲換能器元件的(一維的)行的兩端處的兩個最外面的超聲換能器元件。類似地，如果超聲換能器元件布置在(二維的)陣列中，則這些超聲換能器元件是在陣列的邊緣處的超聲換能器元件。
[0041]在進一步的步驟中，參考圖2d，可以提供電連接上電極層112、112a的導電連接層180。在該示例中，在上電極層112、112a上(直接地)施加導電連接層180。
[0042]在圖2e中示出用於提供超聲換能器組件100的最後的步驟。連接換能器元件175、175a可以連接到至少一個半導體晶片160，該半導體晶片160例如被布置在背襯165上。如圖2e可見，這可以例如通過使用導電柱形凸塊190來實現。最終，可以隨後使用連接器200來將半導體晶片160連接至柔性電路185。應當理解，也可以在圖2d的步驟之前執行圖2e的步驟。
[0043]圖3a至3g中的每一個均示出了根據不同的實施例的超聲換能器組件100的截面圖。圖3a示出了如參考圖1或圖2a至2e所解釋的基本實施例。圖3b示出了與圖3a的基本實施例不同的實施例，它們的不同之處在於圖3b的附加的第一匹配層120，該第一匹配層120被施加到每個超聲換能器元件175、175a的上電極112、112a。圖3c的實施例與圖3a的基本實施例的不同之處在於第一匹配層120和第二匹配層130，該第一匹配層120被施加到每個換能器元件175、175a的上電極112、112a，該第二匹配層130被施加到每個換能器元件175、175a的第一匹配層120。通過提供匹配層120、130，實現了對可以在其上放置超聲換能器組件100的用戶(患者)的身體的阻抗匹配。匹配層120、130可以特別地由導電材料(例如石墨)製成。以該方式，如之前所描述的那樣，可以提供從上電極112至導電連接層180的電連接。
[0044]圖3d的實施例與圖3c的實施例的不同之處在於附加的去匹配層，該去匹配層被施加到每個換能器元件175、175a的下電極層lll、llla。通過將去匹配層140提供到下電極，可以實現在總的傳輸方向A上的超聲波的基本上所有的發射能的反射。去匹配層140可以由導電材料(例如，諸如鎢之類的金屬，或諸如碳化鎢之類的碳化物)構成。
[0045]圖3e的實施例與圖3d的實施例的不同之處在於，針對特定換能器元件175a，導電層125進一步(直接地)施加在第一匹配層120a、第二匹配層130a和去匹配層140a的側表面上。在特定超聲換能器元件175a (層疊體)的整個側表面上施加導電層125比僅在側表面的部分上施加導電層125更加容易。因此，在圖3e的實施例中，層疊體的整個側表面塗敷有導電層125。
[0046]圖3f的實施例與圖3e的實施例的不同之處在於，對於每個換能器元件而言具有附加的上導電層114、114a和附加的下導電層113、113a，所述上導電層114、114a被施加到最上面的匹配層130、130a，所述下導電層113、113a被施加到最下面的去匹配層140、140a。因此，上導電層114、114a和下導電層113、113a施加在層疊體的上表面和下表面上。因此，可以在所有側上塗敷層疊體，從而提供了更簡單的製造方式。
[0047]在圖3g的實施例中，上電極沒有(直接地)施加到壓電層的上表面，但是在壓電層和上電極層之間存在中間層。超聲換能器兀件175、175a中的每一個包括具有上表面、下表面和側表面的壓電層110、110a。超聲換能器兀件175、175a中的每一個包括布置在壓電層110、110a的下表面上的下電極層111、111a。在每個換能器兀件175、175a的上表面上施加第一匹配層120、120a，並且在第一匹配層120上施加第二匹配層130。然後，在第二匹配層130上施加上電極層112、112a。因此，在圖3g的該實施例中，與前述圖的實施例相反，上電極層112、112a不是(直接地)施加在壓電層110、110a的上表面上，而是在它們中間具有中間層。然而，由於匹配層120、130是導電的，所以上電極層112、112a仍然可以為壓電元件110、110a充當上電極。應當理解，可以在中間布置任意數目的(例如一個)中間層(例如匹配層)。同樣地(圖3g中未示出)，下電極層可能不是(直接地)施加到壓電層的下表面，如圖3g所示，而是可能施加在去匹配層140的下表面上，該去匹配層140被施加在壓電層的下表面上。
[0048]儘管在附圖和先前的說明中已經對本發明做出了詳細列舉和描述，但這樣的列舉和描述應被認為是說明性的或示例性的而非限制性的；本發明不受限於所公開的實施例。通過研究附圖、公開內容、以及所附的權利要求，本領域的技術人員在實踐所要求保護的發明時能夠理解並實施所公開的實施例的其他變型。
[0049]在權利要求書中，術語「包括」不排除其它元件或步驟，不定冠詞「一」不排除多個。個體元件或其他單元可以實現權利要求書中所述的多個項目的功能。在相互不相同的從屬的權利要求中所描述的特定手段的這一僅有事實並不表示這些手段的組合不能有利地加以利用。
[0050]權利要求書中的任何附圖標記不應看作是對範圍的限制。
【權利要求】
1.一種超聲換能器組件(100),所述超聲換能器組件包括用於在總的傳輸方向(A)上發射超聲波的超聲換能器元件(175、175a)，所述超聲換能器元件(175、175a)中的每一個或部分所述超聲換能器兀件(175、175a)中的每一個包括:-壓電層(110、110a),其具有相對於所述總的傳輸方向(A)的上表面、下表面和側表面；-下電極層(lll、llla);以及-上電極層(112、112a)；其中，在所述壓電層中的至少一個特定壓電層(110a)的側表面的至少部分上施加導電層(125)，以使得所述導電層(125)連接至所述特定壓電層(110a)的所述上電極層(112a)和所述下電極層(111a)。
2.如權利要求1所述的超聲換能器組件，其中，具有所述特定壓電層(110a)的所述超聲換能器元件(175a)是虛設元件，不能操作用以發射或接收超聲波。
3.如權利要求1所述的超聲換能器組件，其中，具有所述特定壓電層(175a)的所述超聲換能器元件(175a)是在所述超聲換能器元件的行或陣列中的最外面的超聲換能器元件。
4.如權利要求3所述的超聲換能器組件，其中，被施加所述導電層(125)的側表面是在所述超聲換能器元件(175、175a)的行或陣列中面向外的側表面。
5.如權利要求1所述的超聲換能器組件，進一步包括導電連接層(180)，所述導電連接層(180)電連接所述超聲換能器元件(175、175a)的所述上電極層(112、112a)。
6.如權利要求1所述的超聲換能器組件，進一步包括至少一個匹配層(120、130)和/或至少一個去匹配層(140)，所述至少一個匹配層(120、130)被施加到所述上電極層(112、112a)，所述至少一個去匹配層(140)被施加到所述下電極層(111、11 la)。
7.如權利要求6所述的超聲換能器組件，其中，在所述至少一個匹配層(120a; 130a)和/或去匹配層(140a)的側表面上進一步施加所述導電層(125)。
8.如權利要求7所述的超聲換能器組件，進一步包括上導電層(114、114a)和/或下導電層(113、113a)，所述上導電層被施加到最上面的匹配層，所述下導電層被施加到最下面的去匹配層。
9.如權利要求1所述的超聲換能器組件，其中，所述超聲換能器元件(175、175a)的所述下電極層(lll、llla)中的每一個或所述超聲換能器元件(175、175a)的部分所述下電極層(111、111a)連接到至少一個半導體晶片(160)。
10.如權利要求1所述的超聲換能器組件，其中，具有所述特定壓電層(110a)的所述超聲換能器元件(175a)的下電極層(111a)連接到用於外部電連接的柔性電路(185)。
11.一種製造超聲換能器組件(100)的方法，所述超聲換能器組件包括用於在總的傳輸方向(A)上發射超聲波的超聲換能器元件(175、175a)，所述方法包括針對所述超聲換能器兀件(175、175a)中的每一個或部分所述超聲換能器兀件(175、175a)中的每一個:-提供壓電層(110、110a),其具有相對於所述總的傳輸方向(A)的上表面、下表面和側表面；-施加下電極層(lll、llla);以及-施加上電極層(112、112a)；所述方法進一步包括:在所述壓電層中的至少一個特定壓電層(110a)的側表面的至少部分上施加導電層(125)，以使得所述導電層(125)連接至所述特定壓電層(110a)的所述上電極層(112a)和所述下電極層(111a)。
12.如權利要求11所述的方法，其中，通過金屬化來施加所述導電層(125)。
13.如權利要求12所述的方法，其中，通過濺射或施加導電環氧樹脂來執行所述金屬化。
14.如權利要求11所述的方法，其中，在一個公共金屬化步驟中，將下電極層(111、111a)、所述上電極層(112、112a)和所述導電層(125)施加到壓電材料的公共層(110』)。
15.如權利要求14所述的方法，其中，在已經執行所述公共金屬化步驟之後，從所述壓電材料的公共層(110』 )中切出或切分出所述超聲換能器元件(175、175a)。
【文檔編號】H01L41/047GK103635264SQ201280031923
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2012年6月26日 優先權日:2011年6月27日
【發明者】W·蘇多爾 申請人:皇家飛利浦有限公司