金屬薄膜的除去方法及裝置的製作方法
2023-05-09 12:30:01 4
專利名稱：金屬薄膜的除去方法及裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及例如通過蒸鍍或電鍍形成的金屬薄膜不能滿足質量管理標準時，將該金屬薄膜從基板除去的方法及實施該方法的裝置。
背景技術：
具有優良的光學性能(透過率等)及機械性能(平坦度等)的高性能玻璃基板可用於諸如平面顯示器等。但由於其價格昂貴，因此當其表面上形成的金屬薄膜不能夠滿足質量管理標準時，希望將該金屬薄膜除去，而玻璃基板則可再加以利用。
除去該金屬薄膜的方法有化學浸蝕除去法。如
圖18所示，該方法是將需除去形成於其表面的金屬薄膜的基板2浸漬於化學溶液1中，使金屬薄膜通過化學反應溶解於該化學溶液中(例如，參照日本專利特開平6-321581號、日本專利特開平9-86968號)。
但是，由於化學浸蝕除去法要使用強酸及強鹼等化學溶液，因此存在以下問題1)使用時必須十分注意，操作性差，2)對裝置必須進行耐腐蝕性處理，成本高，3)化學溶液基本上是使用後即廢棄，由此產生大量的廢液。
4)使用後，化學廢液的處理困難。
本發明是鑑於上述技術問題而完成的發明。本發明的目的是提供不使用強酸及強鹼等化學溶液、且不需要精確的位置控制、能基本上以非接觸狀態有效地除去金屬薄膜的方法及實施該方法的裝置。
發明的揭示本發明的第1金屬薄膜的除去方法是使用由傾斜設置的、引導電解流的流下的金屬平板電極、安裝在該金屬平板電極的上遊或下遊側且一部分應浸入電解液中的輔助電極、施加於上述兩電極的直流電壓電源構成的本發明的第1金屬薄膜的除去裝置，在對上述金屬平板電極與輔助電極施加直流電壓的狀態下，使從上述金屬平板電極上流下的電解液與絕緣物表面的金屬薄膜產生碰撞，將金屬薄膜除去。
並且，該第1發明未使用強酸及強鹼這樣的化學溶液，不需要控制噴嘴電極相對於絕緣物表面的金屬薄膜的精確位置，由於是非接觸狀態，所以不會對絕緣物造成損傷，能高效地除去金屬薄膜。
本發明的第2金屬薄膜的除去方法使用必須經過上述本發明的第1金屬薄膜的除去裝置的上述金屬平板電極與輔助電極之間、在該兩電極的下方安裝底面電極，對該底面電極也必須由直流電壓電源施加上述輔助電極和上述金屬平板電極的直流電壓而構成的本發明的第2金屬薄膜的除去裝置；在上述的本發明的第1金屬薄膜的除去方法中，以對配置於上述絕緣物的內面側的底面電極也施加了直流電壓的狀態，使從上述金屬平板電極上流下的電解液與絕緣物表面的金屬薄膜產生碰撞，將金屬薄膜除去。
這樣的話，比第1發明更有助於效果的發揮。
在上述的第1或第2發明中，設置至少使浸漬於電解液的絕緣物或金屬平板電極的任一方相對於另一方移動的移動裝置，如果使上述絕緣物與金屬平板電極能在相對移動的同時除去金屬薄膜的話，那麼就能除去更大範圍的金屬薄膜。
本發明的第3金屬薄膜的除去方法是使用上述第1或第2發明中，在上述金屬平板電極的絕緣物的進入側設置了電解液的侵入抑制構件的本發明的第3金屬薄膜的除去裝置，以抑制早期的電解液侵入絕緣物的邊緣側。
這樣的話，就能防止產生麻面狀金屬薄膜。
本發明的第4金屬薄膜的除去方法是使用上述第1～第3的發明中，將金屬平板電極做成能旋轉的電極、在與該電極的金屬薄膜進行接觸的部位安裝了研磨基材、具備向與上述電極的金屬薄膜進行接觸的部位供給研磨基材的供給手段的本發明的第4金屬薄膜的除去裝置，通過位於與上述電極的金屬薄膜進行接觸的部位的研磨基材擦過金屬薄膜的表面。
該第4發明能完全除去因電解溶出而殘留的膜。
附圖的簡單說明圖1是實施第1發明的金屬薄膜除去裝置的一例的概略結構示意圖。圖2是實施第1發明的金屬薄膜除去裝置的例2的概略結構示意圖。圖3是圖2的整體結構圖。圖4是表示形成直流電壓電源—金屬平板電極—連續流—金屬薄膜—加工槽內的電解液—輔助電極—直流電壓電源的閉路時的電壓與電流關係的示意圖。圖5的(a)是在第1發明中金屬薄膜殘留在終端部位的理由說明圖。圖5的(b)是金屬薄膜殘留在終端部位的絕緣物的圖。圖6是在第1發明中不使金屬薄膜殘留在終端部位情況發生的方法的說明圖。圖7的(a)(b)是在第1發明中不使金屬薄膜殘留在終端部位的情況發生的其它狀態的說明圖。圖8是實施第2發明的金屬薄膜除去裝置的一例的概略結構示意圖。圖9是在絕緣物的端部以麻面狀殘留的金屬薄膜的說明圖。圖10是實施第3發明的一例金屬薄膜除去裝置的概略結構示意圖。圖11是實施第3發明的金屬薄膜除去裝置的另一例的概略結構示意圖。圖12是實施第3發明的其它實施例的一例金屬薄膜除去裝置的概略結構示意圖。圖13是實施第4發明的一例金屬薄膜除去裝置的概略結構示意圖。圖14是實施第4發明的金屬薄膜除去裝置的例2的概略結構示意圖。圖15是實施第4發明的金屬薄膜除去裝置的例3的概略結構示意圖。圖16是實施第4發明的金屬薄膜除去裝置的例4的概略結構示意圖。圖17是實施第4發明的金屬薄膜除去裝置的例5的概略結構示意圖。圖18是通過化學浸蝕除去金屬薄膜的方法的說明圖。
實施發明的最佳方式為更詳細地解釋本發明，現根據附圖加以說明。
首先，本發明的第1金屬薄膜除去裝置的一例用圖1～圖3表示。
在圖1～圖3中，21是具有與例如後述的絕緣物24大致相同的寬度、在電解液26的上方以傾斜狀立設的金屬平板電極，22為下端部浸漬於電解液26的輔助電極，23為直流電壓電源，24為浸漬在加工槽25內的電解液(如食鹽水)26中的絕緣物，在其表面形成了欲除去的金屬薄膜24a。另外，M表示電解溶出部，V表示閥門。
其中，圖1中所示的例子表示通過泵28將電解液槽27內的電解液26送至金屬平板電極21的情況，輔助電極22為圓柱狀，以與上述絕緣物24表面的金屬薄膜24a不接觸的狀態豎立設置。
在圖2及圖3所示的例子中，輔助電極22例如形成自由旋轉的滾筒狀並與金屬平板電極21平行配置，使該輔助電極22與絕緣物24表面的金屬薄膜24a接觸，並且，如圖3所示，將加工後的電解液26回收入電解液槽27，回收的電解液經過濾器30過濾送至金屬平板電極21，這樣就表示循環使用了電解液26。滾筒狀的輔助電極22也可以與絕緣物24表面的金屬薄膜24a不接觸的狀態固定配置。
上述的第1發明按以下原理除去金屬薄膜24a。
1)從金屬平板電極21向金屬薄膜24a流出電解液26，形成連續電流26a。
2)例如施加以金屬平板電極21為負極、以輔助電極22為正極的直流電壓，則形成直流電壓電源23-金屬平板電極21-連續流26a-金屬薄膜24a-電解液26-輔助電極22-直流電壓電源23的閉路。
3)若形成上述電路，則電壓與電流呈圖4所示的曲線。若超過該圖4中的A電壓，則從金屬平板電極21及金屬薄膜24a的表面開始產生氫·氧離子以及微小氣泡。若超過B電壓，則電流開始急劇上升，隨之氣泡的產生量急劇加大。
4)進一步若超過電壓C，則電壓與電流呈大致的比例關係，以下①式所示的庫侖定律大致成立，出現薄膜金屬的溶出，並能進行薄膜金屬24a的除去加工。不言而喻，這時絕緣物24不會電解溶出。D電壓為金屬溶出的最小電壓值，即分解電壓，D電壓由電極材料(表面活性度)、電解液濃度、電路電阻等決定。
W＝η1·η2·k·I·t……①其中，η1溶出效率(％)，η2電流效率(％)，k電化學當量(mg/c)，I電解電流(A)，T電解時間(scc)。
上述第1發明(除圖2、3所示的例以外)由於是非接觸的加工法，因此不損傷絕緣物，並且不需要對電極與金屬薄膜間的位置進行精確控制。另外，由於不是化學除去法，而是通過電解溶出的加工法，所以只要是可通電的電解液即可，可使用NaNO3、NaCl等中性鹽電解液，因此操作性好，且電解液的廢液處理較容易。圖2、3所示的第1發明也只有滾筒狀的輔助電極22發生接觸，因此基本上與上述相同。
上述的第1發明中，例如移動絕緣物24，金屬薄膜24a被漸漸除去，到達其最終端的話，如圖5(a)所示，金屬薄膜24a與輔助電極22間的距離漸漸遠離，流過金屬薄膜24a的電流量比電解液26中的少，因此，電流效率降低，如圖5(b)所示，最終，金屬薄膜24a便殘留在下遊側(圖5的紙面左側)端部。
因此，如圖6所示，在第1發明中，若在絕緣物24的下遊側(圖6的紙面左側)端部設置與絕緣物24厚度大致相同的導電體板31，則即使在絕緣物24的最終端通過輔助電極22之後，由於形成直流電壓電源23-金屬平板電極21-連續流26a-金屬薄膜24a-導電體板31-電解液26-輔助電極22-直流電壓電源23的閉路，所以也能防止電流效率的降低，並在下遊側端部不殘留金屬薄膜24a。要形成上述的閉路，則導電體板31的電極移動方向的長度必須比金屬平板電極21與輔助電極22間的間隔a要長。
此外，用於溶出的電極採用如圖7(a)所示，交替設置多個陰極(如金屬平板電極21)和陽極(如輔助電極22)電極，或如圖7(b)所示，設置多個以圓筒32的內側為陰極、以外側為陽極的電極來代替圖6所示的在絕緣物24的下遊側端部設置的與絕緣物24厚度大致相同的導電體板31，也可起到與設置導電體板31同樣的效果。
圖7(a)所示的是以絕緣體33連接陰極與陽極的結構。
然後，本發明的第2金屬薄膜除去裝置的一例如圖8所示。在圖8中，29為必須經過上述金屬平板電極21與輔助電極22之間、在這兩個電極21、22的下方配置的底面電極，其餘結構與圖3所示的例子相同。
但是，這些第1、第2發明中，由於陽極部分正下方的金屬薄膜溶出，並隨著溶出的不斷進行，陽極與薄膜的距離加大，電流便不能流過，溶出停止，因此，絕緣物24的表面較寬時，就不能全部除去在表面上形成的金屬薄膜24a。
因此，在這些第1、第2發明中，設置至少浸漬於電解液中的絕緣物24或金屬平板電極21的任一方能相對於另一方移動的移動結構，若使上述絕緣物24與金屬平板電極21相對移動的同時除去金屬薄膜24a，則能除去較大範圍的金屬薄膜24a。這時，在第1及第2發明中，設金屬平板電極21的寬度為W(cm)，相對移動速度為V(cm/min)，電流為I(A)，最好以滿足下述關係的相對移動速度移動。
0.1≥I/(W×V)≥0.03使該金屬平板電極21相對於另一方移動時，在第1及第2的發明中，例如施加於正極的輔助電極22比施加於負極的金屬平板電極21更加位於上遊側，也就是說，最好將輔助電極22設置得比金屬平板電極21先通過絕緣物24表面的金屬薄膜24a上。
其理由是因為電解溶出是從施加於正極的陽極部分溶出，金屬薄膜24a的溶出靠近施加於負極的陰極，如圖1～圖3、圖5及圖6、圖8所示的例子是從位於金屬平板電極21下方的金屬薄膜24a溶出的緣故。總之，若反方向移動，則金屬薄膜24a溶出的部分通過電極間，不能形成先前所說的閉路，且不能連續地溶出。為防止陽極的溶出，最好在陽極電極上使用碳或實施鍍白金。
在上述第1、第2的發明中，使金屬平板電極21相對絕緣物24移動時，若輔助電極22是固定的，則隨著金屬平板電極21的移動，極間距離發生變化，因而電壓—電流產生變化，會引起不能均勻地除去金屬薄膜24a的情況發生。
這時，如圖2及圖3所示，將輔助電極22與金屬平板21平行配置，使兩者同時移動，便能解決上述問題。
此外，上述第1、第2的發明中，在進行金屬薄膜24a的除去處理的正當中，若電解液26洩漏，覆蓋在絕緣物24上面，則絕緣物24的端部在通過金屬平板電極21或輔助電極22之前便開始電解溶出。這是因為通常由於電極間的電場(電流集中的強度)最強，只是在電極間析出，而浸於電解液26的絕緣物24的端部集中產生電場，達到與電極間同等的電場強度的緣故。
並且，由於絕緣物24端部的電場不均勻，引起金屬薄膜24a的除去也不均勻，因此在絕緣物24的端部，金屬薄膜24a如圖9所示，以麻面狀殘留。圖9的24b表示以麻面狀殘留的金屬薄膜。
即使這樣的麻面狀金屬薄膜24b殘留的部分通過金屬平板電極21，由於金屬薄膜在麻面狀部位被連續地切斷，因此不能形成先前所說的閉路，因而金屬薄膜24b未被除去而殘留著。
因此，在第1或第2的發明中，在金屬平板電極21的絕緣物24的進入側設置控制電解液26侵入的構件，如具有與絕緣物24大致等寬的圖10所示的橡膠製隔壁34a，使其儘可能地接觸絕緣物24的表面；或設置具有與絕緣物24大致等寬的圖11所示的橡膠製滾筒34b，由彈簧35將其壓緊在絕緣物24的表面側，這樣的話，就能控制早期的電解液26對絕緣物24端部的侵入，防止產生麻面狀金屬薄膜24b。這就是第3發明。
在上述第1～第3的發明中，由於電流藉助電解液26流過，因此電解液26中流過的電流使金屬薄膜24a的溶出效率變差。
因此，在第1～第3的發明中，在絕緣物24表面側的金屬平板電極21與輔助電極22之間，設置與絕緣物26大致等寬的絕緣壁36，如圖12所示的那樣，使之儘可能地接近絕緣物24的表面，這樣能減少電解液26中流過的電流，提高金屬薄膜24a的溶出效率。
上述第1～第3的發明儘管能在不損傷絕緣物24的情況下有效地除去金屬薄膜24a，但是由於是流過電解液26的電流使金屬薄膜24a溶出而除去金屬薄膜24a的，因而有時也會產生因電解溶出而有殘量的膜殘留的情況。
在第1～第3的發明中，用能旋轉的電極37代替金屬平板電極21，並在與該電極37的金屬薄膜24a進行接觸的部位配置研磨基材，具備向與上述電極37的金屬薄膜24a進行接觸的部位提供研磨基材的供給手段。該構成中，用位於與上述電極37的金屬薄膜24a進行接觸的部位的研磨基材擦過金屬薄膜24a的表面，就能完全除去因電解溶出而殘留的膜。這就是第4發明。
例如，圖13所示的例子中，由電解液槽27向在外周配置了具有通水性的研磨基材的可旋轉的棒狀電極37的中心部位提供電解液26，使電解液26從棒狀電極37的外周部流出。此外，圖14所示的例子是圖13所示的例子的輔助電極22與棒狀電極37平行配置的情況；圖15所示的例子是配置了下面裝有具有通水性的研磨基材的可旋轉的圓盤狀的電極37的情況，以代替圖13所示的棒狀電極；圖16所示的例子是使圖14所示的輔助電極22形成滾筒狀並與絕緣物24表面的金屬薄膜24a接觸的情況；圖17所示的例子是電解液26不是在電極37的內部而是從外部供給的情況。
以上例子表示在與電極37的金屬薄膜24a進行接觸的部位配置了研磨基材的情況，但是，不在電極27配置研磨基材，而是在與該電極37的金屬薄膜24a進行接觸的部位提供研磨基材也可以。
以下，對為確認本發明效果而進行的實施結果加以說明。
A.第1發明的實施例(之一)使用圖3所示構成的本發明的第1金屬薄膜的除去裝置(金屬平板電極寬1000mm)，在如下的加工條件下，實施本發明的第1金屬薄膜的除去方法，能有效除去蒸鍍在1000mm×1000mm的玻璃基板上的、厚1000×10-10m的鋁薄膜，並且玻璃基板能再利用。另外，將滾筒狀輔助電極與玻璃基板以非接觸狀態固定配置，電流變為300A，除此之外其它加工條件相同，實施本發明的第2金屬薄膜的除去方法，與上述同樣，能有效除去蒸鍍在玻璃基板上的鋁薄膜，並且玻璃基板能再利用。
電解液20％NaCl噴出流量約30升/min施加電壓約100V電流150A
玻璃基板移動速度1m/minB.第1發明的實施例(之二)使用圖3所示構成的本發明的第1金屬薄膜的除去裝置，如圖6所示，在1000mm×1000mm的玻璃基板(厚0.7mm)的終端設置相同厚度的碳板，在如下的加工條件下，實施本發明的第1金屬薄膜的除去方法，能至端部為止有效除去蒸鍍在上述玻璃基板上的1000×10-10m厚的鋁薄膜，並且玻璃基板能再利用。
電解液5％NaCl噴出流量約30升/min施加電壓約100V電流300A玻璃基板移動速度1m/minC.第3發明的實施例(之一)使用圖10所示構成的本發明的第3金屬薄膜的除去裝置，在如下的加工條件下，實施本發明的第3金屬薄膜的除去方法，能至端部為止有效除去蒸鍍在1000mm×1000mm的玻璃基板(厚0.7mm)上的1000×10-10m厚的鋁薄膜，並且玻璃基板能再利用。
電解液5％NaCl噴出流量約30升/min附加電壓約100V電流300A玻璃基板移動速度1m/min侵入控制構件橡膠製隔壁D.第3發明的實施例(之二)使用圖12所示構成的本發明的第3金屬薄膜的除去裝置，在如下的加工條件下，實施本發明的第3金屬薄膜的除去方法，即使移動速度較其它實施例提高10％，也能有效除去蒸鍍在1000mm×1000mm的玻璃基板(厚0.7mm)上的1000×10-10m厚的鋁薄膜，並且玻璃基板能再利用。
電解液5％NaCl
噴出流量約30升/min施加電壓約100V電流300A玻璃基板移動速度1.1m/min絕緣物隔壁聚氯乙烯制隔壁E.第4發明的實施例使用圖16所示構成的本發明的第4金屬薄膜的除去裝置，在如下的加工條件下，實施本發明的第4金屬薄膜的除去方法，能無殘留地完全除去蒸鍍在1000mm×1000mm玻璃基板上的1000×10-10m厚的鋁薄膜，並且玻璃基板能再利用。
電解液20％NaCl供給流量約30升/min棒狀電極旋轉數600rpm研磨劑磨粒#3000氧化鋁磨粒(與電解液混合供給)施加電壓約100V電流200A玻璃基板移動速度1m/min不言而喻，上述實施例並不完全對應所有的權利要求項，但即使是未作為實施例列舉的權利要求項中記載的發明，也能有效地地除去絕緣物上形成的金屬薄膜，並且能實現絕緣物的再生。
產業中利用的可能性如上所述，本發明不使用強酸、強鹼這樣的化學溶液，並且不需要進行對應於絕緣物表面的金屬薄膜的電極的精確的位置控制，能以基本非接觸的方式，不損傷絕緣物地有效除去金屬薄膜，使半導體領域中使用的高價的機能性玻璃基板的再生利用成為可能。
權利要求書(按照條約第19條的修改)1.金屬薄膜的除去方法，其特徵在於，以對傾斜配置的金屬平板電極與配置在該金屬平板電極的上遊或下遊側且一部分應浸漬於電解液中的輔助電極施加了直流電壓的狀態，使從上述金屬平板電極上流下的電解液與絕緣物表面的金屬薄膜產生碰撞，將金屬薄膜除去。
2.如權利要求1所述的金屬薄膜的除去方法，其特徵還在於，在上述絕緣物的內面側配置必須經過上述金屬平板電極與輔助電極之間的底面電極，以對該底面電極也施加輔助電極和金屬平板電極的直流電壓的狀態，使從上述金屬平板電極上流下的電解液與絕緣物表面的金屬薄膜產生碰撞，將金屬薄膜除去。
3.如權利要求1或2所述的金屬薄膜的除去方法，其特徵還在於，使上述絕緣物與金屬平板電極在相對移動的同時除去金屬薄膜。
4.如權利要求1或2所述的金屬薄膜的除去方法，其特徵還在於，在上述金屬平板電極的絕緣物進入側設置電解液的侵入抑制構件，以抑制電解液的早期的侵入。
5.如權利要求3所述的金屬薄膜的除去方法，其特徵還在於，在上述金屬平板電極的絕緣物進入側設置電解液的侵入抑制構件，以抑制電解液的早期的侵入。
6.金屬薄膜的除去裝置，其特徵在於，由傾斜配置的、引導電解液的流下的金屬平板電極、配置在該金屬平板電極的上遊或下遊側且一部分應浸入電解液中的輔助電極、以及施加於上述兩電極的直流電壓電源構成。
7.如權利要求6所述的金屬薄膜的除去裝置，其特徵還在於，必須經過上述金屬平板電極與輔助電極之間、在該兩電極的下方配置底面電極，對該底面電極上也必須由直流電壓電源施加輔助電極和金屬平板電極的直流電壓。
8.如權利要求6或7所述的金屬薄膜的除去裝置，其特徵還在於，設置至少使浸漬於電解液中的絕緣物或金屬平板電極的任一方相對於另一方移動的移動裝置。
9.如權利要求6或7所述的金屬薄膜的除去裝置，其特徵還在於，在上述金屬平板電極的絕緣物進入側設置了電解液的侵入抑制構件。
10.如權利要求8所述的金屬薄膜的除去裝置，其特徵還在於，在上述金屬平板電極的絕緣物進入側設置了電解液的侵入抑制構件。
權利要求
1.金屬薄膜的除去方法，其特徵在於，以對傾斜配置的金屬平板電極與配置在該金屬平板電極的上遊或下遊側且一部分應浸漬於電解液中的輔助電極施加了直流電壓的狀態，使從上述金屬平板電極上流下的電解液與絕緣物表面的金屬薄膜產生碰撞，將金屬薄膜除去。
2.如權利要求1所述的金屬薄膜的除去方法，其特徵還在於，在上述絕緣物的內面側配置必須經過上述金屬平板電極與輔助電極之間的底面電極，以對該底面電極也施加輔助電極和金屬平板電極的直流電壓的狀態，使從上述金屬平板電極上流下的電解液與絕緣物表面的金屬薄膜產生碰撞，將金屬薄膜除去。
3.如權利要求1或2所述的金屬薄膜的除去方法，其特徵還在於，使上述絕緣物與金屬平板電極在相對移動的同時除去金屬薄膜。
4.如權利要求1或2所述的金屬薄膜的除去方法，其特徵還在於，在上述金屬平板電極的絕緣物進入側設置電解液的侵入抑制構件，以抑制電解液的早期的侵入。
5.如權利要求3所述的金屬薄膜的除去方法，其特徵還在於，在上述金屬平板電極的絕緣物進入側設置電解液的侵入抑制構件，以抑制電解液的早期的侵入。
6.如權利要求1或2所述的金屬薄膜的除去方法，其特徵還在於，將上述金屬平板電極做成能旋轉的電極，通過位於與該電極的金屬薄膜進行接觸的部位的研磨基材擦過金屬薄膜的表面。
7.如權利要求4所述的金屬薄膜的除去方法，其特徵還在於，將上述金屬平板電極做成能旋轉的電極，通過位於與該電極的金屬薄膜進行接觸的部位的研磨基材擦過金屬薄膜的表面。
8.如權利要求5所述的金屬薄膜的除去方法，其特徵還在於，將上述金屬平板電極做成能旋轉的電極，通過位於與該電極的金屬薄膜進行接觸的部位的研磨基材擦過金屬薄膜的表面。
9.如權利要求3所述的金屬薄膜的除去方法，其特徵還在於，將上述金屬平板電極做成能旋轉的電極，通過位於與該電極的金屬薄膜進行接觸的部位的研磨基材擦過金屬薄膜的表面。
10.金屬薄膜的除去裝置，其特徵在於，由傾斜配置的、引導電解液的流下的金屬平板電極、配置在該金屬平板電極的上遊或下遊側且一部分應浸入電解液中的輔助電極、以及施加於上述兩電極的直流電壓電源構成。
11.如權利要求10所述的金屬薄膜的除去裝置，其特徵還在於，必須經過上述金屬平板電極與輔助電極之間、在該兩電極的下方配置底面電極，對該底面電極上也必須由直流電壓電源施加輔助電極和金屬平板電極的直流電壓。
12.如權利要求10或11所述的金屬薄膜的除去裝置，其特徵還在於，設置至少使浸漬於電解液中的絕緣物或金屬平板電極的任一方相對於另一方移動的移動裝置。
13.如權利要求10或11所述的金屬薄膜的除去裝置，其特徵還在於，在上述金屬平板電極的絕緣物進入側設置了電解液的侵入抑制構件。
14.如權利要求12所述的金屬薄膜的除去裝置，其特徵還在於，在上述金屬平板電極的絕緣物進入側設置了電解液的侵入抑制構件。
15.如權利要求10或11所述的金屬薄膜的除去裝置，其特徵還在於，將上述金屬平板電極做成能旋轉的電極的同時，在與該電極的金屬薄膜進行接觸的部位配置研磨基材，具備向與上述電極的金屬薄膜進行接觸的部位供給研磨基材的供給手段。
16.如權利要求12所述的金屬薄膜的除去裝置，其特徵還在於，將上述金屬平板電極做成能旋轉的電極的同時，在與該電極的金屬薄膜進行接觸的部位配置研磨基材，具備向與上述電極的金屬薄膜進行接觸的部位供給研磨基材的供給手段。
17.如權利要求13所述的金屬薄膜的除去裝置，其特徵還在於，將上述金屬平板電極做成能旋轉的電極的同時，在與該電極的金屬薄膜進行接觸的部位配置研磨基材，具備向與上述電極的金屬薄膜進行接觸的部位供給研磨基材的供給手段。
18.如權利要求14所述的金屬薄膜的除去裝置，其特徵還在於，將上述金屬平板電極做成能旋轉的電極的同時，在與該電極的金屬薄膜進行接觸的部位配置研磨基材，具備向與上述電極的金屬薄膜進行接觸的部位供給研磨基材的供給手段。
全文摘要
使用由傾斜配置的引導電解流的流下的金屬平板電極(21)、安裝在該金屬平板電極(21)的上遊或下遊側且一部分應浸漬於電解液中的輔助電極(22)、以及施加於上述兩電極的直流電壓電源(23)構成的金屬薄膜的除去裝置，在對上述金屬平板電極(21)與輔助電極(22)施加了直流電壓的狀態下，使從上述金屬平板電極(21)上流下的電解液(26)與絕緣物(24)表面的金屬薄膜(24a)產生碰撞，由此將金屬薄膜(24a)除去。
文檔編號C03C23/00GK1703380SQ20038010120
公開日2005年11月30日 申請日期2003年10月2日 優先權日2002年10月11日
發明者大工博之, 前畑英彥, 塚原正德, 濱田省吾, 井上鐵也, 浜崎洋志 申請人:日立造船株式會社, 日立造船金屬工業股份有限公司