微型場發射電子器件的製作方法

2023-06-07 23:33:16 2

/-->其中，h為陰極電極層的場發射端與陽極電極層之間的間距；為電子在惰性氣體環境中的自由程。2.如權利要求l所述的微型場發射電子器件，其特徵在於，進一步包括一第三絕緣層間隔設置於第一絕緣層於第二絕緣層之間，一柵極電極層設置於該第三絕緣層上，位於陰極電極層與陽極電極層之間。3.如權利要求2所述的微型場發射電子器件，其特徵在於，該柵極電極層在對應於場發射端位置設置有一開口。4.如權利要求l所述的微型場發射電子器件，其特徵在於，進一步包括一柵極電極層設置於基底上，位於陰極電極層與陽極電極層之間。5.如權利要求4所述的微型場發射電子器件，其特徵在於，該柵極電極層設置於場發射端與基底之間。6.如權利要求l所述的微型場發射電子器件，其特徵在於，該場發射端為微尖結構。7.如權利要求6所述的微型場發射電子器件，其特徵在於，該場發射端材料為金屬材料或半導體材料表面鍍金屬材料薄膜。8.如權利要求7所述的微型場發射電子器件，其特徵在於，該場發射端表面形成有低逸出功材料薄膜。9.如權利要求8所述的微型場發射電子器件，其特徵在於，該低逸出功材料薄膜材料為金屬硼化物或稀土氧化物。。10.如權利要求6所述的微型場發射電子器件，其特徵在於，該場發射端材料為稀土氧化物、碳化物與高熔點金屬。11.如權利要求6所述的微型場發射電子器件，其特徵在於，該場發射端表面設置有碳納米管或半導體納米線。12.如權利要求l所述的微型場發射電子器件，其特徵在於，該場發射端為碳納米管或半導體納米線。13.如權利要求l所述的微型場發射電子器件，其特徵在於，該惰性氣體的分壓為0.110個大氣壓。14.如權利要求l所述的微型場發射電子器件，其特徵在於，該惰性氣體可選擇為氦、氖、氬、氪、氙及其任意組合的混合氣體。15.如權利要求l所述的微型場發射電子器件，其特徵在於，進一步滿足關係式全文摘要本發明涉及一種微型場發射電子器件，其包括一基底；一第一絕緣層與一第二絕緣層相隔一定距離設置於基底上；一陰極電極層與一陽極電極層分別設置於第一絕緣層與第二絕緣層上，該陰極電極層具有一場發射端正對該陽極電極層，該微型場發射電子器件內密封有惰性氣體，且滿足條件式h<λe，其中，h為陰極電極層的場發射端與陽極電極層之間的間距；λe為電子在惰性氣體環境中的自由程。文檔編號H01J1/46GK101110306SQ20061006170公開日2008年1月23日申請日期2006年7月19日優先權日2006年7月19日發明者亮劉,胡昭復,範守善,陳丕瑾申請人:清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司