圓片研磨切割方法

2023-05-19 04:02:21

專利名稱：圓片研磨切割方法
技術領域：
本發明涉及一種IC封裝工藝方法，尤其是一種用於有效地防止圓片表面劃傷、壓傷，提高圓片碎裂後的成品率的工藝方法。
背景技術：
目前，公知的IC封裝普通圓片研磨切割工藝(圖1所示)為1.研磨前wafer貼膜，2.作業後揭膜，3.切割前貼片，4.切割前圓片貼片後在支架上。期間wafer裸露在空間的機會出現在研磨作業後，增加了外物觸及圓片造成劃傷、碎裂和切割前貼片的壓傷，對破碎圓片的貼片作業將無法實施，常用mapping裝片的圓片無法進行晶片位置識別。

發明內容
本發明是要解決現有IC封裝普通圓片研磨切割工藝存在研磨後圓片裸露，外物易觸及圓片造成劃傷、碎裂和切割前貼片的壓傷的技術問題，而提供一種能解決上述技術問題的圓片研磨切割方法。
為實現上述目的，本發明的技術方案是一種圓片研磨切割方法，具體步驟是1.研磨前圓片貼膜，2.圓片切割前貼片；3.貼片作業後揭膜，4.揭膜後圓片在切割機上進行作業。
本發明與現有IC封裝普通圓片研磨切割工藝方法相比，取消研磨作業後揭膜的動作，直接進行切割前貼片，之後進行揭膜，杜絕了研磨後圓片裸露的機會，有效避免劃傷、碎裂的發生，因為膜的韌性保證了圓片在切割前貼片不會產生壓傷，即使圓片碎裂也能保持圓片布局完好，可以進行手工貼片，mapping裝片依然可以進行作業，提高了成品率。
本實用新型的有益效果是可以有效減少圓片劃傷、壓傷和碎裂的效果，提高成品率。


圖1是現有的研磨切割工藝流程示意圖；圖2是本發明的研磨切割工藝流程示意圖。
下面結合附圖和實施例對本發明作進一步說明。
具體實施例方式
本發明將有現有的正常普通圓片研磨切割工藝順序進行調整1-2-3(①研磨前wafer貼膜②作業後揭膜③切割前貼片)改為1-3-2(①研磨前wafer貼膜③切割前貼片②作業後揭膜)，達到能夠減少晶片劃傷、壓傷和碎裂的目的。
因此，本發明的具體方法步驟(如圖2所示)1.研磨前圓片先貼膜然後進行研磨作業；2.研磨後圓片進行切割前的貼片，將圓片用膠帶粘貼在支架上；3.貼片後的圓片再進行揭膜作業；4.揭膜後的圓片可以在切割機上進行作業。
權利要求
1.一種圓片研磨切割方法，其特徵在於，具體步驟是(1)研磨前圓片貼膜；(2)圓片切割前貼片；(3)貼片作業後揭膜；(4)揭膜後圓片在切割機上進行作業。
全文摘要
本發明公開了一種圓片研磨切割方法，具體步驟是1.研磨前圓片貼膜，2.圓片切割前貼片；3.貼片作業後揭膜，4.揭膜後圓片在切割機上進行作業。本發明取消了研磨作業後揭膜的動作，直接進行切割前貼片，之後進行揭膜，杜絕了研磨後圓片裸露的機會，有效避免劃傷、碎裂的發生，因為膜的韌性保證了圓片在切割前貼片不會產生壓傷，即使圓片碎裂也能保持圓片布局完好，可以進行手工貼片，mapping裝片依然可以進行作業，提高了成品率。
文檔編號H01L21/304GK1931519SQ20061011667
公開日2007年3月21日 申請日期2006年9月28日 優先權日2006年9月28日
發明者許海漸 申請人:南通富士通微電子股份有限公司