提供磁存儲單元穩定性的方法
2023-12-12 11:22:17 4
專利名稱：提供磁存儲單元穩定性的方法
技術領域：
本發明通常涉及電子存儲器。更具體的說，本發明涉及一種提供磁存儲單元穩定性的方法。
背景技術：
非易失性存儲器是這樣一種存儲器即使關閉連接至存儲器的電源，存儲器中的內容仍能夠保留。磁隨機存取存儲器(MRAM)就是一種非易失性存儲器。MRAM包含存儲一個邏輯狀態，或位，通過在MRAM內部設置MRAM單元的磁場取向來實現。即使當MRAM單元的電源關閉，此磁場取向仍然能夠保持。
圖1顯示了一個MRAM單元100。MRAM存儲單元100包含軟磁區域120，電介質區域130和硬磁區域110。在軟磁區域120中的磁化取向是不固定的，可以呈現如箭頭M1所示的兩種穩定的取向。硬磁區域110(也被稱作釘扎磁場區域)具有如箭頭M2所示的固定磁性取向。電介質區域130通常在軟磁區域120和硬磁區域110之間提供電絕緣。
MRAM存儲單元通常位於靠近字線(WL)和位線(BL)的交叉點的位置。字線和位線可以用來設置存儲單元的磁性狀態，或者用來讀出存儲單元現有的磁性狀態。圖1還包含了一個最近的字線，這一字線也可以用來設置MRAM存儲單元100的磁性狀態。通過流經最近的字線的電流I可以感應生成一個如箭頭150所示的磁場。該感應磁場可以設置MRAM存儲單元100的磁性狀態。
如前所述，軟磁區域120的磁化取向可以呈現出兩個穩定的取向。這兩個取向，與硬磁區域110的磁化取向平行或者反平行，確定了MRAM存儲單元100的邏輯狀態。
MRAM存儲單元的磁取向的設置(寫入)可以通過控制流經字線和位線的電流來實現，因此，通過電流感應生成的相應磁場來實現。因為字線和位線結合起來工作以轉換選定的存儲單元的磁化取向(即，寫入存儲單元)，所以字線和位線可以一起被稱作寫入線。另外，寫入線也可以用來讀取存儲單元中保存的邏輯值。根據流經位線和字線的電流方向，以及由此通過流經位線和字線的電流產生的感應磁場的方向，施加於位線和字線的電流就設置了軟磁層中的磁化取向。
MRAM存儲單元通過感測跨越MRAM存儲單元的電阻來讀出。該電阻通過字線和位線來感測。通常，磁存儲單元的邏輯狀態(例如，「0」或「1」)取決於數據層和參考層的相關磁化取向。例如，在一個隧道效應磁阻存儲單元中(隧道結存儲單元)，當有電偏壓施加於數據層和參考層時，電子就會通過中間層(薄電介質層通常稱為隧道阻擋層)在數據層和參考層之間遷移。引起電子通過阻擋層遷移的現象被稱為量子力學隧穿或自旋隧穿。邏輯狀態可以通過測量存儲單元的電阻來確定。例如，如果磁存儲單元的數據存儲層的總體磁化取向與參考層的釘扎磁化取向平行，磁存儲單元會處在低阻狀態；相反的，如果隧道結存儲單元的數據存儲層的總體磁化取向與參考層的釘扎磁化取向反平行，隧道結存儲單元就會處於高阻狀態。如前所述，在磁存儲單元中保存的位的邏輯狀態是通過施加改變數據層的總體磁化取向的外部磁場來寫入的。外部磁場可以被稱作轉換場，將磁存儲單元在高阻和低阻狀態間轉換。
數據層的磁穩定性十分重要。即，一旦數據層的狀態被外加磁場所設定，就希望數據層的磁性狀態保持一致，直到再次施加外部磁場。
許多因素會影響MRAM存儲單元的穩定性。例如，某些形狀的存儲單元比其它形狀的存儲單元更穩定。另外，最靠近存儲單元的傳導線也會影響存儲單元的穩定性。
儘管保持MRAM存儲單元的穩定性很重要，寫入線和位線能改變MRAM存儲單元的邏輯狀態也是重要的。即，穩定性不能過強以致於外加的寫入磁場無法成功地寫入MRAM存儲單元。
圖2示出了MRAM存儲單元陣列210。每一個MRAM存儲單元的邏輯狀態可以通過經由位線(BL)和字線(WL)外部施加磁場來磁化設定。通常，位線和字線的選擇通過行解碼器220和列解碼器230實現。存儲單元的邏輯狀態由讀出放大器240確定。
期望每一個MRAM存儲單元的穩定性要基本一致。更確切的說，期望需用來寫入每個存儲單元的磁場強度(更準確地，需用來改變每個存儲單元的磁性狀態的磁場)從一個存儲單元到另一個存儲單元之間是一致的。
期望有一種方法和設備，其能提供期望的相對於傳導線的存儲單元的位置，提供期望的存儲單元形狀，並保證存儲單元的穩定性。另外還期望這種方法和設備能提供存儲單元的位置和形狀，使得存儲單元的寫入磁場能始終一致地改變存儲單元的邏輯狀態。
發明內容
本發明包含一種方法和設備，用於提供期望的相對於傳導線的存儲單元位置，提供期望的存儲單元形狀，以保證存儲單元的穩定性。這種方法和設備能提供存儲單元位置和存儲單元形狀，使得存儲單元的寫入磁場能始終一致地改變存儲單元的邏輯狀態。
本發明的實施例包括提供存儲單元磁穩定性的方法。存儲單元通常處於靠近傳導線處，並靠近能夠設定存儲單元磁性狀態的寫入機構的位置。這種方法包括接收可從寫入機構獲取的最大磁場強度的表示。可以生成期望的與傳導線相關的存儲單元的位置，用來提供存儲單元的穩定性，同時仍然允許寫入機構可以改變存儲單元的磁性狀態。
通過結合附圖，舉例說明本發明的原理，本發明的其它方面和優點將在接下來的詳細描述中更加清晰。
圖1顯示了一種現有技術的MRAM存儲單元。
圖2顯示了一個MRAM存儲單元陣列。
圖3顯示了使特定形狀的MRAM存儲單元改變狀態所要求外部施加的磁場強度的曲線。
圖4顯示了具有不同磁穩定性等級的MRAM存儲單元的可能形狀。
圖5顯示了外加磁場強度曲線，該外加磁場強度用於使具有如圖4所示形狀的MRAM存儲單元改變狀態。
圖6顯示了位於靠近不同形狀的u型傳導線處的存儲單元。
圖7顯示了外加磁場強度曲線，該外加磁場強度用於使處於靠近如圖6中所示傳導線處的MRAM存儲單元改變狀態。
圖8顯示了位於距u型傳導線不同距離處的存儲單元。
圖9顯示了外加磁場強度曲線，該外加磁場強度用於使位於距如圖8中所示傳導線不同距離處的MRAM存儲單元改變狀態。
圖10是根據本發明實施例的提供存儲單元穩定性的方法的流程圖。
具體實施例方式
正如用於說明目的的附圖所示，本發明具體表現為一種提供存儲單元穩定性的設備和方法，該存儲單元位於靠近於能夠設定存儲單元磁性狀態的寫入線的位置。
附圖3顯示了外加磁場強度曲線，該外加磁場強度用於使具有特定形狀的MRAM存儲單元改變狀態。第一坐標軸是Hx坐標軸，第二坐標軸是Hy坐標軸。一個磁存儲單元通常可以通過X軸和Y軸來物理表示。正如接下來要討論的，通常，被描述的MRAM存儲單元的X軸與MRAM存儲單元最長截面尺寸相對應。通常地，MRAM存儲單元最長截面尺寸與該MRAM存儲單元最穩定的磁取向相對應。因此，MRAM存儲單元的X軸通常就是該MRAM存儲單元最穩定的磁取向。結果是，MRAM存儲單元的兩個穩定磁取向通常包括由該存儲單元的X軸所定義的兩個磁取向。
附圖3顯示了外加磁場強度曲線，該外加磁場強度用來「翻轉」或改變磁存儲單元的磁取向。例如，附圖3曲線中的第一象限305顯示了對於所加的Hx磁場的不同值使MRAM存儲單元改變磁性狀態所需要的Hy磁場。第一個轉換點310表明，對於Hy磁場強度的第一級Hyl，改變存儲單元的磁性狀態所要求的Hx磁場強度的第一級Hx1；第二個轉換點320表明，對於Hy磁場強度的第二級Hy2，改變存儲單元的磁性狀態所要求的Hx磁場強度的第二級Hx2。第二個轉換點320所需要的磁場強度Hx2大於第一個轉換點310所需要的磁場強度Hx1。
通常，MRAM存儲單元越穩定，使MRAM存儲單元狀態發生改變所需要的磁場強度就越大。當施加Hy磁場強度Hy2時，附圖3所對應的MRAM存儲單元更為穩定，因為需要更大的Hx磁場強度來改變MRAM存儲單元的狀態。
附圖3所示的磁場強度轉換曲線的形狀通常對應於橢圓形的MRAM存儲單元形狀。其它存儲單元形狀及其磁穩定性也將被進行描述。
附圖4顯示了具有不同磁穩定性等級的存儲單元的可能形狀。取向指示符405描述了各種MRAM存儲單元形狀的相關X軸和Y軸取向。通常，X軸與存儲單元最長截面尺寸相對應。每一個存儲單元的X軸通常對應著該存儲單元最穩定的磁取向。
第一種存儲單元形狀410包括了很大數量的、存在於該存儲單元410的每個末端的存儲單元。該存儲單元X軸的尺寸基本上大於該存儲單元Y軸的尺寸。在附圖4所示的所有存儲單元形狀中，存儲單元形狀410通常是最穩定的。
第二種存儲單元形狀420包含了一個橢圓形。與第一種存儲單元形狀410相同，該存儲單元X軸的尺寸基本上大於該存儲單元Y軸的尺寸。第二種存儲單元形狀420在每個末端包括的存儲材料比第一種存儲單元形狀410的少。第二種存儲單元形狀420通常被認為是非常穩定的，但是比第一種存儲單元形狀410的穩定性差。
第三種存儲單元形狀430包括了一個矩形形狀。與第一種存儲單元形狀410相同，該存儲單元X軸的尺寸基本上大於該存儲單元Y軸的尺寸。第三種存儲單元形狀430在每個末端包括的存儲材料比第一種存儲單元形狀410的少。第三種存儲單元形狀430通常被認為是非常穩定的，但是比第一種存儲單元形狀410或是比第二種存儲單元形狀420的穩定性差。
第四種存儲單元形狀440包括了一個圓形。與其它存儲單元形狀410、420、430不同，該存儲單元形狀的Y軸的尺寸與X軸尺寸基本相同。第四種存儲單元形狀的磁取向是非常不穩定的。這種存儲單元形狀是不期望的，因為存儲單元會非常容易地改變磁方向。
正如前面提到的，可重複地製造這種存儲單元的能力是非常重要的。正如所述，存儲單元的形狀會影響存儲單元的磁場穩定性。在存儲單元陣列內，期望每一個存儲單元的磁轉換特性都近似相同。這是因為，存儲單元被配置成要應儘可能的穩定，同時還要允許可獲得的最大磁場強度能夠翻轉存儲單元的磁性狀態。最大可獲得的磁場強度應該能夠轉換每一個存儲單元的狀態，同時每一個存儲單元還要配置成儘可能的穩定。第二種存儲單元形狀420通常比第一種存儲單元形狀410或第三種存儲單元形狀430更容易進行可重複地製造。因此，在某些情況下，考慮到操作的一致性，第二種存儲單元形狀420可能會是優選的。
附圖5顯示了外加磁場強度曲線，該所需的外加磁場強度使具有不同存儲單元形狀的MRAM存儲單元改變形狀。
第一條曲線510表示的是一個橢圓形的存儲單元的磁轉換曲線，該存儲單元的Y軸尺寸為.18um，X軸尺寸為.36um。第二條曲線520表示的是一個橢圓形的存儲單元的磁轉換曲線，該存儲單元的Y軸尺寸為.18um，X軸尺寸為.27um。第三條曲線530表示的是一個矩形存儲單元的磁轉換曲線，該存儲單元的Y軸尺寸為.18um，X軸尺寸為.36um。第四條曲線540表示的是一個矩形存儲單元的磁轉換曲線，該存儲單元的Y軸尺寸為.18um，X軸尺寸為.27um。
使磁存儲單元狀態轉換所需要的磁場強度可以通過電腦輔助仿真和Landau-Lifschitz方程來確定。更準確的說，就是解方程dM(r)dt=-M(r)XHeff-|M|MX(M(r)XHeff(r))]]>其中，M是磁化矢量，Heff是包含了各向異性項和噪聲項的有效磁場，t是時間，r代表三維空間坐標，λ是阻尼參數，γ是旋磁常數。
磁存儲單元對於不同寫入電流和工作條件的響應通過計算機仿真模擬得到，其中解Landau-Lifschitz方程用到了離散三維幾何和迭代算法。檢測層、參考層、包層和導體的精確幾何形狀以及材料特性(例如，晶體的各向異性，飽和磁化和交換常數)和熱噪聲都包括在內。
附圖5的仿真模擬條件包括由NiFe形成的檢測層，由銅形成的導體，和由NiFe形成的包層。存儲單元和導體之間的間距被假定為0.1um。參考層被假定為IrMn釘扎NiFe層。
這些曲線清楚地顯示了增大存儲單元形狀的X軸尺寸會增加該存儲單元的磁穩定性。另外，這些曲線顯示，對於Hx的較低級，具有X軸尺寸為.36um的橢圓形存儲單元通常是最穩定的形狀。
電腦仿真可以通過確定提供最大穩定性的存儲單元形狀，同時還能確保當施加最大可獲得的寫入磁場強度給存儲單元時能夠改變存儲單元的狀態，來提供最佳的存儲單元形狀。
附圖6顯示了位於靠近不同形狀的傳導線614，624，634處的存儲單元612，622，632。附圖6中的傳導線614，624，634分別包含了一個與存儲單元612，622，632相互作用的u型的包層610，620，630。不同形狀的傳導線614，624，634利用單元612，622，632的u型開口，為存儲單元612，622，632提供了不同程度的重疊。
這一u型命名使用地不是十分嚴謹。更確切的說，除了側端面，或是最靠近存儲單元612，622，632的側端面以外，傳導線在所有側面都包括包層。傳導線614，624，634實際上是矩形形狀的。
不同程度的重疊在存儲單元612，622，632和u型的包層610，620，630之間提供了不同級別的耦接。該重疊定義了相對於傳導線寬度W2，存儲單元的寬度W1的大小。重疊量可以用來對存儲單元612，622，632的穩定性提供附加的控制。
包層610，620，630典型是鐵磁材料，可以是NiFe。作為對通過傳導線614，624，634導電的外加寫入電流的響應，傳導線614，624，634可以生成寫入磁場。寫入磁場基本上限制在鐵磁包層中。本質上，鐵磁包層在傳導線614，624，634周圍提供一個封閉的磁路(閉合的磁通量)。通過在導體中流過預定幅度和方向的寫入電流，可以產生由此引起的寫入磁場，該磁場足夠強以致可以在存儲單元的軟鐵磁檢測層中沿已知方向建立磁化取向。鐵磁包層基本上削弱了能夠幹擾或破壞存儲在鄰近存儲單元的鐵磁數據層中的數據的散射場。鐵磁包層通常包括特定的厚度，該厚度被設計成確保寫入磁場基本上限制在包層中。
包層提供兩個功能。首先，包層提供了由流過傳導線的寫入電流所引起的寫入磁場的集中。因此，需要用來改變存儲單元的磁取向的電流幅度小於沒有包層的情況下的電流幅度。第二，包層提供了存儲單元的附加穩定性。更確切的說，包層的存在減小了那些靠近包層的存儲單元不期望地改變狀態的可能性。
對於附圖6傳導線的實施例，包層610，620，630的形狀的特徵在於包層開口的尺寸(在附圖6中標註為W2)與存儲單元X軸(在附圖6中標註為W1)的比率(W2/W1)。第一個實施例605包括了W2基本上與W1相等。第二個實施例615包括了W2小於W1。第三個實施例625包括了W2大於W1。
附圖7顯示了外加磁場強度曲線，需要該外加磁場強度用於使處於靠近於傳導線處的MRAM存儲單元，以及包括與傳導線不同程度的重疊。該曲線顯示了對於不同的W2/W1比率，引起存儲單元轉換狀態所需要的磁場的變化。
第一條曲線710描述了通過傳導線引起的磁場，第二條曲線720描述了引起存儲單元改變磁性狀態所需要的磁場。最佳的W2/W1比率在約.75-1.0之間。在該比率上，710和720兩條曲線大致相等。然而，更重要的是，產生710的磁場比引起存儲單元改變磁性狀態所需要的磁場720大。如果傳導線和存儲單元的物理特性發生變化，該最佳比率也會改變。
再者，如附圖7中所示的，引起磁存儲單元轉換狀態所需要的磁場強度可以通過計算機輔助模擬仿真和上述的Landau-Lifschitz方程確定。
應該理解，存儲單元的重疊和存儲單元的形狀兩者是非常相互依賴的。例如，在存儲單元與包層之間具有大量重疊的正方形存儲單元是非常穩定的。重疊的增加有效地提供了與矩形存儲單元縱橫比的增加相同的結果。本質上，存儲單元重疊的表面積越大，存儲單元的穩定性越高。
附圖8顯示了位於距u型傳導線不同距離處的存儲單元。第一個存儲單元810位於與包含包層814的第一個寫入線812的距離為第一距離D1處。第二個存儲單元820位於與包含包層824的第二個寫入線822的距離為第二距離D2處。
通常，MRAM存儲單元距離有包層的寫入線越近，存儲單元與寫入線之間的耦接越好。因此，控制存儲單元與有包層的寫入線之間的距離也可以被用來控制存儲單元的穩定性。在附圖8中，D1大於D2。因此，第一個存儲單元810通常比第二個存儲單元820的穩定性差。
附圖9顯示了外加磁場強度曲線，需要該外加磁場強度用於使位於距離如附圖8中所示的傳導線不同距離處的MRAM存儲單元改變狀態。
再者，圖8中引起磁存儲單元轉換狀態所需要的磁場強度可以通過計算機輔助模擬仿真和上述的Landau-Lifschitz方程確定。
當存儲單元與有包層的寫入線之間的距離減小時，寫入線的鐵磁包層與存儲單元的數據薄膜之間的耦接效應提高。當該距離為0時(即，存儲單元和寫入線彼此物理接觸)，存儲單元與寫入線之間的耦接效應最大。該耦接效應是由於存儲單元與寫入線之間的交換相互作用以及存儲單元與寫入線之間的靜磁相互作用引起的。交換相互作用是由存儲單元與容納有鄰近自旋的寫入線之間的短程自旋相互作用所引起的。靜磁相互作用或退磁相互作用是一種存在於磁體之間的相互作用。
存儲單元與傳導寫入線之間的耦接效應有效地提高了存儲單元的縱橫比(長/寬)。更確切的說，由於耦接效應，存儲單元趨向於更加穩定。如果耦接效應太強，存儲單元會變得過於穩定，使得由於對可獲得的用來改變存儲單元狀態的磁場強度方面的限制，而無法轉換存儲單元的磁性狀態。
如果存儲單元與傳導寫入線之間的距離大於0，那麼存儲單元與寫入線的包層之間的交換相互作用就被消除了，剩下的都是靜磁相互作用。
當存儲單元與傳導寫入線包層之間的距離增大時，存儲單元與包層之間的耦接效應下降。因此，存儲單元的穩定性變差。
第一條曲線910描述了由傳導線引起的磁場，第二條曲線920描述了引起存儲單元改變磁性狀態所需要的磁場。對該實施例，最佳的距離為50nm-200nm的間距。在該間距範圍內，由傳導線所引起的寫入磁場與改變存儲單元狀態所需要的寫入磁場近似相等。
存儲單元的形狀、重疊量以及存儲單元與寫入機構之間的距離都可以在實踐中被用來在存儲單元的穩定性與生成寫入磁場的能力之間進行折衷。
附圖10是根據本發明本實施例的一種提供存儲單元穩定性的方法的流程圖。該實施例包括一種提供存儲單元的磁穩定性的方法。存儲單元可以位於靠近於寫入線處，而該寫入線可以設置該存儲單元的磁性狀態。
第一步1010包括接收一個從寫入機構可獲得的最大磁場強度表示。可獲得的最大磁場強度會由於對可以通過位線和字線的電流量的限制而受到限制。由字線和位線產生的熱量會限制流經字線和位線的電流。另外，電流還會受到電遷移的限制。該表示可表現為多種不同形式。例如，寫入機構可以是傳導線。傳導線的製造可以要求傳導線具有優選尺寸。傳導線的尺寸會限制通過傳導線的電流量，從而限制可獲得的最大磁場強度。由傳導線消耗的功率量也會限制流經傳導線的電流。
第二步1020包括生成一個期望的存儲單元相對於傳導線的位置，用以提供存儲單元的穩定性，同時仍然允許寫入機構能夠改變存儲單元的磁性狀態。
生成一個期望的存儲單元相對於傳導線的位置可包括，確定存儲單元與傳導線之間的期望距離。另外，生成一個期望的存儲單元相對於傳導線的位置還包括，確定存儲單元與寫入線之間的期望重疊。
提供存儲單元磁穩定性的方法可進一步包括確定期望的存儲單元形狀。期望的形狀會受到該形狀所提供的穩定性以及該形狀製作可重複性的影響。
寫入機構通常包括一對寫入線。除了一個側面之外，在寫入線的其它各個側面都有包層。通常，沒有包層的一側取向存儲單元的方向。期望的磁包層材料包括NiFe。通常，磁包層包括軟鐵磁材料。
具有包層的傳導線可以在襯底上形成。電介質可以形成在襯底中形成的槽內。電介質可以通過化學機械工藝來平面化。可以在澱積將要形成為包層一部分的高磁導率的軟磁材料之前，在電介質中形成槽。包層的一部分可以用各向同性工藝沉積而成，這可以使得槽的側壁被塗覆至與槽的底部近似相等的厚度。用於製作包層的材料是一種軟磁材料。更確切的說，它具有足夠的透過性以便能起到磁心的作用並且在其整個橫斷面是連續的，沒有任何中斷和太多的空隙。另一個槽是由各向同性澱積包層而形成的。使用電鍍或其它合適的澱積工藝來用例如銅的導電材料填充該槽以形成傳導線。可以使用化學機械拋光工藝來平面化該整個結構。
儘管本發明的具體實施例已經被描述並加以舉例說明，但是本發明並不局限於所描述和舉例說明的具體形式或部件布置。本發明只由所附的權利要求書限制。
權利要求
1.一種提供存儲單元[612]磁穩定性的方法，存儲單元[612]位於靠近傳導線[614]處同時靠近於可以設置存儲單元[612]的磁性狀態的寫入機構，該方法包括接收可從寫入機構獲得的最大磁場強度的表示；生成存儲單元[612]相對於傳導線[614]的期望位置，用以提供存儲單元[612]的穩定性，同時仍然允許寫入機構能夠改變存儲單元[612]的磁性狀態。
2.如權利要求1所述提供存儲單元磁穩定性的方法，其中寫入機構為寫入線。
3.如權利要求2所述提供存儲單元磁穩定性的方法，其中寫入線是被包覆的[610]。
4.如權利要求3所述提供存儲單元磁穩定性的方法，其中被包覆的寫入線是u形的。
5.如權利要求3所述提供存儲單元磁穩定性的方法，其中寫入線除了一個未被包覆的側面之外，在其它的各個側面都被包覆，而未被包覆的一側取向在存儲單元[612]的方向。
6.如權利要求1所述提供存儲單元磁穩定性的方法，其中第一傳導線為寫入線。
7.如權利要求1所述提供存儲單元磁穩定性的方法，其中傳導線不是寫入線。
8.如權利要求2所述提供存儲單元磁穩定性的方法，其中生成存儲單元相對於傳導線的期望位置包括確定存儲單元[612]與寫入線之間的期望的距離。
9.如權利要求2所述提供存儲單元磁穩定性的方法，其中生成存儲單元[612]相對於寫入線的期望位置包括確定在存儲單元[612]與寫入線[614]之間的期望的重疊。
10.如權利要求1所述提供存儲單元磁穩定性的方法，進一步包括確定存儲單元[612]的期望的形狀。
全文摘要
本發明包括一種提供存儲單元[612]磁穩定性的方法。存儲單元[612]通常位於靠近傳導線[614]處，同時靠近於可以設置存儲單元[612]磁性狀態的寫入機構。該方法包括接收一個從寫入機構可獲得的最大磁場強度的表示。可以生成存儲單元[612]相對於傳導線的期望位置，用於提供存儲單元[612]的穩定性，同時仍然允許寫入機構能夠改變存儲單元[612]的磁性狀態。
文檔編號H01L21/8246GK1571066SQ20041000352
公開日2005年1月26日 申請日期2004年1月29日 優先權日2003年4月29日
發明者M·沙馬, M·K·巴塔查亞 申請人:惠普開發有限公司