臺面型at切割水晶振動片及水晶裝置的製作方法

2023-05-09 11:29:36

專利名稱：臺面型at切割水晶振動片及水晶裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及臺面型AT切割水晶振動片及具備該臺面型AT切割水晶振動片的水晶
直ο
背景技術：
作為厚度滑動振動片的代表之一已知有AT切割水晶振動片。將該AT切割水晶振動片收放在包裝件內的水晶裝置作為頻率的基準源而廣泛使用在各種電器上。這些水晶裝置為了促進小型化、得到更加有效的振動能量的閉合效果，在AT切割水晶振動片的主面的外周實施設有傾斜區域的斜面加工或凸面加工等的曲面加工。如專利文獻1 (日本特開2002-18698號公報)的公開內容，斜面加工或凸面加工等的曲面加工一般是通過稱為滾磨法的方法在水晶振動片的外周上形成傾斜區域。可是， 最近隨著利用晶片工程方法製造AT切割水晶振動片的方法的進步，進行曲率加工變得困難。因此，在AT切割水晶振動片上實施臺面形狀(段差形狀)加工來代替曲率加工。可是，臺面型AT切割水晶振動片存在如下問題會成為產生于振動部上的主振動的振動能量和產生於形成在振動部周圍的振動外周部上的無用振動的振動能量等被混合的狀態，劣化了 AT切割水晶振動片的特性。

發明內容
本發明的目的在於提供通過將振動部的大小做成適當的值來抑制無用振動的產生、可以防止特性的劣化的臺面型AT切割水晶振動片。另外，本發明的目的在於提供通過將振動部的厚度及振動外周部的厚度做成適當的值來抑制無用振動的產生，可以防止特性的劣化，降低了不良品的發生率的臺面型AT切割水晶振動片。第1觀點為以38. 400MHz振動的臺面型AT切割水晶振動片，具有矩形的勵振部和形成在勵振部的外周且厚度薄於勵振部的勵振外周部，當勵振部的晶軸的χ軸方向的長度為Mx(mm)、勵振外周部的晶軸的X軸方向的長度為foc(mm)時，滿足公式(1)。Mx/Gx = 0. 09 Xn-O. 06 (η:自然數) (1)第2觀點為以38. 400MHz振動的臺面型AT切割水晶振動片，具有矩形的勵振部和形成在所述勵振部的外周且厚度薄於所述勵振部的勵振外周部，當所述勵振部的厚度為 Tm( μ m)、所述勵振外周部的厚度為Ts ( μ m)時，(Tm-Ts)/Tm為0. 048以上且小於0. 2。第3觀點的臺面型AT切割水晶振動片，具有矩形的勵振部和形成在所述勵振部的外周且厚度薄於所述勵振部的勵振外周部，當所述勵振部的厚度為Tm、所述勵振部的晶軸的χ軸方向的長度為Mx時，在Mx/Tm為15.7以上18. 0以下的範圍內晶體阻抗取最小值， 所述最小值時的所述勵振部的尺寸滿足上述Mx/Tm。第4觀點的臺面型AT切割水晶振動片，在第3觀點的基礎上，振動頻率為 38. 400MHz，所述 Mx/Tm 為 17. 3 以上 17. 7 以下。第5觀點的臺面型AT切割水晶振動片，在第3觀點的基礎上，振動頻率為32. 736MHz，所述Mx/Tm為16. 1以上16. 6以下或16. 7以上16. 9以下。第6觀點的臺面型AT切割水晶振動片，在第3觀點的基礎上，振動頻率為 26. OOOMHz，所述Mx/Tm為15. 7以上16. 4以下或17. 3以上18. 0以下。第7觀點的臺面型AT切割水晶振動片，在第1至第6觀點的任意一項的基礎上， 具有包圍所述勵振外周部的周圍且支撐所述勵振外周部的外框。第8觀點的壓電裝置，具備觀點1至6的任意一項所述的臺面型AT切割水晶振動片；形成有凹部、在所述凹部上收放所述臺面型AT切割水晶振動片的基部；以及密封所述凹部的蓋部。第9觀點的壓電裝置，具備具有一主面和另一主面的觀點7所記載的臺面型AT 切割水晶振動片；具有接合在所述外框的一主面上的第1面的蓋部；以及具有接合在所述外框的另一主面上的第2面的基部。本發明可以提供通過將振動部的大小做成適當的值來抑制無用振動的產生、可以防止特性的劣化的臺面型AT切割水晶振動片。另外，本發明可以提供通過將振動部的厚度及振動外周部的厚度做成適當的值來抑制無用振動的產生，可以防止特性的劣化，降低了不良品的發生率的臺面型AT切割水晶振動片。


圖1 (a)是水晶裝置100的立體圖。圖1 (b)是水晶裝置100的剖視圖。圖1 (c)是圖1 (b)的B-B剖視圖。圖2 (a)是AT切割水晶振動片30的俯視圖。
圖2 (b)是圖2 (a)的D-D剖視圖。圖3是表示頻率為38. 400MHz時的Mx/Gx和CI值的關係的圖表。圖4是表示AT切割水晶振動片30的振動頻率為26. OOOMHz、32. 736MHz及 38. 400MHz時的Mx/Tm和CI值的關係的圖表。圖5 (a)表示(Tm-Ts)為2 μ m時的CI值和勵振部31的χ軸方向的長度Mx之間的關係的圖表。圖5 (b)表示(Tm-Ts)為4 μ m時的CI值和勵振部31的χ軸方向的長度Mx之間的關係的圖表。圖6 (a)表示(Tm-Ts)為6 μ m時的CI值和勵振部31的χ軸方向的長度Mx之間的關係的圖表。圖6 (b)表示(Tm-Ts)為8 μ m時的CI值和勵振部31的χ軸方向的長度Mx之間的關係的圖表。圖6 (c)表示(Tm-Ts)為10 μ m時的CI值和勵振部31的χ軸方向的長度Mx之間的關係的圖表。圖7 (a)是水晶裝置200的立體圖。圖7 (b)是圖7 (a)的E-E剖視圖。圖8(a)是蓋部210的俯視圖。圖8(b)是AT切割水晶振動片230的俯視圖。
圖8 (c)是基部220的俯視圖。圖中10、210_蓋部，20、220_基部，21、221_外部電極，22、222_連接電極，24、224_ 空腔， 30、230-AT切割水晶振動片，31、231_勵振部，32、232_勵振外周部，33、233_勵振電極，34、 234-引出電極，40-封裝材料，41-導電性粘接劑，100,200-水晶裝置，211-第1面，212、 225-凹部，223-第2面，235-外框，236-連接臂，237-連接點。
具體實施例方式以下，基於附圖對本發明的實施方式進行詳細地說明。在此，在以下的說明中只要沒有記載特別限定本發明的範圍的意思，就不限於這些實施方式。(第1實施方式)〈水晶裝置100的構成〉圖1 (a)是水晶裝置100的立體圖。水晶裝置100由蓋部10、基部20及放置在基部20內的AT切割水晶振動片30(參照圖1(b))構成。AT切割水晶振動片是主面相對於人工水晶的晶軸(XYZ)的Y軸，以X周圍中心從Z軸向Y軸方向傾斜了 35度15分。因此，將水晶裝置100的長邊方向作為χ軸方向，將水晶裝置100的短邊方向作為ζ』軸方向，將水晶裝置loo的上下方向作為r軸方向進行說明。另外，在本說明書的說明中將r軸方向的高低，以+方向表示高、以-方向表示低。基部20在內側形成有空腔24(參照圖1 (b))，在空腔M內放置有AT切割水晶振動片30。另外，在基部20的底面形成有外部電極21。蓋部10以封閉空腔M的方式配置在基部20的+y』軸側。蓋部10由陶瓷、玻璃、水晶或金屬等材料形成。另外，基部20由陶瓷、玻璃或水晶形成。圖1 (b)是水晶裝置100的剖視圖。圖1 (b)是圖1 (a)的A-A或後述的圖1 (c)的 C-C剖視圖。通過在基部20上形成凹部來形成空腔M。在空腔M的下部形成有連接電極 22，連接電極22通過導通部(未圖示)與外部電極21電連接。在AT切割水晶振動片30 上形成有勵振部31和形成在勵振部31的外周的勵振外周部32。勵振外周部32的厚度形成得比勵振部31薄。在勵振部31的上下主面上形成有勵振電極33。另外，在勵振外周部 32上形成有引出電極34，該引出電極34與勵振電極33電連接。勵振電極33及引出電極 34是在水晶的表面上形成鉻(Cr)層，在鉻層的表面上形成金(Au)層來製作而成。另外，引出電極34通過導電性粘接劑41與連接電極22電連接。因此，使得勵振電極33與外部電極21電連接。圖1 (c)是圖1 (b)的B-B剖視圖。在基部20的空腔M上形成有2個連接電極22。 一個連接電極22與形成在AT切割水晶振動片30的勵振部31的上面的勵振電極33電連接，另一個連接電極22與形成在勵振部31的下面的勵振電極33電連接。圖2(a)是AT切割水晶振動片30的俯視圖。AT切割水晶振動片30的χ軸方向與水晶的晶軸的X軸方向一致。另外，AT切割水晶振動片30的Ζ』軸方向與以水晶的晶軸的 X軸方向為中心從Z軸向Y軸方向傾斜了 35度15分的方向一致。勵振外周部32的χ軸方向的長度to例如為1. 35mm，勵振外周部32的ζ』軸方向的長度( 例如為0. 85mm。另夕卜， 將勵振部31的χ軸方向的長度為Mx，將ζ』軸方向的長度為Mz。
圖2(b)為圖2(a)的D_D剖視圖。將AT切割水晶振動片30的勵振外周部32的厚度為Ts，將勵振部31的厚度為Tm。勵振部31和勵振外周部32的段差形成在AT切割水晶振子30的+y』軸側和-y』軸側的面上，每個段差都以相同的高度形成。另外，若將勵振部31和勵振外周部32的段差的高度為h，則段差的高度h為正，勵振部31的厚度Tm比勵振外周部32的厚度Ts大。在進行了求出AT切割水晶振動片30的最優的尺寸的實驗後得知勵振部31的χ 軸方向的長度Mx及勵振外周部32的χ軸方向的長度foe的比Mx/foc和抑制無用振動而取的低CI (晶體阻抗)值之間的關係為周期性的關係。以下，對這種關係進行說明。圖3是表示頻率為38. 400MHz時的Mx/Gx和CI值的關係的圖表。圖3的橫軸表示勵振部31的χ軸方向的長度Mx和勵振外周部32的χ軸方向的長度foe的比Mx/Gx，縱軸表示CI值(Ω )。在實驗中通過將AT切割水晶振動片30的外形的χ軸方向的長度foe作為固定值並改變勵振部31的χ軸方向的長度Mx而製造多個AT切割水晶振動片30。圖3表示測定了這些AT切割水晶振動片30的CI值的結果。圖3所示的黑色圓圈的各點表示測定了 AT切割水晶振動片30的CI值的一個測定點。以三次方程擬合這些黑點所示的測定點，得到圖3中以點劃線50所示的函數。在圖3中點劃線50具有最小值和最大值。可以認為CI值的最大值、最小值是因作為無用振動模式的彎曲振動的影響而產生的。然後，可以認為彎曲振動相對於Mx/foc具有周期性。從而，可以認為CI值相對於Mx/foc其最大值及最小值具有周期性。從圖3中可以得知，CI值在Mx/foc為0. 75時(箭頭Si)成為最小值，Mx/foc為0. 705時(S2)成為最大值。該箭頭Sl和箭頭S2的間隔為0.045，該值為點劃線50的半周期T/2。S卩，點劃線50 的周期T為0.045 X 2 = 0.09。綜上所述，使CI值成為最小值的Mx/foc包含Mx/foc為0. 75 的值，可由周期T為0. 09的公式(1)來表示。Mx/Gx = 0. 09 Xn-O. 06 (η:自然數) (1)在設計新的振動頻率38. 400MHz的臺面型AT切割水晶振動片時，可以通過使用公式(1)來求出AT切割水晶振動片30的最優的Mx/Gx，使得成為抑制無用振動而取低值的 CI值。為了求出AT切割水晶振動片30的最優的尺寸而進行了實驗。實驗中通過固定振動頻率而變化勵振部31的χ軸方向的長度Mx來測定各Mx的CI (晶體阻抗)值。以下，對這些關係進行說明。圖4是表示AT切割水晶振動片30的振動頻率為26. OOOMHz、32. 736MHz及 38. 400MHz時的Mx/Tm和CI值的關係的圖表。在圖4中，橫軸設定為Mx/Tm，縱軸設定為CI 值(Ω)。圖中的黑色菱形表示AT切割水晶振動片30的振動頻率為沈.OOOMHz的情況，圖中的白色空心三角形表示振動頻率為32. 736MHz的情況，圖中白色空心圓表示振動頻率為 38. 400MHz的情況。另外，CI值表示製造多個固定勵振部31的厚度Tm、使勵振部31的χ軸方向的長度Mx變化的AT切割水晶振動片並在各Mx的之上進行了測定的值。就黑色菱形所表示的振動頻率為26. OOOMHz的AT切割水晶振動片30而言，在Mx/ Tm約為16. 9時CI值取最大值，在約16. 1及17. 7的周邊取最小值。由於Mx/Tm期望CI值取最小值周邊的值，因此Mx/Tm的期望值為15. 7至16. 4或17. 3至18. 0。圖中區域Al表示15. 7至16. 4的範圍，區域A2表示17. 3至18. 0的範圍。在白色空心三角形所示的振動頻率為32. 736MHz的AT切割水晶振動片30中，沒有發現明顯的CI值的最小值。因此，求出CI值低的區域。例如，CI值為90Ω以下的Mx/ Tm的範圍是16. 1至16. 6及16. 7至16. 9，此時取優良的CI值。圖中區域Bl表示16. 1至 16. 6的範圍，區域B2表示16. 7至16. 9的範圍。在白色空心圓所示的振動頻率為38. 400MHz的AT切割水晶振動片中，認為Mx/tm 在17. 5的周邊取最小值。例如，若求出CI值在100 Ω以下的區域，該區域是Mx/Tm為17.3 至17. 7的範圍，此時取優良的CI值。圖中區域Cl表示該範圍。當Mx/Tm存在於與各振動頻率對應的這些區域Al、A2、Bi、B2及Cl內時，AT切割水晶振動片30取良好的CI值。即，如圖4所示，AT切割水晶振動片在上述的全部振動頻率中包含Mx/Tm在15. 7至18. 0的範圍內取最優的CI值的區域。即，在AT切割水晶振動片30的初期設計中，最好使Mx/Tm不依賴于振動頻率而存在於15. 7至18. 0的範圍內。另外，由於該範圍包含了使CI值降低的區域，因此可以認為該範圍中存在抑制AT切割水晶振動片30的無用振動的產生的區域。在AT切割水晶振動片30的實際製造工序中，精確地形成勵振部31的長度Mx比較困難，當勵振部31的長度Mx的製造誤差允許範圍比較窄的情況，產品的不合格率會上升。因此，希望將勵振部31的長度Mx設計成能夠取較寬的製造誤差允許範圍。該製造允許範圍通過選擇使CI (晶體阻抗)變低的範圍，使得能夠抑制在AT切割水晶振動片30上產生無用振動。以下，參照圖5(a)至圖6(c)對能夠勵振部31的長度Mx取較寬的製造誤差允許範圍的勵振外周部32的厚度Ts和勵振部31的厚度Tm的關係進行說明。另外，在以下的說明中，AT切割水晶振動片30的外形的χ軸方向的長度foe例如為990 μ m，AT切割水晶振動片30的外形的ζ』軸方向的長度( 例如為668 μ m，勵振部31的厚度Tm例如為 41. 8 μ m。圖5(a)表示(Tm-Ts)為2 μ m時的CI值和勵振部31的χ軸方向的長度Mx之間的關係的圖表。(Tm-Ts)為2μπι時的情況相當於段差的高度h為Ιμπι的情況。另外，勵振部31的厚度Tm為41. 8 μ m時勵振外周部32的厚度Ts為39. 8 μ m。圖5 (a)的橫軸表示勵振部31的χ軸方向的長度Mx ( μ m)，縱軸表示CI值。圖5 (a)中的黑色菱形表示振動頻率為38. 4MHz、(Tm-Ts)為2 μ m的條件下的實驗值。實驗是針對一個長度Mx的值而製造多個AT切割水晶振動片30，並分別對各個AT切割水晶振動片30求出CI值。圖中點劃線是用線段連接了各長度Mx值的CI值的最高值和最低值之間的中間值。以下，作為用於考慮各長度Mx的製造誤差允許範圍的目標，通過圖表推測使CI值的最高值和最低值之間的中間值在80Ω以下的長度Mx的範圍。在圖5(a)中， 當長度Mx約小於723 μ m時中間值低於80 Ω。從圖表中不能求出使CI值的中間值為80 Ω 以下的長度Mx的寬度Al。另外，此時的(Tm-Ts)和Tm之間的比(Tm-Ts)/Tm為0. 048。圖5 (b)表示(Tm-Ts)為4 μ m時的CI值和勵振部31的χ軸方向的長度Mx之間的關係的圖表。圖5 (b)中的黑色菱形表示振動頻率為38. 4MHz、(Tm-Ts)為4 μ m的條件下的實驗值。(Tm-Ts)為4μπι時的情況相當於段差的高度h為2μπι的情況。另外，勵振外周部32的厚度Ts為37. 8 μ m。除了段差的高度h之外與圖5 (a)相同，因此在此省略其說明。 在圖5 (b)中，認為在長度Mx約714 μ m至約731之間AT切割水晶振動片30的CI值的最高值和最低值之間的中間值在80 Ω以下。因此，推測該CI值的中間值為80Ω以下的長度 Mx的寬度Α2約為17 μ m。另外，此時的(Tm-Ts)和Tm之間的比(Tm-Ts)/Tm為0. 096。圖6 (a)表示(Tm-Ts)為6 μ m時的CI值和勵振部31的χ軸方向的長度Mx之間的關係的圖表。圖6 (a)中的黑色菱形表示振動頻率為38. 4MHz、(Tm-Ts)為6 μ m的條件下的實驗值。(Tm-Ts)為6μπι時的情況相當於段差的高度h為3μπι的情況。另外，勵振外周部32的厚度Ts為35. 8 μ m。除了段差的高度h之外與圖5 (a)相同，因此在此省略其說明。在圖6 (a)中，認為在長度Mx約723 μ m至約736之間AT切割水晶振動片30的CI值的最高值和最低值之間的中間值在80 Ω以下。因此，推測該CI值的中間值為80Ω以下的長度Mx的寬度A3約為13μπι。另外，此時的(Tm-Ts)和Tm之間的比(Tm-Ts)/Tm為0. 14。圖6 (b)表示(Tm-Ts)為8 μ m時的CI值和勵振部31的χ軸方向的長度Mx之間的關係的圖表。圖6 (b)中的黑色菱形表示振動頻率為38. 4MHz、(Tm-Ts)為8 μ m的條件下的實驗值。(Tm-Ts)為8μπι時的情況相當於段差的高度h為4μπι的情況。另外，勵振外周部32的厚度Ts為33. 8 μ m。除了段差的高度h之外與圖5 (a)相同，因此在此省略其說明。在圖6 (b)中，認為在長度Mx約7M μ m至約735之間AT切割水晶振動片30的CI值的最高值和最低值之間的中間值在80 Ω以下。因此，推測該CI值的中間值為80Ω以下的長度Mx的寬度Α4約為Ilym0另外，此時的(Tm-Ts)和Tm之間的比(Tm-Ts)/Tm為0. 19。圖6 (c)表示(Tm-Ts)為10 μ m時的CI值和勵振部31的χ軸方向的長度Mx之間的關係的圖表。圖6 (c)中的黑色菱形表示振動頻率為38. 4MHz、(Tm-Ts)為10 μ m的條件下的實驗值。(Tm-Ts)為ΙΟμπι時的情況相當於段差的高度h為5μπι的情況。另外，勵振外周部32的厚度Ts為31. 8 μ m。除了段差的高度h之外與圖5 (a)相同，因此在此省略其說明。在圖6 (c)中，認為在長度Mx約7 μ m至約735之間AT切割水晶振動片30的CI值的最高值和最低值之間的中間值在80 Ω以下。因此，推測該CI值的中間值為80Ω以下的長度Mx的寬度Α5約為6 μ m。另外，此時的(Tm-Ts)和Tm之間的比(Tm-Ts)/Tm為0. 24。為了降低產品的不合格率，最好將長度Mx的製造允許範圍控制在ΙΟμπι以上，為了不影響搭載了 AT切割水晶振動片30的水晶振蕩器的諸多特性，最好將CI值控制在80 Ω 以下。從圖5(a)至圖6(c)的寬度Al至Α5中IOym以上是(Tm-Ts)為4 μ m至8 μ m的情況。此時，(Tm-Ts)和Tm之間的比(Tm-Ts)/Tm為0. 96至0. 19。另外，雖然在圖5(a)中寬度Al不明確，但是在寬度A2至A5中隨著(Tm-Ts)的降低其值變大，因此可以推測Al也為 IOym以上。從而，可以認為(Tm-Ts)/Tm在0. 048以上即可。另外，就(Tm-Ts)/Tm的最大值而言，若考慮誤差則可以認為只要大致小於0. 2 μ m 的值即可。即，希望(Tm-Ts)/Tm為0. 048以上且小於0. 2的值。總之，在振動頻率為38. 4MHz 的AT切割水晶振動片30中，認為(Tm-Ts)/Tm為0.048以上且小於0. 2的值時，可以取較寬的長度Mx的製造允許範圍，可以降低產品的不合格率。另外，此時AT切割水晶振動片30 的CI值降低，抑制了振動部的無用振動，能偶防止特性的劣化。(第2實施方式)也可以在AT切割水晶振動片30上形成外框。以下，對具備形成有外框的AT切割水晶振動片的水晶裝置200進行說明。
〈水晶裝置200的構成〉圖7 (a)是水晶裝置200的立體圖。水晶裝置200由蓋部210、AT切割水晶振動片 230及基部220構成。水晶裝置200在上部配置蓋部210，在下部配置基部220，AT切割水晶振動片230配置在被蓋部210和基部220夾持的位置。另外，在基部220的下面形成有外部電極221。蓋部210及基部220由玻璃或水晶等材料形成。圖7(b)是圖7(a)的E_E剖視圖。AT切割水晶振動片230由勵振部231和形成在勵振部231的外周的勵振外周部232形成，另外形成有包圍勵振外周部232的外框235。外框235支撐勵振外周部232。在勵振部231的一主面和另一主面上分別形成勵振電極233， 引出電極234從勵振電極233通過勵振外周部232形成在外框235上。AT切割水晶振動片230通過在一對勵振電極233外加電壓而以規定的頻率振動。蓋部210與外框235的一主面在形成於蓋部210的-y』軸側的面的第1面211進行接合，基部與外框235的另一主面在形成於+y』軸側的面的第2面223進行接合。另外，在基部220的+y』軸側的面上形成有連接電極222，連接電極222在與AT切割水晶振動片230接合時連接在引出電極234 上。另外，連接電極222通過導通部(未圖示)電連接在外部電極221上。AT切割水晶振動片230以勵振部231的厚度為Tm，以勵振外周部232的厚度為Ts 而形成。勵振部231和勵振外周部232的段差由+y』軸側的面和_y』軸側的面形成，其高度為h。另外，AT切割水晶振動片230與AT切割水晶振動片30相同地由人工水晶形成，AT 切割水晶振動片230的χ軸方向與水晶晶軸的X軸方向一致，另外AT切割水晶振動片230 的ζ』軸方向與以水晶晶軸的X方向為中心從Z軸向Y軸方向傾斜了 35度15分的方向一致。S卩，AT切割水晶振動片230與AT切割水晶振動片30相同地以相同的結晶方向被切割。圖8(a)是蓋部210的俯視圖。蓋部210具有以χ軸方向為長軸、以ζ』軸方向為短軸的長方形的主面。另外，在_y』軸側的面的外周部上形成有連接在AT切割水晶振動片 230的外框235上的第1面211，在中央部形成有被第1面包圍的凹部212。圖8 (b)是AT切割水晶振動片230的俯視圖。AT切割水晶振動片230和外框235 通過連接臂236進行連接。從形成於勵振部231上的勵振電極233引出的引出電極234通過勵振外周部232及連接臂236形成至外框235的角部。引出電極234與形成在外框235 的角部的連接點237的基部220上的連接電極222進行連接。連接點237形成在圖8(b) 中虛線的橢圓所示的外框235的角部的-y』軸側的面上。AT切割水晶振動片230的勵振外周部232的χ軸方向的長度foe例如為1. 35mm, AT切割水晶振動片230的勵振外周部232 的ζ』軸方向的長度( 例如為0. 85mm。另外，AT切割水晶振動片230的勵振外周部232的 X軸方向的長度foe例如可以為990 μ m，AT切割水晶振動片230的勵振外周部232的ζ』軸方向的長度( 例如可以為700 μ m。使勵振部231的χ軸方向的長度為Mx、z』軸方向的長度為Mz。圖8(c)是基板220的俯視圖。在基部220的+y』軸側的面的外周部上形成有作為與AT切割水晶振動片230的外框235接合的第2面223，在第2面223的內側形成有凹部225。在基部220的+y』軸側的面的第2面223的一部分上形成有電連接在AT切割水晶振動片230的引出電極234的連接點237上的連接電極222。即使在AT切割水晶振動片上形成有外框，勵振外周部和外框也僅通過連接臂進行連接，不會對產生於勵振外周部上的無用振動能量產生大變化。因此，公式(1)的關係也可以適用於AT水晶振動片230上。AT切割水晶振動片的Mx/Tm設定在15. 7以上18. 0以下的範圍內，再有在26. OOOMHz的振動頻率下將Mx/Tm設定成15. 7以上16. 4以下或17. 3 以上18. 0以下，在32. 736MHz的振動頻率下將Mx/Tm設定成16. 1以上16. 6以下或16. 7 以上16. 9以下，在38. 400MHz的振動頻率下將Mx/Tm設定成17. 3以上17. 7以下也可以適用於AT切割水晶振動片230。再有，將(Tm-Ts)/Tm設定在0.048以上且小於0.2的值也適用於AT切割水晶振動片230。 以上，雖然對本發明的最優的實施方式進行了說明，但是在本領域技術人員的技術範圍內，本發明可以在其技術範圍內對實施方式進行各種變更、變形而實施。
權利要求
1.一種以38. 400MHz振動的臺面型AT切割水晶振動片，具有矩形的勵振部和形成在所述勵振部的外周且厚度薄於所述勵振部的勵振外周部，其特徵在於，當所述勵振部的晶軸的χ軸方向的長度為Mx(mm)、所述勵振外周部的晶軸的χ軸方向的長度為to(mm)時，滿足公式(1)。Mx/Gx = 0. 09 X n-0. 06 (η 自然數) (1)
2.—種以38. 400MHz振動的臺面型AT切割水晶振動片，具有矩形的勵振部和形成在所述勵振部的外周且厚度薄於所述勵振部的勵振外周部，其特徵在於，當所述勵振部的厚度為Tm( μ m)、所述勵振外周部的厚度為Ts (μ m)時，(Tm-Ts)/Tm為 0. 048以上且小於0. 2。
3.—種臺面型AT切割水晶振動片，具有矩形的勵振部和形成在所述勵振部的外周且厚度薄於所述勵振部的勵振外周部，其特徵在於，當所述勵振部的厚度為Tm、所述勵振部的晶軸的χ軸方向的長度為Mx時，在Mx/Tm為 15.7以上18.0以下的範圍內晶體阻抗取最小值，所述最小值時的所述勵振部的尺寸滿足上述Mx/Tm。
4.根據權利要求3所述的臺面型AT切割水晶振動片，其特徵在於， 振動頻率為38. 400MHz，所述Mx/Tm為17. 3以上17. 7以下。
5.根據權利要求3所述的臺面型AT切割水晶振動片，其特徵在於，振動頻率為32. 736MHz，所述Mx/Tm為16. 1以上16. 6以下或16. 7以上16. 9以下。
6.根據權利要求3所述的臺面型AT切割水晶振動片，其特徵在於，振動頻率為26. OOOMHz，所述Mx/Tm為15. 7以上16. 4以下或17. 3以上18. 0以下。
7.根據權利要求1至6的任意一項所述的臺面型AT切割水晶振動片，其特徵在於， 具有包圍所述勵振外周部的周圍且支撐所述勵振外周部的外框。
8.一種壓電裝置，其特徵在於，具備權利要求1至6的任意一項所述的臺面型AT切割水晶振動片； 形成有凹部、在所述凹部上收放所述臺面型AT切割水晶振動片的基部；以及密封所述凹部的蓋部。
9.一種壓電裝置，其特徵在於，具備具有一主面和另一主面的權利要求7所記載的臺面型AT切割水晶振動片； 具有接合在所述外框的一主面上的第1面的蓋部；以及具有接合在所述外框的另一主面上的第2面的基部。
全文摘要
本發明提供一種通過將振動部的大小做成適當的值來抑制無用振動的產生、可以防止特性的劣化的臺面型AT切割水晶振動片。以38.400MHz振動的臺面型AT切割水晶振動片(30)，具有矩形的勵振部(31)和形成在勵振部的外周且厚度薄於勵振部的勵振外周部(32)，當勵振部的晶軸的x軸方向的長度為Mx(mm)、勵振外周部的晶軸的x軸方向的長度為Gx(mm)時，滿足公式(1)。Mx/Gx＝0.09×n-0.06(n自然數)(1)。
文檔編號H03H9/19GK102386871SQ20111022549
公開日2012年3月21日 申請日期2011年8月2日 優先權日2010年9月2日
發明者佐佐木啟之, 島尾憲治, 石川學 申請人:日本電波工業株式會社