電子部件連接結構及連接方法
2023-07-01 10:02:31 1
電子部件連接結構及連接方法
【專利摘要】本發明提供一種，可以改善連接信賴性的電子部件的連接結構及連接方法。電子部件的連接結構，電子部件以跨在離開配置的2個引線框架（2，3）的方式配置，且通過導電性接合部件（5）而被連接在2個引線框架（2，3）上，其中，電子部件（4）包含2個電極（41b），該2個電極（41b）至少被設置在電子部件（4）的下表面上的一部分上，且分別與所述2個引線框架（2，3）對置，2個引線框架（2，3）各自包含承受面（21）被設置在對應的電極（41b）的正下方，且具有隨著從支承電子部件（4）的自身的支點朝向另一方的引線框架而離開該電子部件（4）的形狀，而使導電性接合部件停留在2個引線框架（2，3）的各個承受面（21）和對應的電極（41）之間。
【專利說明】電子部件連接結構及連接方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種電子部件連接結構及連接方法，其中電子部件被架橋在離開配置的2個引線框架上、而使該電子部件通過導電性接合部件被連接在2個引線框架上。
【背景技術】
[0002]在日本特開2007-234737號公報公開了一種技術、即在晶片電容器的連接結構中，在各個引線框架設置薄壁的應力緩和部。根據該技術，發生在導電性接合部件的應力會被薄壁的應力緩和部緩和。
[0003]發生在導電性接合部件上的應力集中在晶片電容器和引線框架之間。連接信賴性在很大程度上受到停留在其之間的導電性接合部件的厚度的影響。在該導電性接合部件的厚度比較薄的情況下，即使採用了薄壁的應力緩和部的方法，連接信賴性也會降低。
【發明內容】
[0004]本發明的目的為，提供可以改善連接信賴性的電子部件的連接結構及連接方法。
[0005]本發明的一個方面為電子部件的連接結構。電子部件的連接結構，所述電子部件以跨在離開配置的2個引線框架的方式配置，且通過導電性接合部件而被連接在2個引線框架上，其中，所述電子部件包含2個電極，該2個電極至少被設置在電子部件的下表面的一部分上，且分別與所述2個引線框架對置，所述2個引線框架各自包含承受面，該承受面被設置在對應的電極的正下方，且具有隨著從支承電子部件的自身的支點朝向另一方的引線框架而離開該電子部件的形狀，所述導電性接合部件停留在所述2個引線框架的各個所述承受面和所對應的所述電極之間。
[0006]本發明的另一個方面為電極部件的連接方法。電子部件的連接方法，其形成電子部件的連接結構，所述電子部件以跨在離開配置在基板上的2個引線框架的方式設置，且通過導電性接合部件而被連接在所述2個引線框架上，其中，所述電子部件包含2個電極，該2個電極至少被設置在所述電子部件的下表面的一部分上，所述2個引線框架各自包含承受面，該承受面在配置了所述電子部件的情況下離開所述電子部件，所述方法包括如下步驟:將所述2個引線框架離開配置在基板上，以使所述承受面位於所述基板的相反側，在所述2個引線框架上分別設置導電性接合部件，以所述電子部件的所述2個電極各自以與導電性接合部件接觸的狀態下跨在所述2個引線框架的方式配置該電子部件，熔融所述導電性接合部件而使該導電性接合部件停留在所述電子部件的所述2個電極各自和對應的引線框架的承受面之間。
[0007]根據本發明，可以改善連接信賴性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0008]圖1是表示電子部件的連接結構的一例的剖視圖。
[0009]圖2是放大主要部分而示出的剖視圖。[0010]圖3是晶片電容器的仰視圖。
[0011]圖4是用於表示電子部件的連接方法的引線框架配置工序的剖視圖。
[0012]圖5是表示連接準備工序後的臨時連接工序的剖視圖。
[0013]圖6是表示電子部件的連接結構的比較例的剖視圖。
[0014]圖7是表示電子部件的連接結構的其他例子的剖視圖。
[0015]圖8是表示電子部件的連接結構的第I方式的側視圖。
[0016]圖9是引線框架的俯視圖。
[0017]圖10是表示電子部件的連接結構的第2方式的側視圖。
[0018]圖11是引線框架的俯視圖。
[0019]圖12是表示電子部件的連接結構的第3方式的側視圖。
[0020]圖13是引線框架的俯視圖。
【具體實施方式】
[0021 ] 以下，對電子部件的連接結構的一個實施方式進行說明。
[0022]如圖1所示，在基板I的上表面上離開配置有板狀的2個引線框架2、3。各個引線框架2，3通過例如嵌件成形而被集成到基板I。在2個引線框架2、3上架橋有為電子部件的一例的晶片電容器4。晶片電容器4通過為導電性接合部件的焊錫5而被連接在2個引線框架2、3上。
[0023]如圖2所示，在晶片電容器4的兩端的表面上分別設置有(僅圖示右側的電極41)2個電極41，該2個電極41從上表面經由側面而連續到下表面上。各個電極41包含:電極41a，其通過將電極41的第I端部向內側折入形成，且與晶片電容器4的上表面抵接；以及電極41b，其通過將與電極41的第I端部對置的第2端部向內側折入形成，且與晶片電容器4的下表面抵接。在引線框架2的、位於電子41的正下方的部分上設置有承受面21，其在晶片電容器4不通過焊錫5而直接連接在引線框架2上的情況下，與該晶片電容器4接觸而從支承晶片電容器4的支點向其他的引線框架3離開該晶片電容器4。S卩、在引線框架2中，與基板I對置的整個對置面為平坦，與晶片電容器4對置的對置面具有由承受面21形成的凹部。在引線框架3上也形成有同樣的凹部。2個引線框架2、3離開配置在基板I上，以使2個凹部對置。各個凹部通過衝裁加工形成。
[0024]如圖3所示，在被設置在晶片電容器4的下表面上的2個電極41b中，位於最裡側的緣部上的角部被稱為角部42 (—共為4個)。與這些4個角部42對應形成有2個引線框架2、3的承受面21。引線框架2的承受面21從支承晶片電容器4的上述支點通過電極41b的2個角部42的正下方而向與該引線框架2成對的其他的引線框架3延伸。同樣地，引線框架3的承受面21從支承晶片電容器4的上述支點通過電極41b的2個角部42的正下方而向引線框架2延伸。由此，各個電極41b通過足夠的焊錫5而被電氣及機械連接到引線框架2、3上。
[0025]以下，對得到該連接結構的電子部件的連接方法進行說明。
[0026]如圖4所示，在引線框架配置工序中，各個引線框架2、3通過嵌件成形而被集成到基板I上，以使承受面21位於基板I的相反側。
[0027]如圖5所示，在連接準備工序中，顆粒狀的焊錫5以臨時固定的方式配置在各個引線框架2、3上，在臨時連接工序中，以使各個電極41接觸到焊錫5的狀態將晶片電容器4架橋在2個引線框架2、3上。
[0028]在本連接工序中，熔融顆粒狀的焊錫5而使已被熔融的各個焊錫5的一部分停留在晶片電容器4的電極41和引線框架2、3的承受面21之間。由此，可以得到圖1中所示的晶片電容器4的連接結構。
[0029]以下，對電子部件的連接結構的作用進行說明。
[0030]如圖6所示，在相對於本例的比較例中，被離開配置在基板101上的2個引線框架102、103上沒有形成承受面21。晶片電容器104被架橋在這些2個引線框架102、103上，並且該晶片電容器104通過焊錫105而被連接在2個引線框架102、103上。在焊錫105上產生的應力集中到晶片電容器104和各個引線框架102、103之間，並且停留在晶片電容器104和各個引線框架102、103之間的焊錫5的厚度比較薄。
[0031]相對於此，在本例中，在各個引線框架2、3上形成有承受面21，並且焊錫5積極地停留在該承受面21和晶片電容器4的電極41之間。在焊錫5產生的應力雖然集中在晶片電容器4和各個引線框架2、3之間，但是停留在晶片電容器4和各個引線框架2、3之間的焊錫5的厚度厚於比較例。由此，應力被分散並被緩和的，並隨著確保焊錫量使得強度增加。
[0032]如上述說明，根據本實施方式，可以獲得以下效果。
[0033](I)可以使焊錫5積極地停留在晶片電容器4的各個電極41b、和對應的引線框架
2、3的承受面21之間。由此，可以對集中到晶片電容器4和各個引線框架2、3之間的應力進行分散和緩和。因此，可以改善連接信賴性。
[0034](2)由於焊錫5停留在施加最大應力的各個電極41b的2個角部42的正下方，所以自然而然地增加在該部分的焊錫5厚度。因此，可以抑制發生裂紋。
[0035](3)各個引線框架2、3的承受面21從支承晶片電容器4的支點通過電極41b的角部42的正下方而向與該引線框架2、3成對的其他的引線框架3、2延伸。即、2個支點的間隔被設定為短於晶片電容器4的長度。如此使得2個引線框架2、3之間的間隔變窄，使得晶片電容器4的搭載變得容易。
[0036](4)由於預先在被離開配置在基板I上的一對引線框架2、3上設置顆粒狀的2個焊錫5 (下側)，之後將晶片電容器4設置在焊錫5的上側，所以被熔融的焊錫5容易停留在承受面21的凹部中。因此，易於發揮上述(1)、(2)的效果。
[0037](5) 2個引線框架2、3的承受面21以對應於晶片電容器4的4個角部42對稱性地形成。因此，可以均等地得到應力緩和等的效果。
[0038]另外，上述實施方式可以具體變更為如下方式。
[0039]如圖7所示，2個承受面21也可以通過向基板I彎曲而形成，以使2個引線框架2、3的相互對置的2個頂端部離開晶片電容器4。在該情況下，焊錫5被停留在承受面21和電極41之間。由於承受面21線性傾斜，所以使晶片電容器4的定位變得更容易。
[0040]各個引線框架2、3的承受面21也可以正好從支承晶片電容器4的支點延伸到2個角部42的正下方。或是，以使停留在承受面21和電極41之間的焊錫5適當地確保厚度為條件，各個引線框架2、3的承受面21也可以從上述支點延伸到2個角部42的跟前。
[0041]如圖8以及圖9所示，各個引線框架2、3的承受面21也可以從對應的引線框架2、3的進深方向的跟前向裡連續形成。上述進深方向被規定為相對於晶片電容器4從引線框架2向引線框架3架橋的方向正交的方向。晶片電容器4的搭載區域被規定為各個引線框架2、3的上表面的除了承受面21以外的內側區域。
[0042]如圖10以及圖11所示，也可以僅在分別與2個引線框架2、3的4個角部42對應的4個區域上形成4個承受面21。由於相比圖8以及圖9的構成可以得到被引線框架2的2個部分的承受面21夾著的內側區域25、和被引線框架3的2個部分的承受面21夾著的內側區域35雙方，所以可以擴大晶片電容器4的搭載區域而使晶片電容器4的搭載穩定性得到改善。
[0043]如圖12以及圖13所示，也可以僅在分別與2個引線框架2、3中的4個角部42對應的4個區域上設置4個承受面21，並且4個承受面21配合動作而使焊錫5停留在晶片電容器4的下表面的4個角、和4個承受面21之間。由於相比圖8以及圖9的構成可以得到被引線框架2的2個承受面夾著的內側區域25、被引線框架3的2個承受面21夾著的內側區域35雙方，所以可以擴大晶片電容器4的搭載區域而使改善晶片電容器4的搭載穩定性得到改善。由於相比圖10以及圖11的構成焊錫5也停留在晶片電容器4的下表面的4個角的正下方而使其厚度增加，所以可以抑制發生裂紋。
[0044]電子部件並不僅限於晶片電容器4。
[0045]導電性接合部件並不僅限於焊錫5。
【權利要求】
1.一種電子部件的連接結構，所述電子部件以跨在離開配置的2個引線框架的方式配置，且通過導電性接合部件而被連接在2個引線框架上，其中， 所述電子部件包含2個電極，該2個電極至少被設置在電子部件的下表面的一部分上，且分別與所述2個引線框架對置， 所述2個引線框架各自包含承受面，該承受面被設置在對應的電極的正下方，且具有隨著從支承電子部件的自身的支點朝向另一方的引線框架而離開該電子部件的形狀， 所述導電性接合部件停留在所述2個引線框架的各個所述承受面和所對應的所述電極之間。
2.根據權利要求1所述的電子部件的連接結構，其中， 所述2個電極各自包含2個角部， 所述2個引線框架的各個所述承受面包含被配置在對應的所述電極的2個角部的正下方的一部分。
3.根據權利要求1或2所述的電子部件的連接結構，其中， 所述2個引線框架的各個所述承受面從所述支點經由對應的所述電極的2個角部的正下方而向另一個所述引線框架延伸。
4.根據權利要求1-3中任意一項所述的電子部件的連接結構，其中， 所述2個引線框架的各個所述承受面被設置為，只與對應的所述電極的2個角部相對應。
5.根據權利要求1-4中任意一項所述的電子部件的連接結構，其中， 所述2個電極各自從所述電子部件的側面向內側折入而連續到所述電子部件的下表面， 所述2個電極各自包含位於所述電子部件的下表面上的最裡側的緣部、和位於所述電子部件的下表面上的最外側的緣部， 所述2個電極各自的所述位於最裡側的緣部的2個端部分別與對應的電極的2個角部相對應， 所述2個電極各自的所述位於最外側的緣部的2個端部分別與處於對應的電極側的所述電子部件的2個角部相對應， 所述2個引線框架的各自的所述承受面被設置為，只與對應的所述電極的2個角部相對應， 所述2個引線框架的2個承受面配合動作而使所述導電性接合部件停留在所述2個承受面各自和與所述電子部件的下表面對應的2個角部之間。
6.根據權利要求1-4中任意一項所述的電子部件的連接結構，其中， 所述2個電極各自從所述電子部件的側面向內側折入而連續到所述電子部件的下表面， 所述2個電極各自包含位於所述電子部件的下表面上的最裡側的緣部， 所述2個電極各自的所述位於最裡側的緣部的2個端部分別與對應的電極的2個角部相對應， 所述2個引線框架各自的所述承受面被設置為，與對應的電極的2個角部相對應。
7.根據權利要求1-6中任意一項所述的電子部件的連接結構，其中，所述2個引線框架的2個承受面具有對稱性。
8.一種形成電子部件的連接結構的電子部件的連接方法，所述電子部件以跨在離開配置在基板上的2個引線框架的方式設置，且通過導電性接合部件而被連接在所述2個引線框架上，其中， 所述電子部件包含2個電極，該2個電極至少被設置在所述電子部件的下表面的一部分上， 所述2個引線框架各自包含承受面，該承受面在配置了所述電子部件的情況下離開所述電子部件， 所述方法包括如下步驟: 將所述2個引線框架離開配置在基板上，以使所述承受面位於所述基板的相反側， 在所述2個引線框架上分別設置導電性接合部件， 以所述電子部件的所述2個電極各自以與導電性接合部件接觸的狀態下跨在所述2個引線框架的方式配置該電子部件， 熔融所述導電性接合部件而使該導電性接合部件停留在所述電子部件的所述2個電極各自和對應的引線框架的承受面之間。
【文檔編號】H05K1/18GK104010439SQ201410062005
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2014年2月24日 優先權日:2013年2月26日
【發明者】伊藤肇 申請人:株式會社東海理化電機製作所