集成雷射晶片的製作方法
2023-06-06 16:02:36 1
集成雷射晶片的製作方法
【專利摘要】本實用新型涉及半導體雷射器陣列技術領域，具體涉及一種集成雷射晶片。其包括構造成框狀的殼體，殼體下端開口處設有介質基片，殼體上端開口處設有透明的輸出窗口；介質基片處布設有連接線路，介質基片上方陣列有與連接線路連接的且發光面正對輸出窗口的半導體雷射器晶片；介質基片處還引出有引腳，引腳用於通過連接線路向半導體雷射器晶片供電。本實用新型能夠將雷射器集成在一個晶片內，使得雷射器件也實現了微小型化，並具備較高可靠性，從而使得雷射晶片的標準化程度得到極大的提升。
【專利說明】
集成雷射晶片
技術領域
[0001]本發明涉及半導體雷射器陣列技術領域，具體地說，涉及一種集成雷射晶片。
【背景技術】
[0002]現有雷射顯示和照明領域所用可見光雷射光源主要有半導體慄浦固體雷射器和半導體雷射器兩種。隨著半導體雷射器功率不斷提升，半導體慄浦固體雷射器所存在的雷射散斑高、工作環境要求苛刻、成本高等缺點愈發凸顯，故雷射源的發展趨勢越來越趨向於半導體雷射器。
[0003]目前，半導體雷射器封裝方式主要有單管LD、Bar條和半導體雷射器陣列三種形式。其中，單管LD出光功率較低，因而需要靠數量來彌補單體功率不足的缺點，但是數量增加的同時也使得散熱問題凸顯;Bar條封裝方式，功率相對較高，但隨著顯示和照明要求的亮度越來越高，Bar條封裝的出光功率還是不能夠較好的滿足實際應用;半導體雷射器陣列可以在很小的體積內集成數十個發光晶片，能夠較好地形成數十瓦的雷射輸出，使用起來十分便利，因而運用較為寬泛。但是，上述三種封裝方式均為單色晶片單獨封裝的方式，因半導體雷射器在用於顯示領域時，經常會遇到需要三色雷射同時輸出的場合，從而就涉及到了對三個不同色的雷射陣列進行合光的問題，而此過程中會使用到複雜的光束整形合光光學系統，十分不便。另一方面，現有的半導體雷射器陣列大多採用矩形排布方式，雖然矩形排布方式的封裝工藝簡單、電路板排布簡潔，但是，由於所有半導體雷射器晶片的快軸均在一個方向上，故在後期整形中就不可避免的需要使用柱面透鏡，從而增加了整形光路的複雜性，使得後續處理成本難以降低。
[0004]另外，雖然隨著科技進步，半導體雷射器技術日臻完善，但是半導體雷射器在小型化、密集化應用的方向上始終難以突破瓶頸，究其原因，應當是現有半導體雷射器陣列所採用的陣列方式不能夠為集成式雷射晶片帶來較佳的工作穩定性。
[0005]除上述之外，在半導體雷射器具體應用的如投影機領域中，在使用雷射光源時均需要對其進行勻光處理，以獲得一個光強分布均勻的特定形狀光斑，從而能夠均勻的照射成像晶片。現有的勻光處理主要有複眼透鏡組技術和勻光管技術，其中，複眼透鏡組技術需要較大的準直入射光斑，故雷射光源用此勻光技術沒有優勢；而勻光管技術分為實心光管和空心光管兩類，它們各有優缺點。由於現有半導體雷射器存在上述的各種缺陷，從而導致勻光管與雷射光源匹配時需要對雷射光源進行整形、入射角度調整等操作，因此需要專配一套整形、角度調整裝置，不僅操作複雜且成本較高。
【發明內容】
[0006]為了能夠克服現有雷射器陣列後期整形複雜的問題，本發明提供了一種圓對稱半導體雷射器陣列。
[0007]根據本發明的圓對稱半導體雷射器陣列，其包括底座，底座上構造有至少一個環狀的屋脊結構，所述至少一個屋脊結構具有同一中心軸;任一屋脊結構的側面均中心對稱地設有半導體雷射晶片。
[0008]本發明的圓對稱半導體雷射器陣列中，能夠通過中心對稱地設有半導體雷射晶片的方式，使得雷射器陣列的輸出光束能夠較佳地呈現圓對稱特性，能夠省去後續整形所採用的柱面透鏡，從而使得裝配工藝大為簡化、製造成本大為降低。本發明打破了傳統矩形排布的思維定勢，能夠通過採用例如COS半導體雷射晶片進行圓對稱排列，使得雖然單個發光晶片還保持了 XY方向發散角差異，但陣列整體發光方式表現為圓對稱方式，從而使得後期整形光路大為簡潔。
[0009]另外，半導體雷射晶片能夠通過同心圓狀的多個屋脊結構設置在底座上，而每一個屋脊結構上設置的多個半導體雷射晶片均能夠為中心對稱的排布，從而較佳地使得排布後的雷射光束參數在各個方向上對稱。
[0010]作為優選，底座內部設有溫度傳感器，溫度傳感器用於採集半導體雷射晶片的工作溫度並對應產生溫度信號。
[0011 ]本發明的圓對稱半導體雷射器陣列中，能夠在底座內部設置溫度傳感器，從而能夠較佳地實時檢測半導體雷射晶片的工作溫度，從而能夠實時的對雷射器陣列的工作狀態進行調整，較好地保證了其工作穩定性。
[0012]作為優選，底座處設有電氣接口，電氣接口包括用於向半導體雷射晶片供電的供電接口，以及用於讀取溫度信號的數據接口。
[0013]本發明的圓對稱半導體雷射器陣列中，供電接口能夠有多個，而多個半導體雷射晶片能夠對應供電接口的數量劃分為多組，其中每一組的半導體雷射晶片均能夠串聯或並聯連接後與不同的供電接口進行連接，從而使得能夠通過對不同的供電接口進行供電，而使得本發明的雷射器陣列能夠以不同的狀態進行工作，進而能夠較靈活地運用於實際生產中。
[0014]作為優選，底座內能夠設有例如用於固定屋脊結構的基板，基板內側設有用於安置半導體雷射晶片的電路板。
[0015]本發明的圓對稱半導體雷射器陣列中，能夠在電路板上方設置一層基板，基板的設置使得屋脊結構能夠較佳地固定在底座上，並且能夠較佳地隔離電路板與電路上設置的半導體雷射晶片，從而能夠起到較佳地保護作用。
[0016]作為優選，半導體雷射晶片與基板共晶焊接。
[0017]本發明的圓對稱半導體雷射器陣列中，半導體雷射晶片能夠與基板共晶焊接，從而能夠較佳地對半導體雷射晶片，保證了半導體雷射晶片的工作穩定性。
[0018]作為優選，半導體雷射晶片與電路板金線連接。
[0019]本發明的圓對稱半導體雷射器陣列中，半導體雷射晶片能夠與電路板金線連接，從而使得半導體雷射晶片能夠較佳地與電路板進行電連接。
[0020]作為優選，任意相鄰半導體雷射晶片間的間距為2?5mm。
[0021]本發明的圓對稱半導體雷射器陣列中，任意相鄰半導體雷射晶片間的間距能夠為2?5mm，這種設置在能夠獲得較佳光強、較佳降低底座體積的同時，還能夠較佳地解決相鄰半導體雷射晶片間的幹涉問題以及散熱問題。
[0022]作為優選，任一屋脊結構均構造成中心對稱的多邊形。
[0023]本發明的圓對稱半導體雷射器陣列中，屋脊結構能夠構造成中心對稱的多邊形，從而使得屋脊結構每天側邊上均能夠較佳地根據需求設置一個或多個半導體雷射晶片，從而較佳的簡化了裝配工藝。
[0024]作為優選，相應半導體雷射晶片設置於對應屋脊結構的外側。
[0025]本發明的圓對稱半導體雷射器陣列中，半導體雷射晶片能夠設於屋脊結構的外側，從而使得每個屋脊結構上的半導體雷射晶片能夠較佳的隔離，保證了工作的穩定性。
[0026]本發明的圓對稱半導體雷射器陣列中，通過採用同心環狀的屋脊結構對半導體雷射晶片進行支撐，使得半導體雷射晶片便於安裝的同時，還使得能夠通過調整屋脊結構的環數而對整體功率進行較佳地調整。
[0027]為了能夠克服現有雷射器陣列後期合光、整形複雜的問題，本發明還提供了一種白光半導體雷射器陣列。
[0028]根據本發明的白光半導體雷射器陣列，其包括底座，底座上構造有至少一個環狀的屋脊結構，所述至少一個屋脊結構具有同一中心軸;任一屋脊結構的側面均中心對稱地設有半導體雷射晶片，半導體雷射晶片包括紅光半導體雷射晶片，綠光半導體雷射晶片，以及藍光半導體雷射晶片。
[0029]本發明的白光半導體雷射器陣列中，能夠通過在一個陣列中按照一定功率比例同時封裝紅綠藍三色半導體雷射晶片，使得一個半導體雷射器陣列可以同時或分時輸出RGB雷射，經過簡單的勻光系統即可較佳地獲得適用於顯示或照明的白光光源，避免了複雜整形合光系統，使得裝配工藝大為簡化。
[0030]另外，紅綠藍三色半導體雷射晶片的排列方式能夠採用上述任一種圓對稱半導體雷射器陣列的排布構造，從而能夠帶來相同的技術效果。
[0031]作為優選，底座內部設有溫度傳感器，溫度傳感器用於採集半導體雷射晶片的工作溫度並對應產生溫度信號。
[0032]本發明的白光半導體雷射器陣列中，能夠在底座內部設置溫度傳感器，從而能夠較佳地實時檢測半導體雷射晶片的工作溫度，從而能夠實時的對雷射器陣列的工作狀態進行調整，較好地保證了其工作穩定性。
[0033]作為優選，底座處設有電氣接口，電氣接口包括用於向半導體雷射晶片供電的供電接口，以及用於讀取溫度信號的數據接口。
[0034]作為優選，紅光半導體雷射晶片、綠光半導體雷射晶片以及藍光半導體雷射晶片分別採用不同的供電接口單獨供電。
[0035]本發明的白光半導體雷射器陣列中，供電接口能夠有多個，而半導體雷射晶片能夠對應於供電接口的數量而分為多組，其中，任一組中的半導體雷射晶片能夠為相同顏色的半導體雷射晶片，從而能夠通過對不同的供電接口進行供電，而較佳地獲得不同的雷射。
[0036]作為優選，底座內設有用於固定屋脊結構的基板，基板內側設有用於安置半導體雷射晶片的電路板。
[0037]作為優選，半導體雷射晶片與基板共晶焊接。
[0038]作為優選，半導體雷射晶片與電路板金線連接。
[0039]作為優選，任意相鄰半導體雷射晶片間的間距為2?5mm。
[0040]作為優選，紅光半導體雷射晶片、綠光半導體雷射晶片、以及藍光半導體雷射晶片的數量比為1:0.86:0.52。
[0041]本發明的白光半導體雷射器陣列中，紅光半導體雷射晶片、綠光半導體雷射晶片、以及藍光半導體雷射晶片的功率比較佳的為1:0.86:0.52，此種功率比使得其在具備較佳地散熱性能的同時，也使得其在共同工作時能夠獲得較佳色溫的白色雷射。
[0042]本發明的白光半導體雷射器陣列，打破了單色晶片封裝的思維定勢，能夠通過採用例如三色COS晶片混裝封裝的方式，達到一個雷射器陣列同時或者分時輸出紅綠藍三色雷射的能力，省略了後續整形合光系統，結構大大簡化。在進行晶片封裝時，能夠相間的封裝三色雷射晶片，紅綠藍晶片的數量能夠按照所需白光色溫不同而採用不同的比值。本發明的白光半導體雷射器陣列直接應用於投影光機時，無需進行整形合束，直接進入勻光光路，極大的簡化了光路結構。
[0043]另外，本發明的白光半導體雷射器陣列中，所有半導體雷射晶片還能夠採用例如現有的矩形封裝陣列、蝶形封裝陣列、TO封裝等方式進行封裝。
[0044]為了能夠克服現有雷射器陣列用於勻光管時需要複雜整形系統的問題，本發明還提供了一種自發光雷射勻光管。
[0045]根據本發明的自發光雷射勻光管，其包括通過連接支架連接為一體的勻光管本體和陣列雷射器，陣列雷射器包括底座，底座近勻光管本體側構造有至少一個環狀的屋脊結構，所述至少一個屋脊結構具有同一中心軸，任一屋脊結構的側面均中心對稱地設有半導體雷射晶片，半導體雷射晶片包括紅光半導體雷射晶片、綠光半導體雷射晶片以及藍光半導體雷射晶片。
[0046]本發明的自發光雷射勻光管中，其陣列雷射器能夠採用上述任一種白光半導體雷射器陣列，並能夠帶來相應的技術效果。同時，也是因為陣列雷射器採用上述任一種白光半導體雷射器陣列的結構，使得輸的雷射無需進行複雜的合光、整形，從而能夠直接進入勻光管中，實現勻光處理。從而能夠較佳地省去陣列雷射器與勻光管間的調節整形裝置，從而較佳的簡化了整個投影光路。
[0047]作為優選，底座內部設有溫度傳感器，溫度傳感器用於採集半導體雷射晶片的工作溫度並對應產生溫度信號。
[0048]作為優選，底座處設有電氣接口，電氣接口包括用於向半導體雷射晶片供電的供電接口。
[0049]作為優選，紅光半導體雷射晶片、綠光半導體雷射晶片以及藍光半導體雷射晶片分別採用不同的供電接口單獨供電。
[0050]本發明的自發光雷射勻光管中，每個顏色的半導體雷射晶片均能夠分為多組並單獨供電，從而能夠較佳地獲得不同色溫的白光。
[0051]作為優選，電氣接口還包括用於讀取溫度信號的數據接口。
[0052]作為優選，底座內設有用於固定屋脊結構的基板，基板內側設有用於安置半導體雷射晶片的電路板。
[0053]作為優選，半導體雷射晶片與基板共晶焊接，半導體雷射晶片與電路板金線連接。
[0054]作為優選，紅光半導體雷射晶片、綠光半導體雷射晶片以及藍光半導體雷射晶片的功率比為1:0.86:0.52。
[0055]作為優選，任意相鄰半導體雷射晶片間的間距為2?5mm。
[0056]本發明的自發光雷射勻光管中，任意相鄰半導體雷射晶片間的間距能夠為2?5mm，這種設置在能夠獲得較佳光強、較佳降低底座體積的同時，還能夠較佳地解決相鄰半導體雷射晶片間的幹涉問題以及散熱問題。
[0057]本發明的自發光雷射勻光管中，勻光管本體能夠根據具體需求而設計為空心光管或者實心光管，而根據投影晶片的尺寸比例不同，勻光管本體的出光面可以設計為4:3和16:9兩種比例，同時陣列雷射器也能夠根據光管4:3和16:9進行相適應的排布封裝，從而能夠較佳的保證勻光管的輸出光的較佳光均勻性。
[0058]為了能夠克服現有雷射器陣列體積較大且不利於光學元件標準化、小型化發展等問題，本發明還提供了一種集成雷射晶片。
[0059]根據本發明的集成雷射晶片，其包括構造成框狀的殼體，殼體下端開口處設有介質基片，殼體上端開口處設有透明的輸出窗口；介質基片處布設有連接線路，介質基片上方陣列有與連接線路連接的且發光面正對輸出窗口的半導體雷射器晶片;介質基片處還引出有引腳，引腳用於通過連接線路向半導體雷射器晶片供電。
[0060]本發明的集成雷射晶片中，能夠將多個半導體雷射器晶片集成在一個晶片內，從而較佳地實現了雷射器件的微小型化，同時具備較佳地可靠性，使得雷射晶片的標準化程度得到較佳的提升。通過本發明的集成雷射晶片，使得雷射晶片能夠如同集成電路晶片一樣，作為標準的光學元件，光學工程師可以如同電子工程師一樣，從標準零件庫中選擇所需的集成式雷射晶片，直接插在專用的PCB電路板上使用，從而極大地推進了光學元件標準化的發展。
[0061]本發明的集成雷射晶片中，介質基片能夠採用具備良好散熱能力和絕緣能力的材料製成，從而能夠較佳提升其工作穩定性。
[0062]作為優選，介質基片上方設有用於支撐半導體雷射器晶片的支撐結構。
[0063]作為優選，支撐結構包括至少一個環狀的屋脊結構，所述至少一個屋脊結構具有同一中心軸，任一屋脊結構的側面均中心對稱地設有半導體雷射晶片。
[0064]本發明的集成雷射晶片中，其支撐結構能夠採用上述任意一種同心環狀的屋脊結構，從而能夠帶來相應的技術效果，而半導體雷射晶片能夠採用中心對稱的方式進行排布，從而能夠獲得具備較佳圓對稱特性的雷射，進而能夠省去複雜的光路整形系統，降低其製造難度，獲得較小的體積。
[0065]作為優選，輸出窗口的材料為玻璃或高透光塑料材質。
[0066]本發明的集成雷射晶片中，輸出窗口的材料能夠為例如玻璃或高透光塑料材質，從而使得雷射能夠較佳地輸出。
[0067]作為優選，輸出窗口的材料為平面玻璃或表面經二元光學處理的玻璃。
[0068]本發明的集成雷射晶片中，輸出窗口的材料能夠為平面玻璃或表面經二元光學處理的玻璃，從而使得雷射能夠較佳地輸出。
[0069]作為優選，半導體雷射晶片包括紅光半導體雷射晶片、綠光半導體雷射晶片以及藍光半導體雷射晶片。
[0070]本發明的集成雷射晶片中，半導體雷射晶片能夠包括紅光半導體雷射晶片、綠光半導體雷射晶片以及藍光半導體雷射晶片，從而能夠較佳地同時或分時輸出不同的雷射，使得其應用範圍更加廣泛。
[0071]作為優選，紅光半導體雷射晶片、綠光半導體雷射晶片以及藍光半導體雷射晶片分別採用不同的引腳單獨供電。
[0072]作為優選，紅光半導體雷射晶片、綠光半導體雷射晶片以及藍光半導體雷射晶片的功率比為1:0.86:0.52。
[0073]本發明的集成雷射晶片中，紅光半導體雷射晶片、綠光半導體雷射晶片、以及藍光半導體雷射晶片的功率比較佳的為1: 0.86:0.52，此種功率比使得其在具備較佳地散熱性能的同時，也使得其在共同工作時能夠獲得較佳色溫的白色雷射。
[0074]本發明的集成雷射晶片中，介質基片處還能夠封裝入保護電路，從而能夠較佳地對半導體雷射器晶片進行保護。而封裝外殼能夠為圓殼式、扁平式或雙列直插式等多種形式。
【附圖說明】
[0075]圖1為實施例1中圓對稱半導體雷射器陣列的示意圖；
[0076]圖2為實施例3中白光半導體雷射器陣列的示意圖；
[0077]圖3為實施例4中自發光雷射勻光管的示意圖；
[0078]圖4為實施例5中集成雷射晶片的示意圖；
[0079]圖5為圖4的俯向不意圖；
[0080]圖6為圖4的豎剖示意圖。
【具體實施方式】
[0081]為進一步了解本發明的內容，結合附圖和實施例對本發明作詳細描述。應當理解的是，實施例僅僅是對本發明進行解釋而並非限定。
[0082]實施例1
[0083]如圖1所示，本實施例提供了一種圓對稱半導體雷射器陣列，其包括底座110。其中，底座110上構造有多個環狀的屋脊結構150，任意兩個屋脊結構150的中心軸均重合;任一屋脊結構150的側面均中心對稱地設有半導體雷射晶片。
[0084]本實施例中，底座110內設有用於固定屋脊結構150的基板120，基板120內側設有用於安置半導體雷射晶片的電路板。半導體雷射晶片與基板120共晶焊接，半導體雷射晶片與電路板金線連接。底座110內部與基板120接觸的設有溫度傳感器，本實施例中的溫度傳感器採用熱電偶式溫度傳感器，溫度傳感器用於採集半導體雷射晶片的工作溫度並對應產生溫度信號。
[0085]另外，底座110處還設有電氣接口140，電氣接口 140包括與電路板連接的用於向半導體雷射晶片供電的供電接口，以及用於讀取溫度信號的數據接口。本實施例中，供電接口設有多個，不同的供電接口分別對應向設於不同屋脊結構150上的所有半導體雷射晶片供電，從而實現了對設於屋脊結構150上的半導體雷射晶片進行單獨供電，進而能夠較佳地對本實施例中的雷射器陣列的發光功率進行調整。
[0086]本實施例中，最裡層的屋脊結構150構造成柱狀，由於最裡層屋脊結構150的尺寸較小，構造成柱狀反而能夠節約製造成本，且便於裝配。應當注意的是，雖然本實施例的附圖(圖1)中僅示出了3個構造成同心環的屋脊結構150，但是在實際生產中，屋脊結構150的數量應當示所需功率而定。
[0087]本實施例中，最裡層屋脊結構150構造成中心對稱的直稜柱，其餘屋脊結構150均構造成中心對稱的多邊形，並且任意相鄰屋脊結構150的間距相等。其中，半導體雷射晶片設於屋脊結構150的外側邊上，並且任意相鄰半導體雷射晶片間的間距能夠為2?5mm中個任一數值(本實施例中為2.5mm)。
[0088]實施例2
[0089]本實施例中提供了一種白光半導體雷射器陣列，其與實施例1的不同之處在於:半導體雷射晶片包括紅光半導體雷射晶片131，綠光半導體雷射晶片132，以及藍光半導體雷射晶片133，且同一屋脊結構150上設置相同顏色的半導體雷射晶片。
[0090]另外，本實施例中，紅光半導體雷射晶片131、綠光半導體雷射晶片132、以及藍光半導體雷射晶片133的功率比為1:0.86:0.52。
[0091]實施例3
[0092]如圖2所示，本實施例也提供了一種白光半導體雷射器陣列其與實施例2的不同之處在於:半導體雷射晶片呈矩形狀排布，且屋脊結構150包括陣列成矩形的多個矩形塊。
[0093]另外，本實施例中，紅光半導體雷射晶片131、綠光半導體雷射晶片132、以及藍光半導體雷射晶片133相間排布。
[0094]實施例4
[0095]如圖3所示，本實施例提供了一種自發光雷射勻光管，其包括通過連接支架連接為一體的勻光管本體和陣列雷射器。
[0096]本實施例中的陣列雷射器能夠採用實施例1中或實施例2中的雷射器陣列。本實施例中的連接支架整體構造成管狀，且包括與勻光管本體連接的第一連接部和與陣列雷射器連接的第二連接部，第一連接部構造成與勻光管本體連接處外廓對應的槽狀，第二連接部構造成與陣列雷射器連接處外廓對應的槽狀。
[0097]實施例5
[0098]如圖4、圖5、圖6所示，本實施例提供了一種集成雷射晶片，其包括構造成框狀的殼體310。其中，殼體310下端開口處設有介質基片320，殼體310上端開口處設有透明的輸出窗口 350;介質基片320處布設有連接線路，介質基片320上方陣列有與連接線路連接的且發光面正對輸出窗口350的半導體雷射器晶片340;介質基片320處還引出有引腳360，引腳360用於通過連接線路向半導體雷射器晶片340供電。
[0099]本實施例中，介質基片320上方設有用於支撐半導體雷射器晶片340的支撐結構330，支撐結構330構造成位於介質基片320中心的直四稜柱狀，直四稜柱狀的側邊均布有多個半導體雷射器晶片340。
[0100]本實施例中，殼體310上端開口處構造有臺階槽，從而使得輸出窗口350能夠較佳地嵌入殼體310上端開口處。另外，輸出窗口 350的材料為平面玻璃材質。
[0101]實施例6
[0102]本實施例中也提供了一種集成雷射晶片，其與實施例5的不同之處在於:支撐結構330採用實施例2中的多個環狀的屋脊結構150，且半導體雷射器晶片340的種類以及與多個環狀的屋脊結構150連接方式均與實施例2相同。
[0103]另外，本實施例中，輸出窗口350的材料為高透光塑料材質。
[0104]實施例7
[0105]本實施例中也提供了一種集成雷射晶片，其與實施例6的不同之處在於:輸出窗口350的材料為表面經二元光學處理的玻璃材質。
[0106]以上示意性地對本發明及其實施方式進行了描述，該描述沒有限制性，附圖中所示的也只是本發明的實施方式之一，實際的結構並不局限於此。所以，如果本領域的普通技術人員受其啟示，在不脫離本發明創造宗旨的情況下，不經創造性地設計出與該技術方案相似的結構方式及實施例，均應屬於本發明的保護範圍。
【主權項】
1.集成雷射晶片，其特徵在於:包括構造成框狀的殼體(310)，殼體(310)下端開口處設有介質基片(320)，殼體(310)上端開口處設有透明的輸出窗口(350);介質基片(320)處布設有連接線路，介質基片(320)上方陣列有與連接線路連接的且發光面正對輸出窗口(350)的半導體雷射器晶片(340);介質基片(320)處還引出有引腳(360)，引腳(360)用於通過連接線路向半導體雷射器晶片(340)供電。2.根據權利要求1所述的集成雷射晶片，其特徵在於:介質基片(320)上方設有用於支撐半導體雷射器晶片(340)的支撐結構(330)。3.根據權利要求2所述的集成雷射晶片，其特徵在於:支撐結構(330)包括至少一個環狀的屋脊結構，任一屋脊結構(150)的側面均中心對稱地設有半導體雷射晶片。4.根據權利要求1所述的集成雷射晶片，其特徵在於:輸出窗口(350)的材料為玻璃或高透光塑料材質。5.根據權利要求1所述的集成雷射晶片，其特徵在於:輸出窗口(350)的材料為平面玻璃或表面經二元光學處理的玻璃。6.根據權利要求1?5中任一所述的集成雷射晶片，其特徵在於:半導體雷射晶片包括紅光半導體雷射晶片、綠光半導體雷射晶片以及藍光半導體雷射晶片。7.根據權利要求6所述的集成雷射晶片，其特徵在於:紅光半導體雷射晶片、綠光半導體雷射晶片以及藍光半導體雷射晶片分別採用不同的引腳(360)單獨供電。8.根據權利要求7所述的集成雷射晶片，其特徵在於:紅光半導體雷射晶片、綠光半導體雷射晶片以及藍光半導體雷射晶片的功率比為1: 0.86:0.52。
【文檔編號】H01S5/022GK205724368SQ201620620341
【公開日】2016年11月23日
【申請日】2016年6月21日
【發明人】趙振宇
【申請人】北京為世聯合科技有限公司