光致抗蝕劑處理方法
2023-11-02 23:17:07 2
專利名稱：光致抗蝕劑處理方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體集成電路製作工藝，更具體地涉及半導體製作工藝中光致抗蝕劑的處理方法。
背景技術：
在半導體集成電路製作工藝中，光致抗蝕劑的使用非常廣泛，用以界定蝕刻位置等用途。
舉例而言，在DRAM內存裝置的製作工藝中，其中有兩個金屬層互連的製作工藝部分，如圖1所示，附圖標記10表示第一金屬層，11表示介電層，12表示第二金屬層，13表示形成於界電層11中的溝道，用於填入金屬以使第一金屬層10以及第二金屬層12互連。
接下來，利用光致抗蝕劑界定第二金屬層12中欲蝕刻的部分以及欲保留的部分，以便使第二金屬層12形成所需圖樣。如果光致抗蝕劑太厚會影響後續蝕刻處理程序中的解析度，因此使得所蝕刻出來的圖樣(如金屬線路)劣化，也會造成留下的光致抗蝕劑的縱深比太高而產生問題。因此，為了不使用厚度太厚的光致抗蝕劑，一般先形成一層硬掩模(hard mask)14，然後再使用一層較薄的光致抗蝕劑15。
由於硬掩模的使用，可無需使用太厚的光致抗蝕劑，從而避免解析度不佳的問題。然而，硬掩模在蝕刻處理完之後，有難以移除的缺點。
因此，需要有解決上述問題的方法，本發明即滿足此項需求。
發明內容
本發明之目的為提供一種光致抗蝕劑處理方法，其可使光致抗蝕劑緊密化，從而使厚度降低同時維持相當的抗蝕刻能力。
根據本發明之一方面，該光致抗蝕劑處理方法是在光致抗蝕劑形成圖樣之後或之前，對光致抗蝕劑施以等離子處理，以使光致抗蝕劑緊密化。
根據本發明之另一方面，該光致抗蝕劑處理方法中，是利用氬氣等離子處理光致抗蝕劑。
下列圖式中，並非依照實際尺寸比例繪製，僅為顯示各部分相關的關係，此外，相同的附圖標記表示相同的部分。
圖1示出現有技術DRAM內存裝置的製作工藝中有兩個金屬層互連的製作工藝部分欲形成圖樣的步驟；以及圖2示出根據本發明的DRAM內存裝置的製作工藝中有兩個金屬層互連的製作工藝部分欲形成圖樣的步驟。
附圖標記說明10第一金屬層11介電層12第二金屬層13溝道14硬掩模15光致抗蝕劑25光致抗蝕劑具體實施方式
本發明提出一種方法，可使得在例如於金屬層製作圖樣時，可不需使用硬掩模，亦可降低光致抗蝕劑的厚度。
以前述之DRAM內存裝置的製作工藝中兩個金屬層互連的製作工藝部分為例，參照圖2，附圖標記10表示第一金屬層，11表示介電層，12表示第二金屬層，13表示形成於界電層11中的溝道，該溝道填入金屬以使第一金屬層10以及第二金屬層12互相連接。
在第二金屬層12製作圖樣時，先使用較厚的光致抗蝕劑，通過掩模以便在該光致抗蝕劑界定出圖樣，進行曝光、顯影成像，移除光致抗蝕劑不需要的部分，留下必要的部分形成圖樣，然後將留下的光致抗蝕劑25以等離子處理，於本實施例中，較佳的是使用氬氣(Ar)等離子，使光致抗蝕劑緊密化，因而光致抗蝕劑25的厚度會變小，但抗蝕刻的能力則不變。舉例而言，如果原先厚度為1.4微米的光致抗蝕劑，經過Ar等離子處理之後，其厚度變成1.2微米，然而其抗蝕刻的能力與一般經等離子處理的1.4微米厚的光致抗蝕劑相當。
上述實施例是在光致抗蝕劑形成圖樣之後、對光致抗蝕劑施行Ar等離子處理。然而，亦可在光致抗蝕劑施加之後即先以Ar等離子處理光致抗蝕劑，再將處理後的光致抗蝕劑形成圖樣。
根據本發明，通過等離子處理光致抗蝕劑，可使光致抗蝕劑維持既有的抗蝕刻能力，同時可以降低光致抗蝕劑的厚度，因此可以免除使用硬掩模的需要。
本發明已就實施例作詳細說明，然而上述實施例僅為例示性說明本發明之原理以及功效，並非用於限制本發明。熟知此項技藝者可知，不悖離本發明之精神與範疇的各種修正、變更均可實行。本發明之保護範圍系如所附之申請專利範圍所界定。
權利要求
1.一種光致抗蝕劑處理方法，包含如下步驟在一半導體結構上塗覆一層光致抗蝕劑；對該光致抗蝕劑界定預定的圖樣；移除該光致抗蝕劑不需要的部分，留下必要的部分以形成圖樣；以及對於留下之光致抗蝕劑施行緊密化處理。
2.如權利要求1所述的光致抗蝕劑方法，其中該緊密化處理包含等離子處理以使光致抗蝕劑緊密化。
3.如權利要求2所述的光致抗蝕劑方法，其中該等離子處理是利用氬氣離子。
4.一種光致抗蝕劑處理方法，包含如下步驟在一半導體結構上塗覆一層光致抗蝕劑；對該光致抗蝕劑施行緊密化處理；以及將該光致抗蝕劑形成圖樣。
5.如權利要求4所述的光致抗蝕劑方法，其中該緊密化處理包含等離子處理以使光致抗蝕劑緊密化。
6.如權利要求5所述的光致抗蝕劑方法，其中該等離子處理是利用氬氣離子。
全文摘要
本發明涉及一種光致抗蝕劑處理方法。本發明的方法在光致抗蝕劑形成圖樣之後或之前，對光致抗蝕劑施以氬氣等離子處理，以使光致抗蝕劑緊密化。
文檔編號H01L21/02GK1614516SQ200310114869
公開日2005年5月11日 申請日期2003年11月7日 優先權日2003年11月7日
發明者李秀春, 黃則堯, 陳逸男, 王志達 申請人:南亞科技股份有限公司