雙向可控矽的製作方法

2023-07-25 01:56:36 1

專利名稱：雙向可控矽的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種雙向可控矽。
背景技術：
雙向可控矽是一種常用的控制元件，以它的導通時刻來控制電器設備的運轉，通常情況下只有通過被控電器的工作狀態才能反映出雙向可控矽的導通情況，需要另外設置電路元件來反映雙向可控矽的導通情況，而雙向可控矽本身並沒有導通指示功能。

發明內容
為了克服現有技術中雙向可控矽不具備導通指示功能的問題，本實用新型提供一種雙向可控矽，該雙向可控矽的結構簡單、能在雙向可控矽導通時產生信號電流。
本實用新型解決其技術問題所採用的技術方案是包括上層的電極MT1、觸發極GATE和下層電極MT2，在電極MT1的P區旁刻有一深入到N區的窗口，在窗口中另外設置P區，P區和N區形成一個PN結。
上述的PN結和MT1的P區形成一隻PNP三極體，同時和MT2的P區也組成一隻PNP三極體。
本實用新型通過上述設計，使雙向可控矽上的PN結在導通時能對-48v電源提供5-20mA的電流作為信號，具有結構簡單、可靠性強、生產工藝簡單、相對成本較低的優點。
以下結合附圖及實施例進一步闡明本實用新型的具體內容。


圖1是本實用新型的結構示意圖；圖2是本實用新型在I(+)導通狀態下的指示信號原理圖；
圖3是本實用新型在III(-)導通狀態下的指示信號原理圖。
具體實施方式
如圖所示，本實用新型包括上層的電極MT1、觸發極GATE和下層電極MT2，在電極MT1的P區1旁刻有一深入到N區2的窗口4，在窗口4中另外設置P區5，P區5和N區2形成一個PN結，上述的PN結和MT1的P區1形成一隻PNP三極體，同時和MT2的P區3也組成一隻PNP三極體。在雙向可控矽I(+)導通狀態下，Ig電流觸發雙向可控矽，可控矽進入I(+)導通形成It，由於It的存在，在新增加的PNP三極體的基區中有了載流子，從而形成Ij電流。當雙向可控矽III(-)導通時，Ig電流觸發雙向可控矽，可控矽進入III(-)導通形成It，同樣由於It的存在，在另一新增加的PNP三極體的基區中有了載流子，從而形成Ij電流。
權利要求1.一種雙向可控矽，包括上層的電極MT1、觸發極GATE下層電極MT2，其特徵是在電極MT1的P區旁刻有一深入到N區的窗口(4)，在窗口(4)中另外設置P區(5)，P區(5)和N區(2)形成一個PN結。
專利摘要本實用新型涉及一種雙向可控矽，包括上層的電極MT1、觸發極GATE和下層電極MT2，在電極MT1的P區旁刻有一深入到N區的窗口，在窗口中另外設置P區，P區和N區形成一個PN結。本實用新型克服了現有技術中雙向可控矽不具備導通指示功能的缺陷，通過上述設計，使雙向可控矽上的PN結在導通時能對－48V電源提供5－20mA的電流作為信號，具有結構簡單、可靠性強、生產工藝簡單、相對成本較低的優點。
文檔編號H01L29/66GK2671130SQ0325920
公開日2005年1月12日 申請日期2003年6月26日 優先權日2003年6月26日
發明者李永慎, 馮子源 申請人:浙江中雁電信設備有限公司