硫化鎘納米棒的製備方法
2023-05-08 21:03:46 1
專利名稱：硫化鎘納米棒的製備方法
技術領域：
本發明涉及硫化鎘納米棒的製備方法背景技術硫化鎘是一種重要的半導體材料，被廣泛的應用於太陽能電池、發光二極體等光電子領域。近來由於納米技術的發展，使得納米硫化鎘擁有一些硫化鎘薄膜和塊體材料所沒有的性質，比如單根硫化鎘納米棒發射藍色雷射等，所以納米硫化鎘引起了廣泛的重視。但是，大量、有效、低成本的製備硫化鎘納米棒，是保證硫化鎘納米材料在未來光電子領域廣泛應用的前提條件。目前製備硫化鎘納米棒的方法有很多，比如模板輔助電化學法、熱蒸發法、雷射燒蝕法、溶劑熱法，但是上述方法不能全部滿足大量、有效、低成本、防止環境汙染等要求。
發明內容
本發明的目的是提供一種製備硫化鎘納米棒的方法，以降低成本、不汙染環境。
本發明提供的硫化鎘納米棒的製備方法，包括以下步驟1)在溶度為0.01M的含鎘離子溶液中，按體積比1∶0.01～100比例加入巰基乙酸，充分攪拌後，再按體積比1∶0.01～100比例加入溶度為0.01M硫化鈉；2)把上述配好的溶液放入高壓釜中，在100～500℃溫度範圍內處理1～200小時，然後將溶液離心、乾燥，得硫化鎘納米棒。
上述步驟1)按體積比加入巰基乙酸的優選比例為1∶0.5～2，按體積比加入溶度為0.01M硫化鈉的優選比例為1∶0.5～2；步驟2)的優選溫度150～200℃，時間10小時。在優選條件下獲得的硫化鎘納米棒產率高，晶體質量好。
本發明中，所述的含鎘離子溶液可以是硫酸鎘、硝酸鎘溶液。
本發明操作工藝簡單，適於大批量生產，成本低，製造過程中對環境無汙染。
圖1是硫化鎘納米棒的X射線衍射圖譜；圖2是硫化鎘納米棒的透射電鏡照片。
具體實施例方式
以下結合實例進一步說明本發明實施例在60毫升0.01M的硫酸鎘溶液中加入50μL的巰基乙酸，攪拌10分鐘後，再加入60毫升0.01M硫化鈉，把上述配好的溶液放入高壓釜中，在150℃下處理60小時，把處理好的溶液離心，乾燥。所得物質的X射線圖，電鏡照片見圖1、圖2，從圖1所示的X射線圖，可證明獲得物質是硫化鎘，圖2所示的透射電子顯微鏡照片，可以證明獲得物質是硫化鎘納米棒。
權利要求
1.硫化鎘納米棒的製備方法，其特徵是包括以下步驟1)在溶度為0.01M的含鎘離子溶液中，按體積比1∶0.01～100比例加入巰基乙酸，充分攪拌後，再按體積比1∶0.01～100比例加入溶度為0.01M硫化鈉；2)把上述配好的溶液放入高壓釜中，在100～500℃溫度範圍內處理1～200小時，然後將溶液離心、乾燥，得硫化鎘納米棒。
2.根據權利要求1所述的硫化鎘納米棒的製備方法，其特徵是在步驟1)中按體積比1∶0.5～2比例加入巰基乙酸。
3.根據權利要求1所述的硫化鎘納米棒的製備方法，其特徵是在步驟1)中按體積比1∶0.5～2比例加入溶度為0.01M硫化鈉。
4.根據權利要求1所述的硫化鎘納米棒的製備方法，其特徵是所說步驟2)為在150～200℃溫度範圍內處理10小時。
全文摘要
本發明公開的硫化鎘納米棒的製備方法，包括以下步驟1)在溶度為0.01M的含鎘離子溶液中，按體積比1∶0.01～100比例加入巰基乙酸，充分攪拌後，再按體積比1∶0.01～100比例加入溶度為0.01M硫化鈉；2)把上述配好的溶液放入高壓釜中，在100～500℃溫度範圍內處理1～200小時，然後將溶液離心、乾燥，得硫化鎘納米棒。本發明操作工藝簡單，適於大批量生產，成本低，製造過程中對環境無汙染。
文檔編號B82B3/00GK1519199SQ0315080
公開日2004年8月11日 申請日期2003年9月2日 優先權日2003年9月2日
發明者楊德仁, 張輝, 馬向陽, 吉宇傑, 闕端麟 申請人:浙江大學