利用氣體注入孔的pecvd的光發射幹涉測量的製作方法

2023-12-02 15:18:46

專利名稱：：利用氣體注入孔的pecvd的光發射幹涉測量的製作方法
技術領域：
：本發明涉及等離子體處理設備，更具體地，涉及具有用於監測和控制等離子體處理的光學監測和控制系統的等離子體反應器系統。
背景技術：
：等離子體處理在半導體器件和矽基微型電路的製造中廣泛使用。它們也應用在例如波導和光學器件製造的其它非半導體設備和許多非矽基器件(基於例如GaAs的m-V族材料的器件)中。等離子體處理通常分為兩種，即蝕刻和沉積。在等離子體蝕刻技術中，將基板暴露給反應氣體等離子體，並通過形成揮發副產物從該表面去除材料。通過利用不受腐蝕的掩模使基板圖案化，可以將圖案有效地轉移到基板表面層。在等離子體沉積(等離子體增強化學氣相沉積(PECVD))中，將氣態的前體引入到低壓等離子體中，其中進行反應產生沉積在基板上作為薄膜的固態副產物。例如，SiH4和N20一般用於製造Si02膜。對於這兩種技術，重要的是在適當的時間或"終點"終止該工藝。對於蝕刻工藝，這可以是去除特定層的點，而對於沉積工藝其可以是沉積了所希望膜厚度的點。描述了基於光學技術的許多終點方法。光發射光譜術(OES)依靠監測由等離子體發射的輻射並且使在特定波長的發射變化與等離子體變化相關聯。當膜被蝕刻和去除時會出現這種變化，因為這會產生等離子體組成上的變化。該技術可應用於監測蝕刻終點，但由於在沉積膜時不會出現這樣的變化，所以這對於在沉積工藝中確定膜厚度是沒用的。通過測量由於從膜的上下表面反射的光的幹涉而引起的反射光的幅度變化，幹涉測量可以用於測量膜的厚度。當膜厚度變化時(在蝕刻工藝的情況下降低，或在沉積工藝中增加)，反射光的強度隨厚度d以循環的方式變化，對應於l個周期，給出如下d=入/2n其中入是反射光的波長；和n是在特定波長的膜的折射率。一般從外部提供反射的光的源(例如雷射器或連續源)。然而，等離子體本身可以用作該源，在這種情況該技術稱為光發射幹涉測量(OEI)。原則上，該技術對於蝕刻和沉積工藝將都可用。對於所有光學技術共同的是，需要提供監測發射或反射輻射所需的光學透明且真空密閉的窗口。對於OEI，理想地定位該窗口以便觀察一般從基板表面反射的等離子體發射。然而，為了有效，該窗口的存在不應使該等離子體局部混亂，因為這會影響被監測的基板區域。這在採用近的電極間隔以保持良好膜質量的平行板PECVD系統中尤其是如此。而且，對於隨著長時間正確運行的技術，在存在反應性等離子體和工藝副產物時該窗口必須保持光學清晰。Curtis(US專利No.4，328，068)描述了在蝕刻工藝中使用OEI作為終點技術。將用於收集等離子體發射的光管塞進等離子體中並因此擾亂等離子體。而且，沒有提供任何措施防止光學部件由於蝕刻工藝隨著時間的退化。同樣，Auda等(US專利No.5,223,914)描述了在蝕刻工藝期間利用幹涉測量模式的光譜儀測量膜厚度。通過石英窗口觀察等離子體,該石英窗口沒有提供保護以不受等離子體環境影響。Curtis或Auda等考慮到了監測沉積工藝。Sawin等(US專利No.5，450，205)使用OEI來利用電荷耦合器件(CCD)檢測器陣列監測橫跨處理晶片表面的多個點。這使大的窗口(50mm)成為必要，其對於所論述的蝕刻應用來說是可接受的，但對於平行板PECVD應用來說是不可接受的。通過沒有提供保護以不受等離子體環境影響的窗口觀察該等離子體。Pirkle等(US專利No.5,846,373)描述了使用OEI來測量沉積工藝中的膜厚度。通過裝配在腔室壁中的窗口觀察該等離子體，但沒有提供任何措施來保護窗口不受沉積的影響。Chen等(US專利No.6,071,375)論述了藉助通過位於等離子體和窗口之間的預腔室的清洗氣流保護安裝窗口的壁。Chen等沒有教導將窗口放置在電極內並且該結構不可應用於平行板PECVD系統。Ookawa等(US專利No.6,758,941)描述了一種位於噴淋頭氣體分布電極中的窗口。藉助位於電極中的高縱橫比的孔保護該窗口不受等離子體環境的影響。在近電極間隔的結構，例如平行板PECVD中，這些特徵會局部擾亂等離子體。需要將窗口裝配到平行板PECVD系統中的裝置，以便該窗口不擾亂等離子體並且其允許與晶片垂直地觀察等離子體，準許利用OEI的膜厚度測量。'因此，需要提高等離子體蝕刻工藝的處理狀態功能的最佳化。在現有技術中沒有提供本發明所帶來的好處。因此，本發明的目的是提供一種改進，其克服了現有技術器件的不足，且其構成對半導體處理技術進步的顯著貢獻。本發明的另一目的是提供一種用於處理基板的等離子體設備，包括真空室；用於在所述真空室中產生等離子體的至少一個電源；用於支撐基板的基板基座；具有擁有多個標準噴淋頭孔的氣體分布系統的上電極組件；與所述標準噴淋頭孔的至少一個光通信的檢測器，所述檢測器測量穿過所述標準噴淋頭孔發射的等離子體發射；與所述檢測器和所述電源電通信的控制系統；以及布置在所述上電極組件中的光學部件，用於觀察穿過所述噴淋頭孔的等離子體發射。本發明的另一目的是提供一種用於監測基板的等離子體處理的方法，該方法包括如下步驟在真空室內的基板基座上定位該基板；通過上電極組件的氣體分布系統的多個標準噴淋頭孔引入氣體；從所述真空室內的所述氣體產生等離子體；在基板的等離子體處理期間監測所述等離子體，利用位於所述上電極組件的所述氣體分布系統內的光學部件，通過收集和測量^過至少一個標準噴淋頭孔發出的等離子體發射進行所述的監測；以及基於所述監測步驟終止所述的等離子體。前面己略述了本發明的一些相關目的。這些目的應解釋為僅僅是對所構思的發明的更多主要特徵和應用中的一些的說明。可以通過以不同的方式應用所公開的發明或者在該公開的範圍內修改本發明來獲得許多其它的有益結果。因此，本發明的其它目的和更充分的理解，除了結合附圖由權利要求定義的本發明的範圍之外，還可通過參考
發明內容和具體實施方式來實現。
發明內容為了概述本發明，本發明包括一種用於在基板的等離子體處理期間通過位於等離子體系統的上電極中的標準氣體噴淋頭的標準噴淋頭孔提高等離子體工藝的光學檢測的方法和設備。本發明的特徵在於提供一種用於處理基板的等離子體設備，該設備包括真空室和用於在真空室中產生等離子體的至少一個電源。該真空室具有用於支撐基板的基板基座和上電極組件。基板基座和上電極組件可以是RF供電的和/或RF接地的。具有多個標準噴淋頭孔的標準氣體分布系統提供在上電極組件中。至少一個光纖傳感器定位在標準氣體分布系統的至少一個標準噴淋頭孔內。由光纖傳感器接收的信號(在基板的等離子體處理期間產生的等離子體發射的測量)可以反射自真空室內的基板表面或其它的已知材料。可以對準該光纖傳感器以便接收的信號垂直於基板的表面。而且還提供了一種控制系統，其與光纖傳感器以及在真空室內產生等離子體的電源電通信，以響應於通過光纖傳感器接收的讀數(測量結果)終止和/或調節等離子體工藝。另外，提供位於上電極組件中的窗口，用於通過標準的噴淋頭孔觀察等離子體發射。本發明的另一特徵在於提供一種用於監測基板的等離子體處理的方法。該方法包括將基板定位在真空室內的基板基座上的步驟。通過上電極組件的氣體分布系統的多個標準噴淋頭孔將處理氣體引入真空室中。該噴淋頭可以是接地的和/或RF供電的。在真空室內由處理氣體產生等離子體。在基板的等離子體處理期間監測所產生的等離子體的光發射。使用位於上電極組件的氣體分布系統的至少一個標準噴淋頭孔內的至少一個光纖傳感器，來檢測基板的等離子體處理。由光纖傳感器接收的信號(在基板的等離子體處理期間產生的等離子體發射的測量)可以反射自真空室內的基板表面或其它的已知材料。可以對準該光纖傳感器以便該信號與基板的表面垂直。而且還提供了一種控制系統，其與光纖傳感器以及在真空室內產生等離子體的電源電通信，以響應於通過光纖傳感器接收的讀數(測量結果)終止和/或調節等離子體工藝。可以基於從基板表面測量的等離子體發射來計算膜性質。該膜性質可以是膜沉積速率、折射率、膜厚度等。可以在300至400納米的波長上測量來自基板的等離子體處理的等離子體發射。基於測量的膜性質，可以調節和/或終止基板的等離子體處理。基板的等離子體處理可以是蝕刻和/或沉積工藝。在基板的等離子體處理期間可以引入含氮氣體。另外，提供位於上電極組件中的窗口，用於通過標準的噴淋頭孔觀察等離子體發射。前面概略地，而非廣泛地，說明了本發明的更主要的和重要的特徵，以便可以更好地理解隨後的本發明的詳細描述，以使得可以更全面地認識對本領域的貢獻。在下文將描述本發明另外的特徵，其形成了本發明權利要求的主題。本領域的技術人員應當認識到，可容易地利用公開的原理和具體實施例來作為修改或設計用於執行與本發明相同目的的其它結構的基礎。本領域的技術人員還應當明白，這樣的等效構造沒有脫離在所附權利要求中提出的本發明的精神和範圍。圖1是典型的現有技術的平行板PECVD系統的示意圖；圖2是利用本發明的光纖傳感器布置的等離子體系統的標準噴淋頭組件的放大(blownup)示意圖；圖3是利用本發明的光纖傳感器布置的等離子體系統的標準噴淋頭孔的放大示意圖；圖4是示出經由電極主體的進氣口的標準的現有技術隔板的放大圖；圖5示出了當使用典型的二氧化矽沉積工藝時通過噴淋頭孔觀察的光譜圖；圖6是等離子體發射強度隨著時間變化的圖；圖7是膜厚度隨著時間變化的圖；圖8是逐次運行(runtorun)的沉積速率變化的圖；和圖9是逐次運行(runtorun)的膜厚度變化的圖。貫穿幾幅附圖，相同的附圖標記表示相同的部件。具體實施方式公開了這樣一種裝置將窗口裝配到平行板PECVD系統的上部的RF供電的電極中，該電極用作噴淋頭氣體分布裝置，並且通過標準噴淋頭孔觀看從基板反射的等離子體發射。圖1示出了典型的PECVD系統的示意截面圖。真空室包含用作基板支撐的下加熱的電極。在與上電極相同的頻率或更高或更低的頻率，該電極通常是RF接地的，但可選地可以是RF供電的。上加熱的電極具有由阻抗匹配網(未示出)施加的RF功率，並且在兩個電極之間的區域中產生了等離子體。如果下電極是RF供電的，則上電極可選地可以是RF接地的。處理氣體通過上電極被引入該室中且通過電極內的眾多小孔均勻地分散在基板上方，這構成了通常所說的"噴淋頭"。噴淋頭孔的實際尺寸和分布取決於沉積所使用的具體工藝參數，但對於標準的噴淋頭常常使用在0.010〃至0.050"範圍內的孔直徑。這樣的設計在本領域中是眾所周知的且還可以包含利用中間氣體分布"隔板"(圖2、4)。利用結合有允許控制處理壓力的節流閥的適當泵浦系統(未示出)從該室中泵浦處理氣體。對於PECVD，通常處理壓力在1Torr至幾Torr範圍內。為了在這些壓力下保持穩定均勻的等離子體，電極間隔為幾釐米至幾毫米的數量級。當希望近的電極間隔時，在蝕刻應用中也可使用類似的結構。利用這種小的電極間隔，不能夠利用常規的觀察口來監測等離子體，因為該觀察口的存在會擾亂等離子體。圖2示出了結合有定位在電極主體20中的光學部件的本發明的實例，該部件允許通過噴淋頭50的標準噴淋頭孔40監測等離子體發射30。等離子體發射30穿過噴淋頭孔40、穿過隔板70中的孔60、穿過透明窗口80，並被位於觀察口10內的光纖90收集。發射也可通過光纖90直接收集而不需要窗口80，但這是次優解決方案，因為這需要光纖也必須真空密封入電極主體20中。可選地，透鏡100定位在隔板70中以增加到達光纖90的光的量。光纖90—般對於30度數量級的輻射具有受光角(acceptanceangle)。因此，不必使光纖卯與觀察口嚴格地對準，以確保從等離子體30發射的光的有效傳送。光纖卯使等離子體發射30耦合至合適的輻射檢測器(未示出)。這還可包括濾光器或一系列濾光器，或者波長分散部件(稜鏡或光柵)，以便可以測量不同波長的輻射。方便地，檢測器包括允許200nm至850nm波長範圍上的同時檢測的多通道光譜儀(例如由OceanOptics製造的型號S2000)。在正常操作下，噴淋頭50後面的容積填充有處理氣體，該處理氣體通過隔板70中的氣體通道65和孔60引入，並通過噴淋頭50中的孔40離開進入等離子體區域。沒有等離子體存在於該容積內，因此窗口80(以及透鏡100，如果存在的話)僅暴露到未反應的氣體，並且不會遇到由於等離子體副產物的侵蝕或沉積引起的任何退化。不需要通過額外的屏蔽或氣體清洗來提供窗口80的特殊保護。由正常處理氣體流產生的保護確保窗口SO僅暴露於潔淨的環境，所述處理氣體流包括所有的處理氣體(0.1-10升/min的量級)。同樣，不需要修改用於監測等離子體發射30的具體噴淋頭孔40。噴淋頭孔40是標準的噴淋頭孔，可選地其與其它相鄰的噴淋頭孔一致。由此，在氣體分布上沒有局部變化，以及不存在工藝的擾亂。沒有用於觀察等離子體發射30的噴淋頭孔40的修改或用於保護窗口80的額外硬體，意味著本發明容易被結合到複雜的固定裝置中(在該情況下，結合到高溫和RF供電的電極中)，並且它的存在不會干擾等離子體，因此也不會以任何方式幹擾該處理。圖3示出了標準噴淋頭孔40的放大圖，並示出了兩個直接的等離子體發射30以及從基板110(位於基板基座120上)反射的等離子體發射30穿過噴淋頭孔40並被光纖90和檢測器接收。圖4示出了現有技術隔板的放大圖，其示出經由電極主體的進氣□。圖5示出了在使用典型的二氧化矽沉積工藝時通過噴淋頭孔觀察的頻譜。儘管孔尺度小和穿過孔的輻射量有限，但該結構足夠敏感來為進一步的分析提供足夠的信號。圖5的頻譜主要是N2的頻譜，其是所使用的沉積工藝的主要組成。觀察了300nm至400nm區域中的多個主要分子發射頻帶，並將它們標記為a、b、c、d。因為所檢測的頻譜的部分是從基板表面反射的，所以由於薄膜表面處的反射而出現信號幹擾。不管基板具有簡單的反射表面(例如矽或GaAs晶片)或由於因先前的圖案化操作而存在的拓撲而具有複雜的反射，都是如此。因此，在二氧化膜的沉積期間，這些頻帶的強度隨著膜厚度生長以循環方式隨著時間變化。這示於圖6中。表1中示出了以上論述的發射頻帶的波長以及對應於反射強度中的一個循環的計算的厚度。表l:二氧化矽膜(nf=1.46)的千涉周期tableseeoriginaldocumentpage13該厚度是基於預測量或預指定的膜的折射率，'其在所給出的實例中對於二氧化矽膜中是1.46。得到這個值，從圖6的數據直接確定膜厚度。對於發射頻帶"b"(波長-337.1nm)，在圖6中將循環標記為卜6，並將對應於每個循環的膜厚度列於表2中。表2:在337.1nm的膜厚度tableseeoriginaldocumentpage14同樣，可以確定與半循環對應的膜厚度。工藝中出現這些點的時間可以通過例如通過檢測信號的微分為零的時間來檢測信號的局部極大或極小來確定，但也可採用其它眾所周知的峰值檢測算法。於是能夠原位(insitu)確定隨著處理進行膜厚度與時間的關係，如圖7所示，並由此確定沉積速率。對於最後一個循環(或半循環)得知時間t和厚度d，則沉積速率Rd簡單地等於d/t。Rd的更精確的確定可以通過對時間/厚度數據進行線性回歸分析來進行。可以每當檢測半循環時更新這個值。在工藝中的任何時間tp^^，膜厚度T則為T—RdXtprocess對於非常厚的膜，由於沉積的膜影響等離子體的特性，Rd隨著時間變化，而在這種情況下多項式分析是更合適的。可使用其它手段從幹涉信號提取膜厚度數據。峰之間的峰值計算和內插/外插是眾所周知的。還可以使用將該數據轉換到頻域以及對該數據進行例如傅立葉變換來確定該信號的頻率(因此確定循環時間)。從該循環時間，如以上略述的，簡單地計算在任何時間的沉積速率和膜厚度。'測量並不限於單一波長，而是可以同時監測和分析多個波長(當前實例中的a、b、C和d)。這提供了更多的數據點和沉積速率的更精確的確定。另外，具有在許多波長上的數據可以允許確定膜的其它性質，例如折射率或膜吸收(n和k值)。還可通過兩個以上的噴淋頭孔觀察該發射。如果這種孔位於基板上方的不同點處，則可以測量的局部的沉積速率，並從該測量可以確定工藝均勻性。如果至少一個孔定位得遠離基板，則通過那個孔傳輸的發射僅具有直接等離子體發射分量而沒有來自基板的反射的貢獻(圖3)。該直接分量可以用作"背景"信號並且被從直接信號加上從基板上接收的反射信號中減去。這允許僅反射的信號被直接測量。多個點處的測量可以利用多檢測器進行，或通過利用單個檢測器進行，該單個檢測器交替地取樣由分離的光纖傳輸的發射。儘管以上實例是對於二氧化矽膜給出，監測N2頻帶，但該技術可同等地應用到其它膜，例如氮化矽、氮氧化矽非晶矽、類金剛石碳(DLC)或其它有機聚合物膜，以及應用到其它波長，這由所使用的具體工藝來確定。儘管給出的實例基於監測沉積工藝，但該技術同等地適合於監測在包括RIE、PE、ICP或其它眾所周知的蝕刻技術的蝕刻工藝中、或者甚至在採用交替的蝕刻和沉積步驟的工藝(例如，"Bosch"或時分多路復用(TDM)工藝)中的厚度變化。實例實時的膜厚度的精確測量允許在獲得了預定的膜厚度時終止工藝。這示出於圖7中，其中在實現了7500A的目標膜厚時終止工藝。利用線性回歸分析確定498.8A/min的沉積速率。基於該技術終止工藝相對於通過時間終止的常規方法的優點在於，獲得了更好的逐次運行可重複性，導致具有更一致性能的器件。從一次到另一次運行時，沉積速率由於膜積累正常將略微變化，其將改變反應器特性。在固定時間終止工藝不可避免地會導致膜厚度，其還會逐次運行而改變。另外，必須利用等離子體清洗工藝周期性地清洗系統以去除積累的膜。在該工序之後，因為作為清洗循環的結果觀察到了工藝中的偏移，所以通常必須重新限定沉積速率。這導致對於該設備的非生產性的停工時間。為了證實本發明的優點，沉積一系列五個一微米厚的膜，之後是清洗工序，然後沉積第二系列的五個一微米厚的膜。在所有情況下，在觀察了在337.1nm的發射的九個千涉循環之後終止工藝(計算的目標膜厚度=1.038微米)。記錄了每次運行都變化的實現該厚度需要的時間。從該數據，計算對於每次運行的沉積速率。每次運行沉積速率的變化示於圖8中。當膜在該系統中積累時該速率逐漸漂移，在清洗該室時"復位"且然後繼續再次漂移。如果基於固定時間終止該工藝，則膜厚度將準確地跟隨著同一趨勢。逐次運行的變化為+/-0.75%。僅用五個運行可以清楚地看到該效應；逐次運行的變化幅度會隨著運行次數的增加而增加。圖9示出了測量的實際膜厚度，其中很清楚沒有隨著時間的漂移，並且特別是在腔室清洗後沒有變化。逐次運行的變化為+/-0.32%，相對於基於固定時間工藝的方法具有顯著提高。希望逐次運行變化的提高隨著運行數目增加而更好。除了工藝終止之外，本發明的另一應用是用於工藝控制。如上所述，在沉積厚膜期間，沉積速率可隨著時間而變化。利用OEI來實時測量沉積速率允許將該信息反饋以修改該工藝(例如改變RF功率水平或氣體流速)並補償這樣的變化。同樣，在多個點監測沉積速率允許確定處理均勻性，然後可以調節該工藝以控制工藝均勻性。如果監測多個波長，則可確定其它的膜性質並且反饋該信息以補償膜性質的任何變化。通過在多個點，其至少一個點遠離基板定位，來監測等離子體，改善該方法。這允許確定在不同波長來自基板的實際反射，如上所述，這對於精確地確定一些膜性質是必要的。本發明另外的優點是噴淋頭內的非退化的窗口的布置允許常規的OES也被執行。在等離子體清洗期間，一般從該室移除任何基板，因此穿過噴淋頭孔並被檢測器接收的光幾乎都不是反射光；相反它是從等離子體直接發出的光(如圖3所示)。然後利用公知的用於端點檢測的技術直接處理由檢測器接收的光。作為實例，當利用氟基工藝(例如，利用CF4、SF6或NF3)清洗該室時，可以監測到在703.7nm的原子氟發射；隨著該室被清洗該發射強度將升高，並且可以使用監測該升高的算法來自動地終止該工藝。本公開包括包含在所附的權利要求以及前述的說明中的內容。儘管以具有一定程度特定性的優選形式描述了該發明，但要明白，本公開的優選形式僅是示例性的，且可採取結構的細節以及部分的組合和布置的眾多變化，而不脫離本發明的精神和範圍。以上描述了本發明。權利要求1.一種用於處理基板的等離子體設備，包括真空室；至少一個電源，其用於在所述真空室中產生等離子體；基板基座，其用於支撐基板；上電極組件，其具有擁有多個標準噴淋頭孔的氣體分布系統；檢測器，其與所述標準噴淋頭孔中的至少一個光學連通，所述檢測器測量穿過所述標準噴淋頭孔傳送的等離子體發射；和控制系統，其與所述檢測器和所述電源電通信。2.根據權利要求l的設備，進一步包括布置在所述上電極組件中的窗口，用來觀察穿過所述標準噴淋頭孔的等離子體發射。3.根據權利要求1的設備，4.根據權利要求1的設備，反射的等離子體發射。5.根據權利要求1的設備，其中所述窗口沒有暴露於等離子體。其中定位所述窗口以傳輸從基板垂直其中所述窗口遠離基板定位。6.根據權利要求l的設備，其中所述上電極是RF接地的。7.根據權利要求i的設備，其中所述上電極是RF供電的。8.根據權利要求l的設備，其中所述基板基座是RF接地的。9.根據權利要求l的設備，其中所述基板基座是RF供電的。10.—種用於監測基板的等離子體處理的方法，該方法包括步驟.-將基板定位在真空室內的基板基座上；通過上電極組件的氣體分布系統的多個標準噴淋頭孔引入氣體；在所述真空室內從所述氣體產生等離子體；在基板的等離子體處理期間監測所述等離子體，通過利用位於所述上電極組件的所述氣體分布系統內的光學部件，來收集和測量穿過至少一個標準噴淋頭孔傳送的等離子體發射，進行所述監測；以及基於所述監測步驟終止所述等離子體。11.根據權利要求IO的方法，12.根據權利要求IO的方法,13.根據權利要求10的方法，射的。14.根據權利要求IO的方法，離子體處理的基板的表面反射的。15.根據權利要求14的方法，離子體發射來計算膜性質。其中所述噴淋頭是接地的。其中所述噴淋頭是RF供電的。其中所述等離子體發射是從表面反其中所述等離子體發射是從將被等其中基於測量的來自基板表面的等16.根據權利要求15的方法，其中基於測量從將被等離子體處理的基板垂直反射的等離子體發射來計算所述膜性質。17.根據權利要求15的方法，其中所述膜性質是膜沉積速率。18.根據權利要求15的方法，其中所述膜性質是折射率。19.根據權利要求15的方法，其中所述膜性質是膜厚度。20.根據權利要求15的方法，其中基於所述膜性質調節基板的等離子體處理。21.根據權利要求15的方法，其中基於所述膜性質終止基板的等離子體處理。22.根據權利要求15的方法，其中所述基板的等離子體處理是蝕刻工藝。23.根據權利要求15的方法，其中所述基板的等離子體處理是沉積工藝。24.根據權利要求15的方法，其中所述基板的等離子體處理進一步包括從含氮氣體產生等離子體。25.根據權利要求15的方法，其中在一定波長上測量所述等離子體發射。26.根據權利要求25的方法，其中在300至400納米範圍內測量所述等離子體發射。全文摘要本發明提供了一種用於在基板的等離子體處理期間通過使用放置在位於等離子體系統的上電極中的標準氣體噴淋頭的標準噴淋頭孔內的光纖傳感器來提高等離子體工藝的光學檢測的方法和設備。可以基於測量的來自基板表面的等離子體發射來計算膜性質。該膜性質可以是膜沉積速率、折射率、膜厚度等。基於測量的膜性質，可以調節和/或終止基板的等離子體處理。另外，提供位於上電極組件中的窗口，用於通過標準的噴淋頭孔觀察等離子體發射。文檔編號C23C16/505GK101243535SQ200680030052公開日2008年8月13日申請日期2006年8月15日優先權日2005年8月18日發明者大衛·詹森申請人:奧立孔美國公司