發光裝置的製作方法

2024-04-04 02:31:05 1

本發明涉及例如放電燈等發光裝置。

背景技術：

現有技術中，例如，已知的放電燈等發光裝置的結構是在玻璃管內填充惰性氣體。在現有的發光裝置中，一對放電用電極在從玻璃管的端部向放電空間內突出的狀態下被固定在玻璃管中，放電誘發用電極設置在玻璃管的外周部。作為這樣的放電燈，例如有在特開平09-180677號公報公開的方案。

近年來，例如，為了搭載到可攜式終端等，放電燈等發光裝置被要求與小型化相關的改善。但現有的玻璃管所構成的發光裝置的結構存在難以小型化的問題。針對這樣的小型化的問題，已知如下結構的發光裝置，即，由封裝件和與該封裝件接合的透光性構件構成，在容器構件的內部具有放電空間。作為這樣的發光裝置，例如有在特開2011-96562號公報公開的方案。

上述的由封裝件和與該封裝件接合的透光性構件構成的發光裝置隔著接合材料接合了封裝件和透光性構件，在放電空間的內部產生的光容易被接合材料吸收，存在發光量降低的問題。

本發明鑑於上述的問題而提出，其目的在於，提供能抑制因對封裝件和透光性構件進行接合的接合材料而導致發光量降低的發光裝置。

技術實現要素：

本發明的1個方式的發光裝置具備：容器構件，具有在內部設置作為放電空間的凹部的陶瓷封裝件以及堵塞所述凹部且隔著由接合材料構成的接合層被安裝到該陶瓷封裝件的透光性無機構件；惰性氣體，被封在所述放電空間內；和一對放電用電極，在所述陶瓷封裝件的所述凹部內相互隔開間隔而配置一對所述放電用電極，所述接合材料由呈白色的玻璃構成，包含氧化物系陶瓷粉末。

附圖說明

圖1(a)是表示除去接合材料的本發明的1個實施方式中的發光裝置的分解立體圖，(b)是為了說明(a)所示的發光裝置的放電誘發用電極而分解了陶瓷封裝件的分解立體圖。

圖2是表示圖1所示的發光裝置的下表面側的狀態的立體圖。

圖3(a)是本發明的1個實施方式中的發光裝置的俯視圖，(b)是除去透光性構件以及接合材料的發光裝置的俯視圖。

圖4(a)是在圖3(a)的A-A線切斷的截面圖，(b)是在圖3(a)的B-B線切斷的截面圖。

圖5(a)是圖4(a)中由標號A表示的部分的放大圖，(b)是圖4(b)中由標號B表示的部分的放大圖。

圖6(a)以及(b)分別是本發明的其他實施方式中的發光裝置的其他示例，是在圖3(a)的A-A線處切斷的截面圖。

圖7是表徵在氧氣氛中的氧化鋁添加量與反射率及He洩漏率的關係的圖表。

圖8是表徵在非氧氣氛中的氧化鋁添加量與反射率及He洩漏率的關係的圖表。

圖9是表徵在非氧氣氛中的氧化鋁添加量與發光量的關係的圖表。

具體實施方式

以下，參考附圖來說明本發明的實施方式所涉及的發光裝置。另外，在發光裝置中，為了便於說明，定義正交坐標系XYZ，並將Z方向的正側設為上方，適當地使用上表面(表面)或下表面的用語。

另外，在實施方式等的說明中，有時對與已說明過的構成相同或類似的構成標註相同標號，並省略說明。

參考圖1至圖5，說明本發明的實施方式所涉及的發光裝置10。發光裝置10例如內置在智慧型手機等可攜式終端或數字攝像機等攝像裝置中。發光裝置10例如利用惰性氣體的放電作用，與LED相比，能瞬間發出大光量的閃光。

本發明的一實施方式所涉及的發光裝置10是圖1至圖5所示那樣的構成，具備容器構件1、惰性氣體6和一對放電用電極4。容器構件1具有：陶瓷封裝件2，在內部設有作為放電空間的凹部2b；和透光性構件3，隔著由接合材料7構成的接合層7a與陶瓷封裝件2相接合，以堵塞凹部2b，是透光性無機構件。另外，一對放電用電極4設置在陶瓷封裝件2的對置的側壁2a上，並具有相互對置地配置的對置部4b。並且接合材料7是呈白色的玻璃，包含氧化物系陶瓷粉末。另外，發光裝置10的光射出方向是Z方向的正側。

另外，發光裝置10為了在放電空間S中使放電的啟動變得容易，也可以在陶瓷封裝件2內具備放電誘發用電極5。在發光裝置10中，環狀的放電誘發用電極5在陶瓷封裝件2的內部被設置成位於一對放電用電極4的下方，且包圍凹部2b。另外，一對放電用電極4在俯視透視下，對置部4b位於比放電誘發用電極5的內周更靠內側的位置處。

通過這樣的構成，發光裝置10實現了小型化並容易在一對放電用電極4間產生放電。另外，在發光裝置10中，由於容器構件1能在陶瓷封裝件2的內部充分確保放電空間S，並能增大放電用電極4的電極面積，因此能在一對放電用電極4間有效果地產生放電。

另外，發光裝置10具備環狀的放電誘發用電極5，從而能使惰性氣體6整體離子化，特別是能使放電用電極4附近的惰性氣體6離子化，因此容易在一對放電用電極4間產生放電。如此，在發光裝置10中，放電誘發用電極5使放電的啟動變得容易，同時一對放電用電極4能有效果地引發放電。

發光裝置10是放電燈，利用在一對放電用電極4間的惰性氣體6的放電所引起的發光。另外，容器構件1和對置的一對放電用電極4及放電誘發用電極5構成了發光管(放電管)，容器構件1包括陶瓷封裝件2以及與陶瓷封裝件2的側壁2a接合的透光性構件3。例如，智慧型手機等可攜式終端裝置為了拍攝被攝體而具有攝像機功能，具備在夜間等暗處攝影時的照明光源。發光裝置10構成為使發光管(放電管)放電來產生閃光，能用在智慧型手機等可攜式終端裝置中。另外，發光裝置10的用途並不限於照明光源，例如能用在快速加熱等在短時間內需要高輸出的能量的用途等中。

容器構件1包括：陶瓷封裝件2；和隔著由接合材料7構成的接合層7a而安裝在陶瓷封裝件2的側壁2a的透光性構件3。容器構件1具有放電空間S，由陶瓷封裝件2和透光性構件3劃定放電空間S。

另外，放電用電極4是指，為了根據電位差使氣體產生絕緣擊穿使得電流流過氣體而使用的電極，有陽極和陰極，是一對。另外，放電誘發用電極是指，為了在放電空間內開始放電而追加設置在放電用電極4的電極，是通過使一對放電用電極4間的氣體(惰性氣體)離子化來容易啟動放電的電極。另外，放電誘發用電極5也稱作觸發電極。

發光裝置10中，如圖1至圖5所示那樣，陶瓷封裝件2在對置的側壁2a具有一對高低差部2c，在該一對高低差部2c設置一對放電用電極4。另外，在發光裝置10中，長邊方向(X方向)的長度例如為3.2mm～50mm，短邊方向(Y方向)的長度例如為1.2mm～30mm，高度例如為0.3mm～5mm，具備圖1至圖5所示那樣的構成，能實現小型化、薄型化或低高度化。

容器構件1的陶瓷封裝件2在對置的側壁2a具有一對高低差部2c，在該一對高低差部2c設置一對放電用電極4，以下對這樣的構成進行說明。另外，如後述那樣，在發光裝置10中，一對放電用電極4隻要被設置成一部分在放電空間S內露出，在一對放電用電極4之間產生放電即可。

如圖1所示那樣，在陶瓷封裝件2中設置被側壁2a包圍而成為放電空間S的凹部2b。關於該凹部2b的形狀，並不限於圖4(b)所示的截面視圖形狀為矩形，只要是在作為放電空間S的凹部2b中產生放電所引起的發光的截面視圖形狀即可。凹部2b的形狀例如可以是截面視圖形狀為V型形狀，也可以是從陶瓷封裝件2的上方側向下方側開口的寬度逐漸變窄的形狀。

容器構件1為了在陶瓷封裝件2中設置一對放電用電極4，在對置的側壁2a(X方向的對置的側壁2a)分別設置了高低差部2c，這些高低差部2c構成一對高低差部2c。即，陶瓷封裝件2利用周緣部的4個側壁2a包圍包含中央部的區域來設置了凹部2b，在長邊方向(X方向)上，在相互對置的一對側壁2a的內周側設置一對高低差部2c，在該一對高低差部2c設置一對放電用電極4。如此，容器構件1通過在長邊方向(X方向)上的一對高低差部2c設置一對放電用電極4，從而在放電空間S內在距離長的長邊方向(X方向)上引發放電，激發更多的惰性氣體6，因此能提升發光效率。

另外，容器構件1也可以為了在陶瓷封裝件2中設置一對放電用電極4，在短邊方向(Y方向)上，在相互對置的側壁2a(Y方向上對置的側壁2a)設置一對高低差部2c。容器構件1由於在短邊方向(Y方向)上設置一對放電用電極4來縮短了一對放電用電極4間的距離，因此容易在放電空間S產生放電。

如圖4所示，放電用電極4設置在高低差部2c中，截面視圖下，與凹部2b的底面2ba(X軸)大致平行地設置高低差部2c的上表面。另外，所謂大致平行是指，高低差部2c的上表面與凹部2b的底面2ba(X軸)所成的角度在0°～±5°的範圍內。另外，角度0°是高低差部2c的上表面與底面2ba平行的情況。

另外，高低差部2c的上表面也可以朝向凹部2b的底面2ba傾斜。即，高低差部2c可以是上表面相對於凹部2b的底面2ba(X軸)在10°～60°的範圍內傾斜。通過在傾斜的高低差部2c的上表面設置一對放電用電極4，雖然是虛設，但一對放電用電極4增加了相互面對面的面積。若這樣一對放電用電極4的對置的面積增加，則能抑制電極壽命的降低。

另外，一對高低差部2c設置在陶瓷封裝件2的側壁2a的內周側，距凹部2b的底面2ba的高度大致相同。一對高低差部2c距底面2ba的高度(側面2ca的高度)例如是10μm～500μm。另外，所謂大致相同是指，另一方高低差部2c距底面2ba的高度相對於一方的高低差部2c距底面2ba的高度在65％～135％的範圍內。

另外，陶瓷封裝件2實質上由絕緣材料構成，俯視時具有大致矩形形狀。作為陶瓷封裝件2的絕緣材料的示例，例如能舉出陶瓷材料或環氧樹脂或聚酯樹脂等樹脂材料。另外，陶瓷封裝件2例如由陶瓷材料這樣絕緣性的呈白色的材料構成。並且陶瓷封裝件2為了在陶瓷封裝件2的凹部2b的內壁面有效地反射通過放電產生的光，例如能使用由在可見光區域(約400nm至800nm的波長範圍)的全部波長下反射率為70％以上的呈白色的材料構成的封裝件。作為這樣的材料的示例，能舉出氧化鋁質燒結體(氧化鋁陶瓷)或低溫同時燒成陶瓷等。通過陶瓷封裝件2呈白色，能提高陶瓷封裝件2的凹部2b的內壁面的反射率，因此能抑制發光量的降低。另外，容器構件1通過包含由陶瓷構成的陶瓷封裝件2，使用耐性可得到改善。

如圖1以及圖2所示那樣，陶瓷封裝件2具有大致矩形形狀是指，包含例如以降低運送時或安裝時等情況下的損傷的可能性為目的，在陶瓷封裝件2的4個角部分具有向內側方向曲線狀凹陷的結構的形狀，還包含4個角部分具有被C倒角或R倒角的結構的形狀。另外，俯視是指，在圖1中，基於從上方向Z軸的負方向的視線進行觀察。該曲線狀的凹陷在陶瓷封裝件2的角部從陶瓷封裝件2的上表面直到下表面被設置成槽狀。該凹陷的橫截面形狀具有曲面形狀。

另外，陶瓷封裝件2具有大致矩形形狀是指，為了如圖1以及圖2所示那樣在容器構件1的下表面側設置與放電用電極4連接的外部電極4a以及與放電誘發用電極5連接的外部電極5a，也可以包括在容器構件1的側面具有朝向內側方向曲線狀凹陷的結構的形狀。在該情況下，在該曲線狀的凹坑的壁面分別設置外部電極4a以及外部電極5a。另外，發光裝置10能作成在容器構件1的下表面具有外部電極4a、5a的表面安裝型。並且發光裝置10能實現小型化、薄型化或低高度化，例如能搭載在電子設備等中。電子設備例如是數字攝像機、帶攝像機的行動電話、帶攝像機的智慧型手機等。

另外，曲線狀的凹坑與上述的曲線狀的凹陷一樣，都是在陶瓷封裝件2的側面從陶瓷封裝件2的上表面直到下表面被設置成槽狀。該凹坑的橫截面形狀具有曲面形狀，例如是半圓形狀。另外，該凹坑的橫截面形狀並不限於半圓形，也可以是半長圓形或半橢圓形等，形狀並沒有特別限定。

透光性構件3是俯視下具有大致矩形形狀的透光性無機構件，隔著由接合材料7構成的接合層7a與陶瓷封裝件2的側壁2a的上表面接合，以堵塞陶瓷封裝件2的凹部2b。在透光性構件3中，大致矩形形狀以降低例如組裝等時的損傷的可能性為目的，包含在4個角部分具有向外側方向曲線狀膨脹的結構的形狀。

另外，在發光裝置10中，也可以如圖3至圖5所示那樣，在位於陶瓷封裝件2的上表面側的側壁2a的內周側遍布全周設置高低差部2d，隔著由接合材料7構成的接合層7a將透光性構件3接合在該全周的高低差部2d，以堵塞陶瓷封裝件2的凹部2b。在該情況下，容器構件1在內部具有由陶瓷封裝件2和透光性構件3形成的中空的放電空間S，其中，透光性構件3隔著由接合材料7構成的接合層7a與陶瓷封裝件2的側壁2a接合，以堵塞凹部2b。

在此，透光性構件3的透光性是指，通過放電空間S內的發光而輻射的光的至少一部分波長能透過。構成透光性構件3的透光性無機構件實質上由絕緣材料構成。作為絕緣材料的示例是玻璃，例如是硼矽酸玻璃或石英玻璃等。另外，將在後面詳細敘述隔著由接合材料7構成的接合層7a使陶瓷封裝件2與透光性構件3接合的情況。

放電空間S在俯視下具有大致矩形形狀。在放電空間S內，大致矩形形狀是指，例如以降低組裝等時的損傷的可能性為目的，包含在4個角部分具有向外側方向曲線狀膨脹的結構的形狀。另外，在容器構件1中，由凹部2b和透光性構件3劃定放電空間S，其中，凹部2b由在縱截面具有陶瓷封裝件2的高低差部2c的側壁2a形成。

在放電空間S內封入惰性氣體6。惰性氣體6例如是以氙(Xe)、氪(Kr)、氬(Ar)、氖(Ne)、氦(He)為主成分的氣體或它們的混合氣體。

如圖3所示那樣，一對放電用電極4其一端部側(側面2ca側)設置在高低差部2c，從而上表面的一部分在放電空間S內露出，另一端部側的剩餘的部分設置在陶瓷封裝件2的側壁2a的內部。在圖4中，一對放電用電極4被設置成前端與高低差部2c的側面2ca成為同一面。另外，只要對置部4b位於比放電誘發用電極5的內周更靠內側的位置處，則一對放電用電極4就可以以位於比高低差部2c的側面2ca更靠外側的位置處的方式被設置在高低差部2c的上表面。

如圖3所示那樣，一對放電用電極4設置在陶瓷封裝件2的相互對置的側壁2a的高低差部2c，具有相互對置配置的對置部4b。如此，一對放電用電極4被設置成對置部4b在放電空間S內位於相互對置的位置處。即，一對放電用電極4為了在放電空間S內產生放電，設置在陶瓷封裝件2的側壁2a的高低差部2c的上表面，至少一部分在放電空間S內露出。

另外，如圖4所示那樣，放電用電極4被設置成覆蓋高低差部2c的上表面的全部。另外，放電用電極4設置在高低差部2c的上表面，使高低差部2c的上表面的Y方向上的兩側的一部分露出。

由於一對放電用電極4設置在高低差部2c的上表面，因此難以出現在放電用電極4與陶瓷封裝件2的底面2ba之間的放電，能抑制發光效率的降低。

另外，如圖3所示那樣，一對放電用電極4彼此的前端部是對置部4b，前端彼此相互對置地配置在放電空間S內。另外，一對放電用電極4的對置部4b間的間隔例如是3mm～20mm。

另外，對置的一對高低差部2c各自的高度(側面2ca的高度)被設置成，另一方高低差部2c距底面2ba的高度相對於一方的高低差部2c距底面2ba的高度在65％～135％的範圍內。因此，在Z方向上，一對高低差部2c各自的高度處於上述的範圍內，在該高低差部2c設置一對放電用電極4時，一對放電用電極4具有相互對置配置的對置部4b。即，在Z方向上，一對放電用電極4的對置部4b可以在上述的範圍內錯開。另外，一對放電用電極4隻要具有在Z方向上相互對置配置的對置部4b即可，放電用電極4可以在Y方向上錯開。

如圖1至圖3所示那樣，一對放電用電極4在陶瓷封裝件2的長邊方向(X方向)上的各個側面，從容器構件1的放電空間S內通過外部電極4a被引出到容器構件1的下表面側，放電用電極4和外部電極4a電連接，且物理上也連接。另外，外部電極4a還包含設置在容器構件1的下表面的電極。另外，外部電極4a的材料例如是鎢、鉬、錳、鍶、鑭或鉑等。

另外，一對放電用電極4當中一方的放電用電極4是陽極，另一方的放電用電極4是陰極。在放電用電極4是陽極的情況下，放電用電極4的材料例如是含鎢等的高熔點金屬。另外，在放電用電極4是陰極的情況下，放電用電極4的材料例如除了作為主成分的鎢以外還可包含電子釋放特性卓越的氧化鑭、氧化釔或氧化鈰。放電用電極4的電極的厚度例如是5μm～500μm。

如圖3所示那樣，放電誘發用電極5具有環狀的形狀，位於一對放電用電極4的下方，並在俯視透視下以包圍凹部2b的方式被設置在陶瓷封裝件2的內部。另外，如圖2所示那樣，放電誘發用電極5具有環狀的形狀，被設置成包圍凹部2b的底面2ba(底部)。在凹部2b為V型形狀的情況下，放電誘發用電極5能設置在陶瓷封裝件2的內部，位於一對放電用電極4的下方，並且包圍凹部2b的底面2ba(底部)，或者接近凹部2b的內壁面。另外，在圖3(b)中用點線表示了放電誘發用電極5。

如此，由於環狀的放電誘發用電極5設置在陶瓷封裝件2的內部，包圍凹部2b的底面2ba且不在放電空間S露出，因此在發光裝置10中，在放電空間S內難以出現放電誘發用電極5引起的發光的漫反射。另外，在發光裝置10中，由於為了不妨礙發光，環狀的放電誘發用電極5設置在一對放電用電極4的下方的陶瓷封裝件2的內部，不在放電空間S露出，因此抑制了發光量的降低。

另外，放電誘發用電極5設置在容器構件1的陶瓷封裝件2的內部，位於一對放電用電極4的下方，不在放電空間S內露出。即，由於放電誘發用電極5如圖3以及圖4所示那樣設置在陶瓷封裝件2的內部的側壁2a的周邊部，因此能在X方向或Z方向上縮短放電用電極4與放電誘發用電極5的距離。由此，通過放電誘發用電極5容易誘發放電空間S內的放電。另外，如圖3所示那樣，一對放電用電極4在俯視透視下，對置部4b位於比環狀的放電誘發用電極5的內周更靠內側的位置處。

另外，放電誘發用電極5的電極的厚度例如是5μm～300μm，電極的寬度例如是30μm～500μm。

另外，在俯視透視下放電用電極4和放電誘發用電極5重合的區域內，Z方向上的放電用電極4與放電誘發用電極5的間隔例如為25μm～300μm。只要是環狀的放電誘發用電極5不與放電用電極4接觸的範圍，就能為了容易誘發放電而縮短距離。

另外，陶瓷封裝件2的側壁2a的內周面(側面2ca)與放電誘發用電極5的內周的距離例如是10μm～500μm。只要是環狀的放電誘發用電極5不在側壁2a的內周面露出的範圍，就能為了容易誘發放電而縮短該距離。

如圖1至圖3所示那樣，放電誘發用電極5在陶瓷封裝件2的短邊方向(Y方向)的各個側面，從容器構件1的內部通過外部電極5a被引出到容器構件1的下表面側，放電誘發用電極5和外部電極5a電連接，且物理上也連接。另外，外部電極5a還包含設置在容器構件1的下表面的電極。另外，外部電極5a的材料例如是鎢、鉬、鍶、鑭、錳或鉑等。另外，放電誘發用電極5的材料例如是鎢、鉬、鍶、鑭、錳或鉑等高熔點金屬。發光裝置10通過包含放電誘發用電極5而變得能進行預放電。因此，發光裝置10因一對放電用電極4以及放電誘發用電極5而其主放電的開始變得穩定。

如上所述，如圖3至圖5所示那樣，透光性構件3隔著由接合材料7構成的接合層7a與陶瓷封裝件2的側壁2a接合。另外，如圖3至圖5所示那樣，發光裝置10中，在陶瓷封裝件2的側壁2a的內周側遍布全周設置有高低差部2d，透光性構件3隔著由接合材料7構成的接合層7a與該高低差部2d接合。

接合材料7是呈白色的玻璃，由於在該玻璃中包含氧化物系陶瓷粉末，因此氧化物系陶瓷粉末的分子存在於玻璃的分子間。特別是，為了使陶瓷封裝件2與作為透光性構件3的材料的玻璃等的接合性良好，能使用低熔點玻璃。低熔點玻璃是指熔點在400℃～650℃的範圍的玻璃。

接合材料7例如是在以氧化鉍、氧化鋅或氧化矽為主成分的低熔點玻璃中添加氧化鋁(氧化鋁、Al2O3)粉末或氧化鋯(二氧化鋯、ZrO2)粉末作為氧化物系陶瓷粉末而得到。

使用3輥研磨機，將低熔點玻璃以及氧化物系陶瓷粉末在分別相同程度的粒徑的粉末狀態下混合併膏化。因此，添加到低熔點玻璃內的氧化物系陶瓷粉末處於均勻分散在低熔點玻璃內的狀態，玻璃的熔融溫度不會大幅變化。另外，由於低熔點玻璃以及氧化物系陶瓷粉末都是氧化物，因此兩者之間接合性良好，難以在低熔點玻璃與氧化物系陶瓷粉末之間出現空隙等。另外，關於氧化鉍系低熔點玻璃，能通過基於氧化鋅、氧化矽、氧化硼、鹼土類金屬氧化物的微量添加的組成控制來調整熱膨脹係數、玻璃過度點、軟化溫度等玻璃特性，因此能進行與接合對象物匹配的材料設計。

另外，陶瓷封裝件2與透光性構件3的接合例如在加熱溫度500℃～700℃下進行。在此，以氧化鉍、氧化鋅或氧化矽為主成分的低熔點玻璃是指，該主成分以50～90質量％構成，作為剩餘成分而包含氧化鉍、氧化鋅、氧化矽、氧化硼、鹼土類金屬氧化物中的任一種的玻璃。

另外，氧化物系陶瓷粉末例如是指，在可見光區域(約400nm至800nm的波長範圍)的全部波長下反射率為70％以上的呈白色的材料所構成的粉末，作為這樣的材料，除了氧化鋁以外例如還有氧化鋯等。另外，由於氧化物系陶瓷粉末呈白色，因此能通過添加到低熔點玻璃中來提高反射率。

如此，發光裝置10如圖3至圖5所示那樣，陶瓷封裝件2和透光性構件3隔著由接合材料7構成的接合層7a被接合，接合層7a位於高低差部2d與透光性構件3之間，接合層7a的一部分面向放電空間S內。

具體地，接合材料7是在以氧化鉍為主成分的低熔點玻璃中添加氧化鋁粉末或氧化鋯粉末而得到的，例如在含Bi2O3/SiO2/B2O3的低熔點玻璃中添加了氧化鋁粉末。另外，在以氧化鋅為主成分的低熔點玻璃中添加氧化鋁粉末或氧化鋯粉末而得到，例如在含ZnO/SiO2/B2O3/R2O(R是鹼金屬，鋰、鈉或鉀)的低熔點玻璃中添加了氧化鋁粉末或氧化鋯粉末。另外，在以氧化矽為主成分的低熔點玻璃中添加氧化鋁粉末或氧化鋯粉末而得到，例如在含SiO2/RO/R2O(R是鹼金屬，鋰、鈉或鉀)的低熔點玻璃中添加了氧化鋁粉末。

在此，作為接合材料7，呈白色的低熔點玻璃以氧化鉍為主成分，氧化物系陶瓷粉末是氧化鋁粉末，以下對這樣的情況進行說明。

在圖7中示出了氧化鋁添加量(質量％)與反射率的關係以及氧化鋁添加量(質量％)與He洩漏率的關係。在圖7中示出了在氧氣氛中陶瓷封裝件2和透光性構件3通過接合材料7被接合時的氧化鋁粉末添加量(質量％)與反射率的關係以及氧化鋁粉末添加量(質量％)與He洩漏率的關係。

另外，關於接合材料7，在氧化鋁粉末添加量為0質量％的情況下，僅是低熔點玻璃，而在氧化鋁粉末添加量為100質量％的情況下，僅是氧化鋁粉末。其中，在氧化鋁粉末添加量為100質量％的情況下，起不到作為接合材料的作用。另外，表示接合材料7在例如氧化鋁粉末添加量為40質量％的情況下低熔點玻璃為60質量％。

在此，以下分別說明圖7所示的反射率和He洩漏率。

反射率表示針對以氧化鉍為主成分的低熔點玻璃改變氧化鋁粉末的添加量時的值。在透光性構件3上塗布100nm程度的厚度的添加了氧化鋁粉末的低熔點玻璃，使用施加了與陶瓷封裝件2的製造工藝相同熱履歷而製作出的樣本，通過分光光度計在可見光區域測定了反射率。

另外，He洩漏率通過He洩漏試驗得到，用於評價陶瓷封裝件2與透光性構件3的接合帶來的容器構件1的氣密性。關於測定方法，首先，將容器構件1(接合了陶瓷封裝件2和透光性構件3的構件)放置在He加壓下。然後，假設在被置於He加壓下的容器構件1中存在洩漏路徑(氣密性被破壞的部分)的情況下，He從洩漏路徑進入到容器構件1的內部。因此，對進入到容器構件1的內部的He進行真空抽取，從而將其有效地從容器構件1的內部取出，能根據檢測到的He氣體量來求取He洩漏率。

容器構件1中，隔著由接合材料7構成的接合層7a，在陶瓷封裝件2上安裝透光性構件3，接合層7a位於側壁2a的高低差部2d與透光性構件3之間，接合層7a的一部分面向放電空間S內。因此，在容器構件1的放電空間S內因一對放電用電極4間的放電而產生的光其一部分入射到接合層7a。例如，入射到接合層7a的光之中，一部分光被接合層7a反射，剩餘的光透過接合層7a而在內部擴散並被反射後輻射到容器構件1的內部或外部，或者在接合層7a的內部被吸收，因此容器構件1容易在接合層7a處產生光的損失。如此，由於在接合層7a處的光的損失，發光裝置10中有可能會出現發光量的降低。

但是，在發光裝置10中，隔著由接合材料7構成的接合層7a接合了陶瓷封裝件2和透光性構件3，接合材料7在以氧化鉍為主成分的低熔點玻璃中添加氧化鋁粉末而得到，因此如圖7所示那樣，隨著氧化鋁粉末添加量的增加，反射率變高。例如在氧化鋁粉末添加量為10質量％的情況下，反射率為50％，高於未添加氧化鋁粉末的氧化鋁粉末添加量為0質量％時的反射率30％。發光裝置10通過在接合材料7中添加氧化鋁粉末，從而反射率得以提高，也可以為了進一步提升反射率，使相對於低熔點玻璃的氧化鋁粉末添加量設為20質量％以上。

因此，在發光裝置10中，入射到接合層7a的光之中，由於接合層7a的反射率變高，所以在放電空間S內被反射的光量變多，能抑制發光量的降低。如此，通過提高接合層7a的反射率，在發光裝置10中，例如，被接合層7a反射的光入射到一對放電用電極4的上表面(表面)，入射的光在放電用電極4的上表面(表面)被反射，透過透光性構件3後被輻射到外部，能抑制發光量的降低。另外，在發光裝置10中，被接合層7a反射的光入射到陶瓷封裝件2內部的內壁面，入射的光在內壁面被反射，透過透光性構件3後被輻射到外部，能抑制發光量的降低。

另一方面，如圖7所示那樣，隨著氧化鋁粉末添加量的增加，容易出現氣密性的降低，為了保持封入到容器構件1內部的惰性氣體6的氣密性，發光裝置10優選使He洩漏率小於1.0×10-10Pa·m3/sec。另外，在圖7的圖表中，將1.0×10-10顯示為1.0E-10。因此，發光裝置10優選將相對於低熔點玻璃的氧化鋁粉末添加量設為40質量％以下。另外，從接合性或氣密性的觀點出發，優選將氧化鋁粉末添加量設為小於50質量％。

因此，發光裝置10兼顧反射率和氣密性，將相對於低熔點玻璃的氧化鋁粉末添加量設為20質量％以上且40質量％以下的範圍。

另外，在圖8中示出在非氧氣氛中隔著接合材料7接合了陶瓷封裝件2和透光性構件3時的氧化鋁粉末添加量(質量％)與反射率的關係以及氧化鋁粉末添加量(質量％)與He洩漏率的關係。在圖8中示出在非氧氣氛中隔著由接合材料7構成的接合層7a接合了發光裝置10的陶瓷封裝件2和透光性構件3時的氧化鋁粉末添加量與反射率及He洩漏率之間的關係。在圖8中，非氧氣氛是氮氣氛。

一對放電用電極4為了耐受放電時的熱而使用鎢或鉬等高熔點金屬材料。其中，高熔點金屬材料有容易氧化的性質。在作為一對放電用電極4而例如使用了鎢的情況下，若在氧氣氛中隔著由接合材料7構成的接合層7a接合陶瓷封裝件2和透光性構件3，則接合層7a被氧化，作為放電用電極的功能降低，變得容易出現放電效率的降低。進而，若放電用電極4的氧化繼續，會變成不進行放電。因此，在一對放電用電極4中使用容易氧化的金屬材料的情況下，為了抑制一對放電用電極4的氧化，在非氧氣氛下接合陶瓷封裝件2和透光性構件3。

如上述那樣，陶瓷封裝件2與透光性構件3的接合在非氧氣氛下進行，非氧氣氛並不限於氮氣氛。非氧氣氛下的陶瓷封裝件2與透光性構件3的接合例如可以是在真空下或合成氣體(氫與氨的混合氣體)環境下，只要是還原氣氛即可。另外，在真空中，因加熱，發生氧化鉍的分解(還原)，容易從低價氧化狀態變成金屬狀態。另外，在合成氣體中，因氫氣體的還原作用，氧化鉍容易從低價氧化狀態變成金屬狀態。

如圖8所示那樣，在氮氣氛下，當氧化鋁粉末添加量為0質量％的情況下，反射率為10％。其理由如下。即，在氮氣氛下，若隔著由接合材料7構成的接合層7a將陶瓷封裝件2和透光性構件3接合，則因環境中的氮的還原性，氧化鉍容易被奪去氧，從而變成低價氧化狀態。由此，接合材料7容易變成鉍的金屬成分的顏色，被黑色化，反射率比在氧氣氛下接合的情況低。因此，反射率低於在氧氣氛下氧化鋁粉末添加量為0質量％時的反射率30％。

添加的氧化鋁粉末對低價氧化狀態的氧化鉍提供氧，由此，低價氧化狀態的氧化鉍從氧化鋁粉末得到氧，從而氧化得以進展，能維持原本的氧化鉍的白色，因此能抑制反射率的降低。進而，通過添加呈白色的氧化鋁粉末，也能提高反射率。

接合材料7在以氧化鉍為主成分的低熔點玻璃中添加氧化鋁粉末而得到，如圖8所示那樣，隨著相對於低熔點玻璃的氧化鋁粉末添加量的增加，反射率變高。例如，在氧化鋁粉末添加量為10％的情況下，反射率為25％，高於未添加氧化鋁粉末的氧化鋁粉末添加量為0質量％時的反射率10％。

如此，氧化鋁粉末的添加提高反射率並向低價氧化狀態的氧化鉍提供氧，從而抑制氧化鉍變成低價氧化狀態，維持氧化鉍的白色，由此抑制反射率的降低。

發光裝置10通過添加氧化鋁粉末來提高反射率，為了進一步提升反射率，可以將相對於低熔點玻璃的氧化鋁粉末添加量設為20質量％以上。

因此，根據發光裝置10，入射到接合層7a的光因接合層7a的反射率提升而被反射到放電空間S內的光量變多，能抑制發光量的降低。如此，根據發光裝置10，通過提升接合層7a的反射率，例如被接合層7a反射的光入射到一對放電用電極4的上表面(表面)，入射的光在放電用電極4的上表面(表面)被反射，透過透光性構件3後被輻射到外部，能抑制發光量的降低。另外，在發光裝置10中，例如被接合層7a反射的光入射到陶瓷封裝件2內部的內壁面，入射的光在內壁面被反射，透過透光性構件3後被輻射到外部，能抑制發光量的降低。

另一方面，如圖8所示那樣，隨著氧化鋁粉末添加量的增加，容易出現氣密性的降低，為了保持封入到容器構件1內部的惰性氣體6的氣密性，可以將He洩漏率設為小於1.0×10-10Pa·m3/sec。另外，在圖8的圖表中，將1.0×10-10表示為1.0E-10。因此，在發光裝置10中，可以將相對於低熔點玻璃的氧化鋁粉末添加量設為40質量％以下。

如此，發光裝置10中，若考慮兼顧反射率和氣密性的情況，則可以將相對於低熔點玻璃的氧化鋁粉末添加量設置在20質量％以上且40質量％以下的範圍內。

另外，在圖9中示出了氧化鋁粉末添加量(質量％)與發光量比率(％)的關係。在圖9中，在接合材料7的氧化鋁粉末添加量為0質量％的情況下，只有低熔點玻璃，另外在氧化鋁粉末添加量為100質量％的情況下，只有氧化鋁粉末。其中，在氧化鋁粉末添加量為100質量％的情況下，起不到作為接合材料的作用。另外，關於接合材料7，例如在氧化鋁粉末添加量為40質量％的情況下，表示低熔點玻璃為60質量％。

在此說明圖9所示的發光量比率。發光量比率表示以氧化鋁粉末添加量為0質量％的情況為基準，增加氧化鋁粉末添加量時的發光量的比率。可知，若在低熔點玻璃中不斷增加氧化鋁粉末添加量，則直到氧化鋁粉末添加量為40質量％為止，發光裝置的發光量都有改善。進而，在增加了氧化鋁粉末添加量的情況下，由於接合材料7的低熔點玻璃量變少，因此會發生發光裝置的氣密不良，因而無法進行測定。另外，在發光量的測定中，測量儀表使用「KONICA MINOLTA」制的CM-A148，測定波長區域設為360nm以上且740nm以下，通過全光束測定來測定發光量。

在此，以下說明發光裝置10的製造方法。

陶瓷封裝件2由相互層疊的多個絕緣層構成。絕緣層例如由氧化鋁質燒結體、氮化鋁質燒結體、碳化矽質燒結體、氮化矽質燒結體、莫來石質燒結體或玻璃陶瓷等陶瓷材料等的電絕緣材料構成。陶瓷封裝件2例如使用陶瓷生片層疊法等將多層陶瓷生片層疊來形成。

若是陶瓷封裝件2由例如氧化鋁質燒結體構成的情況，則首先在氧化鋁、氧化矽、氧化鈣或氧化鎂等原料粉末中添加適當的有機粘合劑及溶劑等進行混合，使之成為泥漿狀。之後，用刮片法等薄片形成方法使其成為薄片狀，得到作為絕緣層的陶瓷生片。

然後，根據陶瓷封裝件2的一對放電用電極4以及放電誘發用電極5等的構成，例如對陶瓷生片使用絲網印刷等來形成作為一對放電用電極4以及放電誘發用電極5的膏層。另外，同樣地，對陶瓷生片使用絲網印刷等來形成作為陶瓷封裝件2的下表面的外部電極4a以及外部電極5a的膏層。

另外，關於陶瓷封裝件2的側面的外部電極4a以及外部電極5a，同樣對陶瓷生片使用絲網印刷等來形成作為外部電極4a以及外部電極5a的膏層。然後，使用陶瓷生片層疊法等，在外部電極4a以及外部電極5a的位置層疊經過衝孔加工而成的多層陶瓷生片，由此形成電極。

另外，為了形成陶瓷封裝件2的凹部2b，通過對陶瓷生片利用了衝孔金屬模等的孔加工方法，形成作為凹部2b的貫通孔。

在陶瓷封裝件2由例如陶瓷材料構成的情況下，能在各個電極中使用例如鎢(W)、鉬(Mo)、鉬-錳(Mo-Mn)、銅(Cu)、銀(Ag)或銀-鈀(Ag-Pd)等金屬材料。

在製作上述的陶瓷封裝件2用的陶瓷生片的工序中，在鎢(W)、鉬(Mo)、鉬-錳(Mo-Mn)、銅(Cu)、銀(Ag)或銀-鈀(Ag-Pd)等粉末中添加適當的有機粘合劑及溶媒等進行混合來得到作為電極的導體膏。預先使用絲網印刷法，對會成為陶瓷封裝件2的陶瓷生片印刷塗布該導體膏，使其成為給定的圖案，由此形成膏層。之後，通過與會成為陶瓷封裝件2的層疊的多個陶瓷生片同時燒成，在陶瓷封裝件2的給定位置處被覆形成一對放電用電極4、放電誘發用電極5、外部電極4a以及外部電極5a。

將這些陶瓷生片切斷成適當的大小，層疊多個陶瓷生片來製作層疊體，作為陶瓷封裝件2的構成。之後，通過在還原氣氛中以約1600℃的溫度對該層疊體進行燒成，由此製作層疊了多個絕緣層的陶瓷封裝件2。另外，還原氣氛例如是氮氣氛。

如上述那樣，陶瓷封裝件2設置了一對放電用電極4以及放電誘發用電極5，在側面及下表面設置了與放電用電極4連接的外部電極4a以及與放電誘發用電極5連接的外部電極5a。

與該陶瓷封裝件2隔著由接合材料7構成的接合層7a接合透光性構件3，以堵塞凹部2b。

在氧氣氛中進行接合的情況下，能通過如下那樣的方法進行。即，配合陶瓷封裝件2與透光性構件3的接合區域的形狀來使用絲網印刷法，將作為接合材料7的玻璃膏(在添加了氧化鋁粉末的低熔點玻璃中添加適當的粘合劑以及溶劑等進行混合後得到的膏)塗布在側壁2a或透光性構件3的接合區域。接下來，使用符合透光性構件3或陶瓷封裝件2的形狀的調準夾具，使透光性構件3落入到陶瓷封裝件2的側壁2a的高低差部2d，例如，在200℃～300℃的加熱溫度下進行用於將接合材料7所含的溶劑成分或粘合劑成分除去的脫粘合劑。接下來，例如，在500℃～700℃的加熱溫度下，接合陶瓷封裝件2和透光性構件3。能通過這些工序，得到容器構件1。

另外，例如，即便放電用電極4為鎢等容易氧化的金屬材料，若加熱溫度為200℃～300℃，則很難被氧化。

另外，在非氧氣氛中進行接合的情況下，利用與在氧氣氛中進行接合的情況同樣的方法來進行接合。另外，也可以在200℃～300℃的加熱溫度下，在氧氣氛中進行將作為接合材料7的玻璃膏所含的溶劑成分或粘合劑成分除去的脫粘合劑。

另外，例如，在陶瓷封裝件2設置有用於將惰性氣體6導入到容器構件1中的氣體導入孔(未圖示)，通過該氣體導入孔，將惰性氣體6(Xe氣體)導入到容器構件1的內部。另外，氣體導入孔在導入惰性氣體6後被密封。

接下來，說明在呈白色的低熔點玻璃中添加氧化物系陶瓷粉末來製作接合材料7的方法。

對於由粉末構成的以氧化鉍為主成分的低熔點玻璃和由粉末構成的氧化鋁，使用適當的溶劑或粘合劑，用研缽磨碎粉末的同時進行混合，並使用3輥研磨機等使之分散，由此得到接合材料7。

另外，以氧化鉍為主成分的低熔點玻璃例如是粒徑為0.5μm～10μm的粉末，氧化鋁粉末是例如粒徑為0.2μm～10μm。

本發明並不限於上述的實施方式的發光裝置10，能在不脫離本發明的宗旨的範圍內進行各種變更、改良等。以下說明本發明的其他實施方式。另外，對其他實施方式所涉及的發光裝置當中與實施方式所涉及的發光裝置10同樣的部分附加相同標號，並適當省略說明。

如圖6(a)所示那樣，發光裝置10A可以是一對放電用電極4沿著側壁2a的內周面朝向下方側(底面2ba側)延伸的構成。在該情況下，一對放電用電極4的朝向下方側延伸設置在內周面的部分是對置部4b。

另外，一對放電用電極4在放電空間S內露出，在惰性氣體6(Xe)中，從露出的一方的放電用電極4針對對置的另一方放電用電極4的電極間距離最短的部分進行放電。此時，放電用電極4在局部放電的部分磨損而帶圓，在下一次的放電中，從一方的放電用電極4的另外部位對另一方放電用電極4進行放電。

另外，在發光裝置10B中，也可以如圖6(b)所示那樣，一對放電用電極4設置在陶瓷封裝件2的側壁2a，從側壁2a的內部到達內周面，從到達內周面的部分沿著側壁2a的內周面(側面2ca)延伸到下方側(底面2ba側)。在該情況下，設置在一對側壁2a的內周面(側面2ca)的部位是放電用電極4的對置部4b。