改變神經閾值的高頻電磁場刺激器的製造方法
2023-04-30 19:03:01 2
改變神經閾值的高頻電磁場刺激器的製造方法
【專利摘要】一種改變神經閾值的高頻電磁場刺激器，包括有至少一電刺激器，電刺激器包括有至少一正極電極端及至少一負極電極端，正、負極電極端之間具有一第一間隔距離的絕緣間距，且正、負極電極端距離一欲刺激的神經一第二間隔距離，而電刺激器電性傳導一電壓，令電壓≦10Ｖ且頻率介於200ＫＨｚ～800ＫＨｚ。由電刺激器的正極電極端及負極電極端產生一電磁場，使電磁場涵蓋於欲刺激的神經周圍，以對欲刺激的神經進行低強度電磁刺激，藉以提升受電磁刺激的神經區域的閾值，達到有效降低病患的神經疼痛感。
【專利說明】改變神經閾值的高頻電磁場$ IJ激器
【技術領域】
[0001]本發明有關一種改變神經閾值的高頻電磁場刺激器，特別是指電刺激器傳導一電壓蘭10 V且頻率介於200 KH Z?800 KH Z的低電壓高頻信號，並距離欲刺激的神經一第二間隔距離，將電刺激器產生的電磁場涵蓋於欲刺激的神經周圍，對欲刺激的神經進行低強度電磁刺激，藉以提升受電磁刺激的神經區域的閾值的高頻電磁場刺激器。
【背景技術】
[0002]人體經神主要是作為大腦所發出的指令(電流)的傳導路徑，其中人體經神具有一閾值，而受損經神區域其閾值往往會降低，也因此人體於受損經神區域的部位特別容易感受到不舒適的酸痛感，長久下即形成慢性疼痛病。
[0003]臨床上，一種連續射頻刺激(continuousrad1frequency ;簡稱CRF),也稱為電燒，被應用於多種併發症，例如:頸源性頭痛、枕神經痛、頸椎損傷、肋間神經痛等疼痛，而連續射頻刺激(CRF)方法，主要是將一電燒針插入患部的相關神經組織附近，利用連續高頻電刺激所產生的高溫，用以將患部的神經組織燒死，也因為是將患部的神經組織燒死，藉以達到手術後的患部有止痛效果。然而，因人體自我修復功能被激活時，被燒死的神經組織會自行修復，一旦神經組織自行修復，新增生神經組織並不會照著原本的神經組織形狀生長，乃會於已燒死的神經組織上任意生長而形成神經瘤，當神經瘤形成時，人體經神會更容易被壓迫、傷害，造成患部疼痛會再覆發，甚至患部疼痛會更加嚴重。
[0004]臨床上，另種脈衝式射頻刺激(pulsedrad1frequency ;簡稱PRF),其主要方法是將一電極針插入患部的相關神經組織附近，利用45 V高電壓的射頻電流，以每秒刺激2次，每次20微秒(ms)，對患部的神經組織進行刺激，利用脈衝間歇方式，抑制高電壓的電流在刺激過程溫度升高，使得刺激過程熱效應可低於攝氏42度，避免受高電壓的電流刺激的神經組織受到高溫而被破壞或壞死，防止手術後神經瘤形成。
[0005]美國專利US6246912「Modulatedhighfrequencytissuemodificat1n」其揭不:將一正極的電極軸I及一負極的接地片16分別連接至高頻脈衝產生器11，並將正極的電極軸I將插入人體，讓電極軸I的電極端2位於神經患部，而負極的接地片16貼設於人體外部，以形成一電路迴路。利用高頻脈衝產生器11產生幾十伏特高電壓的射頻脈衝電流，經由電極端2對神經患部進行刺激，抑制刺激過程溫度不會升高，避免神經組織受到高溫而被破壞或壞死。然而，使用者必須精準控制脈衝間歇時間，才可有效控制高電壓的刺激電流其溫度的升高。
【發明內容】
[0006]為了解決上述現有技術的問題與缺陷，本發明揭露一種改變神經閾值的高頻電磁場刺激器，包括有至少一電刺激器。電刺激器包括有至少一正極電極端及至少一負極電極端，正極電極端與負極電極端之間具有第一間隔距離的絕緣間距，且正極電極端及負極電極端距離一欲刺激的神經一第二間隔距離，又電刺激器電性傳導一電壓，令電壓=10 V且頻率介於200 K H z?800 K H z ,由電刺激器的正極電極端及負極電極端產生一電磁場，使電磁場涵蓋於欲刺激的神經周圍，以對欲刺激的神經進行電磁刺激。利用低強度、低溫度的高頻電磁刺激，而可提升受電磁刺激的神經區域的閾值，進而降低受電磁刺激的神經區域其神經傳導能力，達到有效降低病患的神經疼痛感。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0007]圖1是本發明高頻電磁場刺激器一應用實施例流程圖。
[0008]圖2是本發明高頻電磁場刺激器一示意圖。
[0009]圖3是本發明高頻電磁場刺激器一第一測試示意圖。
[0010]圖4是本發明高頻電磁場刺激器一第二測試示意圖。
[0011]圖5是本發明高頻電磁場刺激器一第三測試示意圖。
[0012]圖6是本發明高頻電磁場刺激器第一實施例示意圖。
[0013]圖7是本發明高頻電磁場刺激器第二實施例示意圖。
[0014]圖8是本發明高頻電磁場刺激器第三實施例示意圖。
[0015]圖9是本發明高頻電磁場刺激器第四實施例示意圖。
[0016]圖10是本發明高頻電磁場刺激器第二實施例一應用示意圖。
[0017]圖11是本發明高頻電磁場刺激器第二實施例另一應用示意圖。
[0018]圖12是本發明高頻電磁場刺激器一第四測試示意圖。
[0019]圖13是本發明高頻電磁場刺激器第五實施例示意圖。
[0020]其中:
1、電刺激器 11、絕緣體12、正極電極端 13、負極電極端 2、神經 a:正極電極端的寬度、負極電極端的寬度 b:第一間隔距離 c:第二間隔距離。
【具體實施方式】
[0021]為方便簡捷了解本發明的其他特徵內容與優點及其所達成的功效能夠更為顯現，茲將本發明配合附圖，詳細敘述本發明的特徵以及優點，以下的各實施例進一步詳細說明本發明的觀點，但非以任何觀點限制本發明的範疇。
[0022]請先參閱圖1、2所示，本發明揭露一種改變神經閾值的高頻電磁場刺激器，包括有至少一電刺激器。
[0023]電刺激器I包括有至少一正極電極端12及至少一負極電極端13，且電刺激器I外部設有絕緣體11，所述正極電極端12與負極電極端13分別設於絕緣體11上，而正極電極端與12負極電極端13之間具有絕緣的第一間隔距離b，第一間隔距離b可介於3 mm?7mm，又電刺激器I的正極電極端12及負極電極端13距離一欲刺激的神經2 —第二間隔距離c，第二間隔距離c蘭10 mm ;又，電刺激器I電性傳導一電壓，令電壓蘭10 V且頻率介於200 K H z?800 K H z，使得電刺激器I的正極電極端12及負極電極端13產生一電磁場，由電磁場涵蓋於欲刺激的神經2周圍，以對欲刺激的神經2進行低強度、低溫度的高頻電磁刺激。
[0024]所述電刺激器I電性傳導的電壓最佳可介於正負3 V?正負10 V且頻率介於200K H z ?800 KHz。
[0025]本發明試舉一實施例，所述電刺激器I可電性連接至外部預設一電極裝置，由電極裝置輸出一預設的電壓並傳導至電刺激器1，令電壓g 10 V且頻率介於200 KH Z?800 K H z，使電刺激器I的正極電極端12及負極電極端13可產生具低強度、低溫度的高頻電磁場。所述正極電極端12與負極電極端13的電極寬度a可介於I mm?3 mm。
[0026]本發明的高頻電磁場刺激器試舉一應用實施例，其步驟包括有:
步驟100:設置至少一電刺激器1，電刺激器I包括有至少一正極電極端12及至少一負極電極端13，且正極電極端12與負極電極端13之間具有一第一間隔距離b的絕緣間距。
[0027]步驟110:將電刺激器I的正極電極端12及負極電極端13距離欲刺激的神經2 —第二間隔距離c。
[0028]步驟120:對電刺激器I輸入一預設的電壓，所述電壓蘭10 V且頻率介於200 KH z?800 K H z ,由電刺激器I的正極電極端12及負極電極端13產生一電磁場,使得電磁場可涵蓋於欲刺激的神經2周圍，以對欲刺激的神經2進行電磁刺激。
[0029]利用電刺激器I的正極電極端12及負極電極端13產生一電磁場，使電磁場涵蓋於欲刺激的神經2周圍，以對欲刺激的神經2進行低強度、低溫度的高頻電磁刺激，在不破壞神經2組織細胞情況下，抑制神經2中產生生物分子，同時可改變提升受電磁刺激的神經2區域的閾值，進而降低受電磁刺激的神經2區域其神經傳導能力，達到有效降低病患的神經疼痛感。
[0030]本發明可藉助調整正極電極端12與負極電極端13的電極寬度a、正極電極端12與負極電極端13之間的第一間隔距離b或正極電極端12及負極電極端13與神經2之間的第二間隔距離c，藉以調整電磁場的場形。本發明試舉一實施例，其中，令一輸入電壓為5 V且頻率為500 KH z，而正極電極端12與負極電極端13的電極寬度a及第二間隔距離c皆為固定，當正極電極端12與負極電極端13之間的第一間隔距離b較小時，如圖3所示，其電磁場可局部涵蓋於欲刺激的神經2周圍；當正極電極端12與負極電極端13之間的第一間隔距離b較大時，如圖4所示，其電磁場的場形可完全涵蓋於欲刺激的神經2周圍；相對的，越接近正極電極端12與負極電極端13的電磁場其電場強度相對越強。
[0031]請配合參閱圖5所示，本發明試舉另一實施例，其中，令一輸入電壓為5 V且頻率為500 KH z ,而正極電極端12與負極電極端13的電極寬度a為I mm,且第二間隔距離c為5 mm,而正極電極端12與負極電極端13之間的第一間隔距離b分別為2 mm、3 mm、4mm、5mm、6 mm時,所測得一參考數據，當正極電極端12與負極電極端13之間的第一間隔距離b位於4mm?5mm時，電磁場其電場強度較佳。
[0032]請合參閱圖2、6所示，所述的電刺激器I可呈直線狀，且電刺激器I設有至少一正極電極端12及至少一負極電極端13，所述各正極電極端12與所述各負極電極端13與欲刺激的神經2間隔一第二間隔距離b。由電刺激器I的正極電極端12及負極電極端13所產生電磁場涵蓋於欲刺激的神經2周圍，以對欲刺激的神經2進行低強度、低溫度的高頻電磁刺激。
[0033]請合參閱圖7、10、11及12所示，所述的電刺激器I可呈環狀，且電刺激器I設有至少二正極電極端12及至少二負極電極端13，其中，所述各正極電極端12與所述各負極電極端13以交錯方式排列設置(如圖10所示)，且所述各正極電極端12與所述各負極電極端13分別以圍繞方式與欲刺激的神經2間隔一第二間隔距離b ;另外，所述各正極電極端12與所述各負極電極端13也可以非交錯方式依序排列(如圖11所示)，且所述各正極電極端12與所述各負極電極端13相同以圍繞方式與欲刺激的神經2間隔一第二間隔距離。由電刺激器I的所述各正極電極端12及所述各負極電極端13所產生電磁場圍繞涵蓋於欲刺激的神經2周圍(如圖12所示)，以對欲刺激的神經2進行低強度、低溫度的高頻電磁刺激；相對的，越接近正極電極端12與負極電極端13的電磁場其電場強度相對越強。
[0034]請合參閱圖8所示，所述的電刺激器I可呈螺旋狀，且電刺激器I設有至少二正極電極端12及至少二負極電極端13，所述各正極電極端12與所述各負極電極端13以交錯方式排列或非交錯方式排列，且所述各正極電極端12與所述各負極電極端13以螺旋圍繞方式與欲刺激的神經2間隔一第二間隔距離。由電刺激器I的所述各正極電極端12及所述各負極電極端13所產生電磁場螺旋圍繞涵蓋於欲刺激的神經2周圍，以對欲刺激的神經2進行低強度、低溫度的高頻電磁刺激。
[0035]請合參閱圖9所示，所述的電刺激器I可呈弧狀，且電刺激器I設有至少二正極電極端12及至少二負極電極端13，所述各正極電極端12與所述各負極電極端13以交錯方式排列或非交錯方式排列，且所述各正極電極端12與所述各負極電極端13以圍繞方式與欲刺激的神經2間隔一第二間隔距離。由電刺激器I的所述各正極電極端12及所述各負極電極端13所產生電磁場圍繞涵蓋於欲刺激的神經2周圍，以對欲刺激的神經2進行低強度、低溫度的高頻電磁刺激。
[0036]請合參閱圖13所示，所述的電刺激器I可呈片狀，且電刺激器I設有數個正極電極端12及數個負極電極端13，所述各正極電極端12與所述各負極電極端13以陣列方式間隔排列，且所述各正極電極端12與所述各負極電極端13距離欲刺激的神經2 —第二間隔距離。由電刺激器I的所述各正極電極端12及所述各負極電極端13所產生電磁場圍繞涵蓋於欲刺激的神經2周圍，以對欲刺激的神經2進行低強度、低溫度的高頻電磁刺激。
[0037]值得注意的事，所述電刺激器I可植入於人體體內，將電刺激器I的正極電極端12及負極電極端13距離欲刺激的神經2 —第二間隔距離c ;或者所述電刺激器I可位於人體外部，使電刺激器I的正極電極端12及負極電極端13距離欲刺激的神經2 —第二間隔距離c。
【權利要求】
1.一種改變神經閾值的高頻電磁場刺激器，其特徵在於，包括有: 至少一個電刺激器，包括有至少一個正極電極端及至少一個負極電極端，該正極電極端與該負極電極端之間具有一個第一間隔距離，且該正極電極端及該負極電極端距離欲刺激的神經一個第二間隔距離，該電刺激器電性傳導一個電壓，該電壓g 10 V且頻率介於200 KH z?800 KHz,由該電刺激器的正極電極端及負極電極端產生一個電磁場，該電磁場涵蓋於欲刺激的神經周圍，以對欲刺激的神經進行電磁刺激。
2.如權利要求1所述的改變神經閾值的高頻電磁場刺激器，其特徵在於，該電壓最佳介於正負3 V?10 V且頻率介於200 K H z?800 K H z。
3.如權利要求1所述的改變神經閾值的高頻電磁場刺激器，其特徵在於，該正極電極端與負極電極端的寬度介於I mm?3 mm。
4.如權利要求1所述的改變神經閾值的高頻電磁場刺激器，其特徵在於，該電刺激器外部具有絕緣體，該正極電極端與該負極電極端設於該絕緣體，該正極電極端與該負極電極端之間的該第一間隔距離介於3 mm?7 mm ;該電刺激器的正極電極端及負極電極端距離欲刺激神經的該第二間隔距離=10 mm。
5.如權利要求1所述的改變神經閾值的高頻電磁場刺激器，其特徵在於，該電刺激器呈直線狀，且該電刺激器設有至少一個正極電極端及至少一個負極電極端，所述各正極電極端與所述各負極電極端距離欲刺激的神經一個第二間隔距離。
6.如權利要求1所述的改變神經閾值的高頻電磁場刺激器，其特徵在於，該電刺激器呈環狀，且該電刺激器設有至少二個正極電極端及至少二個負極電極端，所述各正極電極端與所述各負極電極端以圍繞方式距離欲刺激的神經一個第二間隔距離。
7.如權利要求1所述的改變神經閾值的高頻電磁場刺激器，其特徵在於，該電刺激器呈弧狀，且該電刺激器設有至少二個正極電極端及至少二個負極電極端，所述各正極電極端與所述各負極電極端以圍繞方式距離欲刺激的神經一個第二間隔距離。
8.如權利要求1所述的改變神經閾值的高頻電磁場刺激器，其特徵在於，該電刺激器可呈螺旋狀，且該電刺激器設有至少二個正極電極端及至少二個負極電極端，所述各正極電極端與所述各負極電極端以螺旋圍繞方式距離欲刺激的神經一個第二間隔距離。
9.如權利要求1所述的改變神經閾值的高頻電磁場刺激器，其特徵在於，該電刺激器設有數個正極電極端及數個負極電極端，所述各正極電極端與所述各負極電極端以陣列方式排列，且所述各正極電極端與所述各負極電極端距離欲刺激的神經一個第二間隔距離。
10.如權利要求5、6、7、8或9所述的改變神經閾值的高頻電磁場刺激器，其特徵在於，該第二間隔距離蘭10 mm。
【文檔編號】A61N1/372GK104415454SQ201310375934
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年8月26日 優先權日:2013年8月26日
【發明者】張季衡, 林威佐, 鄭展伊, 林啟萬 申請人:精能醫學股份有限公司