照明光學裝置的調整方法、照明光學裝置、曝光裝置以及曝光方法

2023-05-01 02:35:06 2

專利名稱：：照明光學裝置的調整方法、照明光學裝置、曝光裝置以及曝光方法
技術領域：
：本發明是關於一種照明光學裝置的調整方法、照明光學裝置、曝光裝置以及曝光方法，特別是關於一種適用於為了將半導體元件、拍攝元件、液晶顯示元件、薄膜磁頭等微型元件利用刻蝕工藝進行製造而使用的曝光裝置等的照明光學裝置。
背景技術：
：在這種典型的曝光裝置中，從光源所射出的光束通過作為光積分儀的複眼透鏡(或微型透鏡陣列)，形成由多個光源構成的作為實質的面光源的二次光源。來自二次光源的光束由聚光鏡被聚光後，對形成有特定圖案的掩模重疊地進行照明。透過了掩模的圖案的光，藉由投影光學系統在晶圓上進行成像。這樣，在晶圓上使掩模圖案被投影曝光(轉印)。另外，在掩模上所形成的圖案被高度集成化，為了將該細微圖案在晶圓上正確地進行轉印，在晶圓上得到均勻的照度分布是必不可缺的。目前，作為曝光光源，使用供給波長248nm的光的KrF準分子雷射光源，和供給波長193nm的光的ArF準分子雷射光源等。在現有的曝光裝置中，依據掩模圖案，將從這種光源所供給的光利用波長板轉換為具有所需的偏光方向的直線偏光的光，並對掩模進行照明(例如參照專利文獻l)。具體地說，在專利文獻1所記述的現有的曝光裝置中，在光源和繞射光學元件(光束轉換元件)之間的光路中，配置有水晶所形成的1/4波長板及1/2波長板。[專利文獻1]國際公開第WO2004/051717號小冊子但是，難以將1/4波長板和1/2波長板這樣的波長板由1片水晶板精度良好地進行製造。在因製造誤差而使波長板不能正確地發揮機能的情況下，不能以所需的直線偏光的光對掩模(進而為晶圓)進行照明，結果不能以對應於掩模圖案的所需的照明條件而進行良好的曝光
發明內容本發明的目的是提供一種鑑於前述問題而形成的，實質上不受作為波長板發揮機能的光學構件的製造誤差的影響，可以所需的偏光狀態的光對被照射面進行照明的照明光學裝置。而且，本發明的目的是提供一種利用將被照射面上所設定的掩模以所需的偏光狀態的光進行照明的照明光學裝置，可在適當的照明條件的基礎上進行良好的曝光的曝光裝置及曝光方法。為了解決前述問題，本發明的第1形態提供一種照明光學裝置，為一種根據來自光源的光，在所需的偏光狀態下對被照射面進行照明的照明光學裝置，其特點是包括將對前述被照射面進行照明的光的偏光狀態局部地進行變更的第1偏光變更裝置；以及將前述照明光學裝置的瞳面或其附近的位置上的偏光狀態局部地進行變更的第2偏光變更裝置。本發明的第2形態提供一種照明光學裝置，為一種根據來自光源的光對被照射面進行照明的照明光學裝置，其特點是具有配置在照明瞳面或其附近，用於將入射光的偏光狀態轉換為特定的偏光狀態的偏光轉換元件，前述偏光轉換元件將在前述照明光學裝置的瞳面或其附近的位置上的光的偏光狀態，局部地進行變更。本發明的第3形態提供一種照明光學裝置，為一種根據來自光源的光而對被照射面進行照明的照明光學裝置，其特點是具有被配置在前述被照射面的附近、與前述被照射面光學共軛的位置上，或在該共軛的位置的附近，用於將入射光的偏光狀態轉換為特定的偏光狀態的偏光轉換元件，前述偏光轉換元件將在前述被照射面上的照明光的偏光狀態局部地進行變更。本發明的第3形態提供一種曝光裝置，其特點是包含第1形態至第3形態的照明光學裝置，並將利用該照明光學裝置所照明的掩模的圖案在感光性基板上進行曝光。本發明的第5形態提供一種曝光方法，其特點是利用第1形態至第3形態的照明光學裝置，將掩模的圖案在感光性基板上進行曝光。本發明的第6形態提供一種元件製造方法，其特點是，包含利用第1形態至第3形態的照明光學裝置，將掩模的圖案在感光性基板上進行曝光的曝光工序；以及將利用前述曝光工序所曝光的前述感光性基板進行顯像的顯像工序。本發明的第7形態提供一種調整方法，為一種根據來自光源的光對被照射面進行照明的照明光學裝置的調整方法，其特點是，包括準備對入射光和射出光之間可變地賦予相位差的可變相位差構件的第1工序；將前述可變相位差構件所賦予的前述相位差設定為特定的值的第2工序；以及將前述可變相位差構件配置在前述光源和前述被照射面之間的光路中的第3工序。本發明的第8形態提供一種調整方法，為一種根據來自光源的光對被照射面進行照明的照明光學裝置的調整方法，其特點是，包括將在前述被照射面上的照明光的偏光狀態局部地進行變更的工序；以及將前述照明光學裝置的瞳面或其附近的位置上的光的偏光狀態局部地進行變更的工序。本發明的第10形態提供一種照明光學裝置，其特點是依據第7形態或第8形態的調整方法進行調整。本發明的第10形態提供一種調整方法，為一種利用照明光學裝置對特定的圖案進行照明，並將該特定的圖案在感光性基板上進行曝光的曝光裝置的調整方法，其特點是將前述照明光學裝置依據第7形態或第8形態的調整方法進行調整。本發明的第11形態提供一種調整方法，為一種包括第1曝光裝置和第2曝光裝置的曝光系統的調整方法，其中第1曝光裝置具有對第1掩模上的第1圖案進行照明的第1照明光學裝置，且將前述第1掩模的前述第1圖案在感光性基板上進行曝光，第2曝光裝置具有對第2掩模上的第2圖案進行照明的第2照明光學裝置，且將前述第2掩模的前述第2圖案在前述感光性基板上進行曝光，其特點是-將前述第1及第2照明光學裝置，依據第7形態或第8形態的調整方法進行調整。本發明的第12形態提供一種曝光系統，其特點是依據第ll形態的調整方法進行調整。本發明的第13形態提供一種微型元件製造工廠，其特點是，具有包含第12形態的第1曝光裝置及第2曝光裝置的各種處理用的製造裝置群、將該製造裝置群進行連接的區域網路、可從該區域網路連接工廠外的外部網絡的網關；可將關於前述製造裝置群的至少1臺的信息進行資料通信。本發明的第14形態提供一種微型元件製造方法，其特點是，包括將含有第12形態的第1曝光裝置及第2曝光裝置的各種處理用的製造裝置群在微型元件製造工廠進行設置的工序；利用該製造裝置群，由多個處理程序而製造微型元件的工序。在本發明的一個形態中，可使在瞳面上的局部的偏光狀態可變，所以在例如對被照射面上所配置的圖案進行照明並在感光性基板上進行曝光的情況下，可形成最適當的照明條件。而且，在本發明的另一形態中，可使在被照射面上的局部的偏光狀態可變，所以在例如對被照射面上所配置的圖案進行照明並在感光性基板上進行曝光的情況下，可減輕圖案轉印狀態的面內差異。而且，在本發明的另一形態中，與將1/4波長板和1/2波長板這種波長板利用1片水晶板進行製造的現有技術不同，是利用例如索累補償器(soleilcompensator)和巴俾涅補償器(Babinetcompensator)那樣在入射光和射出光間可變地賦予相位差的可變相位差構件，作為起到波長板作用的光學構件，所以即使在構成可變相位差構件的光學元件上有某種程度的製造誤差，也可作為使例如1/4波長板和1/2波長板正確地發揮機能而進行調整後使用。因此，在本發明的照明光學裝置中，可實質上不受構成作為波長板發揮機能的光學構件的各光學元件的製造誤差的影響，而以所需的偏光狀態的光對作為被照射面的掩模進行照射。結果，在本發明的曝光裝置及曝光方法中，可利用對被照射面上所設定的圖案以所需的偏光狀態的光進行照明的照明光學裝置，在適當的照明條件下進行良好的曝光，進而製造良好的微型元件。圖1所示為關於本發明的實施形態的曝光裝置的構成的概略圖。圖2所示為圖1的偏光狀態測定部的內部構成的概略圖。圖3(a)圖3(b)所示為關於本實施形態的各可變相位差構件的構成的概略圖。圖4所示為關於第1變形例的曝光裝置的構成的概略圖。圖5所示為關於第1變形例的可變旋光單元的構成的概略圖。圖6(a)圖6(b)所示為用於構成圖5的可變旋光單元的各可變旋光構件的構成的概略圖。圖7所示為關於水晶的旋光性的說明圖。図s恥壬4關il田図s的BT亦tfe，鉑；的^^田誠》**閣卡r^始l處太的漢帶狀的二次光源的概略圖。圖9所示為利用圖5的可變旋光單元的作用被設定為徑方向偏光狀態的環帶狀的二次光源的概略圖。圖IO所示為關於本實施形態的可變相位差單元的構成的概略圖。圖11所示為圖10的可變相位差單元的作用的模式說明圖。圖12(a)圖12(b)所示為關於本實施形態的另一可變相位差單元的構成的概略圖。圖13所示為圖12(a)圖12(b)的可變相位差單元的作用的模式說明圖。圖14(a)圖14(b)所示為關於第2變形例的可變旋光單元的構成的概略圖。圖15所示為關於圖14(a)圖14(b)的例子的變形例的可變旋光單元的構成的概略圖。圖16(a)圖16(c)所示為關於第3變形例的可變旋光/移相單元的構成的概略圖。圖17(a)所示為多極狀的二次光源，圖17(b)所示為用於形成圖17(a)所示的多極狀的二次光源的光束從可變移相單元的移相器被射出時的位置關係。圖18所示為關於第4變形例的一對非球面旋光器的構成的作用的模式圖。圖19(a)圖19(d)所示為被賦予一對非球面旋光器(移相器)的旋光量(移相量)分布的一個例子的模式圖。圖20(a)圖20(d)所示為被賦予一對非球面旋光器(移相器)的旋光量(移相量)分布的另一個例子的模式圖。圖21所示為利用具有旋光量(移相量)依據入射位置而不同的旋光量(移相量)分布的3個非球面旋光器(移相器)的變形例的概略圖。圖22(a)圖22(c)分別表示在圖21的變形例中，通過非球面旋光器(移相器)的軸上光束及軸外光束的斷面。圖23所示為關於本實施形態的照明光學裝置的調整方法的各工序的概略流程圖。圖24所示為關於本實施形態的變形例的調整方法的各工序的概略流程圖。圖25是將本實施形態的全體系統從某個角度分離出來表現的圖示。圖26是將本實施形態的全體系統，從與圖25不同的角度分離出來表現的概略圖。圖27所示為在圖26的系統中，被提供到顯示器上的用戶介面的畫面的一個例子。圖28(a)圖28(c)所示為為了只對旋光量(移相量)分布的一次成分(傾斜成分)進行修正所使用的非球面旋光器(移相器)的構成的概略圖。圖29為得到作為微型元件的半導體元件時的方法的流程圖。圖30所示為得到作為微型元件的液晶顯示元件時的方法的流程圖。具體實施方式將本發明的實施形態根據附圖進行說明。圖l所示為關於本發明的實施形態的曝光裝置的構成的概略圖。在圖1中，分別沿感光性基板即晶圓W的法線方向設定Z軸，在晶圓W的面內沿與圖1的紙面平行的方向設定Y軸，在晶圓W的面內沿與圖1的紙面垂直的方向設定X軸。參照圖1，本實施形態的曝光裝置具有用於供給曝光光(照明光)的光源1。作為光源1，可利用例如供給193nm的波長的光的ArF準分子雷射光源和供給248nm的波長的光的KrF準分子雷射光源等。從光源l所射出的光，由整形光學系統2被擴大為所需斷面形狀的光束，並通過作為1/4波長板而發揮機能的第1可變相位差構件3、作為1/2波長板而發揮機能的第2可變相位差構件4、消偏振鏡(非偏光化元件)5、環帶照明用的繞射光學元件6，入射無焦透鏡(afocallens)7。第1可變相位差構件3、第2可變相位差構件4及消偏振鏡5如後面所說明的那樣，構成偏光狀態轉換裝置，對其構成及作用將在後面進行說明。無焦透鏡7為以前側透鏡群7a的前側焦點位置和繞射光學元件6的位置大致一致，且後側透鏡群7b的後側焦點位置和圖中虛線所示的特定面8的位置大致一致的形態進行設定的無焦點光學系統(afocalsystem)。通常，繞射光學元件藉由在基板上形成具有曝光光(照明光)的波長程度的間距的層次差而構成，並具有將入射光束以所需的角度進行繞射的作用。具體地說，環帶照明用的繞射光學元件6在具有矩形狀斷面的平行光束入射的情況下，具有在其遠場(或夫朗和裴繞射(Fraunhoferdiffraction)區域)上形成環帶狀的光強度分布的機能。因此，入射作為光束轉換元件的繞射光學元件6的大致平行的光束，在無焦透鏡7的瞳面上形成環帶狀的光強度分布後，以環帶狀的角度分布從無焦透鏡7射出。在無焦透鏡7的前側透鏡群7a和後側透鏡群7b之間的光路中，於其瞳面或其附近配置有可變相位差單元9及圓錐旋轉三稜鏡系統10。關於可變相位差單元9及圓錐旋轉三稜鏡系統10的構成及作用，在後面進行說明。通過了無焦透鏡7的光束，通過0值(0值=照明光學裝置的掩模側孔徑/投影光學系統的掩模側孔徑)可變用的可變焦距透鏡(zoomlens)ll及可變旋光單元12，入射微型複眼透鏡(或複眼透鏡)13。對可變旋光單元12的構成及作用將在後面進行說明。微型複眼透鏡13為縱橫且稠密排列的多個具有正折射力的微小透鏡構成的光學元件。通常，微型複眼透鏡藉由例如對平行平面板施以刻蝕處理以形成微小透鏡群而構成。在此，構成微型複眼透鏡的各微小透鏡，較構成複眼透鏡的各透鏡元件微小。而且，微型複眼透鏡與由彼此隔絕的透鏡元件所構成的複眼透鏡不同，而使多個微小透鏡(微小折射面)彼此不隔絕地一體形成。但是，在具有正折射力的透鏡元件縱橫配置這一點上，微型複眼透鏡為與複眼透鏡相同的波面分割型的光積分儀。特定面8的位置被配置在可變焦距透鏡11的前側焦點位置的附近，微型複眼透鏡13的入射面被配置在可變焦距透鏡11的後側焦點位置的附近。換言之，可變焦距透鏡11使特定面8和微型複眼透鏡13的入射面實質上以傅立葉轉換的關係進行配置，進而使無焦透鏡7的瞳面和微型複眼透鏡13的入射面在光學上大致共軛地進行配置。可變旋光單元12被配置在微型複眼透鏡13的稍前側，進而與無焦透鏡7的瞳面(pupilface)在光學上大致共軛地進行配置。因此，在微型複眼透鏡13的入射面上，與無焦透鏡7的瞳面同樣地，形成例如以光軸AX為中心的環帶狀的照明區。該環帶狀的照明區的整體形狀，依據可變焦距透鏡11的焦點距離相似地進行變化。構成微小複眼透鏡13的各微小透鏡，與在掩模M上應形成的照明區的形狀(進而為在晶圓W上應形成的曝光區域的形狀)具有相似的矩形狀的斷面。入射微型複眼透鏡13的光束由多個微小透鏡被二維分割，並在其後側焦點面或其附近(進而為照明瞳)，形成與入射光束所形成的照明區具有大致相同光強度分布的二次光源，即由以光軸AX為中心的環帶狀的實質上的面光源所形成的二次光源。在微型複眼透鏡13的後側焦點面或其附近所形成的二次光源發出的光束，通過分光器14a及聚光光學系統15後，對掩模遮簾16重疊照明。關於內置分光器14a的偏光監視器14的構成及作用，將在後面進行說明。這樣，在作為照明視野光闌的掩模遮簾16上，形成與構成微型複眼透鏡13的各微小透鏡的形狀和焦點距離對應的矩形狀的照明區。通過了掩模遮簾16的矩形狀的孔徑部(光透過部)的光束，在受到了成像光學系統17的集光作用後，對形成有特定圖案的掩模M進行重疊地照明。即，成像光學系統17將掩模遮簾16的矩形狀孔徑部的像形成在掩模M上。透過了在掩模載臺MS上所保持的掩模M的圖案的光束，通過投影光學系統PL，在晶圓載臺WS上所保持的晶圓(感光性基板)W上形成掩模圖案的像。這樣，藉由在與投影光學系統PL的光軸AX直交的平面(XY平面)內，對晶圓WS進行二維驅動控制，進而對晶圓W進行二維驅動控制，並進行一體曝光或掃描曝光，而在晶圓W的各曝光區域上使掩模M的圖案被依次曝光。另外，藉由取代環帶照明用的繞射光學元件6，而在照明光路中設定4極照明用的繞射光學元件(未圖示)，而可進行4極照明。4極照明用的繞射光學元件在具有矩形狀的斷面的平行光束入射的情況下，具有在其遠場上形成4極狀的光強度分布的機能。因此，通過了4極照明用的繞射光學元件的光束，在微型複眼透鏡13的入射面上，形成例如以光軸AX為中心的由4個圓形的照明區所構成的4極形照明區。結果，在微型複眼透鏡13的後側焦點面或其附近，也形成與在其入射面上所形成的照明區相同的4極形的二次光源。而且，藉由取代環帶照明用的繞射光學元件6，而在照明光路中設定圓形照明用的繞射光學元件(未圖示)，可進行通常的圓形照明。圓形照明用的繞射光學元件在具有矩形狀的斷面的平行光束入射的情況下，具有在其遠場上形成圓形狀的光強度分布的機能。因此，通過了圓形照明用的繞射光學元件的光束，在微型複眼透鏡13的入射面上，形成例如以光軸AX為中心的圓形的照明區。結果，在微型複眼透鏡13的後側焦點面或其附近，也形成與在其入射面上所形成的照明區相同的圓形的二次光源。另外，藉由取代環帶照明用的繞射光學元件6，而在照明光路中設定其他的多極照明用的繞射光學元件(未圖示)，可進行各種各樣的多極照明(2極照明、8極照明等)。同樣，藉由取代環帶照明用的繞射光學元件6，而在照明光路中設定具有適當特性的繞射光學元件(未圖示)，可進行各種形態的變形照明。圓錐旋轉三稜鏡系統10從光源側開始，依次由使平面朝向光源側且使凹圓錐形的折射面朝向掩模側的第1稜鏡構件10a、使平面朝向掩模側且使凸圓錐形的折射面朝向光源側的第2稜鏡構件10b構成。而且，第1稜鏡構件10a的凹圓錐形的折射面和第2稜鏡構件10b的凸圓錐形的折射面，彼此可抵接地互補形成。而且，第l稜鏡構件10a及第2稜鏡構件10b中的至少一個構件，沿光軸AX可移動地構成，且使第1稜鏡構件10a的凹圓錐狀的折射面和第2稜鏡構件10b的凸圓錐狀的折射面的間隔為可變地構成。下面，著眼於環帶狀或4極狀的二次光源，對圓錐旋轉三稜鏡系統10的作用及可變焦距透鏡11的作用進行說明。在此，在第1稜鏡構件10a的凹圓錐形折射面和第2稜鏡構件10b的凸圓錐形折射面彼此抵接的狀態下，圓錐旋轉三稜鏡系統10作為平行平面板發揮作用，不會對所形成的環帶形或4極形的二次光源產生影響。但是，如使第1稜鏡構件10a的凹圓錐形折射面和第2稜鏡構件10b的凸圓錐形折射面分開，則將環帶狀或4極狀的二次光源的寬度(環帶狀的二次光源的外徑和內徑的差的1/2;與4極狀的二次光源外接的圓的直徑(外徑)和內接的圓的直徑(內徑)的差的1/2)保持一定，且使環帶狀或4極狀的二次光源的外徑(內徑)變化。艮P，環帶狀或4極形的二次光源的環帶比(內徑/外徑)及尺寸(外徑)進行變化。可變焦距透鏡11具有使環帶狀或4極形的二次光源的全體形狀相似地進行擴大或縮小的機能。例如，藉由使可變焦距透鏡11的焦點距離從最小值向特定的值擴大，而使環帶狀或4極形的二次光源的全體形狀相似地擴大。換言之，利用可變焦距透鏡11的作用，使環帶狀或4極形的二次光源的環帶比不變化，而其寬度及尺寸(外徑)都進行變化。這樣，可利用圓錐旋轉三稜鏡系統IO及可變焦距透鏡11的作用，而對環帶狀或4極形的二次光源的環帶比和尺寸(外徑)進行控制。偏光監視器14包含在微型複眼透鏡13和聚光光學系統15之間的光路中所配置的分光器14a，並具有對向該分光器14a的入射光的偏光狀態進行檢測的機能。換言之，根據偏光監視器14的檢測結果，可隨時檢測對掩模M(進而為晶圓W)的照明光是否達到所需的偏光狀態(包含非偏光狀態的概念)。圖2所示為圖1的偏光狀態測定部的內部構成的概略圖。在本實施形態中，如圖2所示，在用於保持晶圓W的晶圓載臺WS上，設置有用於測定對晶圓W的照明光(曝光光)的偏光狀態的偏光狀態測定部18。偏光狀態測定部18包含在晶圓W的曝光面的高度位置，可進行二維定位的針孔構件40。另外，在偏光狀態測定部18的使用時，晶圓W從光路上退開。通過了針孔構件40的針孔40a的光，通過準直儀透鏡41形成大致平行的光束，並由反射鏡42被反射後，入射中繼透鏡系統43。通過了中繼透鏡系統43的大致平行的光束，在通過了作為移相器的A/4板44及作為偏光器的偏光分光器45後，到達二維CCD46的檢測面46a。二維CCD46的輸出被供給到控制部(未圖示)。在此，人/4板44以光軸為中心可旋轉地構成，且在該A/4板44上連接有用於設定以該光軸為中心的旋轉角的設定部47。這樣，在對晶圓W的照明光的偏光度不為0的情況下，藉由通過設定部47使入/4板44圍繞光軸進行旋轉，而使二維CCD46的檢測面46a上的光強度分布變化。因此，在偏光狀態測定部48，可利用設定部47使人/4板44圍繞光軸進行旋轉，並對檢測面46a上的光強度分布的變化進行檢測，且由該檢測結果而利用旋轉移相器法測定照明光的偏光狀態(偏光度；關於光的史託克士參數Sl，S2，S3)。另外，關於旋轉移相器法，在例如鶴田著，《光的鉛筆-用於光技術者的應用光學》，新技術通信株式會社等中詳細地進行了說明。實際上是使針孔構件40(進而為針孔40a)沿晶圓面進行二維的移動，且對晶圓面內的多個位置上的照明光偏光狀態進行測定。此時，在偏光狀態測定部18中，由於對二維的檢測面46a上的光強度分布的變化進行檢測，所以可根據該檢測分布信息而測定照明光在瞳內的偏光狀態的分布。然而，在偏光狀態測定部18中，也可取代作為移相器的A/4板44，而利用入/2板。無論利用哪種移相器，為了對光的偏光狀態即光的4個史託克士參數進行測定，需要使移相器和偏光器(偏光分光器45)的圍繞光軸的相對角度變化，或者使移相器或偏光器從光路上退開，而以至少4種不同的狀態對檢測面46a上的光強度分布的變化進行檢測。另外，在本實施形態中是使作為移相器的A/4板44圍繞光軸進行旋轉，但也可使作為偏光器的偏光分光器45圍繞光軸進行旋轉，或者使移相器及偏光器兩者圍繞光軸進行旋轉。而且，也可取代該動作，或除了該動作以外，而使作為移相器的入/4板44及作為偏光器的偏光分光器45中的一個或兩者從光路進行插拔。而且，在偏光狀態測定部18中，有時會因反射鏡42的偏光特性而使光的偏光狀態發生變化。在這種情況下，由於反射鏡42的偏光特性預先已知，所以可利用所需的計算，根據反射鏡42的偏光特性對偏光狀態的影響，對偏光狀態測定部18的測定結果進行修正，而正確地測定照明光的偏光狀態。而且，不限於反射鏡，在因透鏡等其他的光學構件而使偏光狀態產生變化的情況下，也可同樣地修正測定結果，並正確地測定照明光的偏光狀態。這樣，利用偏光狀態測定部18測定對晶圓W的照明光在瞳內的偏光狀態(偏光度)，並判定照明光在瞳內是否達到適當的偏光狀態。另外，在上述的實施形態中，所示為偏光狀態測定部18可被安裝在晶圓載臺WS上的構成，但也可將該偏光狀態測定部18組入晶圓載臺WS中，或組入與晶圓載臺WS不同的載臺中。圖3(a)圖3(b)所示為關於本實施形態的各可變相位差構件的構成的概略圖。在本實施形態下，第1可變相位差構件3及第2可變相位差構件4作為圖3(a)所示的索累補償器，或作為圖3(b)所示的巴俾涅補償器而分別構成。圖3(a)所示的索累補償器，從光的入射側開始依次由平行平面板21a、一對偏角稜鏡21b、21c所構成。在此，平行平面板21a、第1偏角稜鏡21b及第2偏角稜鏡21c，由作為具有雙折射性的結晶材料的水晶形成D而且，第1偏角稜鏡21b和第2偏角稜鏡21c，具有彼此補充的(互補的)楔形斷面形狀。另外，平行平面板21a的結晶光學軸和一對偏角稜鏡21b及21c的結晶光學軸彼此直交地被設定。而且，採用一種利用例如測微頭(micrometerhead)這種驅動裝置(未圖示)，使第1偏角稜鏡21b和第2偏角稜鏡21c沿Z方向相對地進行移動，或使第1偏角稜鏡21b和第2偏角稜鏡21c沿對向的斜面和YZ平面的相交線方向相對地進行移動的構成。在圖3(a)所示的索累補償器(21a21c)中，不依存於光的入射位置，而依據第l偏角稜鏡2Ib和第2偏角稜鏡21c的相對位置，使入射光和射出光之間被可變地賦予一定的相位差。另一方面，圖3(b)所示的巴俾涅補償器從光的入射側依次由第1偏角稜鏡22a、第2偏角稜鏡22b構成。在此，第1偏角稜鏡22a及第2偏角稜鏡22b，由作為具有雙折射性的結晶材料的水晶形成，並具有彼此補充的楔形的斷面形狀。另外，第1偏角稜鏡22a的結晶光學軸和第2偏角稜鏡22b的結晶光學軸，彼此直交地進行設定。而且，採用一種利用例如測微頭這種驅動裝置(未圖示)，使第1偏角稜鏡22a和第2偏角稜鏡22b沿Z方向相對地進行移動，或使第1偏角稜鏡22a和第2偏角稜鏡22b沿對向的斜面和YZ平面的相交線方向相對地進行移動的構成。在圖3(b)所示的索累補償器(22a、22b)中，雖然在某種程度上依存於沿Z方向的光的入射位置，但依據第1偏角稜鏡22a和第2偏角稜鏡22b的相對位置，使入射光和射出光之間被可變地賦予大致一定的相位差。在本實施形態中，於向曝光裝置的搭載之前，對由第1可變相位差構件3單體賦予入射光和射出光之間的相位差而進行測定，並使相位差為光的波長入的1/4，即使第1可變相位差構件3作為1/4波長板正確地發揮機能而預先進行調整。同樣，在向曝光裝置的搭載之前，對由第2可變相位差構件4單體賦予入射光和射出光之間的相位差進行測定，並使相位差為光的波長A的1/2，即使第2可變相位差構件4作為1/2波長板正確地發揮機能而預先進行調整。接著，以將作為1/4波長板正確地發揮機能而進行調整的第1可變相位差構件3及作為1/2波長板正確地發揮機能而進行調整的第2可變相位差構件4，在整形光學系統2和消偏振鏡5之間的光路中的特定位置分別進行定位，並將光軸AX作為中心可進行一體旋轉的形態分別進行設定。這樣，作為1/4波長板的第1可變相位差構件3，以光軸AX為中心旋轉自如地構成，並將入射的橢圓偏光的光轉換為直線偏光的光。而且，作為1/2波長板的第2可變相位差構件4，以光軸AX為中心旋轉自如地構成，並使入射的直線偏光的偏光方向進行變化。另一方面，消偏振鏡5省略圖示，由具有互補的形狀的楔形的水晶偏角稜鏡和楔形的螢石偏角稜鏡(或石英偏角稜鏡)而構成為一體的稜鏡組裝體，且對照明光路可自如插拔地進行設定。另外，對消偏振鏡5的詳細構成及作用，可參照例如國際專利的國際公開第WO2004/051717號公報。在利用KrF準分子雷射光源和ArF準分子雷射光源作為光源1的情況下，從這些光源所射出的光典型地具有95%以上的偏光度，對第1可變相位差構件3入射大致直線偏光的光。但是，當在光源1和第1可變相位差構件3之間的光路中存在作為背面反射鏡的直角稜鏡時，如入射的直線偏光的偏光面與P偏光面或S偏光面不一致，則利用直角稜鏡的全反射而使直線偏光轉換為橢圓偏光。在偏光狀態轉換裝置(35)中，即使因例如直角稜鏡的全反射而入射橢圓偏光的光，也可對入射的橢圓偏光，將作為1/4波長板的第1可變相位差構件3在圍繞光軸AX的特定的角度位置上進行設定，使橢圓偏光的入射光被轉換為直線偏光的光，並導向第2可變相位差構件4。而且，藉由對入射的直線偏光，將作為1/2波長板的第2可變相位差構件4在圍繞光軸AX的所需的角度位置上進行設定，而使直線偏光的入射光轉換為在所需的方向上具有偏光方向的直線偏光的光，並被直接導向消偏振鏡5或繞射光學元件6。而且，藉由將消偏振鏡5插入照明光路中，並對入射的直線偏光，將消偏振鏡5在圍繞光軸AX的特定的角度位置上進行設定，而使直線偏光的入射光被轉換為非偏光狀態的光(非偏光化)，併入射繞射光學元件6。另一方面，當將消偏振鏡5從照明光路中退開時，來自第2可變相位差構件4的直線偏光的光不變化偏光方向，而直接入射繞射光學元件6。這樣，在偏光狀態轉換裝置(35)中，可使消偏振鏡5從照明光路上退開，且將作為1/4波長板的第1可變相位差構件3及作為1/2波長板的第2可變相位差構件4在圍繞光軸AX的特定的角度位置上分別進行設定，使在所需的方向上具有偏光方向的直線偏光的光入射繞射光學元件6。而且，可將作為1/4波長板的第1可變相位差構件3及作為1/2波長板的第2可變相位差構件4在圍繞光軸AX的特定的角度位置上分別進行設定，且將消偏振鏡5插入照明光路中，並在圍繞光軸AX的特定的角度位置上分別進行設定，使非偏光狀態的光入射繞射光學元件6。換言之，在偏光狀態轉換裝置(35)中，可使向繞射光學元件6的入射光的偏光狀態(進而為對掩模M及晶圓W進行照明的光的偏光狀態)在直線偏光狀態和非偏光狀態之間進行轉換。而且，在直線偏光狀態的情況下，可在例如彼此直交的偏光狀態之間(Z方向偏光和X方向偏光之間)進行轉換。如上所述，在本實施形態中，與將l/4波長板和1/2波長板這樣的波長板利用1片水晶板進行製造的現有技術不同，利用索累補償器和巴俾涅補償器這樣對入射光和射出光之間可變地賦予相位差的可變相位差構件(3、4)，作為發揮像l/4波長板和1/2波長板這樣的波長板的機能的光學構件。因此，即使在構成可變相位差構件(3、4)的光學元件(平行平面板和偏角稜鏡)上存在某種程度的製造誤差，也可分別進行調整以作為1/4波長板及1/2波長板正確地發揮機能後再加以應用。因此，在本實施形態的照明光學裝置(117)中，實質上不受到用於構成作為波長板發揮機能的光學構件(3、4)的各光學元件(21a21c;22a，22b)的製造誤差的影響，可以所需的偏光狀態的光對作為被照射面的掩模M進行照明。結果，在本實施形態的曝光裝置(1WS)中，可利用對被照射面上所設定的掩模M以所需的偏光狀態的光進行照明的照明光學裝置(117)，在適當的照明條件的基礎上進行良好的曝光。另外，在以上的說明中，是將對可變相位差構件(3、4)單體所造成的相位差進行測定，並預先進行調整以使相位差達到特定的值(光的波長A的1/4或1/2)，且將可變相位差構件(3、4)組入照明光路中。但是，並不限定於此，也可如圖4的第1變形例所示，在將可變相位差構件(3、4)組入到照明光路中後，根據偏光狀態測定部18的測定結果，使可變相位差構件(3、4)作為l/4波長板及1/2波長板正確地發揮機能而分別進行調整。而且，也可藉由從作為1/4波長板及1/2波長板正確地發揮機能而進行調整的狀態，將可變相位差構件(3、4)更加積極地進行微調整，從而由多種偏光狀態的光，對作為被照射面的掩模M，進而為晶圓W進行照明。在圖4中，控制部CR接收來自偏光狀態測定部18的測定結果，控制用於變更可變相位差構件(3、4)中的光學元件(21a21c;22a，22b)間的相對位置的驅動部DR3，對可變相位差構件(3、4)所形成的相位差量進行調整，以使作為被照射面的掩模M或晶圓W上的偏光狀態達到所需的狀態。而且，在上述的說明中，將構成可變相位差構件(3、4)的各光學元件利用水晶形成，但並不限定於此，也可利用例如氟化鎂和方解石這樣的雙折射性的結晶材料，形成可變相位差構件(3,4)的各光學元件。圖5所示為關於本實施形態的可變旋光單元的構成的概略圖。而且，圖6(a)圖6(b)所示為用於構成圖5的可變旋光單元的各可變旋光構件的構成的概略圖。關於本實施形態的可變旋光單元12，被配置在微型複眼透鏡13的稍前側，即照明光學系統(217)的瞳或其附近。因此，在環帶照明的情況下，可對可變旋光單元12入射具有以光軸AX為中心的大致環帶形的斷面的光束。參照圖5，可變旋光單元12由沿以光軸AX為中心的圓的圓周方向配置的8個可變旋光構件12a、12b、12c、12d、12e、12f、12g及12h構成。各可變旋光構件12a12h具有將以光軸AX為中心的環帶狀的區域沿圓周方向進行8等分所得到的扇形形狀的外形，且具有彼此相同的基本構成。參照圖6(a)圖6(b)，各可變旋光構件12a12h由作為具有旋光性的光學材料的水晶所形成的一對偏角稜鏡23a、23b所構成。第1偏角稜鏡23a和第2偏角稜鏡23b具有彼此補充的楔形的斷面形狀，並使第1偏角稜鏡23a的結晶光學軸及第2偏角稜鏡23b的結晶光學軸都與光軸AX平行地(即與Y方向平行地)進行配置。而且，採用一種利用例如測微頭這種驅動裝置(未圖示)，使第1偏角稜鏡23a和第2偏角稜鏡23b沿以光軸AX為中心的圓的直徑方向相對地進行移動，或使第1偏角稜鏡23a和第2偏角稜鏡23b沿對向的斜面和含有光軸AX的平面的相交線方向相對地進行移動的構成。這樣，在圖6(a)圖6(b)所示的各可變旋光構件12a12h中，依據第1偏角稜鏡23a和第2偏角稜鏡23b的相對位置，對入射的直線偏光可變地賦予旋光角度。以下，參照圖7，對水晶的旋光性簡單地進行說明。參照圖7，由厚度d的水晶所構成的平行平面板狀的光學構件100，以其結晶光學軸和光軸AX一致的形態進行配置。在這種情況下，利用光學構件100的旋光性，使入射的直線偏光在偏光方向圍繞光軸AX只旋轉e的狀態下被射出。此時，因光學構件ioo的旋光性所形成的偏光方向的旋轉角(旋光角度)e，可由光學構件100的厚度d和水晶的旋光能p，以下式(a)表示。0=dp(a)通常，水晶的旋光能p具有波長依存性(依據使用光的波長而使旋光能的值不同的性質旋光分散)，具體地說在使用光的波長變短時具有增大的傾向。根據《應用光學II》的第167頁的記述，對具有250.3nm的波長的光的水晶的旋光能p，為153.9度/mm。圖8所示為利用圖5的可變旋光單元的作用而被設定為周方向偏光狀態的環帶狀的二次光源的概略圖。在本實施形態中，將光軸AX夾在中間並對向的可變旋光構件12a及12e，在沿Z方向具有偏光方向的直線偏光的光入射的情況下，對第l偏角稜鏡23a和第2偏角稜鏡23b的相對位置進行設定，以射出在使Z方向圍繞Y軸旋轉+90度的方向上即X方向上具有偏光方向的直線偏光的光。因此，在這種情況下，在圖8所示的環帶狀的二次光源31中，通過受到了可變旋光構件12a及12e的旋光作用的光束所形成的一對扇形區域(或圓弧狀區域)31a及31e的光束的偏光方向，形成X方向。將光軸AX夾在中間並對向的可變旋光構件12b及12f，在沿Z方向具有偏光方向的直線偏光的光入射的情況下，對第1偏角稜鏡23a和第2偏角稜鏡23b的相對位置進行設定，以射出在使Z方向圍繞Y軸旋轉+135度的方向上，即使Z方向圍繞Y軸旋轉-45度的方向上，具有偏光方向的直線偏光的光。因此，在這種情況下，在圖8所示的環帶狀的二次光源31中，通過受到了可變旋光構件12b及12f的旋光作用的光束所形成的一對扇形區域31b及31f的光束的偏光方向，形成使Z方向圍繞Y軸旋轉-45度的方向。將光軸AX夾在中間並對向的可變旋光構件12c及12g，在沿Z方向具有偏光方向的直線偏光的光入射的情況下，對第1偏角稜鏡23a和第2偏角稜鏡23b的相對位置進行設定，以射出在使Z方向圍繞Y軸旋轉+180度的方向上，即X方向上，具有偏光方向的直線偏光的光。因此，在這種情況下，在圖8所示的環帶狀的二次光源31中，通過受到了可變旋光構件12c及12g的旋光作用的光束所形成的一對扇形區域31c及31g的光束的偏光方向，形成Z方向。將光軸AX夾在中間並對向的可變旋光構件12d及12h，在沿Z方向具有偏光方向的直線偏光的光入射的情況下，對第1偏角稜鏡23a和第2偏角稜鏡23b的相對位置進行設定，以射出在使Z方向圍繞Y軸旋轉+45度的方向上具有偏光方向的直線偏光的光。因此，在這種情況下，在圖8所示的環帶狀的二次光源31中，通過受到了可變旋光構件12d及12h的旋光作用的光束所形成的一對扇形區域31d及31h的光束的偏光方向，形成使Z方向圍繞Y軸旋轉+45度的方向。這樣，可變旋光單元12被配置在照明瞳面或其附近，構成用於將入射光的偏光狀態轉換為特定的偏光狀態的偏光轉換元件。另外，在本實施形態中，為了可不使可變旋光單元12從光路退開而進行通常的圓形照明，設置具有可變旋光單元12的有效區域的徑方向尺寸的3/10以上，較佳為1/3以上，且不具有旋光性的圓形的中央區域12j。在此，中央區域12j可由例如石英和螢石這樣不具有旋光性的光學材料形成，也可單純地為圓形的孔徑。但是，中央區域12j對可變旋光單元12並不是必需的元件。在本實施形態實中的周方向偏光環帶照明(使通過環帶狀的二次光源的光束被設定為周方向偏光狀態的變形照明)時，利用偏光狀態轉換裝置(35)的作用，使在Z方向具有偏光方向的直線偏光的光入射可變旋光單元12。結果，在微型複眼透鏡13的後側焦點面或其附近，如圖8所示，形成環帶狀的二次光源(環帶狀的照明瞳分布)31，且通過該環帶狀的二次光源31的光束由可變旋光單元12的作用，被設定為周方向偏光狀態。在周方向偏光狀態下，分別通過用於構成環帶狀的二次光源31的扇形區域31a31h的光束，形成具有與圓的切線方向大致一致的偏光方向的直線偏光狀態，其中該圓以沿各扇形區域31a31h的圓周方向的中心位置上的光軸AX作為中心。這樣，在本實施形態中，利用可變旋光單元12的旋光作用，可實質上不產生光量損失地，形成周方向偏光狀態的環帶狀的二次光源(照明瞳分布)31。另外，在根據周方向偏光狀態的環帶狀的照明瞳分布的周方向偏光環帶照明中，在作為最終的被照射面的晶圓W上所照射的光形成以S偏光為主成分的偏光狀態。在此，所說的S偏光是指在對入射面垂直的方向上具有偏光方向的直線偏光(使電向量在對入射面垂直的方向上進行振動的偏光)。但是，所說的入射面被定義為在光到達媒質的臨界面(被照射面晶圓W的表面)時，含有在該點上的臨界面的法線和光的入射方向的面。結果，在周方向偏光環帶照明中，可謀求投影光學系統PL的光學性能(聚焦深度等)的提高，能夠在晶圓(感光性基板)W上得到高對比度的掩模圖案像。即，在本實施形態的曝光裝置中，由於利用可良好地抑制光量損失且形成周方向偏光狀態的環帶狀的照明瞳分布的照明光學裝置，所以可在適當的照明條件的基礎上，將細微圖案忠實且高生產率地進行轉印。而且，在本實施形態中，可利用偏光狀態轉換裝置(35)的作用使在X方向具有偏光方向的直線偏光的光入射可變旋光單元12，並如圖9所示將通過環帶狀的二次光源32的光束設定為徑方向偏光狀態，進行徑方向偏光環帶照明(使通過環帶狀的二次光源32的光束被設定為徑方向偏光狀態的變形照明)。在徑方向偏光狀態下，分別通過用於構成環帶狀的二次光源32的扇形區域32a32h的光束，形成具有與圓的半徑方向大致一致的偏光方向的直線偏光狀態，其中該圓以沿扇形區域32a32h的圓周方向的中心位置上的光軸AX作為中心。在基於徑方向偏光狀態的環帶狀的照明瞳分布的徑方向偏光環帶照明中，在作為最終的被照射面的晶圓W上所照射的光，形成以P偏光為主成分的偏光狀態。在此，所說的P偏光，是指沿對上述那樣被定義的入射面平行的方向具有偏光方向的直線偏光(使電向量沿與入射面平行的方向進行振動的偏光)。結果，在徑方向偏光環帶照明中，可將在晶圓W上所塗敷的光刻膠的光反射率抑制得較小，能夠在晶圓(感光性基板)W上得到良好的掩模圖案像。然而，本申請人在例如國際專利的國際公開第WO2005/076045號小冊子中，作為配置在照明瞳面或其附近用於將入射光的偏光狀態轉換為特定的偏光狀態的偏光轉換元件，提出一種將沿光的透過方向的厚度(光軸方向的長度)彼此不同的多種類的水晶板作為旋光構件在圓周方向上進行配置的構成。在上述申請所提出的偏光轉換元件中，難以將用於對入射的直線偏光賦予所需的旋光角度的各旋光構件，由1片水晶板精度良好地進行製造。在因製造誤差而使各旋光構件不正確地發揮機能的情況下，無法實現所需的周方向偏光狀態和徑方向偏光狀態等。對此，在本實施形態中，將作為偏光轉換元件的可變旋光單元12由多個可變旋光構件12a12h構成，這些可變旋光構件對依據第1偏角稜鏡23a和第2偏角稜鏡23b的相對位置入射的直線偏光，可變地賦予旋光角度。因此，即使在構成各可變旋光構件12a12h的光學元件(一對偏角稜鏡)中存在某種程度的製造誤差，也可分別對各可變旋光構件12a12h進行調整以作為賦予所需的旋光角度的光學構件而正確地發揮機能，然後再利用可變旋光單元12。具體地說，可在向曝光裝置的搭載之前，對各可變旋光構件12a12h所形成的旋光角度分別進行測定，並調整各可變旋光構件12a12h(進而為第1偏角稜鏡23a和第2偏角稜鏡23b的相對位置)以使旋光角度達到特定的值，然後將可變旋光單元12組入到照明光路中。或者，也可在將可變旋光單元12組入到照明光路中後，根據偏光狀態測定部18的測定結果，對第l偏角稜鏡23a和第2偏角稜鏡23b的相對位置分別進行調整，以使各可變旋光構件12a12h正確地發揮機能。而且，也可藉由從為了作為可變旋光單元12正確地發揮機能而進行調整的狀態，再更加積極地對各可變旋光構件12a12h分別進行微調整，從而利用多種偏光狀態(例如與完全的周方向偏光狀態稍稍不同的變形周方向偏光狀態等)的光，對作為被照射面的掩模M進而為晶圓W進行照明。在這種情況下，如圖1所示，控制部CR接收來自偏光狀態測定部18的測定結果，並控制將可變旋光單元12中的光學元件(12a12h)的相對位置進行變更的驅動部DR1，對可變旋光單元12所形成的旋光量的分布進行調整，以使朝向被照射面的掩模M或晶圓W上的光束的偏光狀態達到所需的狀態。這樣，在本實施形態的照明光學裝置(117)中，可實質上不受構成可變旋光單元12的各光學元件(12a12h;23a，23b)的製造誤差的影響，而以所需的偏光狀態的光對作為被照射面的掩模M進行照明。結果，在本實施形態的曝光裝置(1WS)中，可利用對被照射面上所設定的掩模M以所需的偏光狀態的光進行照明的照明光學裝置(117)，在適當的照明條件的基礎上進行良好的曝光。另外，在上述的說明中，可將入射可變旋光單元12的光束，在具有沿Z方向的偏光方向的直線偏光狀態和具有沿X方向的偏光方向的直線偏光狀態之間進行轉換，而實現周方向偏光環帶照明和徑方向偏光環帶照明。但是，並不限定於此，也可藉由對在Z方向或X方向上具有偏光方向的直線偏光狀態的入射光束，使可變旋光單元12在圖5所示的第1狀態和圍繞光軸AX旋轉90度的第2狀態間進行轉換，而實現周方向偏光環帶照明和徑方向偏光環帶照明。而且，在上述的說明中，將可變旋光單元12配置在微型複眼透鏡13的稍前側。但是，並不限定於此，通常也可在照明光學裝置(1PL)的瞳或其附近，例如投影光學系統PL的瞳或其附近、成像光學系統17的瞳或其附近、圓錐旋轉三稜鏡系統10的稍前側(無焦透鏡7的瞳或其附近)等，配置可變旋光單元12。而且，在上述的說明中，利用與環帶狀的有效區域的8分割對應的8個扇形形狀的可變旋光構件12a12h，構成可變旋光單元12。但是，並不限定於此，也可利用例如與圓形狀的有效區域的8分割對應的8個扇形形狀的可變旋光構件，或者利用與圓形狀或環帶狀的有效區域的4分割對應的4個扇形形狀的可變旋光構件，或者利用圓形狀或環帶狀的有效區域的16分割對應的16個扇形形狀的可變旋光構件，構成可變旋光單元12。即，關於可變旋光單元12的有效區域的形狀、有效區域的分割數(可變旋光構件的數目)等，可有各種各樣的變形例。而且，在上述的說明中，利用水晶可形成各可變旋光構件(進而為可變旋光單元12)。但是，並不限定於此，也可利用具有旋光性的其他的適當的光學材料，形成各可變旋光構件。在這種情況下，利用對所使用的波長的光，具有100度/mm以上的旋光能的光學材料較佳。即，如利用旋光能小的光學材料，則為了得到偏光方向的所需旋轉角，其必需的厚度變得過大，而形成光量損失的原因，所以不佳。而且，在上述的說明中，是將可變旋光單元12對照明光路固定地進行設置，但也可將該可變旋光單元12對照明光路可插拔地進行設置。而且，在上述的說明中，所示為使對晶圓W的S偏光和環帶照明組合的例子，但也可使對晶圓W的S偏光和2極、4極、8極等多極照明及圓形照明進行組合。圖10所示為關於本實施形態的可變相位差單元的構成的概略圖。關於本實施形態的可變相位差單元9，被配置在無焦透鏡7的瞳面或其附近，即照明光學系統(217)的瞳或其附近。因此，在環帶照明的情況下，對可變相位差單元9，可入射具有以光軸AX為中心的大致環帶狀的斷面的光束。而且，在8極照明的情況下，對可變相位差單元9，可入射具有例如以光軸AX為中心的8個大致圓形的斷面的光束。下面，為了使說明單純化，而對8極照明的情況進行說明。參照圖10，可變相位差單元9由沿以光軸AX為中心的圓的圓周方向配置的8個圓形的可變相位差構件9a、9b、9c、9d、9e、9f、9g及9h構成。各可變相位差構件9a9h具有彼此相同的基本構成，具體地說，作為圖3(a)所示的索累補償器，或作為圖3(b)所示的巴俾涅補償器而分別構成。而且，各可變相位差構件9a9h通過例如圓形的外形的中心，而以與光軸AX平行(與Y方向平行)的軸線為中心旋轉自如地構成。作為一個例子，在以上述的周方向偏光狀態進行8極照明的情況下，如圖11所示，利用偏光狀態轉換裝置(35)的作用，用於構成入射可變相位差單元9的8極的光束33的8個圓形的光束33a33h，應該都為沿Z方向具有偏光方向的直線偏光。但是，因在第2可變相位差構件4和可變相位差單元9之間的光路中所配置的光學構件的偏光特性等的影響，有時到達可變相位差單元9的光束的偏光狀態會由沿Z方向具有偏光方向的直線偏光狀態產生變化。作為單純的具體例子，如圖11所示，例如入射可變相位差單元9的可變相位差構件9a的圓形的光束33a會形成橢圓偏光狀態，或入射可變相位差構件9h的圓形的光束會形成在對Z方向傾斜的方向上具有偏光方向的直線偏光狀態。在這種情況下，在本實施形態的可變相位差單元9中，為了使可變相位差構件9a作為1/4波長板正確地發揮機能，而對第1偏角稜鏡21b和第2偏角稜鏡21c的相對位置(或第1偏角稜鏡22a和第2偏角稜鏡22b的相對位置)進行調整。而且，為了使可變相位差構件9h作為1/2波長板正確地發揮機能，而對第1偏角稜鏡21b和第2偏角稜鏡21c的相對位置(或第1偏角稜鏡22a和第2偏角稜鏡22b的相對位置)進行調整。接著，藉由將可變相位差構件9a在圍繞中心軸線的特定角度位置上進行設定，而將橢圓偏光的入射光轉換為在Z方向上具有偏光方向的直線偏光的光。而且，藉由將可變相位差構件9h在圍繞中心軸線的特定角度位置上進行設定，而將直線偏光的入射光轉換為在Z方向上具有偏光方向的直線偏光的光。這樣，利用在照明瞳面或其附近所配置的作為偏光轉換元件的可變相位差單元9的作用，可使入射光的偏光狀態轉換為所需的偏光狀態(在具體例子中為沿Z方向具有偏光方向的直線偏光狀態)，進而可以所需的偏光狀態(例如圓周方向偏光狀態、直徑方向偏光狀態、在Z方向具有偏光方向的直線偏光狀態等)對掩模M及晶圓W進行照明。S卩，藉由利用關於本實施形態的可變相位差單元9，而局部地變更在照明瞳面或其附近位置上的偏光狀態，不只可由在照明瞳面或其附近具有所需的偏光狀態的分布的照明光，對掩模M及晶圓W進行照明，進而得到使所需的析像度和聚焦深度提高的效果，還可抑制在例如圖案的左右方向和上下方向上的非對稱誤差的產生。另外，在上述的說明中，是著眼於進行8極照明的情況，但並不限定於此，在例如進行2極、4極這種多極照明和環帶照明的情況下，也可同樣地利用作為偏光轉換元件的可變相位差元件9的作用，使入射光的偏光狀態轉換為所需的偏光狀態。而且，在上述的說明中，是將可變相位差單元9配置在無焦透鏡7的瞳面或其附近，但並不限定於此，通常也可配置在照明光學系統(217)的瞳面或其附近。順便說一下，也可將可變相位差單元9對照明光路插拔自如地進行設置，或在照明光路中固定地進行設置。而且，在上述的說明中，是進行調整以使通過了可變相位差單元9之後的8極狀的光束33a33h都形成沿Z方向具有偏光方向的直線偏光狀態，但並不限定於此，也可進行調整而使通過了可變相位差單元9之後的光束形成各種偏光狀態。而且，籍由根據偏光狀態測定部18的測定結果，從某調整狀態再對各可變相位差構件9a9h更加積極地分別進行微調整，也可由更加多樣的偏光狀態的光，對作為被照射面的掩模M，進而為晶圓W進行照明。在這種情況下，控制部CR通過圖1所示的驅動部DR2，對可變相位差單元9的各可變相位差構件9a9h進行調整。另外，也可將圖5所示的可變旋光單元12和圖10所示的可變相位差單元9組合使用。在這種情況下，利用可變相位差單元9控制照明光的橢圓偏光率，並利用可變旋光單元12控制偏光方向(在橢圓偏光的情況下為其長軸方向)為佳。此時，可在將可變相位差單元9和可變旋光單元鄰接的狀態下進行配置，也可在這些單元之間夾持中繼光學系統(7b、11)，並使這些單元9、12彼此形成共軛而進行配置。圖12(a)圖12(b)所示為關於本實施形態的另一可變相位差單元的構成的概略圖。圖12(a)圖12(b)所示的可變相位差單元19，如圖12(a)所示，被配置在掩模遮簾16的附近，即與照明光學裝置(117)的被照射面形成光學共軛的位置或其附近。因此，對可變相位差單元19上，不依存於環帶照明、多極照明和圓形照明等，而入射與掩模M上的照明區域和晶圓W上的曝光區域(在掃描曝光的情況下為靜止曝光區域)大致相似的矩形狀的光束。參照圖12(b),可變相位差單元19由在以光軸AX為中心的矩形狀的區域內大致稠密配置的多個圓形的可變相位差構件19a、19b、19c、19d、19e、…構成。各可變相位差構件(19a19e，…)具有彼此相同的基本構成，具體地說，作為圖3(a)所示的索累補償器，或作為圖3(b)所示的巴俾涅補償器而分別構成。而且，各可變相位差構件(19a19e，…)通過例如圓形的外形的中心，而以與光軸AX平行(與Y方向平行)的軸線為中心旋轉自如地構成。作為一個例子，當在具有沿Y方向的偏光方向的直線偏光狀態下，對掩模M及晶圓W進行照明時，如圖13所示，利用偏光狀態轉換裝置(35)的作用，用於入射可變相位差單元19的各可變相位差構件(19a19e，…)的光束，應該都為沿Z方向具有偏光方向的直線偏光。但是，因在第2可變相位差構件4和可變相位差單元19之間的光路中所配置的光學構件的偏光特性等的影響，有時到達可變相位差單元19的光束的偏光狀態會由沿Z方向具有偏光方向的直線偏光狀態產生變化。作為單純的具體例子，如圖13所示，例如入射可變相位差單元19的可變相位差構件19a的光束會形成橢圓偏光狀態，或入射可變相位差構件19e的光束會形成在對Z方向傾斜的方向上具有偏光方向的直線偏光狀態。在這種情況下，在圖12(a)圖12(b)的可變相位差單元9中，為了使可變相位差構件19a作為1/4波長板正確地發揮機能，而對第1偏角稜鏡21b和第2偏角稜鏡21c的相對位置(或第1偏角稜鏡22a和第2偏角稜鏡22b的相對位置)進行調整。而且，為了使可變相位差構件19e作為1/2波長板正確地發揮機能，而對第1偏角稜鏡21b和第2偏角稜鏡21c的相對位置(或第1偏角稜鏡22a和第2偏角稜鏡22b的相對位置)進行調整。接著，藉由將可變相位差構件19a在圍繞中心軸線的特定角度位置上進行設定，而將橢圓偏光的入射光轉換為在Z方向上具有偏光方向的直線偏光的光。而且，藉由將可變相位差構件19e在圍繞中心軸線的特定角度位置上進行設定，而將直線偏光的入射光轉換為在Z方向上具有偏光方向的直線偏光的光。這樣，利用在與被照射面光學共軛的位置或其附近所配置的作為偏光轉換元件的可變相位差單元19的作用，可使入射光的偏光狀態轉換為所需的偏光狀態(在具體例子中為沿Z方向具有偏光方向的直線偏光狀態)，進而可以所需的偏光狀態(例如在Y方向上具有偏光方向的直線偏光狀態)對掩模M及晶圓W進行照明。即，藉由利用關於本實施形態的另一可變相位差單元19，而局部地變更對被照射面(掩模M，晶圓W)進行照明的光的偏光狀態，可由在被照射面上具有所需的偏光狀態的分布的照明光，對掩模M及晶圓W進行照明，進而可抑制在晶圓W上所形成的圖案的線寬在曝光區域內的每位置上的參差不齊，並抑制所謂的磁場內線寬差的產生。另外，可並用圖5的可變旋光單元和圖10的可變旋光單元，或圖10的可變相位差單元和圖12(a)圖12(b)的可變相位差單元。在這種情況下，藉由使照明瞳面或其附近的偏光狀態局部地連續變更，且使對被照射面(掩模M，晶圓W)進行照明的光的偏光狀態局部地連續變更，可由在照明瞳面或其附近具有所需的偏光狀態的分布且在被照射面上具有所需的偏光狀態的分布的照明光，對掩模M及晶圓W進行照明，進而能夠抑制圖案的非對稱誤差的產生及磁場內線寬差的產生等。另外，在上述的說明中，是將可變相位差單元19配置在掩模遮簾16的附近。但是並不限定於此，除了在掩模遮簾16的附近以外，也可在照明光學裝置(117)的被照射面的附近(例如掩模M的附近)、與被照射面光學共軛的位置或該共軛的位置附近進行配置。順便說一下，也可將可變相位差單元19對照明光路插拔自如地進行設置，或在照明光路中固定地進行設置。而且，在進行掃描曝光的情況下，將多個圓形的可變相位差構件沿非掃描方向配置為佳，且使沿非掃描方向的配置形成交錯狀(或Z字形)為佳。而且，在上述的說明中，是進行調整以使通過了可變相位差單元19之後的光束都形成沿Z方向具有偏光方向的直線偏光狀態，但並不限定於此，也可進行調整而使通過了可變相位差單元19之後的光束形成各種偏光狀態。而且，籍由根據偏光狀態測定部18的測定結果，從某調整狀態再對各可變相位差構件(19a19e,…)更加積極地分別進行微調整，也可由更加多樣的偏光狀態的光，對作為被照射面的掩模M，進而為晶圓W進行照明。在這種情況下，如圖12(a)圖12(b)所示，控制部CR接收來自偏光狀態測定部18的測定結果，控制用於驅動可變相位差單元19中的可變相位差構件19a19e的驅動部DR4，並對可變相位差單元19所形成的相位差量的分布進行調整，以使在作為被照射面的掩模M或晶圓W上的光束的偏光狀態分布形成所需的分布。而且，在上述的實施形態中，是在與照明光學裝置(117)的被照射面形成光學共軛的位置或其附近配置可變相位差單元19,但也可取代該可變相位差單元而配置多個可變旋光單元。在這種情況下，各個可變旋光構件的形狀不為圖5所示的扇形，而為圓形較佳。利用這種構成，可由在被照射面上具有所需的偏光方向的分布的照明光進行直線偏光照明。進而可由在被照射面上具有所需的偏光狀態的分布的照明光進行偏光照明。另外，也可將這種可變旋光單元和可變相位差單元組合使用。在這種情況下，利用可變相位差單元控制照明光的橢圓偏光率，並利用可變旋光單元控制偏光方向(在橢圓偏光的情況下為其長軸方向)為佳。而且，如在圖14(a)圖14(b)中作為第2變形例所示地，作為可變旋光單元80，可沿與非掃描方向(X方向)對應的方向，配置形成楔形狀的由具有旋光性的光學材料(例如水晶)所形成的可變旋光構件81a81f。這些可變旋光構件81a81f在與掃描方向對應的方向(Z方向)上可動，且它們的移動量可利用由控制部CR被控制並藉由與各可變旋光構件81a81f連接的驅動單元82a82f進行調整。參照圖14(b)，對各可變旋光構件81a81f的作用進行說明。另外，在此將可變旋光構件81f作為代表進行說明。在圖14(b)中，考慮沿可變旋光構件81f的移動方向(Z方向)的多個位置83fl83f5。此時，將通過了遮簾16的孔徑部16a內的多個位置83fl83f5的各光束的偏光狀態以84fl84f5表示。對不通過可變旋光構件81f的光束的偏光狀態84fl84f3，通過了可變旋光構件81f的光束的偏光狀態84f4、84f5，對應於可變旋光構件81f的光軸方向(Y方向)的厚度，使入射的直線偏光的偏光方向圍繞光軸進行旋轉。在此，考慮到掃描曝光，到達晶圓W上的一點的光束的偏光狀態可看作沿掃描方向的光束群的平均偏光狀態。在第2實施例中，對應於可變旋光構件81f的Z方向位置，可將沿Z方向的光束的偏光狀態84fl84f5的平均偏光狀態進行變更，所以可將到達晶圓W上的一點的光束的偏光狀態進行變更。而且，藉由將沿非掃描方向的各可變旋光構件81a81f的Z方向位置分別進行變更，可變更在非掃描方向上的光束的偏光狀態的分布。另外，如圖15所示，可在可變旋光單元的各可變旋光構件81a81f上，設置由光軸修正用的非晶質材料(例如石英)構成的楔形的光學構件85a85f(在圖15中只例示85f)，並作為整體而形成平行平面板狀。圖16(a)圖16(c)所示為關於第3變形例的可變旋光/移相單元的構成的概略圖。第3變形例是利用可變旋光器控制直線偏光的偏光方向(橢圓偏光的長軸方向的長度)，且利用可變移相器控制偏光的橢圓率。參照圖16(a)所示的側面圖、圖16(b)所示的上面圖及圖16(c)所示的下面圖，旋光器5155分別由結晶光學軸朝向光軸方向的水晶形成，而移相器6166分別由結晶光學軸朝向光軸直交方向的水晶形成。在此，旋光器51及移相器61形成四角錐形，旋光器5255以及移相器6265分別為(在包含光軸的面內的)斷面呈楔形，且從光軸方向看形成四分圓形。而且，為了消除移相器6165的旋光作用，而使移相器6165的結晶光學軸方向和移相器66的結晶光學軸方向彼此直交。而且，使旋光器5255對旋光器51在以光軸為基準的半徑方向上可動地進行設置，使移相器6265對移相器61在以光軸為基準的半徑方向上可動地進行設置。此時，旋光器5255沿四角錐形的旋光器51的斜面可動為佳，移相器6265沿四角錐形的移相器61的斜面可動為佳。對應於旋光器5255的半徑方向的位置，作為旋光器全體的光軸方向的厚度局部地進行變更。而且，對應於移相器6265的半徑方向位置，作為移相器全體的光軸方向的厚度局部地進行變更。因此，對通過旋光器51、52及移相器61、62、66的第1光束，通過旋光器51、53及移相器61、63、66的第2光束，通過旋光器51、54及移相器61、64、66的第3光束，以及通過旋光器51、55及移相器61、65、66的第4光束所分別賦予的旋光量及移相量可獨立地進行調整，所以能夠對第1第4光束的各個偏光狀態(偏光方向及橢圓率)獨立地進行調整。另外，為了對移相量有效地進行調整(修正)，最好如本變形例那樣在可變移相單元(6166)的入射側配置可變旋光單元(5155)。在此，如在可變移相單元(6166)的射出側配置可變旋光單元(5155)，則可變移相單元(6166)的移相器的結晶軸方位和入射可變移相器6166的光的偏光方向有可能形成平行或垂直，此時對入射光無法賦予移相作用。在這種情況下，設置用於使可變相位單元(6166)的移相器6166的結晶軸在光軸直交面內沿任意的方向進行旋轉的移相器旋轉機構，或與具有不同方位的結晶軸的移相器可交換地進行設置為佳。像這樣從光的入射側開始，按照可變旋光單元及可變移相單元的順序進行配置，不只是本實施例，在後述的變形例及實施形態中也是有效的。該可變旋光/移相單元(5155;6166)可取代圖5所示的可變旋光單元12、圖10所示的可變相位單元9，配置在照明光學裝置的瞳面或其附近。此時，作為在照明光學裝置的瞳面上所形成的二次光源，可應用例如圖17(a)所示的那種多極狀的二次光源35a35d。圖17(b)所示為形成該多極狀的二次光源35a35d的光束從可變移相單元(6165)的移相器6265射出時的位置關係。在該圖17(a)圖17(b)的例子中，二次光源35a35d的圓周方向的斷開處，以光軸為中心的方位角表示在10度以上。藉此，可不需要耗費用於在被分割的移相器(旋光器)的邊界處形成二次光源35a35d的光。而且，可取代圖12(a)圖12(b)所示的可變相位差單元19，而在照明光學裝置的被照射面、該被照射面的附近或它們的共軛面上進行配置。而且，在上述的例子中，是對通過4個區域的光束的旋光量及移相量獨立地進行控制，但區域的數目並不限定於4個，6個或8個都可以。在此，在照明光(曝光光)的波長為193nm的情況下，水晶的旋光能為90度/228um，移相量為180度/7"m。當使旋光器所形成的直線偏光方向的可變數為例如土20度，移相器所形成的相位調整量為士10度時，如使旋光器的楔形角為7.2度，則旋光器5255所要求的半徑方向的衝程為士lmm，如移相器的楔形角為0.35度，則移相器6265所要求的半徑方向的衝程為100um。圖18所示為關於第4變形例的一對非球面旋光器的構成及作用的模式圖。在本變形例中，如圖18所示，在掩模遮簾16的前側(光源側)配置第1非球面旋光器對58，在掩模遮簾16的後側(掩模側)配置第2非球面旋光器對59。第1非球面旋光器對58包括YZ斷面為凹狀的旋光器58a和具有與該旋光器58a的凹面互補的凸面的光軸修正板58b的組合，第2非球面旋光器對59包括YZ斷面為凸狀的旋光器59a和具有與該旋光器59a的凸面互補的凹面的光軸修正板5%的組合。這些第1非球面旋光器對58及第2非球面旋光器對59，採用一種依據光束的入射位置而使旋光器的厚度不同的構成。具體地說，第1非球面旋光器對58如圖19(a)所示，具有例如沿Y方向，在有效區域的中心使旋光量最小，且按照從中心的距離的二次函數而使旋光量向周邊無變化地(monotony)增大的這種二次凹形圖案的旋光量分布。另一方面，第2非球面旋光器對59如圖19(b)所示，具有例如沿Y方向，在有效區域的中心使旋光量最大，且按照從中心的距離的二次函數而使旋光量向周邊無變化地減少的這種二次凸形圖案的旋光量分布。而且，在本變形例中，是以第1非球面旋光器對58的有效區域的周邊的旋光量的最大值和中心的旋光量的最小值的差，與第2非球面旋光器對59的有效區域的中心的旋光量的最大值和周邊的旋光量的最小值的差相等的形態進行設定。即，第1非球面旋光器對58具有二次的凹狀圖案的旋光量分布，第2非球面旋光器對59具有二次的凸狀圖案的旋光量分布。結果，可使第1非球面旋光器對58和第2非球面旋光器對59具有互補的旋光量分布。而且，在本變形例中，是以第1非球面旋光器對58(嚴密地說為其凹面)和掩模遮簾16的距離，與第2非球面旋光器對59(嚴密地說為其凸面)和掩模遮簾16的距離彼此相等的形態進行設定。下面，著眼於在作為被照射面的掩模M(或作為最終的被照射面的晶圓W)上到達與光軸AX相交的中心點P1的光線，到達從中心點Pl到沿+Y方向只離開特定距離的點P2的光線，及到達從中心點Pl到沿-Y方向只離開特定距離的點P3的光線。在此，考慮只介入有具有二次的凹狀圖案的旋光量分布的第1非球面旋光器對58的情況。在圖18中，第1非球面旋光器對58和掩模遮簾16之間的3個標繪圖(A)，表示在第1非球面旋光器對58和掩模遮簾16之間的光路中行進的，關於點P1、P2、P3的光束的各個孔徑內旋光量的分布，掩模遮簾16和第2非球面旋光器對59之間的3個標繪圖(B),表示在掩模遮簾和第2非球面旋光器對59之間的光路中行進的，關於點P1、P2、P3的光束的各個孔徑內旋光量的分布。而且，第2非球面旋光器對59和成像光學系統17(或成像光學系統17和投影光學系統PL)之間的3個標繪圖(C)，表示在第2非球面旋光器對59和成像光學系統17(或成像光學系統17和投影光學系統PL)之間的光路中行進的，關於點P1、P2、P3的光束的各個孔徑內旋光量的分布，成像光學系統17(或成像光學系統17和投影光學系統PL)和被照射面(M，W)之間的3個標繪圖(D)，表示在成像光學系統17(或成像光學系統17和投影光學系統PL)和被照射面(M，W)之間的光路中行進的，關於點P1、P2、P3的光束的各個孔徑內旋光量的分布。在這些標繪圖(A)(D)中，於縱軸上取旋光量，橫軸上取數值孔徑NA。在此，根據標繪圖(A)，在第1非球面旋光器對58和掩模遮簾16之間，關於中心點P1的孔徑內旋光量形成凹狀圖案，關於點P2的孔徑內旋光量分布形成傾斜圖案，關於點P3的孔徑內旋光量分布形成與點P2的傾斜圖案在傾斜方向上相反的傾斜圖案。如標繪圖(B)所示，在通過了掩模遮簾16(中間成像點)後，關於中心點P1的孔徑內旋光量分布保持凹狀圖案，但關於點P2的孔徑內旋光量分布和關於點P3的孔徑內旋光量分布形成傾斜方向相反的傾斜圖案。另外，除了第1非球面旋光器對58以外，如還介入有具有二次的凸狀圖案的旋光量分布的第2非球面旋光器對59，則利用第2非球面旋光器對59的作用，如圖18的標繪圖(C)及(D)所示，使關於中心點Pl的旋光量分布從凹狀圖案返回均勻的圖案，而變化關於點P2及點P3的旋光量分布的傾斜圖案的程度被更加加重的傾斜圖案。換言之，利用第1修正非球面旋光器對58和第2非球面旋光器對59的協動作用，使關於中心點Pl(及與Pl具有相同的Y座標的點)的旋光量分布不進行變化，關於點P2(及與P2具有相同的Y座標的點)的旋光量分布變化為線形的傾斜圖案，關於點P3(及與P3具有相同座標的點)的旋光量分布變化為與點P2的傾斜圖案在傾斜方向上相反，且傾斜的程度相等的線形的傾斜圖案。另外，關於點P2及點P3的旋光量分布的線形的傾斜調整的程度，依存於點P2及點P3與中心點Pl相隔的沿Y方向的距離。艮P，從中心點Pl沿Y方向離開越遠，關於該點的旋光量分布的線形傾斜調整的程度越大。而且，參照圖18可明確知道，第1非球面旋光器對58及第2非球面旋光器對59從掩模遮簾16離開變得越大，到達被照射面上的各點的光線分別通過第1非球面旋光器對58及第2非球面旋光器對59的區域(以下稱作"部分(partial)區域")的尺寸，且關於各點的旋光量分布的線形的傾斜調整的程度也增大。當然，如將第1非球面旋光器對59及第2非球面旋光器對59的旋光量分布的變化程度設定得更大，則關於各點的旋光量分布的線形的傾斜調整的程度也增大。而且，如上所述，在本變形例中，第1非球面旋光器對58和第2非球面旋光器對59具有互補的旋光量分布，且第1非球面旋光器對58和第2非球面旋光器對59將掩模遮簾16夾於中間並設定在相等的距離上，所以關於被照射面上的各點的部分區域的位置及尺寸，在第1非球面旋光器對58和第2非球面旋光器對59上大致一致。結果，因第1非球面旋光器對58和第2非球面旋光器對59的協動作用，關於被照射面上的各點的旋光量分布雖然在每一點上分別進行調整，但被照射面上的旋光量分布實質上沒有變化。如以上所說明的那樣，在本實施例中，第1非球面旋光器對58和第2非球面旋光器對59，構成一種用於將關於被照射面(M，W)上的各點的旋光量分布分別獨立地進行調整的調整裝置，換言之，在本變形例中，第l非球面旋光器對58和第2非球面旋光器對59，構成用於對到達被照射面(M，W)上的各點的光束的孔徑內的偏光狀態獨立地進行調整的調整裝置。結果，在本變形例的曝光裝置中，可大致均勻地維持被照射面(M，W)上的旋光量分布，且將被照射面上的各點的偏光狀態分布分別調整成所需的分布，所以能夠將掩模M的細微圖案在曝光區域的全體範圍內，以所需的線寬在晶圓W上忠實地進行轉印。另外，在以上的說明中，第1非球面旋光器對58和第2非球面旋光器對59將掩模遮簾16夾在中間並設定在相等的距離上，但將與作為最終的被照射面即晶圓W光學共軛的共軛面夾在中間並在等距離，具體地說將例如掩模M夾在中間並在等距離上進行設定，也可得到與上述的實施形態同樣的效果。而且，在上述的說明中，第1非球面旋光器對58具有二次的凹狀圖案的旋光量分布，且第2非球面旋光器對59具有二次的凸狀圖案的旋光量分布，但在第l非球面旋光器對58具有二次的凸狀圖案的旋光量分布，且第2非球面旋光器對59具有二次的凹狀圖案的旋光量分布的情況下，也可得到與上述的變形例同樣的效果。而且，在上述的說明中，第1非球面旋光器對58及第2非球面旋光器對59為了賦予特定的圖案的旋光量分布，而利用由結晶軸與光軸平行定位的水晶所構成的旋光器，但也可作為替代，將例如由結晶軸與光軸被垂直定位的水晶所構成的移相器和光軸修正板進行組合，而利用第1非球面移相器對及第2非球面移相器對。在這種情況下，例如第1非球面移相器對包括YZ斷面為凹狀的移相器和具有與該移相器的凹面互補的凸面的光軸修正板的組合，第2非球面移相器對包括YZ斷面為凸狀的移相器和具有與該移相器的凸面互補的凹面的光軸修正板的組合。在這些第1非球面移相器對及第2非球面移相器對中，採用依據光束的入射位置而使移相器的厚度不同的構成。具體地說，第1非球面移相器對如圖19(c)所示，具有例如沿Y方向在有效區域的中心使移相量最小，且按照從中心的距離的二次函數而使移相量向周邊無變化地增大這種二次凹形圖案的移相量分布。另一方面，第2非球面移相器對如圖19(d)所示，具有例如沿Y方向，在有效區域的中心使移相量最大，且按照從中心的距離的二次函數而使移相量向周邊無變化地減小這種二次凸形圖案的移相量分布。利用這些第1非球面移相器對和第2非球面移相器對，可分別獨立地調整關於被照射面上的各點的移相量分布。換言之，可利用第1非球面移相器對和第2非球面移相器對，將到達被照射面(M，W)上的各點的光束的孔徑內的偏光狀態獨立地進行調整。另外，也可將該非球面移相器對和上述的非球面旋光器對這兩者進行組合。而且，在上述的說明中，第1非球面旋光器(移相器)對58及第2非球面旋光器(移相器)對59具有二次的圖案的旋光量(移相量)分布，且並不限定於此，關於對第1非球面旋光器(移相器)對58及第2非球面旋光器(移相器)對59所賦予的旋光量(移相量)分布的圖案，可有各種各樣的變形例。具體地說，例如第1非球面旋光器(移相器)對58如圖20(a)、圖20(c)所示，也可為第5變形例，即具有按照例如從有效區域的中心開始的沿Y方向的距離的四次函數，而從中心向周邊，使透過率一旦增大後進行減小這種四次的M字形圖案的旋光量(移相量)分布。在該第5變形例中，第2非球面旋光器(移相器)對59如圖20(b)、(d)所示，具有按照從有效區域的中心開始的沿Y方向的距離的四次函數，而從中心向周邊，使旋光量(移相量)一旦減小後進行增大這種四次的W字形圖案的旋光量(移相量)分布。在這種情況下，如將第1非球面旋光器(移相器)對58的旋光量(移相量)分布和第2非球面旋光器(移相器)對59的旋光量(移相量)分布互補地進行設定，則可得到與上述變形例同樣的效果。但是，因為第1非球面旋光器(移相器)對58的旋光量(移相量)分布和第2非球面旋光器(移相器)對59具有四次的圖案的旋光量(移相量)，所以可得到不是線形的傾斜調整，而是三次函數的傾斜調整效果。另外，第1非球面旋光器(移相器)對58及第2非球面旋光器(移相器)對59的圖案的旋光量(移相量)分布，也可在四次以上。而且，在上述的說明中，對第1非球面旋光器(移相器)對58及第2非球面旋光器(移相器)對59，賦予沿Y方向的一維旋光量(移相量)，即旋光器(移相器)為圓柱透鏡狀，但關於一維旋光量(移相量)分布的變化方向，可有各種各樣的變形例。而且，也可對第1非球面旋光器(移相器)對58及第2非球面旋光器(移相器)對59賦予二維的旋光量(移相量)分布。而且，也可將應賦予第1非球面旋光器(移相器)對58及第2非球面旋光器(移相器)對59的旋光量(移相量)分布，按照另外的適當函數進行規定。作為一個例子，藉由利用例如後面將進行說明的任尼克多項式(Zernikepolynomials),將第1非球面旋光器(移相器)對58及第2非球面旋光器(移相器)對59的旋光量(移相量)分布進行規定，可隨著使關於被照射面上的各點的孔徑內偏光狀態分布形成多種形態，而在每一點分別進行調整。然而，在上述的變形例中，是利用由結晶軸與光軸被垂直定位的水晶所構成的移相器，構成第1非球面移相器對和第2非球面移相器對，但作為移相器並不限定於水晶，也可應用例如由氟化鎂(MgF2)等呈現雙折射性的水晶材料所形成的移相器，由具有應力變形分布的光透過性材料所形成的移相器，由包含具有構造雙折射性的圖案的光透過性材料所形成的移相器等各種各樣的移相器o另外，在上述的變形例中，是將第1非球面旋光器(移相器)對58的透過率分布和第2非球面旋光器(移相器)對59的旋光量(移相量)分布互補地進行設定，但並不限定於此，也可為將與對第1非球面旋光器(移相器)對58的旋光量(移相量)分布互補的旋光量(移相量)分布實質上不同的旋光量(移相量)分布，賦予第2非球面旋光器(移相器)對59的變形例。在該變形例中，可依據對第1非球面旋光器(移相器)對59的旋光量分布互補的旋光量(移相量)分布，和第2非球面旋光器(移相器)對59的旋光量(移相量)分布的差，調整被照射面上的偏光狀態的分布，能夠將被照射面上的偏光狀態的分布大致一定地進行維持，且將被照射面上的各點的孔徑內的偏光狀態的分布分別大致均勻地進行調整。同樣，作為對被照射面上的偏光狀態的分布積極地進行調整的變形例，也可將掩模遮簾16夾在中間，而將第1非球面旋光器(移相器)對58和第2非球面旋光器(移相器)對59在彼此不同的距離上進行設定。在這種情況下，可依據掩模遮簾16和第1非球面旋光器(移相器)對58的距離，與掩模遮簾7和第2非球面旋光器(移相器)對59的距離的差，對被照射面上的偏光狀態的分布進行調整，進而能夠將被照射面上的偏光狀態的分布大致一定地進行維持，且將被照射面上的各點的孔徑內的偏光狀態的分布分別大致均勻地進行調整。而且，在上述的說明中，藉由利用一對非球面旋光器(移相器)對(58,59)，而將被照射面上的偏光狀態的分布大致均勻地進行維持或調整，且將被照射面上的各點的孔徑內的偏光狀態的分布分別大致均勻地進行調整。但是，並不限定於此，通常也可利用由具有特定的旋光量分布或移相量分布的多個非球面旋光器或非球面移相器所構成的調整裝置，得到本發明的效果。目卩，對構成調整裝置的非球面旋光器(移相器)的數目及配置，可有各種各樣的變形例。具體地說，也可為例如圖21所示，利用具有依據入射位置而旋光量(移相量)不同的旋光量(移相量)分布的3個非球面旋光器(移相器)71a71c的第6變形例。在圖21的第6變形例中，於微型複眼透鏡13和掩模遮簾16之間的聚光光學系統15的光路中，使第1非球面旋光器(移相器)及第2非球面旋光器(移相器)71b從光源側開始依次配置，並在聚光光學系統15和掩模遮簾16之間的光路中，配置第3非球面旋光器(移相器)71c。在這種情況下，如圖22(a)圖22(c)所示，軸上光束(到達掩模遮簾16和光軸AX的交點的光束)分別通過非球面旋光器(移相器)71a71c的區域，即軸上部分區域71aa、71ba、71ca，在每非球面旋光器(移相器)71a71c各不相同。同樣，軸外光束(到達從光軸AX離開的掩模遮簾16上的點的光束)分別通過非球面旋光器(移相器)71a71c的區域即軸外部分區域71ab、71bb、71cb，也在每非球面旋光器(移相器)71a71c各不相同。在該第6變形例中，藉由對各非球面旋光器(移相器)71a71c的旋光量(移相量)分布、各非球面旋光器(移相器)71a71c上的軸上部分區域及軸外部分區域的位置及尺寸等酌情進行設定，可將被照射面上的偏光狀態的分布大致均勻地進行調整，且將被照射面上的各點的孔徑內的偏光狀態的分布分別大致均勻地進行調整。另外，通常利用具有依據入射位置而使旋光量(移相量)變化的特定的旋光量(移相量)分布的多個非球面旋光器(移相器)所構成的調整裝置，對各非球面旋光器(移相器)的旋光量(移相量)分布、各非球面旋光器(移相器)上的軸上部分區域及軸外部分區域的位置及尺寸等酌情進行設定，可得到本發明的效果。下面，考慮一種對將從光源1到投影光學系統PL作為被照射面的晶圓W進行照明的照明光學裝置，並對該照明光學裝置(1PL)的調整方法進行說明。另外，在本實施形態中，為了使調整方法的說明簡潔化，可利用具有特定的旋光量(移相量)分布的多個(2個或2個以上)非球面旋光器(移相器)，可將被照射面(設定有晶圓W的面)上的偏光狀態的分布大致均勻地進行調整，且將被照射面上的各點的孔徑內的偏光狀態的分布分別大致均勻地進行調整。圖23所示為關於本實施形態的照明光學裝置的調整方法的各工序的概略流程圖。如圖23所示，在關於本實施形態的照明光學裝置(1PL)的調整方法中，得到關於被照射面上的多個點的孔徑內的偏光狀態的分布(瞳偏光狀態分布)及被照射面上的偏光狀態的分布(Sll)。具體地說，在分布獲得工序Sll中，根據照明光學裝置(1PL)的設計資料，計算出關於被照射面上的多個點的孔徑內的偏光狀態的分布及被照射面上的偏光狀態的分布。在此，作為照明光學裝置(1PL)的設計資料，利用例如從微型複眼透鏡13的稍後處到晶圓W的稍前處的光學系統(15PL)的資料，即各光學面的曲率半徑、各光學面的軸上間隔、形成各光學構件的光學材料的折射率及種類、使用光的波長、各光學構件的旋光量(移相量)、防反射膜和反射膜的入射角度特性(旋光量和移相(延遲)量)等資料。另外，關於根據設計資料而計算出關於被照射面上的多個點的孔徑內的偏光狀態的分布，可參照例如美國專利第6,870,668號公報。或者，也可在分布獲得工序Sll中，在實際上所製造的每個裝置，測定關於被照射面上的多個點的孔徑內的偏光狀態的分布及被照射面上的偏光狀態的分布。具體地說，關於被照射面上的多個點的孔徑內的偏光狀態的分布以及被照射面上的偏光狀態的分布，可利用例如圖2所示的偏光狀態測定部18進行測定。在本實施形態中，作為關於被照射面上的多個點的孔徑內(關於被照射面上的多個點的各個的瞳內)的偏光狀態分布，可利用由史託克士參數(So，SpS2，S3)所規定的特定偏光度(DSP,，DSP2,DSP3)的分布。在此，特定偏光度DSP!由關於通過瞳上的一點而到達像面上的一點的光線的史託克士參數Si對史託克士參數So的比S,/So所表示。同樣，特定偏光度DSP2由關於通過瞳上的一點而到達像面上的一點的光線的史託克士參數S2對史託克士參數SQ的比S2/So所表示，特定偏光度DSP3由關於通過瞳上的一點而到達像面上的一點的光線的史託克士參數S3對史託克士參數So的比S3/S所表示。在此，So為全強度，S！為水準直線偏光強度減去垂直直線偏光強度，S2為45度直線偏光強度減去135度直線偏光強度，S3為右旋轉圓偏光強度減去右旋轉圓偏光強度。接著，在本實施形態的調整方法中，對藉由根據設計資料的計算或利用偏光狀態測定部18的測定而得到的關於被照射面上的多個點的孔徑內的偏光狀態的分布及被照射面的偏光狀態的分布，是否分別在所需的程度大致均勻進行判定(S12)。在判定工序S12中，如判定為孔徑內的偏光狀態的分布及偏光狀態的分布中的至少一個在所需的程度並不大致均勻(圖中否的情況)，則進到非球面旋光器(移相器)的設計工序S13。另一方面，在判定工序S12中，如判定為孔徑內的偏光狀態的分布及偏光狀態的分布這兩者在所需的程度大致均勻(圖中是的情況)，則進到非球面旋光器(移相器)的形狀決定工序S15。在設計工序S13中，為了對關於被照射面上的多個點的孔徑內的偏光狀態的分布分別獨立地進行調整，且依據需要對被照射面的偏光狀態的分布進行調整，以使孔徑內的偏光狀態的分布及偏光狀態的分布這兩者在所需的程度變得大致均勻，而決定(計算出)應分別賦予多個非球面旋光器(移相器)的所需的旋光量(移相量)分布。具體地說，參照所計算或測定的孔徑內的偏光狀態的分布及偏光狀態的分布的信息，預先設定使用的非球面旋光器(移相器)的數目及位置，並為了將被照射面上的偏光狀態的分布大致均勻地維持或調整，且將被照射面上的各點的孔徑內的偏光狀態的分布大致均勻地進行調整，而求應對各非球面旋光器(移相器)所賦予的旋光量(移相量)分布。接著，在將賦予了設計工序S13所決定的旋光量(移相量)分布的多個非球面旋光器(移相器)，分別在設定位置上進行配置的狀態下，即非球面旋光器(移相器)的搭載狀態下，計算關於被照射面上的多點的孔徑內的偏光狀態的分布(瞳偏光狀態分布)及被照射面上的偏光狀態的分布(S14)。具體地說，在分布計算工序S14中，除了上述的設計資料信息以外，還參照關於各非球面旋光器(移相器)的旋光量(移相量)分布及位置的信息，計算孔徑內的偏光狀態的分布及偏光狀態的分布。接著，對由分布計算工序S14所計算出的關於被照射面上的多個點的孔徑內的偏光狀態的分布及被照射面上的偏光狀態的分布，是否在所需的程度大致均勻進行判定(S12)。在判定工序S12中，如判定為孔徑內的偏光狀態的分布及偏光狀態的分布中的至少一個在所需的程度並不大致均勻(圖中NO的情況)，則再次返回到非球面旋光器(移相器)的設計工序S13。另一方面，在判定工序S12中，如判定為孔徑內的偏光狀態的分布及偏光狀態的分布這兩者在所需的程度大致均勻(圖中YES的情況)，則進到非球面旋光器(移相器)的形狀決定工序S15。在例如試行錯誤式地將設計工序S13和分布計算工序S14進行反覆而進入到的形狀決定工序S15中，決定為了實現由設計工序S13計算出的所需的旋光量(移相量)分布(應賦予各非球面旋光器(移相器)的旋光量(移相量)分布)所必需的非球面旋光器(移相器)的面形狀。最後，製造具有形狀決定工序S15所決定的面形狀的多個非球面旋光器(移相器)及與該面形狀具有互補的面形狀的光軸修正板，並將所製造的各非球面旋光器(移相器)分別組入到光學系統中的特定的位置(S16)。如上所述，形狀決定工序S15及製造搭載工序S16，構成分別形成具有所需的旋光量(移相量)分布的多個非球面旋光器(移相器)並進行配置的調整工序。這樣，結束本實施形態的調整方法。下面，作為本實施形態的變形例，對能夠無試行錯誤地、簡易且正確地求取應賦予各非球面旋光器(移相器)的所需的旋光量(移相量)分布的調整方法進行說明。圖24所示為關於本實施形態的變形例的調整方法的各工序的概略流程圖。在圖24所示的變形例的調整方法中，與圖23所示的調整方法同樣地，得到關於被照射面上的多點的瞳內的偏光狀態的分布(瞳內偏光狀態分布或瞳偏光狀態分布)及被照射面上的偏光狀態的分布(S21)。具體地說，在分布獲得工序S21中，根據照明光學裝置(1PL)的設計資料，計算關於被照射面上的多點的瞳內偏光狀態分布及被照射面上的偏光狀態的分布。或者，利用上述的偏光測定部18，在實際所製造的每裝置內關於被照射面上的多個點的瞳內偏光狀態分布及被照射面的偏光狀態的分布進行測定。接著，與圖23所示的調整方法同樣地，對藉由根據設計資料的計算或利用偏光狀態測定部18的測定而得到的關於被照射面上的多個點的瞳內偏光狀態的分布及被照射面的偏光狀態的分布，是否分別在所需的程度大致均勻進行判定(S22)。在判定工序S22中，如判定為瞳內偏光狀態的分布及偏光狀態的分布中的至少一個在所需的程度並不大致均勻的情況(圖中否的情況)，則進到瞳內偏光狀態分布的近似工序S23。另一方面，在判定工序S22中，如判定為瞳內偏光狀態的分布及偏光狀態的分布中這兩者在所需的程度大致均勻(圖中是的情況)，則進到非球面旋光器(移相器)的形狀決定工序S27。在瞳內偏光狀態分布的近似工序S23中，將由分布獲得工序S21所得到的關於被照射面上的各點的瞳內偏光狀態分布，由作為照明瞳面的瞳座標的函數的特定的多項式進行近似。例如在本實施形態中，當進行例如2極照明和環帶照明時，利用任尼克環狀多項式(ZernikeAnnularpolynomials)多項式，將照明光在瞳內的偏光狀態的分布，利用特定偏光度DSP(DSP,，DSP2，DSPO的分布進行表現。這是因為，在環帶照明中，瞳內的有效光源區域的形狀為圓環形(環帶形)，在2極照明中瞳內的2極狀的有效光源區域佔據圓環形的區域的一部分。在用於表示特定偏光度DSP的瞳內的分布的任尼克環狀多項式的表現中，作為座標系統利用瞳極座標(P，0)，作為直交函數系統利用任尼克環狀的圓柱函數。艮口，特定偏光度DSP(P,e)利用任尼克環狀的圓柱函數AZi(P,e)，如下式(b)那樣進行展開。DSP(P,9)=ECiAZi(P，6)=C1AZl(P,S)+C2AZ2(P，e)…+CnAZn(P,8)(b)在此，Ci為任尼克環狀多項式的各項的係數。下面，在任尼克環狀多項式的各項的函數系統AZi(P,S)中，只將關於第1項第16項的函數AZ1AZ16以下表(l)進行表示。另外，在函數AZ2AZ16中含有的[e]，為在瞳內有效光源區域佔據部分或全體的圓環狀的區域的環帶比(圓環狀的區域的內徑/外徑=oinner/oouter)。(I_sVT+13e2+4€一十46e'+13e*+el(lAZ15(0p3(1+4ea+e4)—-12p3(l+4e3+4s43p(l+4e2+1Oe*1+4e'+e,》si。0(1-ez)Vl+13e2+46e4+46e6+3e'十e'。AZ1620p6-30/4(1+)+12/^(1+3+。-(1+9一屮9g'+g6)(i《Pouter表1AZlAZ2表(l)AZ3AZ4AZ5AZ6AZ7AZ8AZ9AZ10AZI2AZ13AZ142/2一l一g2~l一？~~/72COSVl+S2sin2(9(i)7(l+)a+4^+巧(3p3(l+e2)-2p(l+s2+e4))sine(l-s卞l+5s2+5s4+e6(1—。2/3cosM"I-)(4乂(l+一+gV3/^(l+一+g4+一》cos2g(10p5(I+4￡z+e4)—i2p3(!+4E2+扭<+s6)+3p(，+4E2+!。e4+4E6+E'))咖0o+*1+另一方面，在例如圓形照明的情況下，利用邊緣任尼克多項式(FringeZernikepolynomials),將照明光在瞳內的偏光狀態的分布，利用特定偏光度DSP(DSPpDSP2、DSP3)的分布進行表現。這是因為，在圓形照明中，瞳內的有效光源區域的形狀為圓形。在用於表示特定偏光度DSP的瞳內的分布的邊緣任尼克多項式的表現中，作為座標系統利用瞳極座標(p,e)，作為直交函數系統利用邊緣任尼克e的圓柱函數。艮P，特定偏光度DSP(P,e)利用邊緣任尼克e的圓柱函數FZi(P,e)，如下式(c)那樣進行展開。DSP(P,e)=EBiFZi(P,e)=B1FZ1(P，0)+B2FZ2(P，6)…+BnFZn(P,9)(c)在此，Bi為邊緣任尼克多項式的各項的係數。下面，在邊緣任尼克多項式的各項的函數系統FZi(P,e)中，只將關於第1項第16項的函數FZ1FZ16以下表(2)進行表示。表(2)tableseeoriginaldocumentpage49接著，在本變形例的調整方法中，根據近似工序S23所得到的任尼克多項式中的各項的係數Ci，對關於各點的偏光狀態的分布利用作為像面極座標(h，a)及瞳極座標(P，e)的函數的偏光狀態分布多項式進行評價(S24)。具體地說，在評價工序S24中，設定將關於各點的偏光狀態的分布作為像面極座標(h，a)及瞳極座標(P，e)的函數進行表示的偏光狀態分布多項式。另外，關於偏光狀態分布多項式的設定，可參照美國專利的第US2003/0206289號公報和日本專利早期公開的2005-121卯號公報。在上述的公報中，是設定將投影光學系統的波面像差作為像面極座標(h，a)及瞳極座標(P，6)的函數進行表示的像差多項式(aberrationpolynomial),但很明顯可利用同樣的方法設定偏光狀態分布多項式。這樣，在評價工序S24中，根據近似工序(S23)所得到的任尼克多項式中的各項任尼克係數Ci，決定偏光狀態分布多項式中的各項的係數，進而將關於各點的偏光狀態的分布利用偏光狀態分布多項式進行表示並評價。具體地說，如上述的公報所揭示的，著眼於例如特定項的任尼克函數Zi，根據對應的任尼克係數Ci的像面內分布(各點上的係數Ci的分布)，利用例如最小二乘方法決定偏光狀態分布多項式中的特定項的係數。另外，著眼於其他的特定項的任尼克函數Zi，根據對應的任尼克係數Ci的像面內分布，利用例如最小二乘方法依次決定偏光狀態分布多項式中的其他的項的係數。這樣，在評價工序S24中，最終得到用於同時表現偏光狀態分布的瞳內分布及像面內分布的偏光狀態分布多項式。這樣，藉由利用同時表現偏光狀態分布的瞳內分布及像面內分布的偏光狀態分布多項式，可將偏光狀態分布解析性地進行分解，與利用電腦試行錯誤式地進行數值最適化的方法相比，能夠迅速且正確地計算出光學調整解。即，由於利用偏光狀態分布多項式容易把握偏光狀態分布狀況的特徵，所以光學調整的預測容易提出。接著，在非球面旋光器(移相器)的設計工序S25中，為了對關於被照射面上的多個點的偏光狀態的分布分別獨立地進行調整，且依據需要對被照射面的偏光狀態的分布進行調整，以使瞳偏光狀態及被照射面內的偏光狀態的分布這兩者在所需的程度變得大致均勻，而決定(計算出)應分別賦予多個非球面旋光器(移相器)的所需的旋光量(移相量)分布。具體地說，首先依據需要，將分布獲得工序S21所得到的被照射面(像面)的偏光狀態的分布，利用作為像面極座標(h，a)的函數的任尼克多項式預先進行近似。而且，將應賦予各非球面旋光器(移相器)的旋光量(移相量)分布，由例如利用非球面旋光器(移相器)的光學面上的極座標的任尼克多項式進行表現。然後，準備表示用於表現各非球面旋光器(移相器)的旋光量(移相量)分布的任尼克多項式的各項的係數和關於被照射面上的各點的瞳偏光狀態分布的變化的關係的第1表格T21，以及表示用於表現各非球面旋光器(移相器)的旋光量(移相量)分布的任尼克多項式的各項的係數和被照射面上的偏光狀態的分布的關係的第2表格T22。這樣，在設計工序S25中，根據利用參照了在評價工序S24中所得到關於偏光狀態分布的評價結果(具體地說為同時表現偏光狀態分布的瞳內分布及像面內分布的偏光狀態分布多項式)、依據需要利用任尼克多項式被近似的偏光狀態分布信息、第1表格T21中的各非球面旋光器(移相器)的旋光量(移相量)分布和瞳偏光狀態分布的變化的相關關係、以及第2表格T22中的各非球面旋光器(移相器)的旋光量(移相量)分布和偏光狀態的分布變化的相關關係的線性結合的最佳化方法，求為了將被照射面的偏光狀態分布大致均勻地進行維持或調整，且將被照射面上的各點的瞳偏光狀態的分布分別大致均勻地進行調整而應賦予各非球面旋光器(移相器)的旋光量(移相量)分布。接著，在將賦予了設計工序S25所決定的旋光量(移相量)分布的多個非球面旋光器(移相器)分別配置在設定位置上的狀態下，即非球面旋光器(移相器)的搭載狀態下，計算出關於被照射面上的多個點的瞳偏光狀態分布及被照射面上的偏光狀態分布(S26)。然後，判定由分布計算工序S26所計算出的關於被照射面上的多個點的瞳偏光狀態分布及被照射面上的偏光狀態分布是否分別在所需的程度大致均勻(S22)。由於利用根據線形結合的最佳化方法，可無試行錯誤地、簡易且正確地求取所需的旋光量(移相量)分布，所以在判定工序S22中判定瞳偏光狀態分布及偏光狀態分布這兩者在所需的程度大致均勻，進到非球面旋光器(移相器)的形狀決定工序S27。在形狀決定工序S27中，決定用於實現設計工序S25計算出的所需的旋光量(移相量)分布所必需的非球面旋光器(移相器)的面形狀。最後，製造具有形狀決定工序S27所決定的面形狀的多個非球面旋光器(移相器)以及與該面形狀具有互補的面形狀的光軸修正板，並將所製造的各非球面旋光器(移相器)對分別組入到光學系統中的特定的位置上(S28)。這樣，結束變形例的調整方法。關於上述的各實施形態或變形例的調整方法，也可在例如對半導體製造工廠所設置的多個曝光裝置進行調整時使用。在這種情況下，最好進行調整而使多個曝光裝置的偏光狀態形成彼此相同的偏光狀態。藉此，可將曝光裝置的用戶所使用的掩模的OPC(光學鄰接效果修正)，在多個曝光裝置間共同化，能夠謀求掩模成本的降低。下面，對利用具有多個曝光裝置的曝光系統的微型元件(IC和LSI等半導體晶片、液晶面板、CCD、薄膜磁頭、微型機等)的生產系統的一個例子進行說明。其將半導體製造工廠所設置的製造裝置的故障應對和定期維護或軟體提供等保養服務，利用製造工廠外的電腦網路進行。圖25是將本實施形態的全體系統從某個角度分割出來表示。在圖中，301為提供半導體元件的製造裝置的賣主(裝置供給廠家)的事業所。作為製造裝置的實例，假設為在半導體製造工廠所使用的各種處理用的半導體製造裝置，例如前工序用機器(曝光裝置、光刻膠處理裝置、刻蝕裝置等光刻蝕裝置、熱處理裝置、成膜裝置、平坦化裝置等)和後工序用機器(組裝裝置、檢查裝置等)。在事業所301內，包括用於提供製造裝置的保養資料庫的主管理系統308、多個操作終端電腦310、將它們進行連接並構築內部網絡的區域網路(LAN)309。主管理系統308具有對為了將LAN309與事業所的外部網絡即網際網絡305進行連接的網關，和來自外部的連接進行限制的安全機能。另一方面，302304為作為製造裝置的用戶的半導體製造廠家的製造工廠。製造工廠302304可為屬於彼此不同的廠家的工廠，也可為屬於同一廠家的工廠(例如前工序用的工廠、後工序用的工廠等)。在各工廠302304內，分別設置有包含上述的曝光系統(多個曝光裝置)的多個製造裝置306、將它們進行連接並構築內部網的區域網路(LAN)311、作為監視各製造裝置306的工作狀況的監視裝置的主管理系統307。在各工廠302304內所設置的主管理系統307，具有用於將各工廠內的LAN311與作為工廠的外部網絡，即網際網絡305，進行連接的網關。藉此，可從各工廠的LAN311通過網際網絡305對賣主301側的主管理系統308進行連接，並只使因主管理系統308的安全機能而受限的用戶，獲得連接許可。具體地說，通過網際網絡305，除了將表示各製造裝置306的工作狀況的狀態信息(例如產生故障的製造裝置的症狀)從工廠側通知賣主側以外，還可從賣主側接收與該通知相對應的回應信息(例如用於指示對故障的處理方法的信息、處理用的軟體和資料)、最新的軟體、幫助信息等保養信息。在各工廠302304和賣主301之間的資料通信以及各工廠內的LAN311上的資料通信中，使用在網際網絡中通常使用的通信協議(TCP/IP)。另外，作為工廠外的外部網絡，也可取代利用網際網絡，而利用不允許來自第三者的連接的安全性高的專用線網絡(ISDN等)。而且，主管理系統也並不限定於由賣主進行提供，也可由用戶構築資料庫並設置在外部網絡上，且允許從用戶的多個工廠對該資料庫的連接。另外，圖26所示為將本實施形態的全體系統從與圖25不同的角度分割出來表示的概念圖。在圖25的例子中，是將分別具有製造裝置的多個用戶工廠和該製造裝置的賣主的管理系統利用外部網絡進行連接，並通過該外部網絡將各工廠的生產管理和至少1臺的製造裝置的信息進行資料通信。與此相對，本例是將具有多個賣主的製造裝置的工廠和該多個製造裝置的各個的賣主的管理系統，利用工廠外的外部網絡進行連接，且將各製造裝置的保養信息進行資料通信。在圖示中，201為製造裝置用戶(半導體元件製造廠家)的製造工廠，在工廠的製造線上導入有進行各種處理的製造裝置，在此作為例子有上述實施形態的第1及第2曝光裝置202、光刻膠處理裝置203、成膜處理裝置204。另外，在圖26中製造工廠201隻標示了1個，但實際上多個工廠同樣地被網絡化。工廠內的各裝置由LAN206連接而構成內部網絡，並由主管理系統205進行製造線的營運管理。另一方面，在曝光裝置廠家210、光刻膠處理廠家220、成膜裝置廠家230等賣主(裝置供給廠家)的各事業所，具有分別對所供給的機器進行遠端保養的主管理系統211、221、231，且它們如上所述包括保養資料庫和外部網絡的網關(gateway)。用於管理用戶的製造工廠內的各裝置的主管理系統205和各裝置的賣主的管理系統211、221、231，由作為外部網絡200的網際網絡或專用線網絡進行連接。在該系統中，當製造線的一系列製造機器中的某一個產生故障時，會使製造線的工作停止，但藉由從發生故障的機器的賣主，接受通過網際網絡200的遠端保養，可進行迅速的應對，能夠將製造線的停止抑制在最小限度。在半導體製造工廠所設置的各製造裝置，分別包括顯示器、網絡接口、用於執行在存儲裝置中所存儲的網絡連接用軟體以及裝置動作用的軟體的電腦。作為存儲裝置，為內置存儲器和硬碟或網絡檔案伺服器等。上述網絡連接用套裝軟體含專用或通用的網頁瀏覽器，向顯示器上提供例如圖27中作為一個例子顯示的畫面的用戶介面。在各工廠管理製造裝置的操作人員一面參照畫面，一面將製造裝置的機種(401)、串列代碼(402)、故障的事件名(403)、發生日(404)、緊急程度(405)、症狀(406)、處理方法(407)、經過(408)等信息在畫面上的輸入專案中進行輸入。所輸入的信息通過網際網絡被發送到保養資料庫，並從保養資料庫發回作為其結果的保養信息，且在顯示器上進行提示。而且，網頁瀏覽器提供的用戶介面還如圖示那樣，實現超連結功能(410412)，操作人員可連接各項目的更加詳細的信息，或從賣主所提供的軟體庫中提出在製造裝置中使用的最新版本的軟體，或提出供給工廠的操作人員參考的操作手冊(幫助信息)。另外，上述實施形態中的偏光測定部18所測定的關於偏光狀態的信息，也可包含在上述的狀態信息中，且關於上述的可變相位差構件和可變旋光構件的調整量的信息，也可包含在上述的回應信息中。而且，在上述的非球面旋光器中，如利用該非球面旋光器只對旋光量分布的一次成分(傾斜成分)進行修正即可，則如圖28(a)所示，可利用楔形的旋光器。此時，在楔形的旋光器的楔形角極淺的情況下(例如在0.5'10'的範圍內的情況下)，也可不設置光軸修正板。而且，在上述的非球面移相器，如利用該非球面移相器只對移相量分布的一次成分(傾斜成分)進行修正即可，則如圖28(b)所示，可利用具有一次成分的應力變形分布(應力雙折射分布)的光透過構件，而取代非球面移相器。如該圖28(b)所示的光透過構件的移相量的分布圖28(c)所示，形成一次成分(傾斜成分)的移相量分布。而且，如利用關於上述各實施形態的調整方法，則即使在例如構成掩模的光透過構件具有雙折射分布的情況下，也可以能夠對該掩模內部的雙折射分布進行補償的偏光分布的照明光，對掩模進行照明，所以能夠對掩模所引起的偏光狀態的惡化進行修正，並能夠減輕感光性基板上所形成的圖案的線寬異常。而且，即使在投影光學系統具有特定的延遲分布那樣的情況下，也可以能夠對該延遲分布進行補償的偏光分布的照明光，對掩模進行照明，所以能夠對投影光學系統所引起的偏光狀態的惡化進行修正，並能夠減輕感光性基板上所形成的圖案的線寬異常。在關於上述的實施形態的曝光裝置中，藉由利用照明光學裝置對掩模(中間掩模(reticle))進行照明(照明工序)，並利用投影光學系統將掩模上所形成的轉印用的圖案在感光性基板上進行曝光(曝光工序)，可製造微型元件(半導體元件、攝像元件、液晶顯示元件、薄膜磁頭等)。下面，藉由利用上述實施形態的曝光裝置，在作為感光性基板的晶圓等上形成特定的電路圖案，而對得到作為微型元件的半導體元件時的方法的一個例子，參照圖29的流程圖進行說明。首先，在圖29的步驟301中，在1批晶圓上蒸鍍金屬膜。在下一步驟302中，在這1批晶圓上的金屬膜上塗敷光刻膠。然後，在步驟304中，利用上述的實施形態的曝光裝置，使掩模上的圖案的像通過該投影光學系統，在這l批晶圓上的各拍攝區域上依次進行曝光轉印。然後，在步驟304中，進行這l批晶圓上的光刻膠的顯像後，在步驟305中，藉由在這1批晶圓上將光刻膠圖案作為掩模進行刻蝕，而使與掩模上的圖案相對應的電路圖案，形成在各晶圓上的各拍攝區域上。然後，藉由進行更上一層的電路圖案的形成等，而製造半導體元件等元件。如利用上述的半導體元件製造方法，可生產率良好地得到具有極細微的電路圖案的半導體元件。而且，在上述的實施形態的曝光裝置中，藉由在板材(玻璃基板)上形成特定的圖案(電路圖案、電極圖案等)，也可得到作為微型元件的液晶顯示元件。下面，參照圖30的流程圖，對此時的方法的一個例子進行說明。在圖30中，於圖案形成工序401中，實行利用上述的實施形態的曝光裝置，將掩模的圖案在感光性基板(塗敷有光刻膠的玻璃基板等)上進行轉印曝光的所謂的光刻蝕工序。利用該光刻蝕工序，而在感光性基板上形成含有多個電極等的特定圖案。然後，被曝光的基板藉由經過顯像工序、刻蝕工序、光刻膠剝離工序等各項工序，而在基板上形成特定的圖案，並轉向下一彩色濾光膜形成工序402。接著，在彩色濾光膜形成工序402中，形成將多個對應於R(紅)、G(綠)、B(藍)的3個點的組呈矩陣狀排列，或者將多個R、G、B的3根帶式的彩色濾光膜的組沿水平掃描線方向進行排列的彩色濾光膜。然後，在彩色濾光膜形成工序402之後，實行元件組裝工序403。在元件組裝工序403中，利用具有由圖案形成工序401所得到的特定圖案的基板，以及由彩色濾光膜形成工序402所得到的彩色濾光膜等，組裝液晶面板(液晶元件)。在元件組裝工序403中，在例如具有由圖案形成工序401所得到的特定圖案的基板，和由彩色濾光膜形成工序402所得到的彩色濾光膜之間注入液晶，製造液晶面板(液晶元件)。然後，在模組組裝工序404中，安裝用於進行所組裝的液晶面板(液晶元件)的顯示動作的電路、背光燈等各個構件，而作為液晶顯示元件得以完成。如利用上述的液晶顯示元件的製造方法，可生產率良好地得到具有極細微的電路圖案的液晶顯示元件。另外，在上述的實施形態中，作為曝光光利用ArF準分子雷射(波長193nm)和KrF準分子雷射(波長248nm)，但並不限定於此，對其他的適當的光源，例如用於供給波長157nm的雷射的F2雷射光源等，也可應用本發明。而且，在上述的實施形態中，是對在曝光裝置中將掩模進行照明的照明光學裝置應用本發明，並不限定於此，也可對將除了掩模以外的被照射面進行照明的一般的照明光學裝置及其調整方法，應用本發明。權利要求1.一種照明光學裝置，為一種根據來自光源的光，在所需的偏光狀態的基礎上對被照射面進行照明的照明光學裝置，其特徵在於，包括第1偏光變更裝置，對所述被照射面進行照明的光的偏光狀態局部地進行變更；第2偏光變更裝置，將所述照明光學裝置的瞳面或其附近的位置上的偏光狀態局部地進行變更。2.如權利要求1所述的照明光學裝置，其特徵在於所述第1及第2偏光變更裝置中的至少一個，具有使所通過的光的相位局部地進行變化的相位構件。3.如權利要求2所述的照明光學裝置，其特徵在於所述相位構件具有由二軸性結晶材料形成，且沿光軸方向彼此接近配置的一對光學構件；所述一對光學構件，使一光學構件的結晶光學軸與另一光學構件的結晶光學軸彼此大致直交地進行定位；所述一對光學構件，以沿與光軸平行的多根直線的所述一光學構件的厚度和所述另一光學構件的厚度的差彼此不同的形態而形成。4.如權利要求2或3所述的照明光學裝置，其特徵在於所述相位構件具有與所述瞳面上的多個區域分別對應配置，可將通過的光束的相位變化進行調節的多個相位變化調節部。5.如權利要求4所述的照明光學裝置，其特徵在於所述相位變化調節部具有巴俾涅索累波長板。6.如權利要求15的任一項所述的照明光學裝置，其特徵在於所述第1及第2偏光變更裝置的至少一個，具有將入射的光的偏光狀態可局部地進行調整的偏光可變構件。7.如權利要求6所述的照明光學裝置，其特徵在於所述偏光可變構件具有用於將入射的光的偏光狀態在多個局部區域獨立地進行調整的多個偏光可變元件。8.如權利要求17的任一項所述的照明光學裝置，其特徵在於還具有用於測定到達所述被照射面的光的偏光狀態的偏光狀態測定器；所述第1及第2偏光變更裝置中的至少一方，依據所述偏光狀態測定器的測定結果而分別進行調整。9.如權利要求18的任一項所述的照明光學裝置，其特徵在於所述第1偏光變更裝置被配置在所述被照射面、所述被照射面的附近的位置，與所述被照射面形成光學共軛的位置，以及與所述被照射面形成光學共軛的位置的附近的位置中的任一個上，所述第2偏光變更裝置被配置在所述照明光學裝置的瞳面或其附近的位置上。10.—種照明光學裝置，為一種根據來自光源的光對被照射面進行照明的照明光學裝置，其特徵在於具有配置在照明瞳面或其附近，用於將入射光的偏光狀態轉換為特定的偏光狀態的偏光轉換元件；所述偏光轉換元件將在所述照明光學裝置的瞳面或其附近的位置上的光的偏光狀態，局部地進行變更。11.如權利要求10所述的照明光學裝置，其特徵在於所述偏光轉換元件具有用於對入射的直線偏光可變地賦予旋光角度的多個可變旋光構件。12.如權利要求11所述的照明光學裝置，其特徵在於所述多個可變旋光構件的每一個，由具有旋光性的光學材料形成，且具有可沿與所述照明光學裝置的光軸交差的方向相對地進行移動的2個偏角稜鏡。13.如權利要求12所述的照明光學裝置，其特徵在於所述2個偏角稜鏡以結晶光學軸與所述光軸大致平行的形態進行配置。14.如權利要求12或13所述的照明光學裝置，其特徵在於所述2個偏角稜鏡具有彼此互補的楔形的斷面形狀。15.如權利要求1114的任一項所述的照明光學裝置，其特徵在於所述多個可變旋光構件，沿以所述照明光學裝置的光軸為中心的圓的圓周方向進行配置。16.如權利要求15所述的照明光學裝置，其特徵在於所述多個可變旋光構件的每一個，具有大致的扇形形狀。17.如權利要求1116的任一項所述的照明光學裝置，其特徵在於-還具有用於對到達所述被照射面的光的偏光狀態進行測定的偏光狀態測定器，所述多個可變旋光構件，依據所述偏光狀態測定器的測定結果，分別進行調整。18.如權利要求1017的任一項所述的照明光學裝置，其特徵在於所述偏光轉換元件具有用於對入射光和射出光之間可變地賦予相位差的多個可變相位差構件。19.如權利要求18所述的照明光學裝置，其特徵在於所述多個可變相位差構件的每一個，具有以與所述照明光學裝置的光軸大致平行的軸線為中心而旋轉自如地構成的巴俾涅補償器或索累補償器。20.如權利要求18或19所述的照明光學裝置，其特徵在於所述多個可變相位差構件，沿以所述照明光學裝置的光軸為中心的圓的圓周方向進行配置。21.如權利要求1820的任一項所述的照明光學裝置，其特徵在於還具有用於測定到達所述被照射面的光的偏光狀態的偏光狀態測定器；所述多個可變相位差構件依據所述偏光狀態測定器的測定結果，分別進行調整。22.如權利要求1021的任一項所述的照明光學裝置，其特徵在於具有被配置在所述被照射面的附近、與所述被照射面光學共軛的位置上，或在該共軛的位置的附近，用於將入射光的偏光狀態轉換為特定的偏光狀態的另外的偏光轉換元件；所述另外的偏光轉換元件將在所述被照射面上的照明光的偏光狀態局部地進行變更。23.—種照明光學裝置，為一種根據來自光源的光對被照射面進行照明的照明光學裝置，其特徵在於具有被配置在所述被照射面的附近、與所述被照射面光學共軛的位置上，或在該共軛的位置的附近，用於將入射光的偏光狀態轉換為特定的偏光狀態的偏光轉換元件；所述偏光轉換元件將在所述被照射面上的照明光的偏光狀態局部地進行變更。24.如權利要求23所述的照明光學裝置，其特徵在於所述偏光轉換元件具有用於對入射光和射出光之間可變地賦予相位差的多個可變相位差構件。25.如權利要求24所述的照明光學裝置，其特徵在於所述多個可變相位差構件的每一個，具有以與所述照明光學裝置的光軸大致平行的軸線為中心而旋轉自如地構成的巴俾涅補償器或索累補償器。26.如權利要求24或25所述的照明光學裝置，其特徵在於還具有用於測定到達所述照射面的光的偏光狀態的偏光狀態測定器；所述多個可變相位差構件依據所述偏光狀態測定器的測定結果，分別進行調整。27.如權利要求2326的任一項所述的照明光學裝置，其特徵在於所述偏光轉換元件具有用於對入射的直線偏光可變地賦予旋光角度的多個可變旋光構件。28.如權利要求27所述的照明光學裝置，其特徵在於還具有用於測定到達所述照射面的光的偏光狀態的偏光狀態測定器；所述多個可變旋光元件依據所述偏光狀態測定器的測定結果，分別進行調整。29.—種曝光裝置，其特徵在於具有權利要求128的任一項所述的照明光學裝置，並將利用該照明光學裝置而被照明的特定圖案，在感光性基板上進行曝光。30.—種曝光方法，其特徵在於利用權利要求128的任一項所述的照明光學裝置，將特定的圖案在感光性基板上進行曝光。31.—種元件製造方法，其特徵在於，包括曝光工序，利用權利要求128的任一項所述的照明光學裝置，將特定的圖案在感光性基板上進行曝光；以及顯像工序，對利用所述曝光工序而被曝光的所述感光性基板進行顯像。32.—種調整方法，為一種根據來自光源的光對被照射面進行照明的照明光學裝置的調整方法，其特徵在於，包括-第1工序，準備對入射光和射出光之間可變地賦予相位差的可變相位差構件；第2工序，將所述可變相位差構件所賦予的所述相位差設定為特定的值；以及第3工序，將所述可變相位差構件配置在所述光源和所述被照射面之間的光路中。33.如權利要求32所述的調整方法，其特徵在於所述第3工序將所述第2工序中所述相位差被設定為所述特定的值的所述可變相位差構件，設置在所述光源和所述被照射面之間的光路中。34.如權利要求32所述的調整方法，其特徵在於所述第2工序包括對通過所述光源和所述被照射面之間的光路中所配置的所述可變相位差賦予構件的光進行測定的第4工序、根據利用該第4工序的測定結果而將所述可變相位差賦予構件的所述相位差設定為特定的值的第5工序。35.如權利要求34所述的調整方法，其特徵在於在所述第4工序中，對到達所述被照射面的光的偏光狀態進行測定。36.如權利要求3235的任一項所述的調整方法，其特徵在於包含使所述可變相位差構件圍繞所述照明光學裝置的光軸進行旋轉的第6工序。37.—種調整方法，為一種根據來自光源的光對被照射面進行照明的照明光學裝置的調整方法，其特徵在於，包括第1工序，將在所述被照射面上的照明光的偏光狀態局部地進行變更；以及第2工序，將所述照明光學裝置的瞳面或其附近的位置上的光的偏光狀態局部地進行變更。38.如權利要求37所述的調整方法，其特徵在於所述第1及第2工序中的至少一個工序，具有使通過的光的相位局部地進行變化的第3工序。39.如權利要求37或38所述的調整方法，其特徵在於所述第1及第2工序中的至少一個工序，具有對入射的直線偏光可變地賦予旋光角度的第4工序。40.如權利要求3739的任一項所述的調整方法，其特徵在於還包括用於測定到達所述被照射面的光的偏光狀態的偏光狀態測定工序；在所述第1及第2工序中的至少一個工序中，依據所述偏光狀態測定工序的測定結果，分別進行調整。41.如權利要求3740的任一項所述的調整方法，其特徵在於在所述第1工序中，將所述被照射面、所述被照射面的附近的位置，與所述被照射面光學共軛的位置，以及在與所述被照射面光學共軛的位置附近的位置的任一處的偏光狀態局部地進行變更；在所述第2工序中，將所述照明光學裝置的瞳面或其附近的位置上的偏光狀態，局部地進行變更。42.—種照明光學裝置，其特徵在於依據權利要求3241的任一項所述的調整方法進行調整。43.—種調整方法，為一種利用照明光學裝置對特定的圖案進行照明，並將該特定的圖案在感光性基板上進行曝光的曝光裝置的調整方法，其特徵在於-將所述照明光學裝置依據權利要求3241的任一項所述的調整方法進行調整。44.如權利要求43所述的調整方法，其特徵在於還包括用於對到達所述感光性基板的光的偏光狀態進行測定的偏光狀態測定工序；在所述第1及第2工序中的至少一個工序中，依據利用所述偏光狀態測定工序的測定結果分別進行調整。45.—種曝光裝置，其特徵在於依據權利要求43或44所述的調整方法進行調整。46.—種調整方法，為一種包括第1曝光裝置和第2曝光裝置的曝光系統的調整方法，其中第1曝光裝置具有對第1掩模上的第1圖案進行照明的第1照明光學裝置，且將所述第1掩模的所述第1圖案在感光性基板上進行曝光，第2曝光裝置具有對第2掩模上的第2圖案進行照明的第2照明光學裝置，且將所述第2掩模的所述第2圖案在所述感光性基板上進行曝光；其特徵在於將所述第1及第2照明光學裝置，依據權利要求3241的任一項所述的調整方法進行調整。47.如權利要求46所述的調整方法，其特徵在於，還包括對向所述第1及第2曝光裝置的所述感光性基板的光的偏光狀態進行計測；以及依據該被計測的偏光狀態，對所述第1及第2曝光裝置的可變相位差構件進行調整。48.如權利要求47所述的調整方法，其特徵在於在對所述可變相位差構件進行調整的工序中，進行調整以使向所述第1曝光裝置的所述感光性基板的光的偏光狀態，和向所述第2曝光裝置的所述感光性基板的光的偏光狀態大致一致。49.如權利要求47或48所述的調整方法，其特徵在於對所述可變相位差構件進行調整的工序，包括將所述被照射面的照明光的偏光狀態局部地進行變更的工序、將所述照明光學裝置的瞳面或其附近的位置上的光的偏光狀態局部地進行變更的工序中的至少之一。50.—種曝光系統，其特徵在於依據權利要求4649的任一項所述的調整方法進行調整。51.—種微型元件製造丁廣，其特徵在於，具有包含權利要求50所述的第1曝光裝置及第2曝光裝置的各種處理用的製造裝置群、將該製造裝置群進行連接的區域網路、可從該區域網路連接工廠外的外部網絡的網關；以及可將關於所述製造裝置群的至少1臺的信息進行資料通信。52.—種微型元件製造方法，其特徵在於，包括將含有權利要求50所述的第1曝光裝置及第2曝光裝置的各種處理用的製造裝置群在微型元件製造工廠進行設置的工序；以及利用該製造裝置群，由多個處理程序以製造微型元件的工序。53.如權利要求52所述的微型元件製造方法，其特徵在於，還具有將所述製造裝置群利用區域網路進行連接的工序；以及在所述區域網路和所述微型元件製造工廠外的外部網絡之間，將關於所述製造裝置群的至少1臺的信息進行資料通信的工序。全文摘要本發明提供一種實質上不受作為波長板發揮機能的光學構件的製造誤差的影響，而以所需的偏光狀態的光對被照射面進行照明的照明光學裝置。該照明光學裝置為基於來自光源(1)的光，對被照射面(M，W)進行照明的照明光學裝置。該照明光學裝置具有被配置在照明瞳面或其附近，用於將入射光的偏光狀態轉換為特定的偏光狀態的偏光轉換元件(12)。偏光轉換元件具有用於對入射的直線偏光可變地賦予旋光角度的多個可變旋光構件。各可變旋光構件由具有旋光性的光學材料形成，且具有沿與光軸(AX)交差的方向可相對移動的2個偏角稜鏡。文檔編號H01L21/027GK101164142SQ20068000068公開日2008年4月16日申請日期2006年1月18日優先權日2005年1月21日發明者廣田弘之,慄田信一,谷津修,重松幸二申請人:株式會社尼康