氧濃度檢測元件和製造方法
2023-12-09 23:46:16 2
專利名稱：氧濃度檢測元件和製造方法
技術領域：
本發明涉及一種氧傳感器和它的製造方法，尤其涉及用於氧傳感器的氧濃度檢測元件和元件的製造方法。
背景技術：
通常，內燃機驅動的現代化的機動車輛在它的排氣管配有用於檢測發動機排出的廢氣中氧濃度的氧傳感器，並且根據檢測到的氧濃度，反饋控制輸送到發動機的空氣/燃料混合物(A/F)比率以達到一化學計量比值(如A/F＝14.7)。
美國專利US6613207，相應於已公開的日本專利JP2000180403A，揭露了一種電化學測量傳感器。如該美國專利的圖1所示，電化學測量傳感器具有固體電解液主體構成的能斯脫金屬箔(Nernst foil)10。當在能斯脫金屬箔10的上表面和下表面之間存在氧濃度差時，氧離子通過能斯特金屬箔10傳輸。於是，依照該氧濃度差值在參考電極16和測量電極17之間產生電力，從而得到相應的輸出電壓。
已公開的日本專利JP627080A揭露了一種空氣-燃料比率傳感器(參見圖1)，其中溢流的參考電極氧通過多孔附著層35、帶電粉末層33和耐火附著劑(refractory attachment agent)21排放到廢氣中。
發明內容
上面提到的各傳統傳感器都存在過量氧提高傳感器的內壓的問題。如果該壓力升高得太大，會損壞傳感器。
因此本發明的一個目的是提供一種氧濃度檢測元件，該元件能抑制過量氧引起的傳感器內壓升高。
本發明的另一個目的是提供一種製造氧濃度檢測元件的方法。
根據本發明的第一方面，提供的氧濃度檢測元件包括由絕緣材料構成的基礎構件(base member)，該基礎構件外表面具有第一位置和不同於第一位置的第二位置。
形成在基礎構件的第一位置上的電加熱層以在通電時產生熱；和形成在基礎構件的第二位置上的氧檢測層疊單元，該單元包括(a)被來自電加熱層的熱激活的固體電解質層；(b)形成在固體電解質層的外表面上的外電極；和(c)形成在固體電解質層內表面上與外電極相對的內電極，該內電極由貴金屬材料和分布在其中的大量孔洞構成，這些孔洞來源於在用於製造氧濃度檢測元件的焙燒前佔貴金屬材料總體積的30～50體積％的孔洞形成劑。
根據本發明的第一方面，提供有一種製造氧濃度檢測元件的方法，該方法包括下面的步驟(a)製備由絕緣材料構成的具有外表面的基礎構件，該基礎構件的外表面有第一位置和不同於第一位置的第二位置；(b)在基礎構件的第一位置上形成一電加熱層以在通電時產生熱；(c)在基礎構件的第二位置上形成內電極，內電極由貴金屬材料和佔貴金屬材料總體積的30～50體積％的孔洞形成劑構成；(d)在內電極上形成固體電解質層；(e)在固體電解質層上形成外電極，這樣就提供有氧濃度檢測層疊單元，該單元包括固體電解質層和內外電極，固體電解質層位於內外電極之間並被來自電加熱層的熱量激活；和(f)焙燒具有基礎構件、電加熱層和氧檢測層疊單元的料坯，這樣孔洞形成劑消失以在內電極中產生大量孔洞並使內電極具有多孔結構。
根據本發明的第二方面，提供有一氧濃度檢測元件，它包括由絕緣材料構成的基礎構件(base member)，該基礎構件的外表面具有第一位置和不同於第一位置的第二位置。
形成在基礎構件的第一位置上的電加熱層以在通電時產生熱；形成在基礎構件的第二位置上的氧檢測層疊單元，該單元包括固體電解質層和可操作地使固體電解質層夾在其間的一對電極，該固體電解質層被來自電加熱層的熱量激活；和一允許氧通過其中的穿透層，該穿透層形成在基礎構件第二位置處的氧檢測層疊單元和基礎構件外表面之間，該穿透層從氧檢測層疊單元的位置沿基礎構件的軸向延伸。
參照附圖並藉助於下面的描述會理解本發明的其它目的和特徵。
圖1是根據本發明的一個實施例的氧濃度檢測元件的側視圖；圖2是沿圖1的2-2線的放大剖面圖；圖3是根據本發明的一個實施例的氧濃度檢測元件的製造方法的流程圖；圖4是氧濃度檢測元件的設計圖；圖5是氧濃度檢測元件的又一個設計圖；圖6是氧濃度檢測元件配備的示例氧傳感器的剖面圖；和圖7是與圖6類似的另一個示例氧傳感器的視圖。
具體實施例方式
結合本發明的第一和第二方面進行說明。換句話說，本發明的氧濃度檢測元件可以提供有上面提到的根據本發明的第一方面的內電極和上面提到的根據本發明的第二方面的穿透層。這樣，有可能進一步穩定地抑制過量氧引起的傳感器內壓的升高。
根據本發明的第一方面，供給內電極的部分氧可以通過傳感器內部排放到導線(harness)從而阻止氧濃度檢測元件的損壞。
在本發明的第一方面，在用於製造氧濃度檢測元件的焙燒或燒結前，內電極包含佔內電極包含的貴金屬材料總體積(100V.％)的30～50V.％(體積百分比)的孔洞形成劑。30～50V.％的體積範圍可以進一步限定到30～40V.％。通過焙燒使孔洞形成劑消失，從而使內電極成為具有大量孔洞的多孔結構。這樣，供給內電極的部分(過量)氧可以從內電極被排放到元件的末端。所以，有可能阻止氧壓力升高帶來的元件損壞。進一步，有可能在內電極中儲存足夠量的氧。
參照圖1-4和圖6，在下面詳細描述根據本發明第一方面的實施例的氧濃度檢測元件。
如圖1所示，氧濃度檢測元件1具有長圓柱形。如圖2和圖4所示，氧濃度檢測元件1有芯棒(或基礎構件)2，形成在芯棒2的圓周面或外表面的半圓柱區(或第一位置)上的加熱模板(或電加熱層)3，完全覆蓋加熱模板3外表面的加熱絕緣層4，在加熱模板3的徑向相對區(或第二位置)處設置在芯棒2的圓周面2a上的固體電解質層5，形成在固體電解質層5的內表面上的參考電極(或內電極)6，形成在固體電解質層5的外表面上的檢測電極(或外電極)7，緊密地安置在參考電極6的內表面和芯棒2的圓周面2a之間的應力衰減層8，遮蓋檢測電極7和固體電解質層5的外表面的緻密層9，緻密層9中形成的矩形窗口9a(見圖4)，覆蓋緻密層9和熱絕緣層4的印刷保護層10，和完全覆蓋印刷保護層10的尖晶石保護層11。
芯棒2由作為絕緣材料的陶瓷材料(如氧化鋁)構成。芯棒2形成為圓柱形實心構件。這樣，有可能使由於芯棒2的固定方向和氣體流動方向所帶來的影響最小。因此，有可能得到穩定的輸出特性。
加熱模板3由導電材料構成，如鎢、鉑或通電發熱的等同物。加熱模板3與引線部分3a一體形成(參見圖4)。也就是，當電流通過導線部分3a時，加熱模板3產生熱量用於加熱和激活固體電解質層5。
加熱絕緣層4由絕緣材料構成，起到隔離加熱模板3和其周圍部分的作用。
固體電解質層5由包含作為主材料的氧化鋯的材料構成。為了製備固體電解質層5，混合氧化鋯粉末和一定重量百分比的氧化釔粉末以製備料漿。下面會描述，這種料漿(料坯)連同其它的層疊層一同被焙燒。根據周圍環境的氧濃度差值，固體電解質層5在參考電極6和檢測電極7之間產生電動勢。也就是，由於存在氧濃度差值，固體電解質層5中的氧離子沿固體電解質層5的厚度遷移。
這樣，固體電解質層5、參考電極6和檢測電極7構成了將檢測到的氧濃度轉化成相應的電信號的氧檢測層疊單元12。
參考電極6和檢測電極7都由導電材料(如鉑)構成並允許氧氣穿過其中。如圖4所示，參考電極6和檢測電極7分別形成有導線部分6a和7a。也就是，參考電極6和檢測電極7之間產生的輸出功率通過導線部分6a和7a被引導到儀表部分9(未示出)。
如上所述，參考電極6包含貴金屬(如金、銀、釕、銠、鈀、鋨、銥和鉑)，添加一種孔洞形成劑(如可可鹼)並焙燒。這樣，參考電極6提供有多孔結構。
參考電極6的孔洞形成劑佔貴金屬的總體積(100V.％)的30～50V.％。這裡，參照表1說明孔洞形成劑的數量對元件1的影響。如表1所示，當孔洞形成劑的體積百分比等於或大於51V.％時，參考電極6的成型性變壞並會斷裂。另一方面，當其體積百分比小於30V.％時，在參考電極6中不能充分得到連續的貫通孔洞。因此，不能得到穿過參考電極6的足夠的氧。這樣，元件1可能斷裂。有可能通過包含體積百分比為30～50V.％的孔洞形成劑得到具有優越成型性的參考電極6和元件斷裂阻止能力的氧濃度檢測元件。
表1
孔洞形成劑優選地是具有5微米或更小的平均粒徑的顆粒。如果粒徑大於5微米，孔洞形成劑不會均勻地分布在貴金屬材料中。這樣，不足以在參考電極中形成氧逃逸通道。如果粒徑為5微米或更小，最終孔洞的平均粒徑可以是10微米或更小。這樣，就有可能確保形成能在參考電極6中排出過量氧氣的大量孔洞。
應力衰減層8由絕緣材料(如氧化鋁)和固體電解質材料(如氧化鋯)的陶瓷混合物構成。應力衰減層8起到抑制在焙燒固體電解質5的坯料過程中產生的固體電解質5和芯棒2之間應力差的作用。除此之外，應力衰減層8形成氣體逃逸通道(gas escaping passages)，通過固體電解質層5傳遞到參考電極6的氧氣藉助於該通道被引導到逃逸通路(escaping paths)(未示出)。
緻密層9由不允許氧氣穿過其中的材料，如類似氧化鋁的陶瓷材料，構成。緻密層9完全覆蓋了固體電解質層5的外表面。檢測電極7暴露於緻密層9的窗口9a。也就是說，使用中，氧氣只通過窗口9a被引導到檢測電極7。
印刷保護層10完全覆蓋緻密層9和熱絕緣層4的外表面，以及暴露於緻密層9的窗口9a的檢測電極層7的外表面。印刷保護層10具有多孔結構，由不允許有害氣體、灰塵和廢氣中的類似物穿透，但允許氧氣透過的材料構成。該材料為，例如，氧化鋁和氧化鎂的混合物。
尖晶石保護層11完全覆蓋印刷保護層10，用作氧濃度檢測元件1的最外層。尖晶石保護層11由允許氧氣穿透的多孔材料構成。尖晶石保護層11的孔洞較印刷保護層10的孔洞更為粗糙。
接下來，將簡要地描述氧濃度檢測元件1在氧傳感器中的操作，該氧傳感器被安裝在從內燃機(未示出)伸出的廢氣管中。也就是，裝配後，元件1的外表面通過氧傳感器的殼體通孔(openings)向著廢氣管的內部裸露，並且應力衰減層8和大氣連通。
啟動發動機後，加熱模板3通電產生用於加熱的熱量，這樣使固體電解質層5激活。然後，元件1的氧濃度檢測能力被增強。
發動機運轉時，從發動機排出的廢氣經過元件1的外表面。廢氣流過時，廢氣中的氧通過尖晶石保護層11、印刷保護層10和檢測電極7被引到固體電解質層5，同時，大氣中的氧氣被收集在參考電極6周圍。於是，由於參考電極6具有多孔結構，過量的氧被排向元件1的末端，從而阻止元件的氧氣內壓升高。
當在固體電解質層5的外表面和內表面之間產生氧濃度差時，氧離子在固體電解質層5中遷移，從而在參考電極6和檢測電極7之間產生電動勢。這樣，得到輸出電壓，該輸出電壓根據氧濃度差變化。
接下來，參照圖3和圖4描述依照本發明的實施例製造氧濃度檢測元件1的方法。
首先，採用注射成型(S301)製造由陶瓷材料(如氧化鋁)構成的圓柱形實心構件的芯棒2。然後，旋轉芯棒2時，採用曲面絲網印刷術向芯棒2的外表面2a的半圓柱區施予發熱材料(如鉑或鎢)的漿料，從而形成加熱模板3和它的導線部分3a(S302)。接下來，採用曲面絲網印刷術在加熱模板3上形成氧化鋁或類似物的熱絕緣層4(S303)。
接下來，採用曲面絲網印刷術在芯棒2的外表面2a上、與加熱模板3的印刷部分徑向相對的區域形成應力衰減層8(S304)。然後，採用曲面絲網印刷術施加導電漿料或貴金屬材料(如鉑)和30～50V.％的孔洞形成劑的混合物，從而整體(monolithically)形成參考電極6和它的導線部分6a(S305)。
然後，採用曲面絲網印刷術施加漿料(如氧化鋯和氧化釔的混合物)以覆蓋如圖2所示的參考電極6、應力衰減層和類似部分，從而形成氧離子導通的固體電解質層5(S306)。
然後，採用曲面絲網印刷術向固體電解質層5和類似物施加導電漿料9(如鉑)，從而整體形成檢測電極7和它的導線部分7a(S307)。然後，採用曲面絲網印刷術向檢測電極7和固體電解質層5施加陶瓷材料(如氧化鋁)，從而形成具有窗口9a的緻密層9(S308)。檢測電極7的中心部分向緻密層9的窗口9a暴露，該暴露的中心部分充當有效的電極部分。
然後，採用曲面絲網印刷術施加漿料(如氧化鋁和氧化鎂的混合物)以完全覆蓋芯棒2沿圓周方向的外表面2a，從而形成印刷保護層10(S309)。類似地，形成尖晶石保護層11以沿圓周方向完全覆蓋芯棒2的外表面2a(S310)。於是，曲面絲網印刷術的步驟結束了。
然後，上面提到的曲面絲網印刷品和類似物的圓柱形坯料在高溫(例如1200-1600℃)下焙燒，從而整體燒結該坯料。然後，參考電極6中的孔洞形成劑消失以在其中形成大量孔洞。於是，製備的參考電極具有多孔結構，這樣就完成了氧濃度檢測元件1的製造過程。完成的元件1可以建造在氧傳感器中，如圖6所示。
根據本發明的第二方面，提供穿透層排出供給電極的過量氧。因此，有可能抑制過量氧引起的元件內壓升高，從而阻止元件的損壞。
在本發明的第二方面，在基礎構件的外表面和基礎構件的第二位置的氧檢測層疊單元之間形成穿透層。進一步，穿透層沿基礎構件的軸向從氧檢測層疊單元的位置延伸。於是，有可能從電加熱層向固體電解質層有效地傳遞熱量。進一步，有可能嚮導線排出過量氧，從而抑制元件內壓的升高以阻止元件的損壞。
參照圖1-3，5和7，下面將詳細地描述根據本發明的第二方面的實施例的氧濃度檢測元件。由於此元件的結構類似於上述根據本發明的第一方面的實施例的元件，下面的描述只針對不同於本發明第一方面的部件、結構、操作和製造方法。
與本發明的第一方面相反，焙燒前參考電極8不包含孔洞形成劑。
如圖2和5所示，氧濃度檢測元件1具有允許氧通過其中的應力衰減層(或穿透層)8。應力衰減層8沿芯棒2的軸向從氧檢測層疊單元12的位置延伸(圖5)。
應力衰減層8由絕緣材料(如氧化鋁)和固體電解質材料(如氧化鋯)的陶瓷混合物構成。應力衰減層8中絕緣材料的含量可以是10wt％～80wt％。於是，有可能更確保阻止在應力衰減層8和芯棒2之間產生的應力差值。這樣，有可能阻止應力衰減層8從芯棒2的分離。
這裡，參照表2說明應力衰減層(SDL)8中絕緣材料含量對應力衰減層8的焙燒收縮率的影響。如表2所示，通過將絕緣材料的含量調整到10～80％之間，焙燒應力衰減層8的收縮率為16～18％。由於芯棒2的收縮率大約是17％，可以理解通過將絕緣材料的含量調整到10～80％之間，應力衰減層8和芯棒2之間的收縮率差值趨於零或非常小。於是，有可能有效地阻止焙燒階段會在應力衰減層8和芯棒2之間產生的應力差值。
表2
氧化鋁芯棒的焙燒收縮率大約17wt％可替代地，應力衰減層8可以完全由絕緣材料構成。於是，有可能在氧檢測層疊單元12和芯棒2之間具有可靠的絕緣。進一步，有可能嚮導線排出過量氧，從而抑制元件內壓升高以阻止元件的損壞。
可以通過向絕緣材料和固體電解質材料的陶瓷混合物中添加孔洞形成劑製備應力衰減層8。焙燒後，孔洞形成劑消失以使應力衰減層8具有大量孔洞的多孔結構。因此，有可能向元件1的端部排出參考電極6提供的過量氧，從而阻止氧壓升高引起的元件1的損壞。
應力衰減層8的孔洞形成劑的含量位於30～50V.％之間，此含量是基於應力衰減層8的陶瓷混合物的總體積(100V.％)。於是，有可能更確保嚮導線排出過量氧，從而抑制元件內壓升高以阻止元件的損壞。這裡，參照表3解釋孔洞形成劑的含量對元件1的影響。如表3所示，當孔洞形成劑的含量是51V.％或更多時，應力衰減層8的成型性變差並且可能斷裂。另一方面，當其含量低於30V.％時，不可能充分保證應力衰減層8中的連續貫通孔洞。因此，不可能得到足夠氧穿透應力衰減層8。於是，元件1可能斷裂。通過含有30～50V.％孔洞形成劑有可能得到具有優越成型性的應力衰減層8和阻止元件斷裂的氧濃度檢測元件。上述的30～50V.％範圍可以進一步限定到30～40V.％。
與少量(如9.5V.％)的孔洞形成劑相比，通過添加大量(如45V.％)孔洞形成劑，有可能形成大量連續穿透孔洞，從而具有充分地氧穿透性。
表3
氧濃度檢測元件的操作中，大氣中的氧被集中到參考電極6周圍。然後，由於應力衰減層8具有多孔結構，過量氧被排放到元件1的末端，從而阻止元件的氧內壓升高。
完成的元件1可以建造在氧傳感器22中，如圖7所示。
這裡包括日本專利申請JP2004-172402(2004年6月10日提交)和JP2004-172414(2004年6月10日提交)的全部內容，它們的優先權為本申請文件。
儘管上面參照適當的實施例描述了本發明，本發明不僅限於上面所述的實施例。對於熟悉本領域的人員可以根據上面的教導修改和變化上述實施例。例如，上面提到的緻密層9的矩形窗口9a可以被修改為具有圓形、橢圓形或三角形的形狀。作為另一個例子，圓柱形的芯棒2可以被修改為具有平坦的外表面。本發明的保護範圍參照下面的權利要求書被限定。
權利要求
1.一種氧濃度檢測元件，包括由絕緣材料構成的基礎構件，該基礎構件的外表面具有第一位置和不同於第一位置的第二位置；形成在基礎構件的第一位置上的電加熱層以在通電時產生熱量；和形成在基礎構件的第二位置上的氧檢測層疊單元，該氧檢測層疊單元包括(a)由來自電加熱層的熱量激活的固體電解質層；(b)形成在固體電解質層的外表面上的外電極；和(c)形成在固體電解質層的內表面上與外電極相對的內電極，該內電極由貴金屬材料和大量分布在其中的孔洞構成，這些孔洞來源於在進行用於製造氧濃度檢測元件的焙燒之前佔貴金屬材料總體積的30～50體積％的孔洞形成劑。
2.如權利要求1所述的氧濃度檢測元件，其特徵在於，內電極的孔洞形成劑為顆粒形態，其平均粒徑為5微米或更小。
3.如權利要求1所述的氧濃度檢測元件，其特徵在於，基礎構件是具有圓柱形外表面的圓柱形實心構件。
4.如權利要求3所述的氧濃度檢測元件，其特徵在於，電加熱層和氧檢測層疊單元被放在圓柱形實心構件的徑向相對部分。
5.如權利要求1所述的氧濃度檢測元件，其特徵在於，內電極的貴金屬材料是選自包含金、銀、釕、銠、鈀、鋨、銥或鉑的組中的一種金屬。
6.如權利要求1所述的氧濃度檢測元件，進一步包括允許氧透過其中的穿透層，該穿透層形成在基礎構件第二位置處的氧檢測層疊單元和基礎構件外表面之間，該穿透層從氧檢測層疊單元的位置沿基礎構件的軸向延伸。
7.如權利要求6所述的氧濃度檢測元件，其特徵在於，穿透層由包含10～80wt％的絕緣材料和固體電解質材料的陶瓷混合物構成。
8.如權利要求7所述的氧濃度檢測元件，其特徵在於，穿透層具有由大量孔洞提供的多孔結構，所述孔洞來源於在進行用於製造氧濃度檢測元件的焙燒前佔陶瓷混合物總體積30～50體積％的孔洞形成劑。
9.如權利要求6所述的氧濃度檢測元件，其特徵在於，穿透層由100％的絕緣材料構成。
10.一種製造氧濃度檢測元件的方法，包括以下步驟(a)製備由絕緣材料構成的基礎構件，該基礎構件具有包含第一位置和不同於第一位置的第二位置的外表面；(b)在基礎構件的第一位置上形成電加熱層以在通電時產生熱；(c)在基礎構件的第二位置上形成內電極，內電極由貴金屬材料和佔貴金屬材料總體積30～50體積％的孔洞形成劑構成；(d)在內電極上形成固體電解質層；(e)在固體電解質層上形成外電極，以便提供氧檢測層疊單元，該氧檢測層疊單元包括所述內外電極和可操作地夾在其間的固體電解質層，並且固體電解質層由電加熱層的熱量激活；和(f)焙燒包含基礎構件、電加熱層和氧檢測層疊單元的坯料，由此孔洞形成劑消失以在內電極中產生大量孔洞並使內電極具有多孔結構。
11.如權利要求10所述的方法，其特徵在於，基礎構件通過步驟(a)形成為圓柱形實心構件，並且步驟(b)、(c)、(d)和(e)的每一步都採用曲面絲網印刷術。
12.如權利要求10所述的方法，其特徵在於，內電極的貴金屬材料是一種選自包含金、銀、釕、銠、鈀、鋨、銥或鉑的組中的金屬。
13.一種氧濃度檢測元件，包括由絕緣材料構成的基礎構件，該基礎構件的外表面具有第一位置和不同於第一位置的第二位置；形成在基礎構件的第一位置上的電加熱層以在通電時產生熱量；形成在基礎構件的第二位置上的氧檢測層疊單元，該單元包括固體電解質層和一對電極，所述固體電解質層可操作地夾在所述一對電極之間，並且由來自電加熱層的熱量所激活；和允許氧透過的穿透層，該穿透層形成在位於基礎構件第二位置處的氧檢測層疊單元和基礎構件外表面之間，該穿透層從氧檢測層疊單元的位置沿基礎構件的軸向延伸。
14.如權利要求13所述的氧濃度檢測元件，其特徵在於，穿透層由包含10～80wt％的絕緣材料和固體電解質材料的陶瓷混合物構成。
15.如權利要求14所述的氧濃度檢測元件，其特徵在於，穿透層具有由大量孔洞提供的多孔結構，所述孔洞來源於在進行用於製造氧濃度檢測元件的焙燒前包含在陶瓷混合物中並佔陶瓷混合物總體積的30～50體積％的孔洞形成劑。
16.如權利要求13所述的氧濃度檢測元件，其特徵在於，穿透層由100％的絕緣材料構成。
17.如權利要求13所述的氧濃度檢測元件，其特徵在於，基礎構件是具有圓柱形外表面的圓柱形實心構件。
18.如權利要求17所述的氧濃度檢測元件，其特徵在於，電加熱層和氧檢測層疊單元都放置在圓柱體實心構件的徑向相對部分。
19.如權利要求14所述的氧濃度檢測元件，其特徵在於，絕緣材料是氧化鋁，固體電解質材料是氧化鋯。
全文摘要
本發明涉及一種氧濃度檢測元件，它包括(a)由第一絕緣材料構成的基礎構件；(b)形成在基礎構件上的電加熱層以在通電時發熱；和(c)形成在基礎構件上的氧檢測層疊單元，該單元包括內外電極和夾在其間的固體電解質層。內電極可能由貴金屬材料和分布在其中的孔洞構成，孔洞來源於孔洞形成劑。氧濃度檢測元件可以包括位於基礎構件的外表面和氧檢測層疊單元之間的允許氧透過的穿透層。穿透層從氧濃度檢測單元的位置沿基礎構件的軸向延伸。
文檔編號G01N27/41GK1707256SQ20051007801
公開日2005年12月14日 申請日期2005年6月10日 優先權日2004年6月10日
發明者堺祥一, 一柳太, 小野塚準二, 織茂康司 申請人:株式會社日立製作所