一種基於腐蝕的aaqfn產品的二次塑封製作工藝的製作方法
2023-05-05 20:21:56 1
專利名稱：一種基於腐蝕的aaqfn產品的二次塑封製作工藝的製作方法
技術領域：
本發明涉及ー種扁平封裝件塑封エ序中的改良エ藝，尤其是ー種基於腐蝕的AAQFN產品的二次塑封製作エ藝，屬於集成電路封裝技術領域。
背景技術：
集成電路是信息產業和高新技術的核心，是經濟發展的基礎。集成電路封裝是集成電路產業的主要組成部分，它的發展一直伴隨著其功能和器件數的增加而邁進。自20世紀90年代起，它進入了多引腳數、窄間距、小型薄型化的發展軌道。無載體柵格陣列封裝(即AAQFN)是為適應電子產品快速發展而誕生的一種新的封裝形式，是電子整機實現微小型化、輕量化、網絡化必不可少的產品。 無載體柵格陣列封裝元件，底部沒有焊球，焊接時引腳直接與PCB板連接，與PCB的電氣和機械連接是通過在PCB焊盤上印刷焊膏，配合SMT回流焊エ藝形成的焊點來實現的。該技術封裝可以在同樣尺寸條件下實現多引腳、高密度、小型薄型化封裝，具有散熱性、電性能以及共面性好等特點。AAQFN封裝產品適用於大規模、超大規模集成電路的封裝。AAQFN封裝的器件大多數用於手機、網絡及通信設備、數位相機、微機、筆記本電腦和各類平板顯示器等高檔消費品市場。掌握其核心技木，具備批量生產能力，將大大縮小國內集成電路產業與國際先進水平的差距，該產品有著廣闊市場應用前景。但是由於技術難度等限制，目前AAQFN產晶在市場上的推廣有一定難度，尤其是在可靠性方面，直接影響產品的使用及壽命，已成為AAQFN封裝件的技術攻關難點。
發明內容
為了克服上述現有技術存在的問題，本發明提供一種基於腐蝕的AAQFN產品的ニ次塑封製作エ藝，使集成電路框架與塑封體結合更加牢固，不受外界環境影響，直接提高產品的封裝可靠性，同時降低成本。為了實現上述目的，本發明採用一種基於腐蝕的AAQFN產品的二次塑封製作エ藝，先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽，然後採用二次塑封的方法，具體製作エ藝按照如下步驟進行第一歩、晶圓減薄；晶圓減薄厚度為50iim 200u m,粗糙度Ra 0. IOum
0.30um ；第二步、劃片；第三步、採用粘片膠上芯；第四歩、壓焊；第五步、採用傳統塑封料進行一次塑封；第六步、後固化；第七步、框架背面蝕刻凹槽；用三氯化鐵溶液在框架背面做局部開窗半蝕刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以內；第八步、二次塑封；第九步、後固化、磨膠、錫化、列印、產品分離、檢驗、包裝、入庫。所述的方法中的第二步中150iim以上的晶圓採用普通QFN劃片工藝；厚度在150i!m以下晶圓，採用雙刀劃片機及其工藝；所述的方法中的第三步中上芯時採用的粘片膠可以用膠膜片(DAF)替換；所述的方法中的第八步二次塑封中使用30 32um顆粒度的塑封料填充；所述的方法中的第四步、第六步、第九步均與常規AAQFN工藝相同。
本發明的有益效果本發明先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽，然後採用二次塑封的方法，在一次塑封的塑封料和框架間形成更加有效的防拖拉結構，使集成電路框架與塑封體結合更加牢固，不受外界環境影響，直接提高產品的封裝可靠性，同時，簡單易行，生產效率高，降低成本。
圖I為本發明中引線框架剖面圖；圖2為本發明中上芯後廣品首I]面圖；圖3為本發明中壓焊後產品剖面圖；圖4為本發明中一次塑封后產品剖面圖；圖5為本發明中框架背面蝕刻後產品剖面圖。圖中1-引線框架、2-粘片膠、3-晶片、4-鍵合線、5-塑封體、6-蝕刻凹槽。
具體實施例方式下面結合附圖1-5和實施例對本發明做進一步說明，以方便技術人員理解。實施例I先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽，然後採用二次塑封的方法，具體製作工藝按照如下步驟進行第一步、晶圓減薄；晶圓減薄厚度為50lim,粗糙度Ra 0. IOum ；第二步、採用雙刀劃片機及其工藝進行劃片；第三步、採用粘片膠上芯；第四步、採用與常規AAQFN工藝相同的方法進行壓焊；第五步、採用傳統塑封料進行一次塑封；第六步、採用與常規AAQFN工藝相同的方法進行後固化；第七步、框架背面蝕刻凹槽；用三氯化鐵溶液在框架背面做局部開窗半蝕刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以內；第八步、二次塑封；使用30um顆粒度的塑封料填充；第九步、採用與常規AAQFN工藝相同的方法進行後固化、磨膠、錫化、列印、產品分離、檢驗、包裝、入庫。實施例2先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽，然後採用二次塑封的方法，具體製作工藝按照如下步驟進行第一歩、晶圓減薄厚度為130 U m，粗糙度Ra為0. 20um ；第二步、採用雙刀劃片機及其エ藝進行劃片；第三步、採用膠膜片(DAF)上芯；第四步、採用與常規AAQFNエ藝相同的方法進行壓焊；第五步、採用傳統塑封料進行一次塑封；第六步、採用與常規AAQFNエ藝相同的方法進行後固化； 第七步、框架背面蝕刻凹槽；用三氯化鐵溶液在框架背面做局部開窗半蝕刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以內；第八步、二次塑封；使用3Ium顆粒度的塑封料填充；第九步、採用與常規AAQFNエ藝相同的方法進行後固化、磨膠、錫化、列印、產品分離、檢驗、包裝、入庫。實施例3先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽，然後採用二次塑封的方法，具體製作エ藝按照如下步驟進行第一歩、晶圓減薄厚度為200 u m,粗糙度Ra為0. 30um ；第二步、採用普通QFN劃片エ藝進行劃片；第三步、採用膠膜片(DAF)上芯；第四步、採用與常規AAQFNエ藝相同的方法進行壓焊；第五步、採用傳統塑封料進行一次塑封；第六步、採用與常規AAQFNエ藝相同的方法進行後固化；第七步、框架背面蝕刻凹槽；用三氯化鐵溶液在框架背面做局部開窗半蝕刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以內；第八步、二次塑封；使用32um顆粒度的塑封料填充；第九步、採用與常規AAQFNエ藝相同的方法進行後固化、磨膠、錫化、列印、產品分離、檢驗、包裝、入庫。傳統衝壓框架在塑封エ序塑封料填充後，由於框架本身平整光滑，塑封料與框架之間的結合度低，極易出現分層的情況，封裝件可靠性得不到保證。本發明採用的不同於以往的塑封エ藝，在框架上用腐蝕的方法形成凹槽後，採用二次塑封的方法在框架與一次塑封料、二次塑封料之間形成有效的防拖拉結構，大大降低封裝件分層情況的發生機率，極大提高產品可靠性，優於傳統AQQFN產品的塑封效果。
權利要求
1.一種基於腐蝕的AAQFN產品的二次塑封製作工藝，其特徵在於先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽，然後採用二次塑封的方法，具體製作工藝按照如下步驟進行 第一步、晶圓減薄；晶圓減薄厚度為50 ii m 200 V- m,粗糙度Ra 0. IOum 0. 30um ； 第二步、劃片； 第三步、採用粘片膠上芯； 第四步、壓焊； 第五步、採用傳統塑封料進行一次塑封； 第六步、後固化； 第七步、框架背面蝕刻凹槽；用三氯化鐵溶液在框架背面做局部開窗半蝕刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以內； 第八步、二次塑封； 第九步、後固化、磨膠、錫化、列印、產品分離、檢驗、包裝、入庫。
2.根據權利要求I所述的一種基於腐蝕的AAQFN產品的二次塑封製作工藝，其特徵在於所述的方法中的第二步中150 iim以上的晶圓採用普通QFN劃片工藝；厚度在150iim以下晶圓，採用雙刀劃片機及其工藝。
3.根據權利要求I所述的一種基於腐蝕的AAQFN產品的二次塑封製作工藝，其特徵在於所述的方法中的第三步中上芯時採用的粘片膠用膠膜片(DAF)替換。
4.根據權利要求I所述的一種基於腐蝕的AAQFN產品的二次塑封製作工藝，其特徵在於所述的方法中的第八步二次塑封中使用30 32um顆粒度的塑封料填充。
5.根據權利要求I所述的一種基於腐蝕的AAQFN產品的二次塑封製作工藝，其特徵在於所述的方法中的第四步、第六步、第九步均與常規AAQFN工藝相同。
全文摘要
本發明涉及一種基於腐蝕的AAQFN產品的二次塑封製作工藝，屬於集成電路封裝技術領域；本發明先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽，然後採用二次塑封的方法，在一次塑封的塑封料和框架間形成更加有效的防拖拉結構，使集成電路框架與塑封體結合更加牢固，不受外界環境影響，直接提高產品的封裝可靠性，同時，簡單易行，生產效率高，降低成本。
文檔編號H01L21/56GK102779763SQ20121018221
公開日2012年11月14日 申請日期2012年6月5日 優先權日2012年6月5日
發明者崔夢, 羅育光, 蒲鴻鳴, 郭小偉 申請人:華天科技(西安)有限公司