一種鍺晶體碼盤分劃工藝的製作方法
2023-05-29 15:42:26
一種鍺晶體碼盤分劃工藝的製作方法
【專利摘要】本發明公開了一種鍺晶體碼盤分劃工藝，其工藝流程為：塗膠→前烘→曝光→中烘→顯影→後烘→清洗→鍍鉻→去膠→檢驗。本發明的有益效果是：解決了鍺晶體碼盤圖案的製作技術難題，在鍺晶體光坯上製作出明暗對比度大、圖案邊緣不均勻性小的碼盤圖案，雷射通過碼盤上的光柵通道，形成信息場的調製頻率，滿足雷射駕束制導儀的使用。該方法對晶體分劃元件的製作具有很好的推廣應用價值。可廣泛應用於光學儀器分劃元件的加工，可用於航天、航空、雷射駕束制導系統、紅外產品光學系統等。在鍺晶體光坯上製作出明暗對比度大、圖案邊緣不均勻性小的碼盤圖案。
【專利說明】—種鍺晶體碼盤分劃工藝【技術領域】
[0001]本發明涉及一種鍺晶體碼盤分劃工藝，屬於光學加工【技術領域】。
【背景技術】
[0002]光學碼盤是光學軸角編碼器的角度基準光學元件，是實現模-數轉換(Α/D轉換)的有效工具之一，是信息場形成的關鍵零件。雷射通過碼盤上的光柵通道，形成信息場的調製頻率。採用C02雷射器的雷射駕束制導儀，工作波長為10.6 μ m，碼盤需用鍺晶體基底來製作。鍺基底碼盤的加工及檢測是一項新的工藝課題。鍺碼盤的製作主要包括:光坯的加工一碼盤圖案的製作一鍍膜等製作過程。鍺晶體光坯的加工及紅外增透膜的鍍制在國內有成熟工藝，但卻鮮少有分劃圖案的製作技術。
[0003]採用普通分劃製作工藝:光刻膠:正性光刻膠；工藝流程為:鍍鉻一塗膠一前烘一曝光一中烘一顯影一後烘一腐蝕一去膠一檢驗零件各項技術要求一轉下一道工序。按此工藝加工後，鍺晶體光坯上直接鍍上鉻後，鉻膜與鍺結合非常牢固，碼盤圖案透光區脫鉻非常困難，最終鍺晶體光坯表面無任何圖案。
【發明內容】
[0004]本發明目的就在 於克服上述不足，提供一種鍺晶體碼盤分劃工藝。
[0005]為實現上述目的，本發明是通過以下技術方案來實現:一種鍺晶體碼盤分劃工藝，其工藝流程為:塗I父一如烘一曝光一中烘一顯影一後烘一清洗一鍛絡一去I父一檢驗。
[0006]進一步，作為一種優化方案，所述的前烘、中烘、後烘三道工序均為放入烘箱烘乾後取出放入暗室中自然冷卻。
[0007]進一步，作為一種優化方案，所述的塗膠工序中採用的膠為負性光刻膠。
[0008]本發明的有益效果是:解決了鍺晶體碼盤圖案的製作技術難題，在鍺晶體光坯上製作出明暗對比度大、圖案邊緣不均勻性小的碼盤圖案，雷射通過碼盤上的光柵通道，形成信息場的調製頻率，滿足雷射駕束制導儀的使用。該方法對晶體分劃元件的製作具有很好的推廣應用價值。可廣泛應用於光學儀器分劃元件的加工，可用於航天、航空、雷射駕束制導系統、紅外產品光學系統等。在鍺晶體光坯上製作出明暗對比度大、圖案邊緣不均勻性小的碼盤圖案。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0009]圖1為本發明的工藝流程圖。
【具體實施方式】
[0010]下面結合附圖對本發明作進一步說明:
實施例1:如圖1流程所示，<i)58mmX3mm的鍺晶體碼盤,鍺晶體光還表面塗上負性光刻膠，放入烘箱進行前烘後取出，暗室自然冷卻，曝光，放入烘箱進行中烘，暗室自然冷卻，再放入顯影液顯影后，進行後烘，暗室自然冷卻，清洗零件，鍍制鉻膜，去膠，檢驗圖形、指標符合要求，轉下一道工序真空鍍膜。
[0011]本發明採取上述技術方案以後，對零件進行了觀察和測量，圖案邊緣比較整齊，不均勻性最大為0.008mm。透過率測量:在波長10.6 μ m處，透光區和不透光區的透過率測量結果如下:不透光區透過率是6.633%，透光區透過率是48.806%。結果表明，在鍺晶體表面形成明暗對比度大、圖案邊緣不均勻性小於0.008mm的碼盤圖形。
[0012]需要注意的是，上述具體實施例僅僅是示例性的，在本發明的上述教導下，本領域技術人員可以在上述實施例的基礎上進行各種改進和變形，而這些改進或者變形落在本發明的保護範圍內。
[0013]本領域技術人員應該明白，上面的具體描述只是為了解釋本發明的目的，並非用於限制本發明。本發明的保護範圍由權利要求及其等同物限定。
【權利要求】
1.一種鍺晶體碼盤分劃工藝，其特徵在於:其工藝流程為:塗膠一前烘一曝光一中烘—顯影一後烘一清洗一鍛絡一去I父一檢驗。
2.根據權利要求1所述的鍺晶體碼盤分劃工藝，其特徵在於:所述的前烘、中烘、後烘三道工序均為放入烘箱烘乾後取出放入暗室中自然冷卻。
3.根據權利要求1所述的鍺晶體碼盤分劃工藝，其特徵在於:所述的塗膠工序中採用的膠為負性光刻膠。
【文檔編號】G01D5/347GK103955114SQ201410211244
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2014年5月20日 優先權日:2014年5月20日
【發明者】蘇穎, 陳俊霞, 張勇, 張成群, 龔濤, 趙科兵, 趙淑君 申請人:河南平原光電有限公司