毫米波大動態數控衰減器的製造方法
2023-07-25 20:08:56 2
毫米波大動態數控衰減器的製造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種毫米波大動態數控衰減器，包括依次連接在一起的第一放大器、衰減模塊、第二放大器和調製器；所述衰減模塊包括依次連接在一起的第一毫米波衰減晶片、第二毫米波衰減晶片、第三毫米波衰減晶片和第四毫米波衰減晶片。該數控衰減器的工作頻率可達到35.5GHz，衰減步進為1dB，對衰減精度的要求得到大幅度地提高，衰減範圍可達到100dB；生產出的產品一致性高，即同一批相同狀態相同頻點幅度一致性≤1.5dB。
【專利說明】毫米波大動態數控衰減器
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及光電子【技術領域】，具體涉及一種毫米波大動態數控衰減器。
【背景技術】
[0002]隨著光電子器件的快速發展，毫米波器件在電子【技術領域】的應用比重越來越大，而毫米波數控衰減器無論作為單獨工作的器件還是集成在複雜的小型系統中均起著十分重要的紐帶作用；由於毫米波器件的工作頻率高，線損大，使得毫米波數控衰減器的控制很難達到一個較好的精度。
實用新型內容
[0003]針對現有技術中的上述不足，本實用新型提供了一種拓寬結構簡單、超低寬帶工作帶寬、動態範圍大、插入相移小、衰減精度高、插入損耗低的毫米波大動態數控衰減器。
[0004]為了達到上述發明目的，本實用新型採用的技術方案為:提供一種毫米波大動態數控衰減器，其包括依次連接在一起的第一放大器、衰減模塊、第二放大器和調製器；所述衰減模塊包括依次連接在一起的第一毫米波衰減晶片、第二毫米波衰減晶片、第三毫米波衰減晶片和第四毫米波衰減晶片。
[0005]進一步地，所述第一毫米波衰減晶片、第二毫米波衰減晶片、第三毫米波衰減晶片和第四毫米波衰減晶片的工作頻率為0.1 GHz-40GHz O
[0006]進一步地，該數控衰減器的工作頻率為35GHZ-35.5GHz。
[0007]本實用新型的有益效果為:該數控衰減器的工作頻率可達到35.5GHz，衰減步進為ldB，對衰減精度的要求得到大幅度地提高，衰減範圍可達到IOOdB ;生產出的產品一致性高，即同一批相同狀態相同頻點幅度一致性< 1.5dB ;對於大動態的衰減範圍控制，將四個毫米波衰減晶片的各個衰減位疊加並利用存儲器編碼以實現大衰減位的控制；該數控衰減器還具有拓寬結構簡單、超低寬帶工作帶寬、插入損耗低等優點。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0008]圖1為毫米波大動態數控衰減器的原理框圖。
【具體實施方式】
[0009]如圖1所示，該毫米波大動態數控衰減器包括依次連接在一起的第一放大器、衰減模塊、第二放大器和調製器；所述衰減模塊包括依次連接在一起的第一毫米波衰減晶片、第二毫米波衰減晶片、第三毫米波衰減晶片和第四毫米波衰減晶片。
[0010]所述第一毫米波衰減晶片、第二毫米波衰減晶片、第三毫米波衰減晶片和第四毫米波衰減晶片的工作頻率為0.1GHZ-40GHZ ;該數控衰減器的工作頻率為35GHz_35.5GHz。
[0011]衰減模塊的具體要求為衰減步進ldB，總衰減量為IOOdB,整個衰減模塊由ldB，2dB，4dB，8dB，16dB, 32dB, 64dB 七個衰減位構成，其中 ldB，2dB，4dB，8dB，16dB 這五個衰減位由第一毫米波衰減晶片來實現，因該晶片本身就具有這5個衰減位；32dB則由第二毫米波衰減晶片的各個衰減位疊加起來才能實現，64dB則由第三毫米波衰減晶片和第三毫米波衰減晶片一起疊加來實現，當數控衰減器IOOdB的衰減量時,則需要將第一毫米波衰減晶片、第二毫米波衰減晶片、第三毫米波衰減晶片和第四毫米波衰減晶片上的衰減位進行疊加來實現。
[0012]雖然結合附圖對本實用新型的【具體實施方式】進行了詳細地描述，但不應理解為對本專利的保護範圍的限定。在權利要求書所描述的範圍內，本領域技術人員不經創造性勞動即可做出的各種修改和變形仍屬本專利的保護範圍。
【權利要求】
1.一種毫米波大動態數控衰減器，其特徵在於:包括依次連接在一起的第一放大器、衰減模塊、第二放大器和調製器；所述衰減模塊包括依次連接在一起的第一毫米波衰減晶片、第二毫米波衰減晶片、第三毫米波衰減晶片和第四毫米波衰減晶片。
2.根據權利要求1所述的毫米波大動態數控衰減器，其特徵在於:所述第一毫米波衰減晶片、第二毫米波衰減晶片、第三毫米波衰減晶片和第四毫米波衰減晶片的工作頻率為0.1GHz-40GHz O
3.根據權利要求1或2所述的毫米波大動態數控衰減器，其特徵在於:該數控衰減器的工作頻率為35GHz-35.5GHz。
【文檔編號】H03H17/00GK203457121SQ201320579098
【公開日】2014年2月26日 申請日期:2013年9月18日 優先權日:2013年9月18日
【發明者】周開斌, 毛豔 申請人:成都創新達微波電子有限公司