一種在tc1、tc2鈦合金上電鍍鉻的方法
2023-05-18 19:26:06 3
一種在tc1、tc2鈦合金上電鍍鉻的方法
【專利摘要】本發明公開一種在TC1、TC2鈦合金上電鍍鉻的方法，包括如下步驟：對TC1、TC2鈦合金除油；將除油後的TC1、TC2鈦合金進行噴砂；對噴砂後的TC1、TC2鈦合金進行活化；將活化後TC1、TC2鈦合金進行氫化；對氫化後的TC1、TC2鈦合金鍍乳白鉻；再對TC1、TC2鈦合金鍍硬鉻。該方法不僅消除了氧化膜對TC1、TC2鈦合金電鍍鉻的影響，還保證了TC1、TC2鈦合金基材的性能，使得TC1、TC2鈦合金的優良性能得到有效發揮。
【專利說明】—種在TC1、TC2鈦合金上電鍍鉻的方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種在鈦合金表面電鍍鉻的方法，具體涉及一種在TC1、TC2鈦合金表面電鍍鉻的方法。
【背景技術】
[0002]TCUTC2鈦合金具有許多優良的性能，常以比重輕、抗腐蝕性優良等優點廣泛應用於航空、航天、航海及化工產品中。然而其耐磨性較差，對熱鹽腐蝕性敏感、表面膜的導熱及導電性低、焊接困難等，也使其在應用上受到了限制。鍍鉻層具有顯微硬度高(HV > 700)、耐磨性好、鍍層穩定等優點，已被廣泛應用於飛機高強度鋼零件的防護。然而TC1、TC2鈦合金基體在空氣中極易迅速自然氧化，表面產生的氧化膜嚴重阻礙了電鍍的正常進行，因此，如何消除TC1、TC2鈦合金表面氧化膜的影響，在TC1、TC2鈦合金表面進行電鍍鉻，以保證鈦合金自身的優良性能，又解決其表面耐磨性差的缺點，進而提高其綜合性能是本領域技術人員亟需解決的問題。
【發明內容】
[0003]為解決現有技術存在的問題和不足，本發明提供一種在TC1、TC2鈦合金上電鍍鉻的方法，該方法不僅消除了氧化膜對TC1、TC2鈦合金電鍍鉻的影響，還保證了 TC1、TC2鈦合金基材的性能，使得TC1、TC2鈦合金的優良性能得到有效發揮。
[0004]為達到上述目的本發明所採用的技術方案為，
[0005]一種在TC1、TC2鈦合金上電鍍鉻的方法，包括如下步驟:
[0006]I)將TC1、TC2鈦合金在除油溶液中除油，至除淨為止；
[0007]優選的，除油溶液組成為:氫氧化鈉60g/L_80g/L，碳酸鈉30g/L_50g/L，磷酸三鈉30g/L-50g/L，矽酸鈉 10g/L-30g/L，餘量為水，溫度為 75°C -95°C。
[0008]2)將除油後的TC1、TC2鈦合金採用石英砂或剛玉砂噴砂，噴砂壓力為
0.3MPa_0.5MPa ；
[0009]3)將噴砂後的TC1、TC2鈦合金放入溫度為18°C _25°C的酸性溶液中靜置30s-45s，進行活化使TC1、TC2鈦合金去除厚度2 μ m_3 μ m ;
[0010]優選的,酸性溶液組成為:鹽酸(P = 1.19g/ml)40ml/L-50ml/L,40% (v/v)氫氟酸25ml/L-30ml/L，餘量為水。
[0011]4)將活化後TC1、TC2鈦合金在溫度為18°C -25 °C的硫酸和鹽酸中靜置60min-90min,進行氧化；
[0012]優選的，按體積比，硫酸(P= 1.84g/ml):鹽酸(P = 1.19g/ml) = 65:35。
[0013]5)對氫化後的TC1、TC2鈦合金鍍乳白鉻；
[0014]溶液組成如下:
[0015]
【權利要求】
1.一種在TC1、TC2鈦合金上電鍍鉻的方法，其特徵在於，包括如下步驟: 1)將TCl或TC2鈦合金在除油溶液中除油； 2)將除油後的TC1、TC2鈦合金採用石英砂或剛玉砂噴砂，噴砂壓力為0.3MPa_0.5MPa ； 3)將噴砂後的TCl或TC2鈦合金放入溫度為18°C_25°C的酸性溶液中靜置30s_45s，進行活化使TCl或TC2鈦合金去除厚度2 μ m-3 μ m ; 4)將活化後的TCl或TC2鈦合金在溫度為18°C_25°C的硫酸和鹽酸的混合液中靜置60min-90min,進行氧化； 5)對氫化後的TCl或TC2鈦合金鍍乳白鉻； 6)再對TCl或TC2鈦合金鍍硬鉻。
2.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述步驟I)中的除油溶液組成為:氫氧化鈉 60g/L-80g/L，碳酸鈉 30g/L-50g/L，磷酸三鈉 30g/L_50g/L，矽酸鈉 10g/L_30g/L，餘量為水，溫度為75°C -95°C。
3.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述步驟3)中的酸性溶液組成為:鹽酸40ml/L-50ml/L，體積濃度為40%的氫氟酸25ml/L_30ml/L，餘量為水。
4.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述步驟4)中按體積比，硫酸:鹽酸=65:35。
5.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述步驟5)具體為在下列組分溶液和條件下鍍乳白鉻，
6.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述步驟6)具體為在下列組分溶液和條件下鍍硬鉻， 鉻酸酐200g/L-250g/L 硫酸 P=L 84g/ml 2.0g/L-2.5g/L 三氧化二鉻3g/L-8g/L 條件:溫度:50°C -60°C ;電流密度 45A/dm2-55A/dm2 ;沉積速率:20 μ m/h-30 μ m/h。
【文檔編號】C25D5/38GK104005059SQ201410257959
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2014年6月11日 優先權日:2014年6月11日
【發明者】於海, 於寬深, 沙春鵬, 湯智慧 申請人:瀋陽飛機工業（集團）有限公司