晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件及其製備方法
2023-05-05 11:08:51
晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件及其製備方法
【專利摘要】本發明公開了一種晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件及其製備方法，該組件包括晶片陣列、基板、並行光纖和電路板，晶片陣列的光電轉換面上間隔形成有若干個光電轉換區，基板上形成有與光電轉換區尺寸相匹配的通孔；晶片陣列一側貼裝到基板，使每個光電轉換區的中心與對應的通孔的中心正對；基板定位於電路板上，晶片陣列與電路板上所需連接的其他電子元件電連接；並行光纖中每路光纖的裸光纖部從背向晶片陣列的一側插置於基板上對應的通孔內。本發明組件結構簡單，製作成本低，通過該組件能夠簡單易行的實現晶片陣列與並行光纖的耦合對準，且對準精度高，耦合效率高，易於實現，適用於各種採用並行光纖技術的產品。
【專利說明】晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件及其製備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件，具體是涉及一種雷射器或光電二極體的晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件及其製備方法。
【背景技術】
[0002]為了適應人們對通信帶寬需求的日益增加，增加傳輸容量及減小功耗是光纖通信領域的重中之重，並行光學技術由此日益發展。目前利用並行光學技術的產品主要有QSFP光模塊、雷電(Thunderbolt)線纜和光有源HDMI線纜等。並行光學技術的主要特徵是在一個單獨器件或模塊中有多路雷射二極體或光電二極體對準多路光纖。因此，如何將多路光纖與多路雷射二極體或光電二極體同時對準，這就涉及到耦合對準的方法。
[0003]如圖6揭示了一種晶片陣列與並行光纖耦合對準的傳統方法:多路光纖利用V型糟或ΜΡ0/ΜΤ插芯加工成並行光纖3，先將並行光纖耦合對準透鏡陣列6固定，再將並行光纖與透鏡陣列固定到多維調整架上，通過反覆調節調整架，同時觀測VCSEL (垂直腔面發射雷射器)的光功率或者F1D (光電二極體)光電流的大小，才能實現透鏡陣列6與晶片陣列I(VCSEL晶片陣列或H)晶片陣列)的耦合對準。
[0004]一般VCSEL及H)晶片陣列兩兩之間的間距為250 μ m，間距精度誤差約為0.2 μ m，要想將VCSEL晶片陣列並行發射的每一路雷射均勻的耦合對準到每條光纖中，然後再將每條光纖中的雷射均勻的耦合到ro晶片陣列中，這需要透鏡陣列和並行光纖的精度誤差必須控制到Iym之內，所以製備透鏡陣列和並行光纖的技術要求較高，同樣成本也居高不下。而且還需要通過反覆調節調整架同時觀測VCSEL的光功率及ro光電流來實現耦合對準，工藝複雜且耗時較長。
【發明內容】
[0005]為了解決上述技術問題，本發明提出一種晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件及其製備方法，該組件結構簡單，製作成本低，通過該組件能夠簡單易行的實現晶片陣列與並行光纖的耦合對準，且對準精度高，耦合效率高，易於實現，適用於各種採用並行光纖技術的產品。
[0006]本發明的技術方案是這樣實現的:
[0007]—種晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件，包括一晶片陣列、一基板、一併行光纖和一電路板,所述晶片陣列的光電轉換面上間隔形成有若干個光電轉換區，對應每個光電轉換區，所述基板上形成有與所述光電轉換區尺寸相匹配的通孔；所述晶片陣列具有光電轉換面的一側貼裝到所述基板的一側，使每個光電轉換區的中心與對應的通孔的中心正對；所述基板定位於所述電路板上，所述晶片陣列與所述電路板上所需連接的其他電子元件電連接；對應每個通孔，所述並行光纖設有一路具有裸光纖部的光纖，每路光纖的裸光纖部從背向所述晶片陣列的一側插置於所述基板上對應的通孔內。
[0008]作為本發明的進一步改進，所述晶片陣列的光電轉換面上間隔形成有四個所述光電轉換區，且每個光電轉換區和對應的通孔均為圓形。
[0009]作為本發明的進一步改進，所述晶片陣列為VCSEL晶片陣列和ro晶片陣列中的一種，所述晶片陣列為VCSEL晶片陣列時，所述光電轉換區為VCSEL晶片陣列的發光區；所述晶片陣列為H)晶片陣列時，所述光電轉換區為ro晶片陣列的感光區。
[0010]作為本發明的進一步改進，所述晶片陣列的光電轉換面上間隔形成有若干個晶片焊盤；對應每個晶片焊盤，所述基板一側形成有一基板焊盤，所述晶片陣列的每個晶片焊盤與所述基板上對應的基板焊盤焊接在一起。
[0011]作為本發明的進一步改進，所述基板上形成有與所述電路板上所需連接的其他電子元件的電路圖形相對應的金線圖形，所述金線圖形與所述電路圖形電連接，且所述金線圖形與所述晶片陣列電連接。
[0012]作為本發明的進一步改進，所述基板的材質為單晶矽片和陶瓷板中的一種，所述基板焊盤的材質為金錫合金。
[0013]作為本發明的進一步改進，所述金線圖形與所述電路圖形電連接的方式為導電膠固定、金錫焊料焊接和金線鍵合中的一種。
[0014]作為本發明的進一步改進，所述通孔的內徑比所述裸光纖的外徑大2微米到9微米。
[0015]作為本發明的進一步改進，另設有一用於支撐所述並行光纖的固定塊，所述固定塊位於所述基板背向所述晶片陣列的一側，所述並行光纖的每路光纖固設於所述固定塊上。
[0016]一種晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件的製備方法，包括如下步驟:
[0017]a)準備一晶片陣列,該晶片陣列的光電轉換面上間隔形成有若干個圓形光電轉換區，且該晶片陣列的光電轉換面上間隔形成有若干個晶片焊盤；
[0018]b)準備一電路板，該電路板上形成有所需連接的其他電子元件的電路圖形；
[0019]c)製備一基板，對應步驟a)中每個光電轉換區，在該基板上蝕刻出與光電轉換區尺寸相匹配的圓形通孔；對應步驟a)中每個晶片焊盤，製作出基板焊盤；對應步驟b)中的電路圖形，在該基板上製作出金線圖形；
[0020]d)通過聞精度晶片焊接機將晶片陣列的晶片焊盤對準焊接到基板上對應的基板焊盤上，使晶片陣列上的每個光電轉換區正對基板上對應的通孔，將每個光電轉換區的圓心與對應通孔的圓心對準，並將對準偏差精度控制在微米級或亞微米級；
[0021]e)將步驟d)形成的晶片陣列和基板的組合體貼裝到電路板上，使電路板上的電路圖形與基板上對應的金線圖形電連接；
[0022]f)準備一併行光纖，對應每個通孔，該並行光纖設有一路光纖，將並行光纖的每路光纖剝開外皮露出裸光纖，將裸光纖從背向晶片陣列的一側插入基板上對應的通孔，再用膠水進行固定；
[0023]g)在基板背向晶片陣列的一側設置一固定塊，並將並行光纖的每路光纖用膠固定在該固定塊上。
[0024]本發明的有益效果是:本發明提供一種晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件及其製備方法，通過在基板上形成有與晶片陣列的光電轉換區尺寸相匹配的圓形通孔，將晶片陣列貼裝到基板上，將基板再裝設到電路板上，並使光電轉換區的圓心與對應的通孔的圓心正對，晶片陣列與電路板上所需連接的其他電子元件電連接；每路光纖的裸光纖部從背向晶片陣列的一側插置於基板上對應的通孔內，本發明即可簡單易行的實現晶片陣列與並行光纖的耦合對準，且對準精度高，耦合效率高，易於實現，適用於各種採用並行光纖技術的產品。相比現有的並行光纖耦合對準方法，本發明晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件具有結構簡單，製作成本低，耦合對準耗時短等多重優點。較佳的，晶片陣列的光電轉換面上間隔形成有四個光電轉換區，且每個光電轉換區和對應的通孔均為圓形。這樣，由於每個圓形光電轉換區對應一個圓形通孔，一個圓形通孔對應一路光纖，因此，基板上將形成有四個圓形通孔，並行光纖將具有四路光纖，即可以實現四路並行光纖與晶片陣列的耦合對準。較佳的，晶片陣列為VCSEL晶片陣列和ro晶片陣列中的一種，晶片陣列為VCSEL晶片陣列時，光電轉換區為VCSEL晶片陣列的發光區；晶片陣列為ro晶片陣列時，光電轉換區為ro晶片陣列的感光區。這樣，可以實現並行光纖與VCSEL晶片陣列及ro晶片陣列的耦合對準，具體實施時，在接收端通過ro晶片陣列與並行光纖的耦合對準實現光電的轉換，在發送端通過VCSEL晶片陣列與並行光纖的耦合對準實現電光的轉換。較佳的，通過在晶片陣列和基板上設置對應的焊盤，然後通過高精度晶片焊接機(Die bonder)將晶片陣列的晶片焊盤精確的對準焊接到基板對應的基板焊盤上，即可達到將晶片陣列的光電轉換面貼裝到基板的一側，並使每個光電轉換區與對應的通孔正對的目的。具體實施時，由於晶片焊接機的精度限制，晶片陣列的若干個光電轉換區的圓心與基板上對應的通孔的圓心基本同心，偏差精度控制在微米級(甚至亞微米級)。較佳的，可以採用半導體製作工藝，通過磁控濺射、圖形化光刻、幹法溼法蝕刻和電鍍加厚等工藝，在基板上製作產品所需的金線圖形，金線圖形中的每條金線一端電連接基板上對應的一基板焊盤，由於每個基板焊盤對應晶片陣列上一晶片焊盤，因此，可實現晶片陣列與電路板上所需連接的其他電子元件的電連接。較佳的，通過在基板與電路板銜接處粘導電膠，或者在基板與電路板銜接處植球焊接；或者在基板與電路板銜接處製備金絲焊球，即可實現基板的電路與電路板的電路的電氣連接。較佳的，通孔的內徑比裸光纖的外徑大2微米到9微米，以便於使裸光纖順利穿入基板上對應的通孔內，通孔內徑過小裸光纖無法順利穿入，通孔內徑過大裸光纖穿入後會導致耦合效率不一致。具體實施時可根據需要耦合的多模並行光纖的纖芯外徑及晶片陣列光電轉換區(VCSEL晶片陣列的發光區或H)晶片陣列的感光區，在本發明中統稱為光電轉換區)的直徑來具體確定通孔的直徑及公差。由於裸光纖易折，可以通過在光纖下方設一個固定塊，將光纖與固定塊一起用膠固定的方法解決。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0025]圖1為本發明結構示意圖；
[0026]圖2為本發明另一視角結構示意圖；
[0027]圖3為本發明中晶片陣列結構示意圖；
[0028]圖4a為本發明中基板結構示意圖；
[0029]圖4b為本發明中基板另一視角結構示意圖；
[0030]圖5為本發明中基板與晶片陣列裝配結構示意圖；
[0031]圖6為現有技術中並行光纖與晶片陣列耦合示意圖。
[0032]結合附圖，作以下說明:[0033]I——晶片陣列11——光電轉換面
[0034]12——光電轉換區13——晶片焊盤
[0035]2——基板21——通孔
[0036]22——基板焊盤23——金線圖形
[0037]3——並行光纖31——光纖
[0038]311——裸光纖部4——電路板
[0039]41——電路圖形5——固定塊
[0040]6——透鏡陣列
【具體實施方式】
[0041]如圖1和圖2所示，一種晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件，包括一晶片陣列1、一基板2、一併行光纖3和一電路板4,所述晶片陣列的光電轉換面11上間隔形成有若干個光電轉換區12，對應每個光電轉換區，所述基板上形成有與所述光電轉換區尺寸相匹配的通孔21 ;所述晶片陣列具有光電轉換面的一側貼裝到所述基板的一側，使每個光電轉換區的中心與對應的通孔的中心正對；所述基板定位於所述電路板上，所述晶片陣列與所述電路板上所需連接的其他電子元件電連接；對應每個通孔，所述並行光纖設有一路具有裸光纖部311的光纖31,每路光纖的裸光纖部從背向所述晶片陣列的一側插置於所述基板上對應的通孔內。基 於上述結構，本發明能夠簡單易行的實現晶片陣列與並行光纖的耦合對準，且對準精度高，耦合效率高，易於實現，適用於各種採用並行光纖技術的產品。相比現有的並行光纖耦合對準方法，本發明晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件具有結構簡單，製作成本低，耦合對準耗時短等多重優點。
[0042]優選的，所述晶片陣列的光電轉換面上間隔形成有四個所述光電轉換區，且每個光電轉換區和對應的通孔均為圓形。這樣，由於每個圓形光電轉換區對應一個圓形通孔，一個圓形通孔對應一路光纖，因此，基板上將形成有四個圓形通孔，並行光纖將具有四路光纖，即可以實現四路並行光纖與晶片陣列的耦合對準。
[0043]優選的，所述晶片陣列為VCSEL晶片陣列和H)晶片陣列中的一種，所述晶片陣列為VCSEL晶片陣列時，所述光電轉換區為VCSEL晶片陣列的發光區；所述晶片陣列為H)晶片陣列時，所述光電轉換區為H)晶片陣列的感光區。這樣，可以實現並行光纖與VCSEL晶片陣列及ro晶片陣列的耦合對準，具體實施時，在接收端通過ro晶片陣列與並行光纖的耦合對準實現光電的轉換，在發送端通過VCSEL晶片陣列與並行光纖的耦合對準實現電光的轉換。
[0044]優選的，所述晶片陣列的光電轉換面上間隔形成有若干個晶片焊盤13 ;對應每個晶片焊盤，所述基板一側形成有一基板焊盤22，所述晶片陣列的每個晶片焊盤與所述基板上對應的基板焊盤焊接在一起。這樣，通過在晶片陣列和基板上設置對應的焊盤，然後通過聞精度晶片焊接機(Die bonder)將晶片陣列的晶片焊盤精確的對準焊接到基板對應的基板焊盤上，即可達到將晶片陣列的光電轉換面貼裝到基板的一側，並使每個光電轉換區與對應的通孔正對的目的。具體實施時，由於晶片焊接機的精度限制，晶片陣列的若干個光電轉換區的圓心與基板上對應的通孔的圓心基本同心，偏差精度控制在微米級(甚至亞微米級)。[0045]優選的，所述基板上形成有與所述電路板上所需連接的其他電子元件的電路圖形41相對應的金線圖形23，所述金線圖形與所述電路圖形電連接，且所述金線圖形與所述晶片陣列電連接。具體實施時，可以採用半導體製作工藝，通過磁控濺射、圖形化光刻、幹法溼法蝕刻和電鍍加厚等工藝，在基板上製作產品所需的金線圖形，金線圖形中的每條金線一端電連接基板上對應的一基板焊盤，由於每個基板焊盤對應晶片陣列上一晶片焊盤，因此，可實現晶片陣列與電路板上所需連接的其他電子元件的電連接。
[0046]優選的，所述基板的材質為單晶矽片和陶瓷板中的一種，所述基板焊盤的材質為
金錫合金。
[0047]優選的，所述金線圖形與所述電路圖形電連接的方式為導電膠固定、金錫焊料焊接和金線鍵合中的一種。具體實施時，通過在基板與電路板銜接處粘導電膠，或者在基板與電路板銜接處金錫植球焊接；或者在基板與電路板銜接處製備金絲焊球，即可實現基板的電路與電路板的電路的電氣連接。
[0048]優選的，所述通孔的內徑比所述裸光纖的外徑大2微米到9微米。以便於使裸光纖順利穿入基板上對應的通孔內，通孔內徑過小裸光纖無法順利穿入，通孔內徑過大裸光纖穿入後會導致耦合效率不一致。具體實施時可根據需要耦合的多模並行光纖的纖芯外徑及晶片陣列光電轉換區(VCSEL晶片陣列的發光區或ro晶片陣列的感光區，在本發明中統稱為光電轉換區)的直徑來具體確定通孔的直徑及公差。
[0049]優選的，另設有一用於支撐所述並行光纖的固定塊5，所述固定塊位於所述基板背向所述晶片陣列的一側，所述並行光纖的每路光纖固設於所述固定塊上。由於裸光纖易折，可以通過在光纖下方設一個固定塊，將光纖與固定塊一起用膠固定的方法解決。
[0050]一種晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件的製備方法，包括如下步驟:
[0051]a)準備一晶片陣列,該晶片陣列的光電轉換面上間隔形成有若干個圓形光電轉換區，且該晶片陣列的光電轉換面上間隔形成有若干個晶片焊盤；
[0052]b)準備一電路板，該電路板上形成有所需連接的其他電子元件的電路圖形；
[0053]c)製備一基板，對應步驟a)中每個光電轉換區，在該基板上蝕刻出與光電轉換區尺寸相匹配的圓形通孔；對應步驟a)中每個晶片焊盤，製作出基板焊盤；對應步驟b)中的電路圖形，在該基板上製作出金線圖形；
[0054]d)通過聞精度晶片焊接機將晶片陣列的晶片焊盤對準焊接到基板上對應的基板焊盤上，使晶片陣列上的每個光電轉換區正對基板上對應的通孔，將每個光電轉換區的圓心與對應通孔的圓心對準，並將對準偏差精度控制在微米級或亞微米級；
[0055]e)將步驟d)形成的晶片陣列和基板的組合體貼裝到電路板上，使電路板上的電路圖形與基板上對應的金線圖形電連接；
[0056]f)準備一併行光纖，對應每個通孔，該並行光纖設有一路光纖，將並行光纖的每路光纖剝開外皮露出裸光纖，將裸光纖從背向晶片陣列的一側插入基板上對應的通孔，再用膠水進行固定；
[0057]g)在基板背向晶片陣列的一側設置一固定塊，並將並行光纖的每路光纖用膠固定在該固定塊上。
[0058]下面以PD晶片陣列與多路並行光纖耦合為例，並結合附圖來進一步說明本發明的技術方案:[0059]如圖3所示為ro晶片陣列1，PD晶片陣列I的光電轉換區(感光區)12的直徑為60 μ m，光電轉換區之間的間距為250 μ m，圖中斜槓填充部分是H)晶片陣列的晶片焊盤13，主要用於倒裝焊接固定，部分晶片焊盤用於金線鍵合以達電氣接連的目的。
[0060]如圖4a和4b所示為基板，材料是單晶矽片或陶瓷板(氧化鋁，氮化鋁，氧化鈹等)。採用半導體製作工藝，通過磁控濺射、圖形化光刻、幹法溼法蝕刻和電鍍加厚等工藝，在基板上製作產品所需的金線圖形23，並在相關位置上製作出金錫合金的基板焊盤22，以便與H)晶片陣列的晶片焊盤進行焊接固定，同時蝕刻出4個圓形通孔21，便於後續光纖耦合對準。
[0061]如圖5所示，由高精度晶片焊接機(Die bonder)將H)晶片陣列I的晶片焊盤13精確的對準焊接到ro晶片陣列的基板2對應的基板焊盤22上，焊接後，ro晶片陣列的4個感光區的圓心與基板的四個圓孔基本同心，偏差精度控制在微米級(甚至亞微米級)。
[0062]如圖1和圖2所示，將上述焊接完畢的ro晶片陣列I和基板2的組合體貼裝到組件或模塊等產品的電路板4上，使ro晶片陣列與電路板上需連接的其他電子元件(如光電晶片等)電氣相連。使ro晶片陣列的基板上的金線圖形與電路板上的電路圖形電氣相連的方法有多種:1、基板與電路板銜接處粘導電膠；2、基板與電路板銜接處植球焊接；3、基板與電路板銜接處製備金絲焊球。
[0063]如圖1和圖2所示，只需將四路並行光纖3中的每路光纖31剝開外皮露出裸光纖部，並將裸光纖部並行切割成一樣長短(甚至可以將光纖端面進行研磨處理)，然後將四路裸光纖部插入ro晶片陣列的基板上的圓形通孔中，再用膠水固定即可自動實現四路並行光纖與ro晶片陣列的耦合對準。由於裸光纖易折，可以在並行光纖下方設一個固定塊5，將並行光纖與固定塊一起用膠固定的方法解決。
[0064]以上實施例是參照附圖，對本發明的優選實施例進行詳細說明。本領域的技術人員通過對上述實施例進行各種形式上的修改或變更，但不背離本發明的實質的情況下，都落在本發明的保護範圍之內。
【權利要求】
1.一種晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件，其特徵在於:包括一晶片陣列(I)、一基板(2 )、一併行光纖(3 )和一電路板(4),所述晶片陣列的光電轉換面(11)上間隔形成有若干個光電轉換區(12)，對應每個光電轉換區，所述基板上形成有與所述光電轉換區尺寸相匹配的通孔(21);所述晶片陣列具有光電轉換面的一側貼裝到所述基板的一側，使每個光電轉換區的中心與對應的通孔的中心正對；所述基板定位於所述電路板上，所述晶片陣列與所述電路板上所需連接的其他電子元件電連接；對應每個通孔，所述並行光纖設有一路具有裸光纖部(311)的光纖(31)，每路光纖的裸光纖部從背向所述晶片陣列的一側插置於所述基板上對應的通孔內。
2.根據權利要求1所述的晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件，其特徵在於:所述晶片陣列的光電轉換面上間隔形成有四個所述光電轉換區，且每個光電轉換區和對應的通孔均為圓形。
3.根據權利要求2所述的晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件，其特徵在於:所述晶片陣列為VCSEL晶片陣列和H)晶片陣列中的一種，所述晶片陣列為VCSEL晶片陣列時，所述光電轉換區為VCSEL晶片陣列的發光區；所述晶片陣列為ro晶片陣列時，所述光電轉換區為ro晶片陣列的感光區。
4.根據權利要求1所述的晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件，其特徵在於:所述晶片陣列的光電轉換面上間隔形成有若干個晶片焊盤(13);對應每個晶片焊盤，所述基板一側形成有一基板焊盤(22 )，所述晶片陣列的每個晶片焊盤與所述基板上對應的基板焊盤焊接在一起。
5.根據權利要求4所述的晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件，其特徵在於:所述基板上形成有與所述電路板上所需連接的其他電子元件的電路圖形(41)相對應的金線圖形(23)，所述金線圖形與所述電路圖形電連接，且所述金線圖形與所述晶片陣列電連接。
6.根據權利要求5所述的晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件，其特徵在於:所述基板的材質為單晶矽片和陶瓷板中的一種，所述基板焊盤的材質為金錫合金。
7.根據權利要求5所述的晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件，其特徵在於:所述金線圖形與所述電路圖形電連接的方式為導電膠固定、金錫焊料焊接和金線鍵合中的一種。
8.根據權利要求1至7任一項所述的晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件，其特徵在於:所述通孔的內徑比所述裸光纖的外徑大2微米到9微米。
9.根據權利要求8所述的晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件，其特徵在於:另設有一用於支撐所述並行光纖的固定塊(5)，所述固定塊位於所述基板背向所述晶片陣列的一側，所述並行光纖的每路光纖固設於所述固定塊上。
10.一種晶片陣列與並行光纖耦合對準的組件的製備方法，其特徵在於:包括如下步驟: a)準備一晶片陣列，該晶片陣列的光電轉換面上間隔形成有若干個圓形光電轉換區，且該晶片陣列的光電轉 換面上間隔形成有若干個晶片焊盤； b)準備一電路板，該電路板上形成有所需連接的其他電子元件的電路圖形； c)製備一基板，對應步驟a)中每個光電轉換區，在該基板上蝕刻出與光電轉換區尺寸相匹配的圓形通孔；對應步驟a)中每個晶片焊盤，製作出基板焊盤；對應步驟b)中的電路圖形，在該基板上製作出金線圖形；d)通過聞精度晶片焊接機將晶片陣列的晶片焊盤對準焊接到基板上對應的基板焊盤上，使晶片陣列上的每個光電轉換區正對基板上對應的通孔，將每個光電轉換區的圓心與對應通孔的圓心對準，並將對準偏差精度控制在微米級或亞微米級； e)將步驟d)形成的晶片陣列和基板的組合體貼裝到電路板上，使電路板上的電路圖形與基板上對應的金線圖形電連接； f)準備一併行光纖，對應每個通孔，該並行光纖設有一路光纖，將並行光纖的每路光纖剝開外皮露出裸光纖，將裸光纖從背向晶片陣列的一側插入基板上對應的通孔，再用膠水進行固定； g)在基板背向晶片陣列的一側設置一固定塊，並將並行光纖的每路光纖用膠固定在該固定塊 上。
【文檔編號】G02B6/43GK103885143SQ201410150872
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2014年4月15日 優先權日:2014年4月15日
【發明者】邵乾, 陳曦, 蔣維楠, 蔣文斌, 郭建渝, 劉讓, 劉維偉 申請人:崑山柯斯美光電有限公司