一種防偏移頂針系統的製作方法

2023-05-30 15:19:26 3

本實用新型涉及一種防偏移頂針系統，屬於半導體封裝技術領域。

背景技術：

目前機臺關於頂針系統的結構中有一種使用磁性針的設計方式（參見圖1），針底有凸出部分防止飛針情況發生，此種結構能防止頂針飛針，但是，若頂針在膜下一步位移前還未及時落回磁鐵底座上，膜會帶動頂針水平方向的移動，使頂針產生橫向偏移，致使頂針對應與晶片的位置與著力點偏移，容易使晶片頂起時產生傾斜的現象，造成吸晶不良。

並且這種磁性頂針方式還存在以下缺點：

1、頂針針尾凸臺結構面積極小，磁鐵對頂針的吸引力仍舊很小；

2、磁性頂針座的材料成本較高，且硬度相對不鏽鋼較低，易損壞。

技術實現要素：

本實用新型所要解決的技術問題是針對上述現有技術提供一種防偏移頂針系統，它能夠很好的控制頂針只沿上下方向移動，使頂針始終在頂針座的導向孔中上下移動，不會因頂針不及時落回磁鐵底座，被藍膜帶動而使頂針產生偏移；另一方面工藝參數方面不用變更，不增加改善成本。

本實用新型解決上述問題所採用的技術方案為：一種防偏移頂針系統，它包括頂針座、至少一個十字型頂針和頂針帽，所述頂針座包括頂針基座，所述頂針基座上設置有至少一個導向孔，所述十字型頂針包括頂針上部、頂針凸臺和頂針下部，所述十字型頂針的頂針下部插裝於導向孔內，所述頂針凸臺在頂針座與頂針帽之間活動，所述頂針帽上對應頂針設置有針孔。

所述導向孔直徑略大於頂針下部的直徑。

所述導向孔為錐形沉孔。

所述頂針上部長度大於頂針脫膜高度。

所述頂針上部長度小於頂針系統初始狀態下的頂針座與頂針帽之間的距離。

所述頂針下部長度大於頂針上部長度。

所述頂針下部長度大於頂針系統初始狀態下的頂針座與頂針帽之間的距離。

所述頂針帽直徑大於頂針上部直徑，所述頂針帽直徑小於頂針凸臺直徑。

與現有技術相比，本實用新型的優點在於：

1、本實用新型可有效的控制頂針的偏移量，避免晶片被頂針頂起時產生傾斜的現象，有效解決吸晶不良的問題；

2、本實用新型結構簡單，系統和工藝不變，節省耗品頂針的生產成本。

附圖說明

圖1為現有頂針系統的示意圖。

圖2為本實用新型一種防偏移頂針系統頂針上頂至最高點的示意圖。

圖3為本實用新型一種防偏移頂針系統頂針下落至最低點的示意圖。

圖4為圖2中頂針基座的結構示意圖。

其中：

頂針座1

頂針基座1.1

導向孔1.2

十字型頂針2

頂針帽3

膜4

針孔5。

具體實施方式

以下結合附圖實施例對本實用新型作進一步詳細描述。

如圖2~4所示，本實施例中的一種防偏移頂針系統，它包括頂針座1、至少一個十字型頂針2和頂針帽3，所述頂針座1包括頂針基座1.1，所述頂針基座1.1上設置有至少一個導向孔1.2，所述十字型頂針2包括頂針上部、頂針凸臺和頂針下部，所述十字型頂針2的頂針下部插裝於導向孔1.2內，所述頂針凸臺在頂針座1與頂針帽3之間活動，所述頂針帽3上對應頂針設置有針孔5，所述十字型頂針2的頂針上部透過頂針帽3上設置的針孔5頂起膜4上的晶片；

所述頂針座1上移連帶十字型頂針2向上頂起膜4上的晶片時為最高點，此時頂針頂起高度為脫膜高度，頂針座1上移連帶十字型頂針2下移到頂針座1復位時為最低點，此時頂針位置處在初始位置，所述十字型頂針2上下移動時所有過程頂針下部都在頂針基座1.1的導向孔1.2內；

所述導向孔1.2直徑略大於頂針下部的直徑；

所述導向孔1.2為錐形沉孔，便於安裝十字型頂針2；

所述頂針上部長度大於頂針脫膜高度；

所述頂針上部長度小於頂針系統初始狀態下的頂針座1與頂針帽3之間的距離；

所述頂針下部長度大於頂針上部長度；

所述頂針下部長度大於頂針系統初始狀態下的頂針座1與頂針帽3之間的距離；

所述頂針帽3上針孔5直徑大於頂針上部直徑，所述頂針帽3上針孔5直徑小於頂針凸臺直徑。

所述頂針系統工作時：頂針座向上頂起頂針使頂針露出頂針帽，頂針帽始終固定不動，頂針頂起高度達到脫膜條件停下頂起操作，膜上晶片被吸取之後，頂針座落回初始位置，理想狀態下頂針也會落回導向孔內，但是個別頂針會被膜包裹。之後膜會平移一個單位，過程中由於頂針的凸起部結構使頂針避免抽離頂針座，並且頂針下端部分始終在導向孔內不易發生左右偏移，相當於藍膜相對於頂針在做移動，藍膜與頂針之間的摩擦最終使頂針與膜分離，分離後的頂針由於導向孔的導向作用落回初始位置，實現頂針復位。之後重複上述動作完成晶片吸取和頂針座及頂針復位操作。

除上述實施例外，本實用新型還包括有其他實施方式，凡採用等同變換或者等效替換方式形成的技術方案，均應落入本實用新型權利要求的保護範圍之內。