點式電鍍三極體引線框架的製作方法
2023-12-06 05:00:36 2
專利名稱:點式電鍍三極體引線框架的製作方法
技術領域:
本實用新型涉及一種半導體分立器件,特別是一種製作三極體用的引線框架。
背景技術:
引線框架是製作生產半導體元件的基本部件,還需在其表面大部分地方電鍍非鐵磁金屬層,再利用樹脂塑封晶片固定成一整體的半導體元件。
現有的TO-251引線框架如圖3所示,根據裝晶片和焊接連接線的需要,其電鍍區域L覆蓋了散熱部1、晶片部2和小焊點3′的全部面積,電鍍成本高。
發明內容
本實用新型所要解決的技術問題是,提供一種點式電鍍三極體引線框架,既在滿足原有封裝要求的同時,又增強引線框架與塑封料間的結合力和密封強度,並降低電鍍成本和減少電鍍排放時對環境的汙染。
本實用新型解決上述問題所採用的技術方案為點式電鍍三極體引線框架,包括由散熱部、晶片部、小焊點、中間管腳、側管腳構成的主體及覆蓋在主體上的電鍍層組成,所述的電鍍層在引線框架上呈點狀分布。
與現有技術相比,本實用新型的優點在於,因引線框架上還需電鍍非鐵磁金屬層及用塑封料封裝,且引線框架、電鍍層、塑封料分別由不同的材料製作,各材料的熱物理性能、熱膨脹係數都不相同,尤其電鍍層與塑封料的結合力不理想,與其這樣乾脆縮小電鍍區域的範圍,相對就增強了引線框架與塑封料的結合和密封強度,所以採用點式電鍍引線框架,僅在封裝晶片和連接線處進行點狀電鍍,既滿足封裝要求又大面積減少了電鍍層,減少金屬鍍層材料的消耗,降低了生產成本又減少了電鍍時帶來的有害物質排放汙染。
圖1、本實用新型結構及點式電鍍示意圖。
圖2、本實用新型第二方案結構及點式電鍍示意圖。
圖3、現有技術結構及電鍍層覆蓋示意圖(電鍍區間L)。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型的實施例作進一步描述。
主體由上端的散熱部1和下端晶片部2,與散熱部1、晶片部2連成整體的中間管腳5和兩帶小焊點3′且與中間管腳5連接在一起的側管腳4所組成。
電鍍非鐵磁金屬層,在晶片部2中間需要封裝晶片的位置處電鍍,電鍍層為方形電鍍點6,邊長在1.8~2.2mm區域內。
在兩側管腳4上端小焊點3′全部區域內進行電鍍,電鍍層為電鍍點3與小焊點3′形狀相匹配,如圖1所示。
在晶片部2上需要焊接連接線的邊緣部分進行電鍍,電鍍層為圓形電鍍點7。
在兩側管腳4上端小焊點3′中間位置進行電鍍,電鍍層為圓形電鍍點8,電鍍點8大於電鍍點7,如圖2所示。
權利要求1.一種點式電鍍三極體引線框架,包括由散熱部(1)、晶片部(2)、小焊點(3′)、中間管腳(5)、側管腳(4)構成的主體及覆蓋在主體上的電鍍層組成,其特徵在於所述的電鍍層在引線框架上呈點狀分布。
2.根據權利要求1所述的點式電鍍三極體引線框架,其特徵在於在晶片部(2)上需要封裝晶片位置處電鍍,電鍍層為方形電鍍點(6),邊長在1.8~2.2mm區域內。
3.根據權利要求1所述的點式電鍍三極體引線框架,其特徵在於在兩側管腳(4)上端的小焊點(3′)上全部區域進行電鍍,電鍍層為電鍍點(3)與小焊點(3′)形狀相匹配。
4.根據權利要求1所述的點式電鍍三極體引線框架,其特徵在於在晶片部(2)上需要焊接連接線的邊緣部分進行電鍍,電鍍層為圓形電鍍點(7)。
5.根據權利要求1或4所述的點式電鍍三極體引線框架,其特徵在於在兩側管腳(4)上端的小焊點(3′)中間位置進行電鍍,電鍍層為圓形電鍍點(8),電鍍點(8)大於電鍍點(7)。
專利摘要一種點式電鍍三極體引線框架,包括由散熱部、晶片部、小焊點、中間管腳、側管腳構成的主體及覆蓋在主體上的電鍍層組成,所述的電鍍層在引線框架上呈點狀分布。因引線框架上還需電鍍非鐵磁金屬層及用塑封料封裝,且引線框架、電鍍層、塑封料由不同的材料製作,材料的熱物理性能、熱膨脹係數都不相同,尤其電鍍層與塑封料的結合力不理想。現採用點式電鍍引線框架,僅在封裝晶片和連接線處進行點狀電鍍,既滿足封裝要求又大面積減少了金屬電鍍層材料的消耗,降低了生產成本又減少了電鍍時帶來的有害物質排放汙染,且增強了引線框架與塑封料的結合和密封強度。
文檔編號H01L23/48GK2909528SQ20062010275
公開日2007年6月6日 申請日期2006年4月14日 優先權日2006年4月14日
發明者馮小龍, 裘佩明, 馬葉軍 申請人:寧波康強電子股份有限公司