導通孔形成方法、壓電器件的製造方法及壓電器件的製作方法
2024-03-29 03:58:05
專利名稱：導通孔形成方法、壓電器件的製造方法及壓電器件的製作方法
技術領域：
本發明涉及針對用於形成壓電器件的壓電基板的導通孔形成方法、利用了該導通孔形成方法的壓電器件的製造方法、及壓電器件，特別涉及適合於在一個主面上形成有激勵電極的壓電基板、和搭載了該壓電基板的壓電器件的導通孔形成方法、及壓電器件。
背景技術：
伴隨安裝設備的小型化，在振蕩器、濾波器、傳感器等中使用的壓電器件正在不斷地小型化、薄型化。目前正在開發的壓電器件中最小型的，有把用於搭載壓電元件片的封裝體的大小作成與所述元件片相同大小的所謂CSP(Chip Size Package，晶片尺寸封裝)結構的器件。作為具有這種結構的壓電器件的示例，例如可以列舉表面聲波器件(SAW器件surface acoustic wave device)，作為其結構示例可以列舉在專利文獻1中所公開的結構。專利文獻1公開的SAW器件如圖9所示，由在一個主面上形成有激勵電極3和引出電極4的壓電基板2、和覆蓋所述壓電基板2的一個主面的蓋體5構成。具體地進行說明，在所述蓋體5中與所述激勵電極3相對的部分設有凹陷部6，在與所述引出電極4對應的部分設有貫通孔7，所述壓電基板2和所述蓋體5為通過陽極接合而接合的結構。對接合後的蓋體5的貫通孔7進行填充導通材料的導通處理，在貫通孔7的周圍形成安裝用外部電極8。在這種結構的壓電器件1中，元件片和器件的安裝面積相等，促進了壓電器件的小型化。
專利文獻1日本特開平8-213874號公報可以說在專利文獻1中公開的這樣結構的壓電器件確實適合於小型化、薄型化。但是，專利文獻1公開的結構的SAW器件存在以下問題。
第一，成為蓋體的壓電基板在主面形成有凹陷部和貫通孔，所以在清洗等工序中附著殘留異物的可能性較大。第二，壓電基板和蓋體通過形成於壓電基板的緣部的金屬薄膜而接合，所以在引出電極和貫通孔之間有可能產生間隙。在這種情況下，將不能實現外部電極和引出電極之間的導通，不能實現內部空間的氣密，存在不需要的氣體和塵埃從所述間隙進入內部空間的可能。
發明內容
為了解決上述課題，本發明的目的在於，提供一種壓電基板的導通孔形成方法、壓電器件的製造方法及壓電器件，以使激勵空間保持較高的氣密性，容易實現外部電極和激勵空間內部的引出電極之間的導通。
為了達到上述目的，本發明提供了一種壓電基板的導通孔形成方法，在一個主面上由金屬薄膜形成有激勵電極和引出電極的壓電基板上形成導通用的貫通孔，其特徵在於，對所述壓電基板的另一個主面中與所述引出電極相對應的位置進行噴砂加工，在形成將所述壓電基板掘進到中途的預備孔後，對所述預備孔的底部進行蝕刻加工，形成使所述引出電極的一部分露出的貫通孔，在所述貫通孔內配置從所述壓電基板的另一個主面側接觸所述引出電極的導電材料。如果利用這種方法在壓電基板上形成導通孔，則導通孔形成於形成有激勵電極和引出電極的壓電基板上，對作為金屬薄膜的引出電極和貫通孔內部直接、連續地施加導電材料，所以不會在導通孔和引出電極之間產生間隙，不會產生導通不良。並且，通過利用噴砂加工形成預備孔，即使是蝕刻速率較低的壓電基板，也能夠高效地進行開孔加工。另外，通過蝕刻加工使預備孔貫通，所以金屬薄膜不會被噴砂顆粒損壞，可以只殘留金屬薄膜。並且，通過利用這種方法形成導通孔，在將壓電基板安裝到封裝體等上的情況下，也可以把形成了激勵電極的一側表面配置為上表面而進行安裝。因此，在安裝了壓電基板後，容易進行頻率調節等。另外，在把引出電極引到壓電基板的相反側的面時，不需要在壓電基板的側面形成電極。因此，可以防止由於蝕刻不良等而在電極之間產生短路等。
為了達到上述目的，本發明提供了一種壓電器件的製造方法，該壓電器件具有在一個主面上由金屬薄膜形成有激勵電極和引出電極的壓電基板；以及覆蓋所述壓電基板的電極形成面的蓋體，其特徵在於，將所述壓電基板和所述蓋體貼合，對所述壓電基板的另一個主面中與所述引出電極相對應的位置進行噴砂加工，在形成將所述壓電基板掘進到中途的預備孔後，對所述預備孔的底部進行蝕刻加工，形成使所述引出電極的一部分露出的貫通孔，在所述貫通孔內配置從所述壓電基板的另一個主面側接觸所述引出電極的導電材料。如果利用這種方法製造壓電器件，則由於在將壓電基板和蓋體接合後進行針對壓電基板的開孔加工，所以降低了由於接合時的加壓、加熱使得壓電基板和蓋體破損的概率。並且，導通孔形成於形成有激勵電極和引出電極的壓電基板上，對作為金屬薄膜的引出電極和貫通孔內部直接、連續地形成導電材料，所以不會在導通孔和引出電極之間產生間隙，不會產生導通不良。並且，通過利用噴砂加工形成預備孔，即使是蝕刻速率較低的壓電基板，也能夠高效地進行開孔加工。另外，通過蝕刻加工使預備孔貫通，所以金屬薄膜不會被噴砂顆粒損壞，可以只殘留金屬薄膜。並且，由於保留金屬薄膜而在壓電基板上形成貫通孔，所以壓電基板和蓋體之間的空間、即激勵空間不會對外部大氣開放，可以保持高氣密性。
並且，在上述的壓電器件的製造方法中，優選對所述引出電極實施厚膜化處理。通過實施這種處理，在壓電基板上形成貫通孔時，不會受到激勵空間和外部空間之間的氣壓差的影響而使金屬薄膜、即引出電極破損。
並且，在實施上述這樣的壓電器件的製造方法時，優選所述壓電基板是石英，所述金屬薄膜是鋁，所述蝕刻加工為把CF4氣體作為反應氣體的乾式蝕刻法。通過在這種條件下製造壓電器件，壓電基板通過乾式蝕刻被蝕刻掉，而金屬薄膜不會通過乾式蝕刻被蝕刻。因此，只在壓電基板上形成貫通孔，不會損傷金屬薄膜，可以良好地保持激勵空間的氣密性。
為了達到上述目的，本發明提供了一種壓電器件，具有在一個主面上由金屬薄膜形成有激勵電極和引出電極的壓電基板；以及氣密地密封所述壓電基板的電極形成面的蓋體，其特徵在於，在所述壓電基板的另一個主面上設有從與所述引出電極相對應的部位到所述引出電極形成的貫通孔、和安裝用電極，在所述貫通孔中配置了使所述引出電極和所述安裝用電極電連接的導電材料。這種結構的壓電器件實現了小型化、薄型化，而且可以確保對於外部安裝用電極的較高的導電性。並且，在將壓電基板和蓋體接合後形成貫通孔的情況下，激勵空間不會對外部空間開放，可以確保激勵空間的高氣密性。
並且，在具有上述結構的壓電器件中，優選構成所述引出電極的金屬薄膜形成得比構成激勵電極的金屬薄膜厚。通過形成這種結構，可以降低在壓電基板上形成貫通孔時金屬薄膜破損的可能性。
並且，為了達到上述目的，本發明提供了一種壓電器件，其特徵在於，該壓電器件是利用上述任意一種壓電器件製造方法而製造的。只要是具有這種特徵的壓電器件，就可以發揮上述壓電器件製造方法中記述的效果。
並且，為了達到上述目的，本發明提供了一種壓電器件，其特徵在於，該壓電器件搭載了使用上述壓電基板的導通孔形成方法而形成的壓電元件片。在具有這種特徵的壓電器件中，可以發揮上述壓電基板的導通孔形成方法中記述的效果。
圖1是表示本發明的壓電器件的第1實施方式的圖。
圖2是表示第1實施方式的壓電器件的製造過程的示意圖。
圖3是表示本發明的壓電器件的第2實施方式的圖。
圖4是表示本發明的壓電器件的第3實施方式的圖。
圖5是表示本發明的壓電器件的第4實施方式的圖。
圖6是表示第2實施方式的壓電器件的製造方法的示意圖。
圖7是表示第2實施方式的壓電器件的製造方法的另一示例的示意圖。
圖8是表示搭載了使用本發明的壓電基板的導通孔形成方法製造的壓電元件片的壓電器件的示例圖。
圖9是表示具有CSP結構的SAW元件的示例圖。
具體實施例方式
以下，參照
本發明的壓電基板的導通孔形成方法、壓電器件的製造方法、及壓電器件的實施方式。另外，以下所示的實施方式是本發明涉及的一部分的實施方式，本發明並不局限於以下所示的實施方式。
以下，參照圖1，以SAW元件為例說明本發明的壓電器件的第1實施方式。另外，在圖1中，圖1(A)表示SAW元件的俯視圖，圖1(B)表示該圖(A)中的A-A剖面圖。本實施方式的SAW元件10具有壓電基板12、和覆蓋該壓電基板12的一個主面的蓋體42。在壓電基板12上形成有簾狀電極(IDTinterdigital transducer，叉指換能器)20，其由一對梳狀電極14嵌合地配置而成，該梳狀電極14由沿著表面聲波的傳播方向配置的母線16、和垂直於所述母線16而形成的多個電極指18構成；以及在表面聲波的傳播方向上夾著所述IDT 20配置的一對反射器22。所述反射器22形成為由平行於構成所述梳狀電極14的電極指18而配置多個導體條24相互連接而成的柵格狀形式。並且，在構成所述IDT 20的梳狀電極14上設有用於進行IDT 20的信號輸入或輸出的引出電極26。形成於所述壓電基板12上的IDT 20、反射器22等的激勵電極及引出電極26由鋁(Al)等的金屬薄膜構成。並且，在本實施方式的壓電基板12的緣部上，作為接合膜形成有與所述IDT 20、所述反射器22和所述引出電極26相同厚度的金屬圖案28。作為該金屬圖案28的構成材料，例如可以列舉金(Au)和鋁(Al)。
作為所述壓電基板12的構成材料，例如可以列舉石英(SiO2)、鉭酸鋰(LiTaO3)、鈮酸鋰(LiNbO3)等。在本實施方式中，特別舉例說明壓電基板12為石英時的情況。
所述壓電基板12在形成所述引出電極26的位置處，具有從另一個主面到所述引出電極26形成的貫通孔30。貫通孔30不貫通形成引出電極26的金屬薄膜，而是在使引出電極26的一部分露出於孔形成部的狀態下使其保留。並且，在所述壓電基板12的另一個主面及所述貫通孔30中，通過蒸鍍、濺射或電鍍處理等形成有金屬膜32，在另一個主面上形成安裝用外部電極34，並且實現該安裝用外部電極34和所述引出電極26之間的導通。在這樣形成有用於實現導通的金屬膜32的貫通孔30中，通過填充金屬釺料40等的導電材料，實現導通性的強化。
對於覆蓋所述壓電基板12的一個主面的蓋體42，為了保持良好的接合狀態，可以採用具有與壓電基板12相同的熱膨脹係數的材料。在本實施方式中，舉例說明蓋體42的構成材料為與壓電基板12相同的石英的情況。在蓋體42上，在與所述壓電基板12上形成的緣部的金屬圖案28對應的位置處，由與所述金屬圖案28相同的材料形成有相同形狀的金屬圖案44。具有上述結構的壓電基板12和蓋體42以所述金屬圖案28、44作為接合膜，通過熱壓接而接合(金屬接合)。
參照圖2說明具有上述結構的SAW元件10的製造方法。在本實施方式的SAW元件10中，首先將在一個主面上形成了IDT 20、反射器22和引出電極26的壓電基板12與蓋體42接合(參照圖2(A))。然後，在壓電基板12的另一個主面中對應於所述引出電極26的位置處，通過噴砂加工形成預備孔30a。預備孔30a只要是不貫通壓電基板12，形成為約使基板保留微小厚度的深度的孔即可。即，將壓電基板12掘進到中途。在形成預備孔30a時，認為可以保留例如約為壓電基板12的厚度的十分之一左右的厚度(參照圖2(B))。在形成預備孔30a後，通過乾式蝕刻在壓電基板12上形成貫通孔30。作為在乾式蝕刻中使用的反應氣體，可以列舉氟利昂(四氟甲烷CF4)氣體(參照圖2(C))。在壓電基板12上形成貫通孔30後，通過蒸鍍、濺射或電鍍處理，在壓電基板12的另一個主面及所述貫通孔30的內面形成金屬膜32。通過對所形成的金屬膜32實施光刻工序，在壓電基板12的另一個主面上形成安裝用外部電極34(參照圖2(D))。然後，在保留凹陷部的貫通孔30的形成位置處填充金屬釺料40，將孔填埋(參照圖2(E))。
在上述的SAW元件10的形成方法中進行噴砂加工的情況下，首先，利用對於石英乾式蝕刻用的CF4氣體的保護膜(抗蝕膜未圖示)覆蓋整個SAW元件10。抗蝕劑的塗布方法例如可以是浸漬塗布法。另外，在只覆蓋壓電基板12的另一個主面側時，也可以採用旋轉塗布法。抗蝕劑可以使用感光性的正性抗蝕劑(也可以是負性)，通過在預備孔30a的形成位置處設有開口部的光掩模，向所述抗蝕劑照射紫外線。在照射紫外線後，把SAW元件10浸漬在顯影液中，去除塗布在預備孔30a的形成位置上的抗蝕劑。在去除感光部的抗蝕劑後，進行烘乾處理，以便從加工面去除在顯影時使用的溶劑等。
按照上面所述，經過光刻工序形成乾式蝕刻用的抗蝕膜後，形成噴砂加工用的保護膜。噴砂加工用的保護膜一般使用感光性的尿烷樹脂等。作為保護膜的形成方法與上述相同，在所述乾式蝕刻用的抗蝕膜上通過旋轉塗布等塗布噴砂加工用的保護樹脂並固化後，使用光掩模，利用紫外線使預備孔30a的形成位置感光，利用顯影液(例如弱鹼性溶液)去除對應部分的保護膜。
這樣形成保護膜後，對作為預備孔30a的形成位置而部分地露出加工面的壓電基板12的另一個主面實施噴砂加工，從而可形成上述的預備孔30a。
在形成預備孔30a後進行乾式蝕刻時，首先去除上述噴砂加工用的保護膜。然後，把SAW元件10放置在乾式蝕刻用的室內，使用CF4氣體進行蝕刻處理，使預備孔30a貫通。在利用這種方法形成貫通孔30時，形成引出電極26的Al不容易被CF4氣體蝕刻，所以蝕刻在壓電基板12貫通的時刻結束，構成引出電極26的金屬薄膜不會被貫通。另外，抗蝕膜的形成方法本身不會對本發明的實施方式帶來影響。
並且，在上述製造方法中，在壓電基板12上形成的貫通孔30和壓電基板12的另一個主面形成金屬膜32時，作為形成方法列舉了蒸鍍、濺射和電鍍處理，但通過蒸鍍、濺射形成的金屬膜極薄，有可能因為在將壓電基板12安裝到其他基板等上時所使用的焊錫而剝離(所謂的焊錫咬入(solder leach))。因此，金屬膜32的形成優選容易進行厚膜化處理的電鍍處理。另外，如果能夠使金屬膜32厚膜化，則利用蒸鍍和濺射形成金屬膜32也沒有問題。並且，也可以把蒸鍍或濺射與電鍍處理組合起來，來形成金屬膜32。
在按照上面所述製造的SAW元件10中，在形成了激勵電極的壓電基板12上形成貫通孔30，通過該貫通孔30實現與安裝用外部電極34的導通，可以獲得較高的導通性。並且，在將壓電基板12和蓋體42接合後，按照僅使壓電基板12貫通的方式形成貫通孔30，所以在接合後激勵空間46不會對外部空間開放，可以對SAW元件10的激勵空間46確保高氣密性。並且，在將壓電基板12和蓋體42接合後形成貫通孔30，所以在各個部件的清洗步驟等中，不會產生清洗液和異物殘留於貫通孔中的情況。另外，在熱壓接壓電基板12和蓋體42時，壓電基板12、蓋體42兩者的按壓面均是平坦的，所以壓力不會局部集中。因此，不會產生壓電基板12和蓋體42因按壓而出現裂紋和破損的情況。
下面，參照圖3說明本發明的壓電器件的第2實施方式。本實施方式的壓電器件的基本結構與上述第1實施方式的壓電器件(SAW元件)相同。因此，對其功能相同的部分，在附圖上賦予相同標號並省略詳細說明。
本實施方式的SAW元件10a的特徵是，壓電基板12和蓋體42的接合方法與第1實施方式的SAW元件10不同。更具體地講，本實施方式的SAW元件10a的特徵在於，作為接合壓電基板12和蓋體42的手段，採用不在接合面之間設置接合膜的直接接合。
直接接合是不象上述那樣使用作為接合膜的金屬圖案28、44(參照圖1)，而將相同材料(石英)的壓電基板12和蓋體42接合的手段。接合的步驟如下，首先對壓電基板12和蓋體42的接合面進行鏡面研磨，並進行表面清洗，同時進行親水化處理，使壓電基板12和蓋體42的接合面之間存在水(H2O)。所說親水化處理例如指使接合面稍微氧化等的處理，是用於提高親水性的處理。並且，使接合面之間有水具有使羥基(OH)附著在接合面上的作用。然後，按壓壓電基板12和蓋體42，進行臨時接合。在臨時接合後，進一步對壓電基板12和蓋體42加壓，同時加熱壓電基板12和蓋體42，從而使介於接合面的水氣化，在接合面產生矽氧烷鍵(Si-O-Si)，接合完成。另外，在上述步驟中，通過在加熱加壓時對加壓面施加超聲波，能夠促進反應，可以在短時間內完成接合。
在上述的直接接合中，配置在接合面之間的原子的成鍵電子彼此直接接合，所以能夠實現氣密性高的牢靠接合。並且，由於不需要接合膜，所以能夠省略形成接合膜的工序。
下面，參照圖4說明本發明的壓電器件的第3實施方式。本實施方式的壓電器件的基本結構與上述第1、第2實施方式的壓電器件(SAW元件)相同。因此，對其功能相同的部分，在附圖上賦予相同標號並省略詳細說明。
本實施方式的SAW元件10b與第2實施方式的SAW元件10a相同，其特徵在於，壓電基板12和蓋體42的接合方法與第1實施方式的SAW元件10不同。更具體地講，本實施方式的SAW元件10b的特徵在於，作為接合壓電基板12和蓋體42的手段，採用陽極接合。
陽極接合是直接接合的一種，但與上述的直接接合不同，是不僅在石英之間，而且在石英和玻璃或金屬等之間產生Si-O的共價鍵，從而不需要接合膜即可將兩者直接接合的接合方式。即，在圖4中，作為接合部，記載了接合形成於壓電基板上的金屬圖案28和蓋體42的情況，但也可以不通過該金屬圖案28即可將壓電基板12和蓋體42接合。作為具體方法，將壓電基板12和蓋體42置於幾百℃的溫度下，向兩者之間施加幾百V電壓的直流電流，從而使得在壓電基板12和蓋體42之間產生共價鍵。像本實施方式這樣，在蓋體42為石英時，具體講把蓋體42作為陽極，把金屬圖案28作為陰極，施加電流即可。作為進行陽極接合的特徵，可以列舉壓電基板12和蓋體42上產生的物理變形非常小的特點。並且，在進行了陽極接合時，也可以通過施加逆電壓來分離，而不會損傷接合材料。並且，陽極接合與上述的直接接合相同，可以實現牢靠的接合，可以使激勵空間46保持高氣密性。
另外，在利用上述的直接接合或陽極接合進行壓電基板12和蓋體42之間的接合時，如果使蓋體42的對峙面為平坦面，則有可能難以確保激勵空間46。因此，在蓋體42的與激勵電極相對的部位形成凹陷部50，在接合壓電基板12和蓋體42時，可以確保充足的激勵空間46。
在上述實施方式中均說明了蓋體42的構成材料為與壓電基板12的構成材料相同的石英，但蓋體42的構成材料也可以是熱膨脹率與壓電基板12近似的材料，還可以是在接合後能夠保持激勵空間46的氣密性的金屬和其他材料。但是，在利用導電性材料構成蓋體42時，對於引出電極26等的電極需要考慮金屬薄膜的厚度，以便不接觸蓋體42。
下面，參照圖5說明本發明的壓電器件的第4實施方式。本實施方式的壓電器件的基本結構與上述第1、第2和第3實施方式的壓電器件(SAW元件)相同。因此，因此，對其功能相同的部分，在附圖上賦予相同標號並省略詳細說明。
本實施方式的SAW元件10c的特徵如圖5所示，使構成引出電極26的金屬薄膜的膜厚大於構成IDT 20和反射器22(參照圖1)的金屬薄膜的膜厚。具體講，在本實施方式中，使構成引出電極26的金屬薄膜的膜厚與激勵空間46的高度相同，使引出電極26與蓋體42接觸。通過形成這種結構，即使在接合壓電基板12和蓋體42後的激勵空間46保持真空等高氣密性的情況下，在形成貫通孔30時，構成引出電極26的金屬薄膜也不會受到氣壓的影響而破損。
這樣使引出電極26的膜厚較厚時，可以採用圖6所示的方法和圖7所示的方法。首先，在圖6所示的方法中，使形成於壓電基板12的一個主面上的IDT 20、反射器22、引出電極26和金屬圖案28形成為相同厚度，並且在所述壓電基板12中與所述引出電極26相對的位置處形成厚度與蓋體42上形成的金屬圖案44相同的金屬薄膜26a。接合這樣形成的壓電基板12和蓋體42，從而可以實現構成引出電極26的金屬薄膜的膜厚與激勵空間46的高度相同的SAW元件10c。如果利用這種方法實現引出電極26的厚膜化，則蓋體42側的金屬薄膜26a與形成於緣部的金屬圖案28可以在同一工序中形成，所以不需增加工序數，即可進行引出電極26的厚膜化。另外，引出電極26的厚膜化的目的在於，在對壓電基板12形成貫通孔30時，使構成引出電極26的金屬薄膜不會受到激勵空間和外部空間之間的氣壓影響而破損，所以不需要追求膜之間的接合強度等。
然後，圖7所示的方法使形成於壓電基板12上的IDT 20的引出電極26的厚度本身形成得較厚。在該方法中，為了使引出電極26厚膜化而增加了工序數，但具有可以任意確定膜厚的優點。並且，引出電極26的形狀和結構不會直接影響SAW元件10c的頻率特性，所以可以在金屬膜之外包覆引出電極26，提高引出電極26的強度。在這種方法中，與圖6所示的方法相同，在對壓電基板12形成貫通孔30時，可以防止構成引出電極26的金屬薄膜因激勵空間46和外部空間之間的氣壓影響而破損。
在上述實施方式中，以單體單位說明了壓電器件(SAW元件10、10a～10c)的製造情況，但本發明的壓電器件的製造方法和壓電基板的導通孔形成方法也可以用於晶片單位的製造工藝。並且，在上述實施方式中，對IDT 20和引出電極26分開進行了說明，但是，例如也可以把構成IDT 20的母線16作為引出電極。
在上述實施方式中，作為壓電器件舉例說明了SAW元件，但作為搭載使用本發明的壓電基板的導通孔形成方法製造的壓電元件片的器件，除直接採用上述SAW元件的SAW振子和SAW濾波器外，還可以列舉在上述SAW元件或SAW元件片上搭載了IC等電子部件的振蕩器和各種傳感器等。作為使用了SAW元件或SAW元件片的傳感器，例如可以列舉質量傳感器、隔膜傳感器等。
在使用利用上述壓電基板的導通孔形成方法製造的SAW元件片製造振蕩器時，例如可以形成圖8所示的結構。圖8所示的振蕩器100具有封裝體105，其由內部腔體130形成為階梯狀，並使上部開口的升狀基座110、和作為密封該基座110的開口部的蓋體的蓋120形成；搭載在前述封裝體105內的SAW元件片60；和IC 140。所述基座110由多個基板110a～110c層疊而成，在各個基板110a～110c上分別利用金屬薄膜形成了配線圖案112，形成於各個基板110a～110c上的配線圖案112根據需要通過通孔114等電連接，從而實現導通。並且，在所述基座110的下表面形成有外部安裝用電極116，其與在內部形成的配線圖案112電連接。對於這種結構的基座110，例如通過倒裝法接合，在使有源面朝下的狀態下把所述IC 140搭載在基板110a上形成的配線圖案112上。並且，在使有源面朝上的狀態下把所述SAW元件片60搭載在基板110b上形成的配線圖案112上。這樣形成的振蕩100不用導線作為內部配線，所以能夠實現封裝體105的扁平化。並且，由於可以面向基座110的開口部側配置SAW元件片60的有源面，所以在利用玻璃等透光性材料形成蓋120的情況下，在將封裝體105密封后，可以向激勵電極照射雷射而對金屬薄膜進行修剪，進行使振蕩器100的諧振頻率與目標值一致的頻率調節。另外，蓋120與基座110的接合可以採用通過密封圈122進行的縫焊等。
在上述實施方式中，作為形成導通孔的壓電基板，以SAW元件片用的基板為對象進行了說明，但本發明的壓電基板的導通孔形成方法也可以用於製造AT切型或音叉型壓電振動片、陀螺儀元件片。
權利要求
1.一種壓電基板的導通孔形成方法，在一個主面上由金屬薄膜形成有激勵電極和引出電極的壓電基板上形成導通用的貫通孔，其特徵在於，該方法包括以下步驟對所述壓電基板的另一個主面中與所述引出電極相對應的位置進行噴砂加工，形成將所述壓電基板掘進到中途的預備孔，對所述預備孔的底部進行蝕刻加工，形成使所述引出電極的一部分露出的貫通孔，在所述貫通孔內配置從所述壓電基板的另一個主面側接觸所述引出電極的導電材料。
2.一種壓電器件的製造方法，該壓電器件具有在一個主面上由金屬薄膜形成有激勵電極和引出電極的壓電基板；以及覆蓋所述壓電基板中的電極形成面的蓋體，其特徵在於，該方法包括以下步驟將所述壓電基板和所述蓋體貼合，對所述壓電基板的另一個主面中與所述引出電極相對應的位置進行噴砂加工，形成將所述壓電基板掘進到中途的預備孔，對所述預備孔的底部進行蝕刻加工，形成使所述引出電極的一部分露出的貫通孔，在所述貫通孔內配置從所述壓電基板的另一個主面側接觸所述引出電極的導電材料。
3.根據權利要求2所述的壓電器件的製造方法，其特徵在於，對所述引出電極實施厚膜化處理。
4.根據權利要求2或3所述的壓電器件的製造方法，其特徵在於，所述壓電基板是石英，所述金屬薄膜是鋁，所述蝕刻加工是把CF4氣體作為反應氣體的乾式蝕刻法。
5.一種壓電器件，該壓電器件具有在一個主面上由金屬薄膜形成有激勵電極和引出電極的壓電基板；以及氣密地密封所述壓電基板的電極形成面的蓋體，其特徵在於，在所述壓電基板的另一個主面上設有從與所述引出電極相對應的部位到所述引出電極形成的貫通孔；和安裝用電極，在所述貫通孔中配置有使所述引出電極和所述安裝用電極電連接的導電材料。
6.根據權利要求5所述的壓電器件，其特徵在於，構成所述引出電極的金屬薄膜形成得比構成激勵電極的金屬薄膜厚。
7.一種壓電器件，其特徵在於，該壓電器件是利用權利要求2～4中任一項所述的壓電器件的製造方法製造的。
8.一種壓電器件，其特徵在於，該壓電器件搭載了使用權利要求1所述的壓電基板的導通孔形成方法形成的壓電元件片。
全文摘要
導通孔形成方法、壓電器件的製造方法及壓電器件。本發明的課題是提供一種壓電器件的製造方法，使激勵空間保持高氣密性，容易實現外部安裝用電極和激勵空間內部的引出電極的導通。作為解決手段，提供了一種SAW元件(10)的製造方法，該SAW元件具有在一個主面上由金屬薄膜形成有激勵電極和引出電極的壓電基板(12)；以及覆蓋壓電基板(12)中的電極形成面的蓋體(42)，其特徵在於，將壓電基板(12)和蓋體(42)貼合，對壓電基板(12)的另一個主面中與引出電極(26)相對應的位置進行噴砂加工形成預備孔，通過對預備孔形成位置實施蝕刻加工，在保留金屬薄膜的狀態下，在壓電基板(12)上形成貫通孔(30)，對貫通孔(30)形成金屬膜(32)並實施導通處理。
文檔編號H03H3/00GK1933325SQ200610153860
公開日2007年3月21日 申請日期2006年9月14日 優先權日2005年9月14日
發明者青木信也 申請人:精工愛普生株式會社