一種毫米波赫體後向電壓反射係數的測量方法
2023-06-23 16:24:36 2
專利名稱：一種毫米波赫體後向電壓反射係數的測量方法
技術領域：
本發明涉及一種後向電壓反射係數的測量方法，特別是一種毫米波赫體後向電壓反射係數的測量方法。
背景技術：
在國際上，美國國家標準技術研究院、俄羅斯全俄物理和無線電技術測量科學研究院在毫米波赫體後向電壓反射係數測量研究方面處於領先地位。他們所使用的測量原理均是基於雷達原理中的弗裡斯公式。所使用的測量方法是利用增益精確已知的天線，使用移動待測黑體的空間駐波法測量出被測黑體的反射量，然後計算出被測黑體的後向電壓反射係數。此種方法需要精確已知天線的增益，在近場測量時還需要知道天線的近場增益修正因子和相位中心等電氣參數，但在很多情況下精確測量這些參數是非常複雜和耗時的， 因此限制了這種方法的應用範圍。在國外，天線增益、近場增益修正因子和相位中心等參數的測量費用也比較昂貴。此外，我國目前的天線測試精度尚無法在寬頻帶內滿足毫米波赫體後向電壓反射係數測量要求，因此也限制了上述方法在我國的應用。
發明內容
本發明目的在於提供一種毫米波赫體後向電壓反射係數的測量方法，解決現有常規測量方法難以準確測量毫米波赫體後向電壓反射係數的問題。一種毫米波赫體後向電壓反射係數的測量方法的具體步驟為 第一步搭建毫米波赫體後向電壓反射係數測量系統
測量系統包括矢量網絡分析儀、天線支架、天線、吸波材料、直滑軌、被測目標支架、待測毫米波赫體、光學平臺、金屬平板。光學平臺平置於地面上，吸波材料鋪置於光學平臺上面。天線支架置於光學平臺的左側。天線置於天線支架上部。矢量網絡分析儀的一個埠與天線的饋電埠相連。直滑軌置於光學平臺的右側，直滑軌的運動方向與天線軸線平行。被測目標支架置於直滑軌上部，待測毫米波赫體和金屬平板依次固定在被測目標支架上面。第二步矢量網絡分析儀測量毫米波赫體後向電壓反射係數
首先將待測黑體用螺釘或夾具固定在被測目標支架之上，然後將帶有黑體的被測目標支架置於直滑軌之上，並用螺釘固定。天線與矢量網絡分析儀的任意一個埠相連，天線軸線位於毫米波赫體的中心法線方向。在測試過程中，天線的IOdB寬度的主波束的照射區域位於待測毫米波赫體表面之內。沿直滑軌前後移動安裝有被測毫米波赫體的待測目標支架，毫米波赫體移動的距離大於矢量網絡分析儀工作波長的一半，毫米波赫體移動距離大於矢量網絡分析儀的5個工作波長。測量此時天線口面到被測毫米波赫體的距離。然後根據矢量網絡分析儀顯示的反射數值用公式(1)計算過程參數a。公式(1)中，
權利要求
1. 一種毫米波赫體後向電壓反射係數的測量方法，其特徵在於該方法的具體步驟為 第一步搭建毫米波赫體後向電壓反射係數測量系統測量系統包括矢量網絡分析儀(1)、天線支架(2)、天線(3)、吸波材料(4)、直滑軌 (5)、被測目標支架(6)、待測毫米波赫體(7)、光學平臺(8)、金屬平板(9);光學平臺(8)平置於地面上，吸波材料(4)鋪置於光學平臺(8)上面；天線支架(2)置於光學平臺(8)的左側；天線(3)置於天線支架(2)上部；矢量網絡分析儀(1)的一個埠與天線(3)的饋電埠相連；直滑軌(5)置於光學平臺(8)的右側，直滑軌(5)的運動方向與天線(3)軸線平行；被測目標支架(6)置於直滑軌(5)上部，待測毫米波赫體(7)和金屬平板(9)依次固定在被測目標支架(6)上面；第二步矢量網絡分析儀(1)測量毫米波赫體後向電壓反射係數首先將待測黑體用螺釘或夾具固定在被測目標支架(6)之上，然後將帶有黑體的被測目標支架(6)置於直滑軌(5)之上，並用螺釘固定；天線(3)與矢量網絡分析儀(1)的任意一個埠相連，天線(3)軸線位於毫米波赫體的中心法線方向；在測試過程中，天線(3)的 IOdB寬度的主波束的照射區域位於待測毫米波赫體(7)表面之內；沿直滑軌(5)前後移動安裝有被測毫米波赫體的待測目標支架，毫米波赫體移動的距離大於矢量網絡分析儀(1) 工作波長的一半，毫米波赫體移動距離大於矢量網絡分析儀(1)的5個工作波長；測量此時天線(3) 口面到被測毫米波赫體的距離；然後根據矢量網絡分析儀(1)顯示的反射數值用公式(1)計算過程參數a; |Γ| ±lr| . 公式α)中，『I·和|Γ|·分別代表被測毫米波赫體每移動半個工作波長距離時網絡分析儀測量得到的反射量模值的最大值和最小值；若Klraax與Irliniii之和不隨天線(3) 口面到被測毫米波赫體之間的距離變化，則公式(1)取負號；若Κ 目與之差不隨天線(3)口面到被測毫米波赫體之間的距離變化，則公式(1)取正號；將待測毫米波赫體(7)從被測目標支架(6)上取下，並將具有鏡面效果的金屬平板(9) 安裝到被測目標支架(6)上；金屬平板(9)的面積大於被測毫米波赫體的最大投影面積 』沿直滑軌(5)前後移動安裝有金屬平板(9)的待測目標支架，金屬平板(9)移動的距離大於矢量網絡分析儀(1)工作波長的一半，金屬平板(9)移動距離大於矢量網絡分析儀(1)的5個工作波長；金屬平板(9)的移動距離與測量毫米波赫體時的移動距離相同；然後根據矢量網絡分析儀(1)顯示的反射數值利用公式(2)計算過程參數b ； Iri 士 |Γ丨. 公式(2)中，分別代表金屬平板(9)每移動半個工作波長距離時網絡分析儀測量得到的反射量模值的最大值和最小值；若『|_與之和不隨天線(3) 口面到金屬平板(9)之間的距離變化，則公式(2)取負號；若『|_與|Γ|_之差不隨天線(3) 口面到金屬平板(9)之間的距離變化，則公式(2)取正號； 第三步確定毫米波赫體後向電壓反射係數利用公式(1)和(2)得到的過程參數a與力相比，如公式(3)所示，得到毫米波赫體的後向電壓反射係數；Γ =a/b(3) 至此，完成毫米波赫體後向電壓反射係數的測量及計算。
全文摘要
本發明公開了一種毫米波赫體後向電壓反射係數的測量方法，通過搭建毫米波赫體後向電壓反射係數測量系統，矢量網絡分析儀(1)測量毫米波赫體後向電壓反射係數，確定毫米波赫體後向電壓反射係數，完成毫米波赫體後向電壓反射係數的測量及計算。本方法可以不需要測量出天線的增益、近場增益修正因子和相位中心等參數，就可以完成毫米波赫體的後向電壓反射係數的測量。
文檔編號G01R29/08GK102353849SQ20111018958
公開日2012年2月15日 申請日期2011年7月7日 優先權日2011年7月7日
發明者徐德忠, 李芳 , 程春悅, 翟宏, 陳晉龍 申請人:中國航天科工集團第二研究院二〇三所