微波低波段超微型混合集成電路及其製備工藝的製作方法
2023-05-08 20:26:46
專利名稱：：微波低波段超微型混合集成電路及其製備工藝的製作方法
技術領域：
：本發明涉及一種無線通信領域中微波低波段超微型混合集成電路,特別是涉及一種超微型化、低成本的微波低波段混合集成電路的設計思想及工藝製備方法。
背景技術：
：目前，對雷達、電子戰和通訊等電子設備中微波電路"微型化"的呼聲甚高，"微型化"的含義遠比其名詞本身寓意要廣泛，它至少還意味著一致性、低價格和高可靠(參考"關於微波電路的微型化技術"《現代雷達》顧墨琳1991，13(5)P70)。近年來，微波低波段無線通信領域技術發展極其迅猛，超微型化的微波器件不斷問世，使用現有的微波混合集成電路及製備工藝己經無法滿足電路日益精細化、微型化的要求，特別需要尋找一種超微型化、低成本的微波低波段混合集成電路的設計思想及製備工藝。二十世紀八十年代以來，微波工程師們對微波低波段微型化的集成電路感到困惑。RFIC、MINI等特種器件雖然迅猛發展，種類五花八門，這給當前爆炸性增長的微波低波段無線通信帶來麻煩，不利於微波低波段無線通信的產業化。在低波段微波電路設計中，現有的混合微波集成電路(HMIC)技術，在電路性價比、電路尺寸、製備工藝之間還存在諸多技術難點，不利於電路小型化和集成化。例如3dB交指電橋，若其做在介電常數為9.6，厚度為O.5的陶瓷基片上，其縫寬為幾十個微米，用現有的混合微波集成技術無法實現；而如果是製作3dB鋸齒耦合正交電橋，若採用單節結構，其縫寬更是低達幾微米，現有的混合微波集成技術更是無法實現，而是用兩個8.34dB鋸齒耦合正交電橋串接而成，其尺寸大約是單節的2.5倍。又例如，現有的自動增益控制(AGC)低波段接收組件是由多個單片電路組合而成，若要實現低波段的低噪聲、高增益、高動態的AGC組件，其尺寸在200X60X25mm左右。尤其是現有接收組件中的濾波器多釆用腔體式的，不利於集成。再例如，現有八管功率合成模組是由幾個單片電路組合而成，存在增益低、尺寸大等缺點。現有混合微波集成電路(HMIC)技術的製作工藝，主要包括刻圖、製版、定位光刻、超聲波打孔、真空蒸發鍍膜、刻蝕、超聲波點焊、電鍍等工藝流程，採用傳統的感光膜光刻製作的平面電路圖形，其分辯率低，最高只能達到0.lram的線條水平，圖形精確度不高，採用的焊連線電鍍則進一步惡化了線條控制，對於微米級的線條無法實現。這使得進一步小型化、集成化受到限制，特別對微波低波段電路的小型化更加受到限制。雖然目前半導體製造技術能達到納米級的精度，但因其製造設備及工藝過程中的消耗極其昂貴，因此微米級的微波低波段的電路絕無可能、也絕無必要採用半導體集成電路的製造技術。
發明內容本發明所要解決的技術問題是，克服現有技術的缺點，提供一種微波低波段超微型.混合集成電路。本發明進一步要解決的技術問題是，提供一種低成本的微波低波段超微型混合集成電路的製備工藝。本發明的總體設計思想是，用微波集成電路技術解決微波低波段分布參數電路超微型化的問題，既要基本電路及功能電路微型化，又要適合低成本批量生產。具體地說，本發明解決其技術問題所採用的技術方案如下一種微波低波段超微型混合集成電路，其特徵是在適合傳輸射頻信號的介質材料基片上具有通過超微細微帶薄膜工藝製作的微波低波段超微型電路的無源電路,符合微波低波段電路特性的微波低波段超微型電路的有源電路器件楔焊固定在所述基片上，所述的無源電路和有源電路器件在所述基片上結合成一個完整的微波低波段超微型混合集成電路。在上述方案中，適合傳輸射頻信號的介質材料基片為純度99.6%以上的三氧化二鋁陶瓷基片，或者藍寶石基片，基片的厚度H範圍為O.1mm《H《0.6mm。本發明進一步的技術解決方案如下一種微波低波段超微型混合集成電路的製備工藝，是一種超微細微帶薄膜工藝，包括如下步驟首先在基片上雷射打通孔，研磨拋光.獲得平坦化表面，平坦化後的基片進行清洗再濺射獲得電鍍需要的引鍍層，然後再通過小孔金屬化和選擇性電鍍，然後進行劃片製得電路片；再通過鍵合在電路片上楔焊上各種有源器件以及完成跳線，最後將電路片封裝於金屬外殼內送電路性能測試。本發明的有益效果如下根據總體設計思想，將微波低波段超微型分布參數電路與超微細微帶薄膜工藝巧妙結合，避免將佔面積的無源元件製作在昂貴的砷化鎵等晶片基片上，使低成本、微型化的微波低波段電路得以實現，電路尺寸一般為傳統電路的十分之一。巧妙結合體現在電路設計中注重各單元電路的匹配問題，選擇最適當的有源器件，以滿足個別電路的特性需求，不必因單一半導體材料而使電路特性有所犧牲；選用含裸晶片的低電壓器件，用於實現微型化，廣泛採用大面積細縫隙的單節3dB鋸齒耦合正交電橋和大面積細線條的3dB交指正交電橋，用於實現平衡電路，採用大面積細縫隙和大面積陡直的細線條形成分布參數電感，從而將含大面積細線條分布參數電路集成在高介電常數的基片上。工藝上，在借鑑納米級半導體工藝的部分技術、結合傳統混合微波集成電路工藝的部分技術的基礎上，為微波低波段超微型混合集成電路產品的實現提供了一種獨特的超微細微帶薄膜製備工藝。採用半導體的大基片、多單元的方式加工，生產效率高，產品一致性、重複性好。工藝採用選擇性電鍍，最大限度節省鍍層金屬材.料；外接微型化的電阻、電容以及有源器件而非直接集成在電路片上，大大降低了工藝複雜度，提高生產效率和降低生產成本，易於實現多品種的規模化生產。依照本發明思路已經開發出眾多微波低波段超微型混合集成電路，例如3dB交指電橋、單節的3dB鋸齒耦合正交電橋、微帶帶通濾波器等單元電路，射頻平衡放大器、射頻功率合成器、射頻選頻放大模組、射頻平衡混頻器、雙平衡混頻器、鏡像抑制混頻器、微波匹配型PIN二極體電調衰減器、射頻自動增益控制外差式接收模組、ALC功放組件、VCO振蕩器、微帶雙工器、微型中繼站等高性能功能模組，還將陸續開發出新的微波低'波段超微型混合集成電路，為微波低波段無線通信整機和系統提供一系列理想的微型化郵票式模片或模組，這將在很大程度上改變整機和系統的產業鏈，成為微波低波段電路器件微型化進程中的一個重要裡程碑。圖1為本發明實施例1微波低波段超微型射頻平衡放大電路原理示意圖。圖2為本發明實施例1微波低波段超微型射頻平衡放大電路版圖。圖3為本發明實施例2微波低波段超微型射頻選頻放大模組電路原理示意圖。圖4為本發明實施例2微波低波段超微型射頻選頻放大模組電路版圖。圖5為本發明實施例3微波低波段超微型射頻自動增益控制外差式接收模組電路原理示意圖。圖6為本發明實施例3微波低波段超微型射頻自動增益控制外差式接收模組電路版圖。圖7為本發明實施例4微波低波段超微型微帶雙工器電路原理示意圖。圖8為本發明實施例4微波低波段超微型微帶雙工器電路版圖。圖9為本發明實施例5微波低波段超微型中繼站電路原理示意圖。圖10為本發明實施例5微波低波段超微型中繼站電路版圖。圖11為本發明微波低波段超微型混合集成電路製備工藝流程圖。具體實施例方式下面參照附圖並結合實施例對本發明中優選的五個微波低波段超微型混合集成電路分別進行詳細描述，並結合具體的工藝流程，對本發明製備工藝進行詳細描述。但是本發明不局限於所給出的實施例。如圖1所示，實施例l，本發明微波低波段超微型射頻平衡放大器的電路組成包括一個IC放大器件PA、兩個3dB正交電橋Bl、B2，IC放大器件PA的兩個輸入端S1、S2分別連接3dB正交電橋Bl的耦合端0H、直通端ZT，IC放大器件PA的兩個輸出端Cl、C2分別連接3dB正交電橋B2的耦合端0H、直通端ZT，射頻輸入RFin連接3dB正交電橋Bl的輸入端in，3dB正交電橋B2的輸出端out的輸出即為平衡放大的射頻輸出RFout，3dB正交電橋Bl、B2的隔離端ISO分別連接50歐姆電阻R1、R2後接地。如圖1和圖2所示，3dB正交電橋Bl、B2以及IC放大器件PA的外圍電路通過超微細微帶薄膜工藝製作在陶瓷基片TJ上，IC放大器件PA楔焊固定在陶瓷基片TJ上。'本實施例中，3dB正交電橋可以是單節3dB鋸齒耦合正交電橋或者3dB交指正交電橋，陶瓷基片TJ為介電常數9.6、厚度0.2mm、平面尺寸15mmX12mm的三氧化二鋁陶瓷基片；IC放大器件型號為aim-1222。用agilent公司生產的信號源N5182A，頻譜儀E4404B,網絡分析儀E5071B以及HP公司生產的噪聲源N8970B對本實施例射頻平衡放大器進行測試，測試結果見表1-tableseeoriginaldocumentpage11如圖3和圖4所示，實施例2，本發明微波低波段超微型射頻選頻放大模組的電路組成包括兩級平衡放大電路BP1、BP2和微帶帶通濾波器BPF，射頻輸入RFin連接第一級平衡放大電路BP1的輸入端in，第一級平衡放大電路BP1的輸出端out連接微帶帶通濾波器BPF的輸入端in，微帶帶通濾波器BPF的輸出端out連接第二級平衡放大電路的輸入端in，第二級平衡放大電路輸出端out的輸出即為放大模組的射頻輸出RFout;所述的平衡放大器BP1由一個IC放大器件PAl和兩個3dB正交電橋B11、B12組成，IC放大器件PA1的兩個輸入端分別連接3dB正交電橋Bll的耦合端0H、直通端ZT，IC放大器件PA1的兩個輸出端分別連接3dB正交電橋B12的耦合端0H、直通端ZT，3dB正交電橋Bll的輸入端為平衡放大電路BP1的輸入端in，3dB正交電橋B12的輸出端為平衡放大電路的輸出端out，3dB正交電橋B11、B12的隔離端ISO分別連接50歐姆電阻Rll、R12後接地，平衡放大器BP2的電路結構與平衡放大器BP1相同；兩級平衡放大電路的3dB正交電橋B11、B12、B21、B22及其IC放大器件PA1、PA2的外圍電路、微帶帶通濾波器BPF通過超微細微帶薄膜工藝製作在陶瓷基片TJ上，IC放大器件PA1、PA2楔焊固定在陶瓷基片TJ上。本實施例中，3dB正交電橋可以是單節3dB鋸齒耦合正交電橋或者3dB交指正交電橋，微帶帶通濾波器BPF為高選擇性橢圓函數帶通濾波器，陶瓷基片TJ為介電常數9.9、厚度0.3mm、平面尺寸45mmX15ram的三氧化二鋁陶瓷基片，IC放大器件型號為aim-1222。如圖5和圖6所示，實施例3，本發明微波低波段超微型射頻自動增益控制外差式接收模組的電路組成包括射頻信號輸入RFin依次連接的平衡放大器BP1、匹配型電調衰減器EAT、微帶帶通濾波器BPF、平衡放大器BP2、單平衡混頻器MIX，由單平衡混頻器MIX輸出中頻信號IF。RF信號輸入到平衡放大器BPl,經放大後進入電調衰減器EAT,從後級放大輸出端耦合取樣信號經檢波、直流放大後加至電調衰減器EAT的控制端，從而實現對平衡放大器B1的自動增益控制；信號通過電調衰減器後進入微帶帶通濾波器，經濾波後，信號進入平衡放大器B2進行二次放大，隨後信號在單平衡混頻器MIX中與本振信號LO混頻得到需要的中頻IF信號，這就實現了射頻自動增益控制外差式接收模組的功能。所述的平衡放大器(參見圖l)由一個IC放大器件和兩個3dB正'交電橋組成。本例中平衡放大器BP1、BP2中的3dB正交電橋及其IC放大器件的外圍電路、匹配型電調衰減器EAT、微帶帶通濾波器BPF、單平衡混頻器MIX及其連接電路通.過超微細薄膜工藝製作在陶瓷基片TJ上，IC放大器件PA1、PA2楔焊固定在陶瓷基片TJ上。本實施例中，3dB正交電橋可以是單節3dB鋸齒耦合正交電橋或者3dB交指正交電橋，陶瓷基片TJ為介電常數9.9、厚度0.5mm、平面尺寸55mmX18mm的三氧化二鋁陶瓷基片；微帶帶通濾波器BPF為高選擇性橢圓函帶通數濾波器，IC放大器件型號為aim-1222。如圖7和圖8所示，實施例4，本發明微波低波段超微型微帶雙工器的電路組成包括三個微帶帶通濾波器BPF1、BPF2、BPF3和兩個3dB正交電橋Bl、B2，第一濾波器BPF1的B端與第一電橋B1的輸入輸出接口G連接，其通帶頻率與第二、第三濾波器BPF2、BPF3的不相同，第二、第三濾波器BPF2、BPF3的通帶頻率相同，並接於第一電橋B1、第二電橋B2的耦合端0H、直通端ZT之間BPF2的D端連接Bl的OH端，BPF2的C端連接B2的0H端，BPF3的F端連接B1的ZT端，BPF3的E端連接B2的ZT端，第二電橋B2的隔離端ISO連接一個50歐姆電阻R後接地，第二電橋B2的輸入輸出接口I、第一電橋B1的另一個輸入輸出接口H以及第一濾波器BPF1的另一端A即為微帶雙工器的三個輸入輸出接口K、L、J。構成本發明微帶雙工器的三個微帶帶通濾波器BPF1、BPF2、.BPF3和兩個3dB正交電橋Bl、B2及其連接電路通過超微細微帶薄膜工藝製作在陶瓷基片TJ上。本實施例中，3dB正交電橋可以是單節3dB鋸齒耦合正交電橋或者3dB交指正交電橋，微帶帶通濾波器BPF為髙選擇性橢圓函數帶通濾波器，陶瓷基片TJ為介電常數9.9、厚度0.5mm、平面尺寸35mmX30mm的三氧化二鋁陶瓷基片。如圖9和圖10所示，實施例5，本發明微波低波段超微型中繼站電路，由兩個微帶雙工器DUP1、DUP2以及上、下行放大鏈路FOP、REP組成，上、下行放大鏈路為微波低波段超微型選頻放大模組，以下行放大鏈路REP為例，選頻放大模組的組成包括兩級平衡放大器BP1、BP2和微帶帶通濾波器BPF4,射頻輸入RFin連接第一級平衡放大器BP1的輸入端in，第一級平衡放大器BP1的輸出端out連接微帶帶通濾波器BPF的輸入端in,微帶帶通濾波器BPF的輸出端out連接第二級平衡放大器的輸入端in，第二級平衡放大器輸出端out的輸出即為放大模組的射頻輸出RFout;同樣的上行放大鏈路FOP組成包括依次連接的第一級微型平衡放大器BP3、微帶帶通濾波器BPF5、第二級微型平衡放大器BP4;第一個微帶雙工器DUP1的下行信號輸出端TX1連接下行放大鏈路REP的第一級微型平衡放大器BP1的信號輸入端in，下行放大鏈路REP的第二級微型平衡放大器BP2的信號輸出端out連接第二個微帶雙工器DUP2的下行信號輸入端RX1;第二個微帶雙工器DUP2的上行信號輸出端TX2連接上行放大鏈路FOP的第一級微型平衡放大器BP3的信號輸入端in，上行放大鏈路FOP的第二級微型平衡放大器AMP4的信號輸出端out連律第一個微帶雙工器DUP1的上行信號輸入端RX2。圖1、圖2中第一個微帶雙工器DUP1的天線口BS對應基站，第二個微帶雙工器DUP2的天線口MS對應用戶。圖中箭頭表示信號傳輸方向。所述的微帶雙工器的電路組成(參見圖7)包括三個微帶帶通濾波器和兩個3dB正交電橋；所述上、下行放大鏈路中的微型平衡放大器(參見圖l)由一個IC放大器件和兩個3dB正交電橋組成;所述的微帶雙工器的微帶帶通濾波器、3dB正交電橋、上下行放大鏈路的微帶帶通濾波器、微型平衡放大器的3dB正交電橋、IC放大器件的外圍電路，及其連接電路通過超微細微帶薄膜工藝製作在陶瓷基片TJ上，'電路中的IC放大器件楔焊固定在陶瓷基片TJ上。本實施例中，3dB正交電橋可以是單節3dB鋸齒耦合正交電橋或者3dB交指正交電橋，微帶帶通濾波器為高選擇性橢圓函數帶通濾波器，陶瓷基片TJ為介電常數9.9、厚度0.5mm、平面尺寸107mmX39mm的三氧化二鋁陶瓷基片。如圖11所示，本發明超微細微帶薄膜工藝的具體步驟如下1、基片提供未拋光的基片。採用未拋光的基片有利於後續的雷射打孔中基片對雷射能量的吸收。2、雷射打孔使用YAG雷射進行通孔加工。雷射打孔前在基片表面塗覆一層黑墨。塗覆黑墨也是利於基片對雷射能量的吸收。該工藝具有高效率、高集成度、小孔徑(孔徑0.10.2mm)等優點，能很好的滿足超微型化射頻平面電路的設計要求。3、平坦化使用研磨機以及拋光機對基片進行表面平坦化並根據電路設計需要控制基片厚度，同時消除雷射打孔時沉積在基片表面的熔渣。4、清洗經過雷射打孔、減薄、拋光的基片，先使用異丙醇、丙酮、酒精等試劑在加熱並超聲條件下清洗後再烘箱烘乾。5、濺射對烘乾後的基片的正反面各進行一次磁控濺射，從而得到兩面以鈦和金為材料的引鍍層。6、小孔金屬化將濺射後的基片通過壓膜機將固體感光膜壓制在基片正面並進行.光刻，只露出通孔區域，再對基片背面進行全版電鍍加厚同時實現小孔金屬化。7、選擇性電鍍a.選用一次性塗膠厚達10微米的正性光刻膠塗膠光刻。其前烘溫度控制在100。C11(TC，堅膜溫度控制在75。C85'C，堅膜時間控制在510分鐘，通過提高前烘溫度而降低堅膜溫度並延長堅膜時間的方法實現了線條(線縫)的高陡直性(80°以上)、高解析度(5微米左右)以及高精確性(士l微米)；b.選擇性電鍍金，鍍層厚度可達8微米。由於電鍍薄膜被完全限制在光刻膠所定義的"模具"內，其線寬以及陡直性由"模具"完全確定；c.去除光刻膠，並使用腐蝕液腐蝕去除非定義區域的引鍍層。8、劃片使用砂輪劃片或雷射劃片劃切出電路單元，至此，基片上製作有微波低波段超微型混合集成電路無源電路的電路片製作完成。9、鍵合a.通過共晶粘片的方式將有源元件裸晶片楔焊固定於電路片表面的電路上，b.通過銀漿粘片的方式將有源元件封裝晶片以及微型化的電阻、電容、二極體無源元件楔焊固定於電路片表面的電路上，c.通過熱壓焊引線鍵合機用金絲或金帶對電路進行跳線連接。並用低介電常數非導電膠塗覆在引線鍵合區域以保護鍵合引線。10、根據功能用途需要將電路封裝於金屬外殼中。11、將封裝電路交測試人員進行電路性能調試、測試。至此，本發明微波低波段超微型混合集成電路製作完畢。權利要求1、微波低波段超微型混合集成電路，其特徵是在適合傳輸射頻信號的介質材料基片上具有通過超微細微帶薄膜工藝製作的微波低波段超微型電路的無源電路，符合微波低波段電路特性的微波低波段超微型電路的有源電路器件楔焊固定在所述基片上，所述的無源電路和有源電路器件在所述基片上結合成一個完整的微波低波段超微型混合集成電路。2、根據權利要求1所述的微波低波段超微型混合集成電路，其特徵是所述的基片為純度99.6%以上的三氧化二鋁陶瓷基片，或者藍寶石基片，基片的厚度H範圍為-'0.1mm《H《0.6mm。3、根據權利要求1所述的微波低波段超微型混合集成電路，其特徵是一種射頻平衡放大器電路，組成包括一個IC放大器件、兩個3dB正交電橋，IC放大器件的兩個輸入端分別連接第一個3dB正交電橋的耦合端、直通端，IC放大器件的兩個輸出端分別連接第二個3dB正交電橋的耦合端、直通端，射頻輸入連接第一個3dB正交電橋的輸入端，第二個3dB正交電橋輸出端的輸出即為平衡放大的射頻輸出，兩個3dB正交電橋的隔離端分別連接一個電阻後接地，兩個3dB正交電橋以及IC放大器件的外圍電路通過.超微細微帶薄膜工藝製作在陶瓷基片上，IC放大器件楔焊固定在該陶瓷基片上，所述的陶瓷基片為介電常數9.6、厚度0.2mm的三氧化二鋁陶瓷基片。4、根據權利要求1所述的微波低波段超微型混合集成電路，其特徵是一種射頻選頻放大模組電路，組成包括兩級平衡放大電路和微帶帶通濾波器，射頻輸入連接第一級平衡放大電路的輸入端，第一級平衡放大電路的輸出端連接微帶帶通濾波器的輸入端，微帶帶通濾波器的輸出端連接第二級平衡放大電路的輸入端，第二級平衡放大電路輸出端的輸出即為放大模組的射頻輸出;所述的平衡放大電路由一個IC放大器件和兩個3dB正交電橋組成，IC放大器件的兩個輸入端分別連接第一個3dB正交電橋的耦合端、直通端，IC放大器件的兩個輸出端分別連接第二個3dB正交電橋的耦合端、直通端，第.一個3dB正交電橋的輸入端為平衡放大電路的輸入端，第二個3dB正交電橋的輸出端為平衡放大電路的輸出端，兩個3dB正交電橋的隔離端分別連接一個電阻後接地；兩級平衡放大電路的3dB正交電橋及其IC放大器件的外圍電路、微帶帶通濾波器通過超微細微帶薄膜工藝製作在陶瓷基片上，IC放大器件楔焊固定在陶瓷基片上，所述的微帶帶通濾波器為高選擇性橢圓函數帶通濾波器，陶瓷基片為介電常數9.9、厚度0.3mra的三氧化二鋁陶瓷基片。5、根據權利要求1所述的微波低波段超微型混合集成電路，其特徵是一種射頻自動增益控制外差式接收模組電路，組成包括射頻信號輸入依次連接的平衡放大器、匹配型電調衰減器、微帶帶通濾波器、平衡放大器、單平衡混頻器，由單平衡混頻器輸出中頻信號；所述的平衡放大器由一個IC放大器件和兩個3dB正交電橋組成，所述平衡放大器的3dB正交電橋及其IC放大器件的外圍電路、匹配型電調衰減器、微帶帶通濾波器、單平衡混頻器通過超微細微帶薄膜工藝製作在陶瓷基片上，IC放大器件楔焊固定在陶瓷基片上，所述的微帶帶通濾波器為高選擇性橢圓函數帶通濾波器，陶瓷基片為介電常數9.9、厚度0.5mra的三氧化二鋁陶瓷基片。6、根據權利要求1所述的微波低波段超微型混合集成電路，其特徵是一種微帶雙工器電路，組成包括三個微帶帶通濾波器和兩個3dB正交電橋，第一濾波器的一端與第一電橋的一個輸入輸出接口連接，其通帶頻率與第二、第三濾波器不相同，第二、第三濾波器的通帶頻率相同，並接於第一電橋、第二電橋的耦合端、直通端之間，第二電橋的隔離端連接一個電阻後接地，第二電橋的輸入輸出接口、第一電橋的另一個輸入輸出接口以及第一濾波器的另一端即為微帶雙工器的三個輸入輸出接口，所述的微帶帶通濾波器和3dB正交電橋及其連接電路通過超微細微帶薄膜工藝製作在陶瓷基片上，所述的微帶帶通濾波器為高選擇性橢圓函數帶通濾波器,陶瓷基片為介電常數9.9、厚度0.5mm的三氧化二鋁陶瓷基片。7、根據權利要求1所述的微波低波段超微型混合集成電路，其特徵是一種中繼站'電路，由兩個微帶雙工器以及上、下行放大鏈路組成，所述的上、下行放大鏈路為微波低波段超微型選頻放大模組，包括兩級微型平衡放大器和微帶帶通濾波器，射頻輸入連接第一級微型平衡放大器的輸入端，第一級微型平衡放大器的輸出端連接微帶帶通濾波器的輸入端，微帶帶通濾波器的輸出端連接第二級微型平衡放大器的輸入端，第二級平衡放大器輸出端的輸出即為放大模組的射頻輸出，第一個微帶雙工器的下行信號輸出端連接下行放大鏈路的第一級微型平衡放大器的信號輸入端，下行放大鏈路的第二級微型平衡放大器的信號輸出端連接第二個微帶雙工器的下行信號輸入端；第二個微帶雙工器.的上行信號輸出端連接上行放大鏈路的第一級微型平衡放大器的信號輸入端，上行放大鏈路的第二級微型平衡放大器的信號輸出端連接第一個微帶雙工器的上行信號輸入端；所述的微帶雙工器的電路組成包括三個微帶帶通濾波器和兩個3dB正交電橋；所述上、下行放大鏈路中的微型平衡放大器由一個IC放大器件和兩個3dB正交電橋組成；所述的微帶雙工器的微帶帶通濾波器、3dB正交電橋、上下行放大鏈路的微帶帶通濾波器、微型平衡放大器的3dB正交電橋、IC放大器件的外圍電路，及其連接電路通過超微細微帶薄膜工藝製作在陶瓷基片上，電路中的IC放大器件楔焊固定在陶瓷基片上；所述的陶瓷基片為介電常數9.9、厚度0.5mm的三氧化二鋁陶瓷基片；所述的微帶帶通濾波器為橢圓函數的微帶帶通濾波器。8、微波低波段超微型混合集成電路的製備工藝，是一種超微細微帶薄膜工藝，包括如下步驟首先在基片上雷射打通孔，研磨拋光獲得平坦化表面，平坦化後的基片進行清洗再濺射獲得電鍍需要的引鍍層，然後再通過小孔金屬化和選擇性電鍍，然後進行劃片製得電路片；再通過鍵合在電路片上楔焊上各種有源器件以及完成跳線，最後將電路片封裝於金屬外殼內送電路性能測試。9、根據權利要求8所述的微波低波段超微型混合集成電路的製備工藝，其特徵是具體步驟如下(1)、基片提供未拋光的基片；(2)、雷射打孔使用YAG雷射進行通孔加工，雷射打孔前在基片表面塗覆一層黑墨；(3)、平坦化使用研磨機以及拋光機對基片進行表面平坦化並根據電路設計需要控制基片厚度，同時消除雷射打孔時沉積在基片表面的熔渣；(4)、清洗經過雷射打孔、減薄、拋光的基片，先使用異丙醇、丙酮、酒精試劑在加熱並超聲條件下清洗後再烘箱烘乾；(5)、濺射對烘乾後的基片的正反面各進行一次磁控濺射，得到兩面以鈦和金為材料的引鍍層；(6)、小孔金屬化將濺射後的基片通過壓膜機將固體感光膜壓制在基片正面並進行光亥U，只露出通孔區域，再對基片背面進行全版電鍍加厚同時實現小孔金屬化；(7)、選擇性電鍍a.選用一次性塗膠厚達10微米的正性光刻膠塗膠光刻，其前烘溫度控制在100°C110°C，堅膜溫度控制在75'C85。C,堅膜時間控制在510分鐘，b.選擇性電鍍金，鍍層厚度達8微米，c.去除光刻膠，並使用腐蝕液腐蝕去除非定義區域的引鍍層；(8)、劃片使用砂輪劃片或雷射劃片劃切出電路單元，至此，基片上製作有微波低波段超微型混合集成電路無源電路的電路片製作完成；(9)、鍵合a.通過共晶粘片的方式將有源元件裸晶片楔焊固定於電路片表面的電路上，b.通過銀漿粘片的方式將有源元件封裝晶片以及微型化的電阻、電容、二極體無源元件楔焊固定於電路片表面的電路上，C.通過熱壓焊引線鍵合機用金絲或金帶對電路進行跳線連接，並用低介電常數非導電膠塗覆在引線鍵合區域；(10)、根據功能用途需要將電路封裝於金屬外殼中；(11)、將封裝電路交測試人員進行電路性能調試、測試，至此，微波低波段超微型混.合集成電路製作完畢。全文摘要微波低波段超微型混合集成電路，在適合傳輸射頻信號的介質材料基片上具有通過超微細微帶薄膜工藝製作的微波低波段的無源電路，符合微波低波段電路特性的有源電路器件楔焊固定在所述基片上，無源電路和有源電路器件在基片上結合成一個完整的電路。其製備工藝步驟包括基片雷射打孔、平坦化、清洗、濺射、孔金屬化、選擇性電鍍、劃片、鍵合、外殼封裝、測試。將微波低波段超微型分布參數電路與超微細微帶薄膜工藝巧妙結合，避免將佔面積的無源元件製作在昂貴的砷化鎵等晶片基片上，使低成本、微型化的微波低波段電路得以實現，為微波低波段無線通信整機和系統提供一系列理想的微型化郵票式模片或模組。文檔編號H01L25/00GK101436581SQ200710135218公開日2009年5月20日申請日期2007年11月14日優先權日2007年11月14日發明者傅陽波,李祥福申請人:泉州波園射頻新技術研究中心