一種應用於液相外延晶片的固定裝置的製作方法
2023-07-30 00:35:31 1
專利名稱：一種應用於液相外延晶片的固定裝置的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種固定裝置，尤其涉及一種應用於液相外延晶片的固定 裝置。
背景技術：
液相外延技術是將晶片浸漬於飽和溶液中，通過降溫來降低溶液的溶解度，
使釋出的雜質在晶片襯底表面上生長外延層的一種技術，如GaAs外延層可從 以Ga為溶劑，GaAs為溶質的飽和溶液中生長出來。液相外延技術具有生長設 備簡單，外延缺陷少，摻雜選擇範圍廣，生長過程及廢棄物無毒、安全等優點， 在發光二極體、雷射二極體、太陽能電池、微波器件等材料領域佔有重要位置。 目前此一技術己廣泛應用於GaAs、 GaAlAs、 GaP、 InP、 GaAsP等半導體材料 的生長。應用於液相外延生長晶片固定裝置常面臨以下幾個方面的難題1、 晶片固定裝置如何適應生產中因損耗、切割、打磨等因素而產生的晶片大小變 化；2、如何更好地排出液相外延在完成生長後釋出的溶質，以防止此釋出的 溶質粘附於晶片表面，影響產品外觀；3、裝置如何在高溫下保證溶液的對流 運動以便實現生長過程中中溫場及摻雜的均勻分布。
發明內容
本實用新型的目的在於提供了一種應用於液相外延晶片的固定裝置，該裝 置應用於大規模液相外延工藝生產的晶片夾具，提高晶片夾具的適用性，改善 產品外觀，解決液相外延過程中的摻雜、溫場不均問題。
本實用新型是這樣來實現的，它包括晶片夾板、定位孔、螺栓、螺母，其 特徵是帶有規則排布齒印的晶片夾板上有若干個對稱分布的定位孔，螺栓穿過定位孔配合螺母固定連接兩塊晶片夾板形成一個上下兩層有晶片夾板的框架。所揭示的液相外延晶片固定裝置中的內部空間可通過調整晶片夾板在固定螺栓上的位置結構而進行調整，以便適應不同大小的晶片。另外，本實用新型的六個外表面均為敞開式的，有利於外延生長完成後釋出溶質的洩出，減少溶液在晶片表面的殘留，對提高晶片表面外觀具有明顯改善。其次，裝置的結構可減少高溫下對溶液對流運動的抑制作用，有利於溶液內部溫場的平衡及摻雜的均勻分布。本裝置結構簡單，造價低廉，安裝方便，使用可靠，可應用於大規
模液相外延生產。
本實用新型所述的晶片夾板，其特徵在於晶片夾板在固定螺栓上的位置根據晶片大小進行上下微調。
本實用新型的技術效果是1、適用性強，可通過調整晶片夾板的位置以適應不同大小的晶片；2、加強溶質的洩出以防止粘附於晶片表面，使產品更加美觀；3、利於高溫下溶液的對流運動，保證了生長過程中溫場及摻雜的均勻性。
圖1為本實用新型的結構示意圖。在圖中，1、晶片夾板2、定位孔3、螺栓4、螺母
具體實施方式
如圖1所示，本實用新型是這樣來實現的，它包括晶片夾板l、定位孔2、螺栓3、螺母4，其特徵是帶有規則排布齒印的晶片夾板1上有若干個對稱分布的定位孔2,螺栓3穿過定位孔配合螺母4固定連接兩塊晶片夾板1形成一個上下兩層有晶片夾板1的框架。所揭示的液相外延晶片固定裝置中的內部空間可通過調整晶片夾板在固定螺栓上的位置結構而進行調整，以便適應不同大小的晶片。另外，本實用新型的六個外表面均為敞開式的，有利於外延生長完成後釋出溶質的洩出，減少溶液在晶片表面的殘留，對提高晶片表面外觀具有明顯改善。其次，方舟的結構可減少高溫下對溶液對流運動的抑制作用，有利於溶液內部溫場的平衡及摻雜的均勻分布。本實用新型結構簡單，造價低廉，安裝方便，使用可靠，可應用於大規模液相外延生產。
晶片直徑為52mm，首先將固定螺栓、螺母通過晶片夾板中定位孔將晶片夾板進行固定在螺栓下端，然後將晶片按序放置在晶片夾板的卡位內部，每一卡位放置背向相對晶片兩片，然後將另一晶片夾板通過螺栓、螺母固定在螺栓的中間部分，通過調整晶片夾板的位置使晶片完全卡在兩層晶片夾板的卡位內。將固定螺栓的上端通過定位孔用固定螺絲固定在可上下運動的石墨板上。
權利要求1、一種應用於液相外延晶片的固定裝置，它包括晶片夾板、定位孔、螺栓、螺母，其特徵是帶有規則排布齒印的晶片夾板上有若干個對稱分布的定位孔，螺栓穿過定位孔配合螺母固定連接兩塊晶片夾板形成一個上下兩層有晶片夾板的框架。
2、 根據權利要求l所述的一種應用於液相外延的晶片固定裝置，其特徵 在於晶片夾板在固定螺栓上的位置根據晶片大小進行上下微調。
專利摘要一種應用於液相外延晶片的固定裝置，其特徵是帶有規則排布齒印的晶片夾板上有若干個對稱分布的定位孔，螺栓穿過定位孔配合螺母固定連接兩塊晶片夾板，形成一個上下兩層有晶片夾板的框架，其中單晶片放置晶片夾板內部的卡位中。本實用新型的技術效果是1.適用性強，可通過調整晶片夾板的位置以適應不同大小的晶片。2.加強溶質的洩出以防止粘附於晶片表面，使產品更加美觀；3.利於高溫下溶液的對流運動，保證了生長過程中溫場及摻雜的均勻性。
文檔編號C30B19/00GK201317829SQ200820199688
公開日2009年9月30日 申請日期2008年12月26日 優先權日2008年12月26日
發明者萬金平, 何民華, 葉建青, 力 周 申請人:南昌欣磊光電科技有限公司