鋁對通隔離可控矽晶片的製作方法

2023-06-14 05:28:31 1

專利名稱：鋁對通隔離可控矽晶片的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種鋁對通隔離可控矽晶片。
背景技術：
現有的硼對通隔離可控矽晶片是由矽片、氧化層、硼P型隔離牆構成。由於硼P型隔離牆表面沒有合金層，需要長時間高溫處理，長期的高溫熱處理會引入旋渦缺陷，嚴重影響器件參數。
發明內容本實用新型要解決的技術問題是提供一種可大大縮短高溫高溫處理時間、減少旋渦缺陷的鋁對通隔離可控矽晶片。本實用新型涉及的鋁對通隔離可控矽晶片，包括矽片、在矽片表面設有氧化層，其特殊之處是在矽片內設有鋁P型隔離牆，在矽片表面對應鋁P型隔離牆處設有矽鋁合金層。本實用新型的優點是由於矽片表面設有矽鋁合金層，可以提高表面雜質濃度，大大縮短矽片的高溫處理過程，減少了熱處理引入的旋渦缺陷，優化器件電壓及反向漏電流等參數。

圖1是本實用新型的結構示意圖；圖2是圖1的俯視圖；圖中矽片1、鋁P型隔離牆2、氧化層3。
具體實施方式
如圖所示，本實用新型包括矽片1，在矽片1表面設有氧化層3，在矽片1內設有鋁 P型隔離牆2，在矽片1表面對應鋁P型隔離牆處設有矽鋁合金層。
權利要求1. 一種鋁對通隔離可控矽晶片，包括矽片，在矽片表面設有氧化層，其特徵是在矽片內設有鋁P型隔離牆，在矽片表面對應鋁P型隔離牆處設有矽鋁合金層。
專利摘要本實用新型公開了一種鋁對通隔離可控矽晶片，包括矽片、在矽片表面設有氧化層，其特殊之處是:在矽片內設有鋁P型隔離牆，在矽片表面對應鋁P型隔離牆處設有矽鋁合金層。優點是由於矽片表面設有矽鋁合金層，可以提高表面雜質濃度，大大縮短矽片的高溫處理過程，減少了熱處理引入的旋渦缺陷，優化器件電壓及反向漏電流等參數。
文檔編號H01L29/74GK202009003SQ20112011557
公開日2011年10月12日 申請日期2011年4月19日 優先權日2011年4月19日
發明者劉鑫, 婁達, 徐敏麗, 蘇舟, 趙秀麗, 高廣亮 申請人:錦州遼晶電子科技有限公司