光致生酸化合物和包含它的光致抗蝕劑組合物，包含光致抗蝕劑的塗覆製品及其製造方法

2023-07-26 13:19:41 2

光致生酸化合物和包含它的光致抗蝕劑組合物，包含光致抗蝕劑的塗覆製品及其製造方法
【專利摘要】本發明涉及光致生酸化合物和包含它的光致抗蝕劑組合物，包含光致抗蝕劑的塗覆製品及其製造方法。本發明涉及一種式(I)的化合物：其中，a、x、X1、Y、Ar、R1和Z-如本文所定義。所述光致生酸劑化合物可用作光致抗蝕劑組合物的組分，其進而可用於製造製品的光刻方法。
【專利說明】光致生酸化合物和包含它的光致抗蝕劑組合物，包含光致抗蝕劑的塗覆製品及其製造方法
【背景技術】
[0001]為了形成甚至更小的邏輯和存儲電晶體，發展了先進的光刻技術，例如193nm浸沒式光刻法來實現微光刻工藝中的高質量和更小的特徵尺寸。在用於微光刻工藝中的成像的光致抗蝕劑中實現更小的臨界尺寸(CD)，使得所述光致抗蝕劑提供最低線條邊緣粗糙度(LER)和線條寬度粗糙度(LWR)，同時仍然具有良好的工藝控制容差，例如高曝光寬容度(EL)和寬焦深(DOF)是重要的。
[0002]為了符合由於高解析度光刻所導致的對於抗蝕劑材料的要求，製造了溶於水性顯影劑並具有低吸光度的光致生酸劑(PAG)。現有技術已經發現了各種用於配製光致抗蝕劑的光致生酸劑(PAG)，例如美國專利申請公開第2005/0079441A1號中所揭示的那些含氟陽離子的光致生酸劑。但是，仍然需要含有PAG的光致抗蝕劑組合物，所述PAG在水性溶劑和非水性溶劑中具有受控的溶解特性，以及擴散控制和隨之而來的特性例如抗性曲線。

【發明內容】

[0003]通過根據本發明的光致生酸化合物可以克服一種或多種現有技術的上述或其它缺陷，所述化合物具有式(I):
[0004]
【權利要求】
1.一種式⑴的化合物:
2.如權利要求1所述的化合物，其特徵在於，a是1-4的整數，X是1，X1是含I,I, I, 3, 3, `3-六氟異丙醇的基團或者Cu全氟代醇的酯，Y是-O-、-S-、NR-> -O-C (=0)-、-C (=0) -O-、-O-C (=0) -O-、-OCH2- (C=O) O-、-OCH2C (=0) -、-SO2-, -O-SO2-或者包括至少一個前述基團的組合，其中R是H或者Cu烷基。
3.如權利要求1所述的化合物，其特徵在於，Ar是取代或未取代的亞苯基、亞萘基、亞蒽基、亞菲基、亞喹啉基、亞二苯並噻吩基、噻噸酮、硫代氧雜亞蒽基，或者包括前述至少一種的組合。
4.如權利要求1所述的化合物，其特徵在於，R1獨立地是取代的C5_2(l芳基或CV2tl烷基，其中，當X是I時，兩個基團R1分離或相互連接形成C4_2(l環結構。
5.如權利要求1所述的化合物，其特徵在於，所述化合物包括具有式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)或(Ie)的那些化合物:
6.如權利要求1所述的化合物，其包括如下式(IIIa)至(IIIg):
7.如權利要求1所述的化合物，其特徵在於，Ζ—具有式(II):
A - (L)-(C(R4)2)m-(C(R5)2)n-S03_ (II) 其中， A是取代或未取代的單環、多環或稠合多環的C3或更高級的環脂族基團，任選地包含0、S、N、F或包括前述至少一種的組合,或者是含有可聚合雙鍵或三鍵的C3或更高級的脂族或環脂族基團， R4是H、單鍵或者取代或未取代的C1,烷基，其中當R4是單鍵時，R4與A的碳原子共價連接， 每個R5獨立地是H、F或者CV4氟烷基，其中至少一個R5不是氫， L是連接基團，包括-O-、-S-、-C(=0)-、碳酸酯、羧酸酯、磺酸酯、硫酸酯或者磺醯胺基團，以及 q是0-10的整數，m是大於或等於O的整數，η是大於或等於I的整數。
8.—種光致抗蝕劑，其包含權利要求1-7中任一項所述的化合物以及具有酸不穩定保護基團的聚合物。
9.一種塗覆的基材，其包括:(a)基材，其包括位於其表面之上的將被圖案化的一個層或多個層；和(b)權利要求8所述的光致抗蝕劑組合物的層，其位於所述將被圖案化的一個層或多個層上。
10.一種製造浮雕圖案的方法，其包括: 用光致抗蝕劑層塗覆基材，所述光致抗蝕劑層包括: 具有酸可脫保護基團的聚合物，以及 式⑴的化合物:
【文檔編號】C07C381/12GK103787923SQ201310513127
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2013年10月25日 優先權日:2012年10月26日
【發明者】E·阿卡達, C-B·徐, 劉驄, 李明琦, 山田晉太郎 申請人:羅門哈斯電子材料有限公司