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高輸入阻抗低失調性的jfet放大器的製造方法

2023-05-26 03:53:06 2

高輸入阻抗低失調性的jfet放大器的製造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種高輸入阻抗低失調性的JFET放大器,包括第一電阻至第八電阻、第一電容至第三電容、第一三極體、第二三極體、場效應管和電源,所述電源的正極分別與所述第五電阻的第一端、所述第三電容的第一端、所述第二電阻的第一端和所述第一電阻的第一端連接。本實用新型高輸入阻抗低失調性的JFET放大器採用場效應管作為前級放大器,輸入信號經第一電容耦合後,由場效應管進行放大後再通過第一三極體和第二三極體進行放大後輸出,本實用新型具有較高的輸入阻抗,低噪聲,同時需要的耦合電容值較小,具有低失調性,能方便快捷的進行阻抗變換,具有推廣使用的價值。
【專利說明】高輸入阻抗低失調性的JFET放大器

【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種JFET放大器,尤其涉及一種高輸入阻抗低失調性的JFET放大器。

【背景技術】
[0002]隨著社會的發展與科技的進步,無線通信、網際網路、物聯網等迅速的發展起來,人與人之間、物與物之間傳遞信息的方式也越來越多,射頻傳輸、紅外線傳輸、聲波傳輸、雷射傳輸、有線傳輸、藍牙傳輸等,在進行數據傳輸的時候,因為距離和幹擾等元素,需要對在接收或者發射信號時對其進行放大,才能保證傳輸的準確性和高保真性,傳統的三極體放大器需要使用較大的耦合電容,同時在多級放大器中不能方便的進行阻抗變換。
實用新型內容
[0003]本實用新型的目的就在於為了解決上述問題而提供一種高輸入阻抗低失調性的JFET放大器。
[0004]本實用新型通過以下技術方案來實現上述目的:
[0005]一種高輸入阻抗低失調性的JFET放大器,包括第一電阻至第八電阻、第一電容至第三電容、第一三極體、第二三極體、場效應管和電源,所述電源的正極分別與所述第五電阻的第一端、所述第三電容的第一端、所述第二電阻的第一端和所述第一電阻的第一端連接,所述第一電阻的第二端分別與所述第一電容的第一端和所述場效應管的柵極連接,所述第一電容的第二端為信號輸入端,所述第三電容的第二端與所述第四電阻的第一端連接,所述第二電阻的第二端分別與所述場效應管的漏極、所述第二電容的第一端、所述第三電阻的第一端和所述第二三極體的集電極連接,所述場效應管的源極分別與所述第四電阻的第二端、所述第一三極體的集電極和所述第二三極體的基極連接,所述第二電容的第二端接地,所述第三電阻的第二端分別與所述第一三極體的基極和所述第七電阻的第一端連接,所述第一三極體的發射極與所述第六電阻的第一端連接,所述第二三極體的發射極與所述第八電阻的第一端連接,所述第二三極體的發射極為信號輸出端,所述電源的負極分別與所述第五電阻的第二端、所述第六電阻的第二端、所述第七電阻的第二端和所述第八電阻的第二端連接。
[0006]本實用新型的有益效果在於:
[0007]本實用新型高輸入阻抗低失調性的JFET放大器採用場效應管作為前級放大器,輸入信號經第一電容耦合後,由場效應管進行放大後再通過第一三極體和第二三極體進行放大後輸出,本實用新型具有較高的輸入阻抗,低噪聲,同時需要的耦合電容值較小,具有低失調性,能方便快捷的進行阻抗變換。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是本實用新型高輸入阻抗低失調性的JFET放大器的電路圖。

【具體實施方式】
[0009]下面結合附圖對本實用新型作進一步說明:
[0010]如圖1所示,本實用新型高輸入阻抗低失調性的JFET放大器,包括第一電阻Rl至第八電阻R8、第一電容Cl至第三電容C3、第一三極體Tl、第二三極體T2、場效應管M和電源E,電源E的正極分別與第五電阻R5的第一端、第三電容C3的第一端、第二電阻R2的第一端和第一電阻Rl的第一端連接,第一電阻Rl的第二端分別與第一電容Cl的第一端和場效應管M的柵極連接,第一電容Cl的第二端為信號輸入端,第三電容C3的第二端與第四電阻R4的第一端連接,第二電阻R2的第二端分別與場效應管M的漏極、第二電容C2的第一端、第三電阻R3的第一端和第二三極體T2的集電極連接,場效應管M的源極分別與第四電阻R4的第二端、第一三極體Tl的集電極和第二三極體T2的基極連接,第二電容C2的第二端接地,第三電阻R3的第二端分別與第一三極體Tl的基極和第七電阻R7的第一端連接,第一三極體Tl的發射極與第六電阻R6的第一端連接,第二三極體T2的發射極與第八電阻R8的第一端連接,第二三極體T2的發射極為信號輸出端,電源E的負極分別與第五電阻R5的第二端、第六電阻R6的第二端、第七電阻R7的第二端和第八電阻R8的第二端連接。
[0011]JFET放大器米用場效應管M作為前級放大器,輸入信號經第一電容Cl稱合後,由場效應管M進行放大後再通過第一三極體Tl和第二三極體T2進行放大後再輸出。
【權利要求】
1.一種高輸入阻抗低失調性的JFET放大器,其特徵在於:包括第一電阻至第八電阻、第一電容至第三電容、第一三極體、第二三極體、場效應管和電源,所述電源的正極分別與所述第五電阻的第一端、所述第三電容的第一端、所述第二電阻的第一端和所述第一電阻的第一端連接,所述第一電阻的第二端分別與所述第一電容的第一端和所述場效應管的柵極連接,所述第一電容的第二端為信號輸入端,所述第三電容的第二端與所述第四電阻的第一端連接,所述第二電阻的第二端分別與所述場效應管的漏極、所述第二電容的第一端、所述第三電阻的第一端和所述第二三極體的集電極連接,所述場效應管的源極分別與所述第四電阻的第二端、所述第一三極體的集電極和所述第二三極體的基極連接,所述第二電容的第二端接地,所述第三電阻的第二端分別與所述第一三極體的基極和所述第七電阻的第一端連接,所述第一三極體的發射極與所述第六電阻的第一端連接,所述第二三極體的發射極與所述第八電阻的第一端連接,所述第二三極體的發射極為信號輸出端,所述電源的負極分別與所述第五電阻的第二端、所述第六電阻的第二端、所述第七電阻的第二端和所述第八電阻的第二端連接。
【文檔編號】H03F3/21GK204180025SQ201420568500
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年9月28日 優先權日:2014年9月28日
【發明者】周銳, 蔡金城 申請人:雲暉軟體(成都)有限公司

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