一種聚焦圓環及刻蝕反應腔的製作方法

2023-06-03 08:59:56

一種聚焦圓環及刻蝕反應腔的製作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種結構簡單的聚焦圓環及刻蝕反應腔，在圓環下表面設置有至少一個凹槽，用以放置導熱膠。有益效果是，由於聚焦圓環本身設置有凹槽，導熱膠可直接放置在凹槽中，從而省去了專門的導熱膠治具，節約了成本，而且，安裝也變得非常簡單快捷。
【專利說明】一種聚焦圓環及刻蝕反應腔

【技術領域】
[0001]本實用新型屬於半導體領域，尤其涉及半導體中幹法刻蝕反應腔中的聚焦圓環及刻蝕反應腔。

【背景技術】
[0002]在半導體行業，幹法刻蝕是一種普遍運用的製造工藝。在幹法刻蝕反應腔中有一部件為聚焦圓環，材質和晶圓一樣，為單晶矽，安裝在晶圓背面的下電極基座邊緣，如圖1所示，起到增大晶圓面積，提高晶圓刻蝕均勻度的作用。如圖1，反應腔100的基本構造為，晶圓110位於上電極120和下電極130之間，電極之間為離子轟擊140，晶圓110放在下電極130上被刻蝕，而聚焦圓環150設置在下電極130的背面。在刻蝕過程中晶圓110和聚焦圓環150的溫度會升高，從而破環溫度穩定性，不利於刻蝕過程，因此下電極中可設置有循環冷卻液體用於降溫，而導熱膠的設置就是為了快速地使得聚焦圓環和下電極進行熱交換，控制溫度的穩定。然而現有技術中，導熱膠的安裝需要使用導熱膠治具，而治具需要定期更換，因此不僅結構複雜麻煩而且效率低下。


【發明內容】

[0003]本實用新型的技術目的之一在於提供一種結構簡單的聚焦圓環，其特徵在於，在圓環下表面設置有至少一個凹槽，用以放置導熱膠。
[0004]作為本實用新型的可選實施例，凹槽形狀可根據相應導熱膠的形狀而定。
[0005]作為本實用新型的可選實施例，凹槽深度為0.2mm-0.5mm，寬度為16.4mm_16.8mm。
[0006]本實用新型的另一技術目的在於提供一種刻蝕反應腔，包括腔體，上下電極和聚焦圓環，所述聚焦圓環設置在所述下電極邊緣，其特徵在於:在所述聚焦圓環下表面設置有至少一個凹槽，用以放置導熱膠。
[0007]本實用新型的有益效果是，由於聚焦圓環本身設置有凹槽，導熱膠可直接放置在凹槽中，從而省去了專門的導熱膠治具，節約了成本，而且，安裝也變得非常簡單快捷。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1為現有技術幹法刻蝕反應腔示意圖；
[0009]圖2為本實用新型的聚焦圓環示意圖；
[0010]圖3為本實用新型帶有導熱膠後的聚焦圓環示意圖。

【具體實施方式】
[0011]以下結合附圖和具體實施例對本實用新型作詳細描述。但需要指出的是，以下實施例僅是作為對本實用新型的說明性而非限制性描述，因此任何基於這些具體實施例的其他變異，變型，改進，替換，延伸均應落入本實用新型的保護範圍。
[0012]如圖2所示，本實用新型所述的聚焦圓環150的下表面1510上設置有6個凹槽1520，每個凹槽寬度為16.4mm-16.8mm，深度為0.2mm-0.5mm。當然，凹槽的個數，寬度和深度可根據具體情況而定。圖3是當導熱膠已經安裝進相應凹槽後的示意圖，導熱膠為1530。
[0013]在現有技術中，導熱膠的安裝需要有一個安裝治具(治具上設置有導熱膠凹槽)，即需要將導熱膠安放在治具上，然後再把聚焦圓環放置在治具上，按壓10分鐘左右，去掉導熱膠覆蓋膜，使其可以充分地交換聚焦圓環和下電極之間的熱量。而本實用新型由於圓環本身設置有導熱膠凹槽，從而無需藉助任何治具，也省去了上述繁瑣的過程，整個安裝過程只需要幾分鐘，大大節省了時間和人力。
【權利要求】
1.一種聚焦圓環，其特徵在於:在其下表面設置有至少一個凹槽，用以放置導熱膠。
2.如權利要求1所述的聚焦圓環，其特徵在於:所述凹槽的深度為0.2mm-0.5mm,寬度為 16.4mm~16.8mm。
3.如權利要求1所述的聚焦圓環，其特徵在於:所述至少一個凹槽的形狀與所述導熱膠一致。
4.一種刻蝕反應腔，包括腔體，上下電極和聚焦圓環，所述聚焦圓環設置在所述下電極邊緣，其特徵在於:在所述聚焦圓環下表面設置有至少一個凹槽，用以放置導熱膠。
5.如權利要求4所述的刻蝕反應腔，其特徵在於:所述凹槽的深度為0.2mm-0.5mm,寬度為 16.4mm~ 16.8mmο
6.如權利要求4所述的刻蝕反應腔，其特徵在於:所述至少一個凹槽的形狀與所述導熱膠一致。
【文檔編號】H01L21/67GK204243008SQ201420503058
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2014年9月2日 優先權日:2014年9月2日
【發明者】鄧必文, 呂煜坤, 朱駿, 張旭升 申請人:上海華力微電子有限公司