等離子體顯示裝置的製作方法
2023-07-28 06:49:01
專利名稱：等離子體顯示裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種等離子體顯示面板(PDP)裝置，更具體地講，本發明涉及一種具有能夠實現高的效率和增強的圖像品質的結構的等離子體顯示裝置。
背景技術：
PDP是一種利用當真空紫外線激發螢光體時產生的可見光來顯示圖像的顯示裝置。真空紫外線由氣體放電形成的等離子體發射。由於通過利用這樣的PDP可以實現高解析度的大型顯示器，所以這種PDP作為薄型顯示器而備受關注。
典型的PDP包括用於平面放電的三個電極。三電極型PDP包括前基底和後基底，其中，兩個顯示電極形成在前基底上，尋址電極形成在後基底上。後基底與前基底分隔預定的距離。前、後基底之間的空間被障肋劃分為多個放電室。螢光體形成在放電室的側表面和後表面上，而不形成在放電室的前表面上。放電室分別被密封，放電氣體被充入放電室中。
在操作中，通過尋址放電和維持放電來選擇特定的放電室。尋址放電指在放電室內由兩個顯示電極中的一個和尋址電極產生的短等離子體放電。維持放電由穿過所選擇的放電室的兩個顯示電極來執行。
通常，顯示電極在放電室中位於前基底的面上。結果，顯示放電只在前基底附近發生。這樣，不能最佳地利用放電室的放電空間。另一方面，如上所述，螢光體形成在與前基底分離的後表面和側表面上。因此，螢光體不能最大程度地利用向著前基底發生的等離子體放電。因此，需要提高PDP裝置的發光效率。
此外，需要通過減少在前基底上的背景光的反射來提高亮室(light-room)對比度。為了減少這樣的反射，已經建議一種通過在前基底上形成黑帶來提高黑部分的比率的方法，以吸收背景光。然而，這種方法降低了開口率，這是我們所不期望的。
在這部分中的上述討論提供了關於PDP裝置的背景信息。該部分中敘述並不代表就是現有技術。
發明內容
本發明的各方面提供了一種等離子體顯示裝置，該等離子體顯示裝置具有能夠實現高的效率和增強的顯示品質的結構。
本發明的一方面提供了一種等離子體顯示裝置。該裝置包括前基底，包括可見圖像顯示在其上的顯示表面；後基底；多個放電室，位於前基底和後基底之間，多個放電室包括放電室，放電室包括通常面對後基底的前表面；螢光體，形成在前表面上。
前表面可包括形成在前基底中的至少一個凹部。各凹部可具有至少一個凹面，螢光體可形成在至少一個凹面的至少部分上。至少一個凹部可包括兩個或更多個凹部。各凹面可在放電室的前表面上具有邊界，該邊界基本上是圓形、橢圓形或多邊形。至少一個凹部可具有從錐體、截錐體、圓柱體、柱體、半球體、球帶、四面體、立方體、圓柱管、多邊形、多邊形柱和稜錐體組成的組中選擇的大體的形狀。
放電室的前表面可包括中心凹部和外圍凹部，其中，中心凹部在前表面的中心附近形成在前基底中，外圍凹部在前表面的外圍附近形成在前基底中。中心凹部可比外圍凹部大。中心凹部和外圍凹部中的每個在前表面上具有邊界，中心凹部的邊界可大於外圍凹部的邊界。
至少一個凹面包括曲面。各凹部的深度可為前基底的厚度的大約0.2％至大約10％。螢光體可基本形成在整個至少一個凹面上。整個至少一個凹面上螢光體的厚度大體相同。
上述裝置還可包括在前基底和後基底之間的多個障肋。多個障肋可分隔多個放電室，障肋中的每個可包括接觸放電室前表面的一端，凹部可在多個障肋中的一個的一端的上方延伸。
螢光體的厚度可以從大約4μm至大約28μm。放電室的前表面可包括前基底與顯示表面相對的表面。上述裝置還可包括形成在前基底的與顯示表面相對的內表面上的層。放電室的前表面可包括該層背離顯示表面的表面。
上述裝置還可包括在前基底和後基底之間的多個障肋和多個電極。多個電極可包括埋入多個障肋中的電極。上述裝置還可包括形成在前基底和後基底之間的第一電極、第二電極和障肋。第一電極和第二電極可埋入在第一方向上延伸的障肋中，並通常與障肋一起延伸，同時第一電極和第二電極在與第一方向垂直的第二方向上彼此分隔。
上述裝置還可包括在與第一方向和第二方向垂直的第三方向上延伸的第三電極，第三電極沒有埋入障肋中。上述裝置還可包括第一電極和障肋。障肋可提供放電室的側壁，第一電極可被埋入障肋中並基本上環繞放電室。
上述裝置還可包括第二電極，第二電極也埋入障肋中並環繞放電室。第一電極可包括埋入障肋中的一個中的第一部分，第二電極可包括埋入障肋中的第二部分。第一部分和第二部分可與障肋在基本相同的方向上一起延伸，同時第一部分和第二部分彼此不接觸。
本發明的另一方面提供了一種製造上述裝置的方法。該方法包括提供中間產品，中間產品包括用作放電室前表面的表面；在中間產品表面上形成凹部；在至少一個凹面的至少部分上形成螢光體。凹部具有至少一個凹面。中間產品可包括前基底，形成凹部的步驟包括刻蝕前基底的表面。
本發明的又一方面提供了一種顯示圖像的方法。該方法包括提供上述的裝置；激勵該裝置來在放電室內產生等離子體放電。等離子體放電激活形成在前表面上的螢光體，以將光發射通過前基底，被發射的光用於在顯示表面上形成圖像。
通過參照附圖對本發明示例性實施例的詳細描述，本發明的上述和其他特徵和優點將變得更清楚。
圖1是根據一個實施例的PDP的局部分解透視圖。
圖2是當圖1中的PDP被組裝時沿著圖1中的線II-II截取的放電室的局部剖視圖。
圖3是根據實施例的電極的局部透視圖。
圖4是沿著圖2中的線IV-IV截取的放電室的局部剖視圖。
圖5是根據實施例的放電室的局部剖視圖。
圖6示出了用於驅動根據實施例的圖5中的放電室的示例性輸入信號。
圖7是根據實施例的電極的局部透視圖。
圖8至圖13是示意性示出根據不同實施例的用於螢光體的凹部和放電室的局部平面圖。
圖14和圖15是示出根據實施例的電極的不同構造的透視圖。
具體實施例方式
在下文中，將參照圖1至圖15來描述本發明的實施例。這些實施例只是用來示出本發明的各種特徵和方面，而本發明不限於所示出的實施例。在實施例中，用相同的標號來表示相同的元件。
參照圖1，根據實施例的PDP包括後基底10和前基底20。後基底10與前基底20分隔預定的距離，通過障肋18將前、後基底之間的空間劃分為多個放電室18。放電氣體充入放電室18，螢光體29形成在前基底20上。
如所示出的，電極12、31和32被形成為經過放電室18。這些電極包括尋址電極12、掃描電極31和維持電極32。尋址電極12在後基底10的表面上沿著放電室18延伸。掃描電極31和維持電極32被埋入障肋16中並經過各放電室18。介電層14形成在後基底10的整個表面上，以覆蓋尋址電極12。
障肋16形成在介電層14上。在所示出的實施例中，障肋16包括第一障肋構件16a和第二障肋構件16b。第一障肋構件16a在與尋址電極12(y軸)平行的方向上延伸。第二障肋構件16b在與尋址電極12交叉的方向上延伸。例如，第二障肋構件16b與尋址電極12基本垂直，並在x軸上延伸。雖然沒有示出，但是障肋16可以以除了如圖1中所示的格子或矩陣之外的各種構造形成。
在所示出的實施例中，放電室18通過障肋16被形成為大致的矩形。L1指在y軸上測量的放電室18的長度。W1指在x軸上測量的寬度。此外，放電室18可以以各種構造形成，並不限於所示出的構造。
另外，在所示出的實施例中，掃描電極31和維持電極32在z軸上彼此分隔預定的距離。掃描電極31和維持電極32位於障肋16中，使得它們不阻擋可見光穿過前基底20。掃描電極31和維持電極32可由包括金屬的導電材料形成。障肋16與埋入障肋16中的掃描電極31和維持電極32電絕緣。障肋16由介電材料製成，防止放電產生的帶電粒子直接撞擊掃描電極31或維持電極32。此外，障肋16積累壁電荷，這將是相應領域的技術人員應理解的。
保護層19可以形成在障肋16的側表面上，其中，掃描電極31和維持電極32埋入障肋16中。保護層19可以選擇性地形成在放電室18中可能被暴露或者與等離子體放電期間產生的帶電粒子可能接觸的部分上。保護層19保護由介電材料製成的障肋16，因此保護掃描電極31和維持電極32不受帶電粒子撞擊。在一個實施例中，保護層19由二次電子發射係數高的材料製成，因此釋放提高放電效率的二次電子。
由於保護層19覆蓋障肋16的側表面，所以它不阻擋在等離子體放電期間放電室18內產生的可見光。因此，保護層19可以由不透明的材料比如MgO製成。由於MgO不透射可見光，並且其二次電子發射係數比透射可見光的材料的二次電子發射係數高得多，所以可以進一步提高放電效率。
在所示出的實施例中，凹部22形成在前基底20面對後基底10的表面20a上。多個綠色、紅色和藍色螢光體29分別形成在凹部22的每個中。
在一個實施例中，螢光體29形成在凹部22上。在實施例中，沒有附加的螢光體形成在障肋16、後基底10或介電層14上。只在前基底20上形成螢光體22會顯著地簡化製造工藝，從而降低工藝成本。然而，在其它實施例中，螢光體可形成在放電室18的任一側壁(障肋)、後基底10或介電層14上。雖然沒有示出，但是螢光體形成在不具有凹部或沒有發現凹部的前基底的表面20a上。根據一個實施例，可將前基底20刻蝕以形成多個凹部22。螢光體29可形成在凹部22的表面上。
以下將參照圖2來描述PDP的示例性操作。參照圖2，通過尋址電極12和掃描電極31之間的尋址放電A來選通放電室18。在選擇了特定的放電室18後，在放電室18的維持電極32和掃描電極31之間產生維持放電B。放電室18中的等離子體放電激活發射特定可見光的螢光體29，這些可見光穿過前基底20。被發射的光用於在顯示表面20b上顯示圖像，該圖像可以顯示在顯示表面20b上。根據用於電極的信號輸入，PDP的操作可以不同。因此，本發明不限於上述的方法。
在圖1和圖2的實施例中，掃描電極31位於後基底10和前基底20之間。這種構造使掃描電極31和尋址電極12之間的距離最小化，從而降低用於尋址放電A的初始放電電壓。如圖2中所示，為了實現用於尋址放電A的較短距離，掃描電極31靠近後基底10設置，維持電極32靠近前基底20設置，但是不限於此。
在掃描電極31和維持電極32之間產生的維持放電，由具有在z軸上延伸的分量的電場形成。通過施加在掃描電極31和維持電極32之間的電壓形成的電場聚集在放電室18的中心附近。因此，可以提高發射效率，即使放電持續延長的時間段，也可以防止或減少會由放電產生的離子濺射現象。
在實施例中，放電室18被掃描電極31和維持電極32環繞。結果，沿著放電室18的整個側表面可形成維持放電。
在所示出的實施例中，凹部22形成在放電室18的前表面20a上，凹面通常背離顯示圖像的顯示表面20b。在實施例中，通過選擇性地刻蝕前基底20的部分可形成凹部22。可選擇地，前基底20可以被模製以包括凹部22。
如圖2中所示，放電室18包括沿著y軸的兩個凹部22。雖然沒有示出，但是放電室18可具有沿著y軸的不同數目(1、2、3、4、5、6、7、8、9、10等)的凹部。此外，單個放電室18中的凹部22的大小可以相同或不同。隨著凹部22的數目增加，螢光體29的表面積增大。螢光體29形成在凹部22表面的部分或基本全部上。凹入或凹進沉積的螢光體29提供了用於產生可見光的面積，該面積大於如果沒有凹部22時的面積。隨著可以吸收真空紫外線並發射可見光的螢光體29的面積變大，可見光的量可以增加，從而亮度(brightness)可以提高。凹部22還將來自外部的光(L)擴散而不是將光反射回外部，因此提高了亮室對比度。
在所示出的實施例中，凹部22基本上是半球狀的，但不限於此。例如，凹部可具有從錐體(cone)、截錐形、圓柱體、柱體、半球體、球帶(zone ofsphere)、四面體、立方體、圓柱管、多邊形、多邊形柱和稜錐體(pyramid)組成的組中選擇的至少一種的大體陰的(negative)三維形狀。各凹部22與前基底20的表面20a的邊界通常的二維形狀為圓形。雖然放電室的凹面可以是具有銳角或倒圓角基本上的平坦面，但是放電室18的凹面可以是曲面。邊界也可以具有通常為橢圓和多邊形的形狀。此外，凹部22的曲面幫助來自外部的光(L)有效地擴散而不是被反射回去。
在z軸方向上從前基底20的表面20a向顯示表面20b測量，各凹部22具有深度D。凹部22具有預定的深度。凹部22的深度D的範圍在從前基底20厚度的幾乎大約0.2％至大約10％。凹部22的深度D可以大致是前基底20厚度的0.1％、0.3％、0.5％、0.7％、0.9％、1％、2％、3％、4％，、5％，、6％、7％、8％、9％、11％、12％、13％、14％、15％、16％、17％、18％、19％或20％。
螢光體29可具有預定的厚度。螢光體29需要具有足夠的厚度，以當放電發生時提供足夠的亮度。另一方面，螢光體29不應該太厚，以致於阻擋螢光體29產生的可見光的顯著的量。在實施例中，螢光體29的厚度從大約4μm至大約28μm。在凹部中的螢光體的厚度可以大致是2、4、6、8、10、12、14、16、18、20、22、24、26、28、30、32、34、36、38或40μm。
圖3示出了可應用到圖1中示出的PDP或其它PDP中的掃描電極31和維持電極32的構造。掃描電極31包括第一部分31a和第二部分31b，維持電極32包括第一部分32a和第二部分32b。第一部分31a和32a在第一障肋構件16a(圖1)中在平行於尋址電極12的方向上設置。第二部分31b和32b在第二障肋構件16b(圖1)中在與尋址電極12交叉的方向上設置。掃描電極31和維持電極32可以以除了圖3中示出的構造之外的其它構造形成。
在圖3的實施例中，一對相鄰的放電室18共用第一部分31a和32a。掃描電極31和維持電極32在與尋址電極12的延伸方向交叉的方向(圖3中的x軸方向)上延伸。
參照圖4，一個放電室18形成兩個凹部。兩個凹部沿著y軸布置，並形成在前基底上。在實施例中，在單個放電室中可形成有更多的凹部。此外，在實施例中，超過兩個的凹部可以沿著y軸或其它方向布置。凹部可任意地在前表面20a上設置。凹部可具有多個布置的形狀和數目。
在圖5中示出的實施例中，用於產生等離子體放電的電極41和42安裝在放電室18中。電極41被稱作「尋址電極」。電極42被稱為「掃描電極」。在z軸上，尋址電極41和掃描電極42在障肋16中彼此分隔預定距離。尋址電極41和掃描電極42都位於障肋16中，並通過障肋16的材料彼此電絕緣。與圖1至圖4中示出的單個放電室的操作需要一組三個電極的實施例不同，圖5中的實施例形成只需要用於操作的兩個電極的雙電極構造。除此之外，該實施例與在前實施例相同，包括在前實施例的所有特徵和優點。
圖6示出了用於具有雙電極構造的PDP的信號輸入。將解釋與一個放電室的放電相關的尋址電極41和掃描電極42的驅動波形。為方便起見，尋址電極41被稱為電極A，掃描電極42被稱為電極Y。
信號的一個子域包括復位區(期)、尋址區(期)和維持區(期)。這裡，在復位區向電極A(尋址電極)施加參考電壓(圖6中的0V)的同時，在逐漸從正維持電壓Vr增加到電壓Vset的電壓施加到電極Y(掃描電極)之後，施加降低至參考電壓(0V)的脈衝，其中，電壓Vset在任何條件下都可以在放電室中產生放電。即，電極Y的電壓以坡形的形狀增加。因此，可以用在電極Y的電壓增大的同時電極Y和電極A之間產生的弱放電來初始化放電室。此外，在電壓Vset施加到電極Y之後，復位區不具有電壓逐漸減小的區域，因此復位時間可縮短。
接著，將掃描脈衝Vsc施加到電極Y，以在尋址區中選擇放電室，並且將尋址脈衝Va施加到電極A。隨後，參考電壓0V在維持區被施加到電極A，正維持脈衝+Vs和負維持脈衝-Vs被重複地施加到電極Y，從而顯示圖像。在參考電壓0V施加到電極A的同時，在維持區的尾部，將擦除脈衝施加到電極Y，其中，擦除脈衝逐漸從參考電壓0V減小到負的維持電壓-Vs。隨後，在電極Y的電壓降低的同時，在電極Y和電極A之間產生弱放電。因此，擦除了由維持電壓形成的壁電荷。
如上所述，通過在電極A被偏置為參考電壓0V的同時利用施加到電極Y的波形，來在復位區、尋址區和維持區執行放電。因此，可以從三電極的結構中去除維持電極和用於驅動該維持電極的驅動電路，從而可降低電路的成本。上述的驅動方法是用於根據本發明第二實施例的PDP的示例中的一種，本發明不限於此。此外，其它驅動方法可適用於本發明的不同實施例。
圖7示出了在圖5中可需要的電極的示例。尋址電極41包括第一部分41a、第二部分41b和第三部分41c。第一部分41a沿著y軸形成在第一障肋構件16a中。第二部分41b沿著x軸形成在第二障肋構件16b中。第三部分41c與第二部分41b相鄰且互連。在圖7中，尋址電極41在y軸上通常平直地延伸。
此外，掃描電極42包括第一部分42a、第二部分42b和第三部分42c。第一部分42a沿著y軸形成在第一障肋構件16a中。第二部分42b沿著x軸形成在第二障肋構件16b中。第三部分42c與第一部分42a相鄰且互連。掃描電極41沿著x軸通常平直地延伸。
如所示出的，尋址電極41和掃描電極42彼此交叉，各自的一部分環繞單個的放電室18。因此，它們參與尋址放電和維持放電，其中，放電室18通過尋址放電被選通，在維持放電中以預定的亮度來發光。尋址電極41和掃描電極42環繞放電室18，從而有效地利用放電空間和空間電荷，提高放電效率。
在各种放電室的實施例中，凹部和螢光體構造在圖8至圖13中示出。參照圖8，凹部44形成在基本上是矩形的放電室中。螢光體46形成在凹部44中，並形成另一個矩形形狀。凹面可彎曲或可具有基本平坦的部分。凹部44和螢光體46具有平面的形狀，從而使具有矩形平面形狀的放電室18的每個中的螢光體46的表面積最大化。在該實施例中，單個放電室18中形成兩個凹部22，同時兩個凹部22沿著放電室中的每個的縱向方向(圖8中的y軸方向)布置。
參照圖9，放電室18形成三個矩形凹部48。參照圖10，四個基本上矩形的凹部52形成在放電室18中。兩行凹部52沿著放電室18的縱向方向布置，每行形成兩個凹部52。參照圖11，在放電室18中形成六個矩形凹部56。
在圖12中示出的實施例中，由障肋68分隔的放電室70基本上是橢圓形。可選擇地，放電室70可以是圓形。凹部72沿著y軸形成。在所示出的實施例中，t1是位於放電室70中部的凹部72a沿著x軸的長度。t2是位於放電室70外圍部分的凹部72b沿著x軸的長度。在一個實施例中，t1大於t2。
圖13示出了另一實施例，其中，在一個放電室中形成不同形狀的凹部86。在該實施例中，在放電室70的中部形成的凹部86比在放電室70的外圍部分形成的凹部86多。
圖14示出了如在圖1至圖4中示出的實施例中的包括第一電極76、第二電極78和第三電極80的一組三個電極。在這樣情況下，埋入障肋中的第二電極78和第三電極80的平面形狀可以是橢圓形。這些形狀與放電室70的形狀對應。另一方面，圖15示出了包括第一電極82和第二電極84的一組兩個電極。在這樣情況下，埋入障肋中的第一電極82和第二電極84的平面形狀可以是橢圓形。這些形狀與放電室70的形狀對應。
根據本發明的各種實施例，凹部形成在前基底中，至少一個凹部適當地布置在放電室的每個中。結果，與放電室中的每個對應的螢光體的面積可以被最大化，可見光的量可以增加，PDP的亮度可以提高。
此外，凹面可將來自外部的入射光擴散，並防止入射光反射回去。結果，可提高亮室對比度，而沒有提高黑部分的比率。可將電極形成為環繞放電室中的每個，使得放電空間和形成在放電空間中的空間電荷可以增加。因此，可以提高PDP的放電效率。
雖然已經描述了本發明的示例性實施例，但是本領域的技術人員可以明顯理解，在不脫離權利要求的精神和範圍的情況下可以對本發明進行各種形式的更改。
權利要求
1.一種等離子體顯示裝置，包括前基底，包括可見圖像顯示在其上的顯示表面；後基底；多個放電室，位於所述前基底和所述後基底之間，所述多個放電室包括放電室，所述放電室包括通常面對所述後基底的前表面；螢光體，形成在所述前表面上。
2.如權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中，所述前表面包括形成到所述前基底中的至少一個凹部，其中，各凹部具有至少一個凹面，其中，所述螢光體形成在所述至少一個凹面的至少部分上。
3.如權利要求2所述的等離子體顯示裝置，其中，所述至少一個凹部包括兩個或更多個凹部。
4.如權利要求2所述的等離子體顯示裝置，其中，各凹面在所述放電室的前表面上具有邊界，其中，所述邊界基本上是圓形、橢圓形或多邊形。
5.如權利要求2所述的等離子體顯示裝置，其中，至少一個凹部具有從錐體、截錐體、圓柱體、柱體、半球體、球帶、四面體、立方體、圓柱管、多邊形、多邊形柱和稜錐體組成的組中選擇的大體的形狀。
6.如權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中所述放電室的前表面包括中心凹部和外圍凹部，所述中心凹部在所述前表面的中心附近形成在所述前基底中，所述外圍凹部在所述前表面的外圍附近形成在所述前基底中，其中，所述中心凹部大於所述外圍凹部。
7.如權利要求6所述的等離子體顯示裝置，其中，所述中心凹部和所述外圍凹部中的每個在所述前表面上具有邊界，其中，所述中心凹部的邊界大於所述外圍凹部的邊界。
8.如權利要求2所述的等離子體顯示裝置，其中，所述至少一個凹面包括曲面。
9.如權利要求8所述的等離子體顯示裝置，其中，所述各凹部的深度為所述前基底厚度的大約0.2％至大約10％。
10.如權利要求2所述的等離子體顯示裝置，其中，基本上在整個所述至少一個凹面上形成所述螢光體。
11.如權利要求10所述的等離子體顯示裝置，其中，在基本整個所述至少一個凹面上的所述螢光體的厚度大體相同。
12.如權利要求2所述的等離子體顯示裝置，還包括在所述前基底和所述後基底之間的多個障肋，其中，所述多個障肋將放電室與其它放電室分隔，其中，所述放電室的前表面由所述多個障肋來限定，其中，所述至少一個凹部不完全被限定在所述前表面內。
13.如權利要求1所述的等離子體顯示裝置，所述螢光體的厚度為從大約4μm至大約28μm。
14.如權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中，所述放電室的前表面包括所述前基底的與所述顯示表面相對的表面。
15.如權利要求1所述的等離子體顯示裝置，還包括形成在所述前基底上與所述顯示表面相對的表面上的層，其中，所述放電室的前表面包括所述層的與所述顯示表面背離的表面。
16.如權利要求1所述的等離子體顯示裝置，還包括在所述前基底和所述後基底之間的多個障肋和多個電極。
17.如權利要求16所述的等離子體顯示裝置，其中，所述多個電極包括埋入所述多個障肋中的電極。
18.如權利要求1所述的等離子體顯示裝置，還包括形成在所述前基底和所述後基底之間的第一電極、第二電極和障肋，其中，所述第一電極和所述第二電極埋入在第一方向上延伸的所述障肋中，並通常與所述障肋一起延伸，同時所述第一電極和所述第二電極在與所述第一方向垂直的第二方向上彼此分隔。
19.如權利要求18所述的等離子體顯示裝置，還包括第三電極，所述第三電極在與所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上延伸，其中所述第三電極不埋入所述障肋中。
20.如權利要求1所述的等離子體顯示裝置，還包括第一電極和多個障肋，其中，所述多個障肋提供了所述放電室的側壁，其中，所述第一電極埋入所述障肋中並基本環繞所述放電室。
21.如權利要求20所述的等離子體顯示裝置，還包括第二電極，其中，所述第二電極也埋入所述障肋中並環繞所述放電室。
22.如權利要求20所述的等離子體顯示裝置，其中，所述第一電極包括埋入所述障肋的一個中的第一部分，其中，所述第二電極包括埋入所述障肋中的第二部分，其中，所述第一部分和所述第二部分與所述障肋在基本相同的方向上一起延伸，同時所述第一部分和所述第二部分彼此不接觸。
23.一種用於製造權利要求1所述的等離子體顯示裝置的方法，該方法包括提供中間產品，所述中間產品包括用作所述放電室的前表面的表面；在所述中間產品的表面上形成凹部，所述凹部具有至少一個凹面；在所述至少一個凹面上的至少部分上形成所述螢光體。
24.如權利要求23所述的製造權利要求1所述的等離子體顯示裝置的方法，其中，所述中間產品包括所述前基底，其中，形成所述凹部的步驟包括刻蝕所述前基底的表面。
25.一種用於顯示圖像的方法，該方法包括提供權利要求1所述的等離子體顯示裝置；激勵所述等離子體顯示裝置來在所述放電室內產生等離子體放電，其中，所述等離子體放電激活形成在所述前表面上的所述螢光體，從而將光發射通過所述前基底，其中，被發射的光用來在所述顯示表面上顯示圖像。
全文摘要
本發明公開了一種等離子體顯示裝置。提供了一種包括螢光體設置在其上的前基底的等離子體顯示裝置。螢光體可以形成在凹部上，其中，凹部形成在前基底上。用於螢光體的多個凹部可具有不同的數目和形狀。本發明提供了具有兩個電極或三個電極的等離子體顯示裝置。這些電極可以被埋入障肋中。此外，本發明公開了一種用於製造上述等離子體顯示裝置的方法以及一種利用上述等離子體顯示裝置來顯示圖像的方法。
文檔編號H01J11/22GK1873886SQ20061008850
公開日2006年12月6日 申請日期2006年5月31日 優先權日2005年5月31日
發明者權升旭 申請人:三星Sdi株式會社