一種基於mos管的集成電路開關結構及方法
2023-07-27 08:58:16
一種基於mos管的集成電路開關結構及方法
【專利摘要】本發明公開了一種基於MOS管的集成電路開關結構及方法，屬於電路控制領域，包括供電電源1、場效應管2、外部控制信號發生器3、內部信號發生器4和後續電路5。供電電源1、場效應管2、後續電路5依次相連。外部控制信號發生器3和內部信號發生器4分別與場效應管2相連。場效應管2根據外部控制信號發生器3和內部控制信號發生器4發出的控制信號實現供電電源1與後續電路5的通斷。本發明的技術方案通過採用MOS管作為集成電路控制的開關，有效降低了控制信號故障對集成電路產生的影響，並有效降低了電磁幹擾，實現可控延時斷電，並不存在觸點氧化和定期維護問題，更好的實現了電路保護。
【專利說明】—種基於MOS管的集成電路開關結構及方法
【技術領域】
[0001]本發明屬於機械設備控制領域，涉及一種集成電路開關，尤其涉及一種基於MOS管的集成電路開關結構及方法。
【背景技術】
[0002]工業電路設計需要考慮產品的安全性，應儘量提高電路的可靠性來降低故障率，以避免事故發生。
[0003]目前集成電路的供電一般採用機械式電磁繼電器實現，通過控制電磁繼電器的吸合和斷開來控制電路供電的通斷。其原理框圖如附圖1所示。
[0004]這樣做的問題是:
[0005]1、無法避免外部信號故障產生問題。
[0006]2、使用機械式電磁繼電器會產生電磁幹擾，觸點氧化容易造成接觸不良，觸點使用壽命較短需要定期更換，控制信號消耗功率較高。
[0007]3、機械式電磁繼電器本身延時斷電的時間相對固定。
【發明內容】
[0008]有鑑於此，本發明將通過採用MOS管作為集成電路控制的開關，有效降低了控制信號故障對集成電路產生的影響，並有效降低了電磁幹擾，實現可控延時斷電，並不存在觸點氧化和定期維護問題，更好的實現了電路保護。
[0009]為達到上述目的，具體技術方案如下:
[0010]—方面，提供一種基於MOS管的集成電路開關結構,用於集成電路供電的開關控制，包括供電電源、場效應管、外部控制信號發生器、內部信號發生器和後續電路，所述供電電源與所述場效應管相連，所述場效應管與所述後續電路相連，所述外部控制信號發生器和內部信號發生器分別與所述場效應管相連，所述場效應管控制所述供電電源與所述後續電路之間的通斷，所述外部控制信號發生器通過發出外部控制信號控制所述場效應管的通斷，所述內部信號發生器通過發出內部信號控制所述場效應管的通斷。
[0011]優選的，所述內部信號發生器與所述後續電路相連，並根據檢測的所述後續電路的情況發出內部控制信號。
[0012]優選的，還包括控制對象，所述內部控制信號發生器與所述控制對象相連，並根據檢測的所述場控制對象的情況發出內部控制信號。
[0013]優選的，所述內部控制信號發生器為硬體電路或控制軟體。
[0014]優選的，所述場效應管為金屬一氧化物一半導體場效應電晶體或金屬一絕緣體一半導體場效應電晶體。
[0015]優選的，所述場效應管為N型場效應電晶體或P型場效應電晶體。
[0016]另一方面，提供一種基於MOS管的集成電路開關方法，包括以下步驟:
[0017]步驟1，所述外部控制信號發生器和內部控制信號發生器發出控制信號；[0018]步驟2，所述場效應管根據控制信號實現通斷；
[0019]步驟3，通過所述場效應管的通斷實現所述供電電源與所述後續電路的通斷。
[0020]相對於現有技術，本發明的技術方案的優點有:
[0021]1、可以有效降低外部控制信號或內部控制信號故障對集成電路產生的影響；
[0022]2、有效降低電磁幹擾，不存在觸點氧化和定期維護問題；
[0023]3、可由內部控制信號根據需要實現可控延時斷電，能夠更好的實現電路保護。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0024]構成本發明的一部分的附圖用來提供對本發明的進一步理解，本發明的示意性實施例及其說明用於解釋本發明，並不構成對本發明的不當限定。在附圖中:
[0025]圖1是現有技術的結構示意圖
[0026]圖2是本發明實施例的結構示意圖。
[0027]其中，I為供電電源、2為場效應管、3為外部控制信號發生器、4為內部控制信號發生器、5為後續電路。
【具體實施方式】
[0028]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
[0029]需要說明的是，在不衝突的情況下，本發明中的實施例及實施例中的特徵可以相
互組合。
[0030]以下將結合附圖對本發明的實施例做具體闡釋。
[0031]如圖2中所示的本發明的實施例的一種基於MOS管的集成電路開關結構及方法，用於集成電路供電的開關控制，結構包括供電電源1、場效應管2、外部控制信號發生器3、內部信號發生器4和後續電路5。
[0032]供電電源I與場效應管2相連,場效應管2與後續電路5相連。外部控制信號發生器3和內部信號發生器4分別與場效應管2相連。場效應管2控制供電電源I與後續電路5之間的通斷。外部控制信號發生器3通過發出外部控制信號控制場效應管2的通斷，內部信號發生器4通過發出內部信號控制場效應管2的通斷。
[0033]方法，包括:
[0034]步驟1，外部控制信號發生器3和內部控制信號發生器4發出控制信號；
[0035]步驟2，場效應管2根據控制信號實現通斷；
[0036]步驟3，通過場效應管2的通斷實現供電電源I與後續電路5的通斷。
[0037]本發明的實施例通過採用MOS管作為集成電路控制的開關，有效降低了控制信號故障對集成電路產生的影響，並有效降低了電磁幹擾，實現可控延時斷電，並不存在觸點氧化和定期維護問題，更好的實現了電路保護。
[0038]如圖2中所示，在本發明的實施例中，場效應管2為MOS管，優選為金屬一氧化物一半導體場效應電晶體或金屬一絕緣體一半導體場效應電晶體。[0039]在本發明的實施例中，用MOS管作為集成電路控制的開關，通過板外控制信號和板內控制信號共同控制MOS管的通斷，實現對集成電路的開關控制。
[0040]MOS管的內部控制信號可由硬體電路或者軟體控制來提供，通過對後續電路和控制對象的檢測情況，根據需要改變控制信號。
[0041]以上對本發明的具體實施例進行了詳細描述，但其只是作為範例，本發明並不限制於以上描述的具體實施例。對於本領域技術人員而言，任何對本發明進行的等同修改和替代也都在本發明的範疇之中。因此，在不脫離本發明的精神和範圍下所作的均等變換和修改，都應涵蓋在本發明的範圍內。
【權利要求】
1.一種基於MOS管的集成電路開關結構，用於集成電路供電的開關控制，其特徵在於，包括供電電源(I)、場效應管(2)、外部控制信號發生器(3)、內部控制信號發生器(4)和後續電路(5)，所述供電電源(I)與所述場效應管(2)相連，所述場效應管(2)與所述後續電路(5)相連，所述外部控制信號發生器(3)和內部控制信號發生器(4)分別與所述場效應管(2)相連，所述場效應管(2)控制所述供電電源(I)與所述後續電路(5)之間的通斷，所述外部控制信號發生器(3)通過發出外部控制信號控制所述場效應管(2)的通斷，所述內部控制信號發生器(4 )通過發出內部信號控制所述場效應管(2 )的通斷。
2.如權利要求1所述的基於MOS管的集成電路開關結構，其特徵在於，所述內部控制信號發生器(4)與所述後續電路(5)相連，並根據檢測的所述後續電路(5)的情況發出內部控制信號。
3.如權利要求2所述的基於MOS管的集成電路開關結構，其特徵在於，還包括控制對象，所述內部控制信號發生器(4 )與所述控制對象相連，並根據檢測的所述場控制對象的情況發出內部控制信號。
4.如權利要求1所述的基於MOS管的集成電路開關結構，其特徵在於，所述內部控制信號發生器(4)為硬體電路或控制軟體。
5.如權利要求1所述的基於MOS管的集成電路開關結構，其特徵在於，所述場效應管(2)為金屬一氧化物一半導體場效應電晶體或金屬一絕緣體一半導體場效應電晶體。
6.如權利要求1所述的基於MOS管的集成電路開關結構，其特徵在於，所述場效應管(2)為N型場效應電晶體或P型場效應電晶體。
7.一種基於MOS管的集成電路開關方法,用於如權利要求1至6任一項所述的集成電路開關結構，其特徵在於，包括以下步驟: 步驟1，所述外部控制信號發生器(3)和內部控制信號發生器(4)發出控制信號； 步驟2，所述場效應管(2)根據控制信號實現通斷； 步驟3，通過所述場效應管(2 )的通斷實現所述供電電源(I)與所述後續電路(5 )的通斷。
【文檔編號】H03K17/687GK103795388SQ201410046899
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2014年2月10日 優先權日:2014年2月10日
【發明者】高豐城, 王德彬 申請人:上海三一重機有限公司