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一種實現超高密顯示的垂直結構LED晶片封裝結構的製作方法

2023-12-10 10:53:22


本實用新型涉及LED封裝技術領域,具體涉及一種實現超高密顯示的垂直結構LED晶片封裝結構。



背景技術:

隨著室內顯示應用技術不斷提高,傳統顯示產品技術逐漸登頂,室內小間距產品成為未來主要的技術拓展空間;為取代LCD、DLP室內高清顯示產品,用於小間距顯示屏的LED封裝結構的尺寸要做的更小來縮小顯示屏的像素點距離,實現高清顯示功能。傳統小間距LED封裝結構採用表面雙電極的晶片設計,在LED封裝過程需通過兩條鍵合線分別將兩個電極與BT板焊盤相連接達到導通的作用。焊線鍵合對晶片的電極和BT板焊盤的距離有要求,距離太小,會造成無法焊接或者焊接可靠性低的問題,因而制約了小間距LED的封裝尺寸的縮小。



技術實現要素:

為解決上述技術問題,我們提出了一種實現超高密顯示的垂直結構LED晶片封裝結構,該LED封裝結構的長、寬尺寸可為0.45mm-1.0mm之間,最小尺寸可做到0.45*0.45mm,實現超高密顯示的LED全彩應用。

為達到上述目的,本實用新型的技術方案如下:

一種實現超高密顯示的垂直結構LED晶片封裝結構,包括基板、藍光LED晶片、綠光LED晶片、紅光LED晶片、鍵合線、A獨立焊盤、B獨立焊盤、C獨立焊盤、公共焊盤和三角形結構綠漆;所述藍光LED晶片、綠光LED晶片和紅光LED晶片均為垂直結構的晶片,所述基板的正面和背面分別設置有正面電路線路和背面電路線路,並在所述基板上設置有用於連接所述正面電路線路和所述背面電路線路的導電孔,所述導電孔從所述正面電路線路延伸到所述背面電路線路,並通過導電金屬物質或非導電物質將其塞滿密封填平,所述基板的正面電路線路上設置有一個公共焊盤並於放置所述藍光LED晶片、綠光LED晶片和紅光LED晶片的區域分別設置有所述A獨立焊盤、B獨立焊盤和C獨立焊盤,所述A獨立焊盤、B獨立焊盤和C獨立焊盤呈「品」字結構,所述藍光LED晶片、綠光LED晶片和紅光LED晶片通過導電底膠分別連接在所述A獨立焊盤、B獨立焊盤和C獨立焊盤上,所述藍光LED晶片、綠光LED晶片和紅光LED晶片表面電極分別通過一根所述鍵合線連接到所述公共焊盤上,所述基板背面中部設置有三角形結構綠漆。

優選的,所述基板的厚度為0.1mm-0.5mm,顏色為黑色或者白色,材質為BT基板、FR4基板、鋁基板、銅基板、陶瓷基板的其中一種或幾種混合。

優選的,所述基板正面電路線路銅層上是鎳,鎳厚度在100-300u"之間;鎳層上可鍍銀或金,也可鍍銀後再鍍一層金,銀厚在20-80u"之間,金厚在2-10u"之間。

優選的,所述導電孔的直徑為0.05-0.5mm,所述導電孔內金屬填充物是通過電鍍或者塞金屬柱的方式完成,或用塞非金屬物質的方式來完成。

通過上述技術方案,本實用新型通過採用導電底膠把所述垂直結構的藍光LED晶片、綠光LED晶片和紅光LED晶片分別連接在所述基板上的所述A獨立焊盤、B獨立焊盤和C獨立焊盤上,然後每個LED晶片只需要一根所述鍵合線與所述基板上所述公共焊盤相連接即可達到導通作用。該封裝結構大大縮小了LED封裝結構的尺寸,其長、寬尺寸可為0.45mm-1.0mm之間,最小尺寸可做到0.45*0.45mm;大大縮小顯示屏的像素點距離,實現超高密顯示的LED全彩應用,應用效果極佳。該封裝結構使室內顯示應用技術的水平又提高了一個臺階。為室內小間距顯示應用技術做出了巨大的貢獻。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對於本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實用新型實施例所公開的一種實現超高密顯示的垂直結構LED晶片封裝結構正面結構示意圖;

圖2為本實用新型實施例所公開的一種實現超高密顯示的垂直結構LED晶片封裝結構背面結構示意圖。

圖中數字和字母所表示的相應部件名稱:

1、基板 2、藍光LED晶片 3、綠光LED晶片 4、紅光LED晶片 5、鍵合線 6、A獨立焊盤 7、B獨立焊盤 8、C獨立焊盤 9、公共焊盤 10、三角形結構綠漆 11、導電孔

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例。基於本實用新型中的實施例,本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬於本實用新型保護的範圍。

下面結合實施例和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明。

實施例.

如圖1和圖2所示,一種實現超高密顯示的垂直結構LED晶片封裝結構,包括基板1、藍光LED晶片2、綠光LED晶片3、紅光LED晶片4、鍵合線5、A獨立焊盤6、B獨立焊盤7、C獨立焊盤8、公共焊盤9和三角形結構綠漆10;所述藍光LED晶片2、綠光LED晶片3和紅光LED晶片4均為垂直結構的晶片,所述基板1的正面和背面分別設置有正面電路線路和背面電路線路,並在所述基板1上設置有用於連接所述正面電路線路和所述背面電路線路的導電孔11,所述導電孔11從所述正面電路線路延伸到所述背面電路線路,並通過導電金屬物質或非導電物質將其塞滿密封填平,所述基板1的正面電路線路上設置有一個公共焊盤9並於放置所述藍光LED晶片2、綠光LED晶片3和紅光LED晶片4的區域分別設置有所述A獨立焊盤6、B獨立焊盤7和C獨立焊盤8,所述A獨立焊盤6、B獨立焊盤7和C獨立焊盤8呈「品」字結構,所述藍光LED晶片2、綠光LED晶片3和紅光LED晶片4通過導電底膠分別連接在所述A獨立焊盤6、B獨立焊盤7和C獨立焊盤8上,所述藍光LED晶片6、綠光LED晶片7和紅光LED晶片8表面電極分別通過一根所述鍵合線5連接到所述公共焊盤9上,所述基板1背面中部設置有三角形結構綠漆10。

所述基板1的厚度為0.1mm-0.5mm,顏色為黑色或者白色,材質為BT基板、FR4基板、鋁基板、銅基板、陶瓷基板的其中一種或幾種混合。

所述基板1正面電路線路銅層上是鎳,鎳厚度在100-300u"之間;鎳層上可鍍銀或金,也可鍍銀後再鍍一層金,銀厚在20-80u"之間,金厚在2-10u"之間。

所述導電孔11的直徑為0.05-0.5mm,所述導電孔11內金屬填充物是通過電鍍或者塞金屬柱的方式完成,或用塞非金屬物質的方式來完成。

通過上述技術方案,本實用新型通過採用導電底膠把所述垂直結構的藍光LED晶片2、綠光LED晶片3和紅光LED晶片4分別連接在所述基板1上的所述A獨立焊盤6、B獨立焊盤7和C獨立焊盤8上,然後每個LED晶片只需要一根所述鍵合線5與所述基板1上的所述公共焊盤9相連接即可達到導通作用。該封裝結構大大縮小了LED封裝結構的尺寸,其長、寬尺寸可為0.45mm-1.0mm之間,最小尺寸可做到0.45*0.45mm;大大縮小顯示屏的像素點距離,實現超高密顯示的LED全彩應用,應用效果極佳。該封裝結構使室內顯示應用技術的水平又提高了一個臺階。為室內小間距顯示應用技術做出了巨大的貢獻。

以上所述的僅是本實用新型的一種實現超高密顯示的垂直結構LED晶片封裝結構優選實施方式,應當指出,對於本領域的普通技術人員來說,在不脫離本實用新型創造構思的前提下,還可以做出若干變形和改進,這些都屬於本實用新型的保護範圍。

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