半導體安裝用引腳和印製電路板的製作方法

2023-05-17 20:08:36 3

專利名稱：半導體安裝用引腳和印製電路板的製作方法
技術領域：
本發明涉及用於半導體封裝與基板側插座的連接的半導 體安裝用引腳。
背景技術：
為了應對近年來的高布線密度化，PGA (針柵陣列)式半 導體封裝基板中的引腳，通常是由使用插入封裝基板側的通孔 的插入型引腳，使用用焊錫連接於封裝基板的焊盤上的T型引腳。
T型引腳由焊錫固定於封裝基板的電極焊盤上，同樣，IC 晶片也由焊錫固定於封裝基板的電極焊盤上。在此，通過改變 鉛的含量，或改變金屬組成，來使T針連接用焊錫與IC晶片連 接用焊錫的熔點不同，從而在通過回流焊連接IC晶片時，固定 半導體安裝用引腳的焊錫不熔化。
在專利文獻l中公開了用於提高T型針的抗拉強度的技術。 專利文南足l:曰本特開2001 — 267451號7^淨艮 近年來，考慮到對環境的影響，而使用不含鉛的焊錫(例 如，錫-銀-銅焊錫，錫-銻焊錫)，焊錫的熔點提高。因此， 在通過回流焊熔化焊錫塊而將IC晶片安裝於封裝基板上時，半 導體安裝用引腳連接用的焊錫熔化而半導體安裝用引腳傾斜， 發生無法向子插件側插座安裝這樣的問題。現在，在CPU用封裝基板上安裝著幾百根半導體安裝用引腳，但即使其中有一根 傾斜，則CPU就成為無法安裝到插座的不良品。
參照圖10(A)、圖10 ( B)和圖3 ( C)、圖3(D)進一步 說明該半導體安裝用引腳的傾斜。
圖10(A)示出封裝基板40。在封裝基板40的上表面的電 極焊盤42上形成有焊錫塊46，在下表面側的電極焊盤44上通過 焊錫48安裝有半導體安裝用引腳IO。在此，如圖10(B)中所 示，在通過回流焊熔化封裝基板40上表面的焊錫塊46而使其連 接於IC晶片50的電極焊盤52來安裝IC晶片50時，存在半導體 安裝用引腳10傾斜的情況。
圖3(C)示出圖10(A)中的橢圓C內的半導體安裝用引 腳IO,圖3 ( D )示出圖10 ( B )中的橢圓C內的半導體安裝用 引腳IO。如圖10(B)所示，在半導體安裝用引腳10傾斜時， 如圖3 ( C)所示，得知在電極焊盤44與半導體安裝用引腳IO 的凸緣20之間的焊錫48內殘留有空穴B。並且，在如上述那樣 為了安裝IC晶片50而進行回流焊時，明顯得知如圖3( D)所示， 連接用焊錫48也熔化，並且焊錫內的空穴B膨脹，凸緣20被該 空穴抬起(向下推)，半導體安裝用引腳10傾斜。

發明內容
本發明是為了解決上述課題而作成的，其目的在於提供一 種在進行回流焊時不會傾斜的半導體安裝用引腳。
為了實現上述目的，技術方案l的發明，在由軸杆與凸緣
構成的半導體安裝用引腳中，其特徵在於，
上述凸緣包括能夠與被連接焊盤抵接的平坦部、和從該平 坦部凹陷的三個以上的槽部，
平坦部是從凸緣的中央向側端延伸的線狀的延伸部，槽部的截面呈V字形狀，並且槽部以在側端變得最深的方式向凸緣 的側端傾斜。
在技術方案l的半導體安裝用引腳中，凸緣包括能夠與被 連接焊盤抵接的面狀的平坦部、和從該平坦部凹陷的三個以上 的槽部，平坦部是從凸緣的中央向側端延伸的線狀的延伸部， 槽部的截面呈V字形狀，並且槽部以在側端變得最深的方式向 凸緣的側端傾斜。因此，本申請的引腳較多具有槽部，因此在 引腳和印刷電路板之間的焊錫量變多。其結果，引腳的角度變
高。平坦部是從凸緣的中央向側端延伸的線狀的延伸部，因此 凸緣的中心部的平坦部的面積變小。因此可以同時兼顧引腳的 強度和防止引腳的傾斜。其結果，本發明的引腳由於難以傾斜， 可以兼顧引腳的垂直性和引腳的強度。
在技術方案2中，通過使平坦部的面積為凸緣與軸杆垂直
方向的截面積的5%以上，可以牢固地將該平坦部連4妄於糹皮連
接焊盤。另一方面，通過使平坦部的面積為凸緣的與軸杆垂直
方向的截面積的50%以下，在進行回流焊時膨脹的空穴容易沿 著槽部向側方排出。
在技術方案3中，通過使平坦部的面積為凸緣與軸杆垂直 方向的截面積的5以上，可以牢固地將該平坦部連接於被連接 焊盤。另一方面，通過使平坦部的面積為凸緣的與軸杆垂直方 向的截面積的30%以下，在進行回流焊時膨脹的空穴容易沿著 槽部向側方排出。
在技術方案6的印製電路板中，半導體安裝用引腳不會傾斜。
為了實現上述目的，技術方案7的發明，在由軸杆與凸緣
構成的半導體安裝用引腳中，其特徵在於，
上述凸緣由能夠與被連接焊盤抵接的面狀的平坦部、和從該平坦部凹陷的三個以上的槽部組成，
平坦部形成為從凸緣的中央位置延伸到側端，並相對於通 過上述軸杆的中心的規定的垂線對稱，槽部從側端向中央側形 成。
在技術方案7的半導體安裝用引腳中，凸緣由能夠與被連 接焊盤抵接的面狀的平坦部、和從該平坦部凹陷的三個以上的 槽部組成，平坦部從凸緣的中央位置延伸到側端，槽部從側端 向中央側形成。即，由於在凸緣上從側端向中央側形成槽部， 所以在被連接焊盤與凸緣之間的焊錫內殘留空穴，在進行回流 焊時即使空穴膨脹，也會沿著槽部向側方排出，從而凸緣因空 穴而被抬起，半導體安裝用引腳不會傾斜。進而，由於平坦部 構成為從凸緣的中央位置延伸到側端，並相對於通過軸杆的中 心的規定垂線對稱，所以可保持相對於封裝基板的垂直性。
在技術方案8的半導體安裝用引腳中，上述平坦部形成在 上述凸緣的與上述軸杆相反的 一 側。
在技術方案9的半導體安裝用引腳中，槽部形成為大致半 圓形。由於是槽部向凸緣的側端傾斜的結構，所以在進行回流 焊時膨脹的空穴容易沿著槽部向側方排出。
在技術方案10的半導體安裝用引腳中，平坦部由與凸緣同 心狀的圓部、和半圓形截面的延伸部構成，該延伸部從該圓部 延伸到側端側，其上端與該圓部相同高度。因此，用金屬模可 以容易成形平坦部。
在技術方案ll的半導體安裝用引腳中，槽部形成為V字形 截面。由於是槽部向凸緣的側端傾斜的結構，所以在進行回流 焊時膨脹的空穴容易沿著槽部向側方排出。
在技術方案12中，通過使平坦部的面積為凸緣的與軸杆垂 直方向的截面積的5%以上，可以牢固地將該平坦部連接於被連接焊盤。另一方面，通過使平坦部的面積為凸緣的與軸杆垂
直方向的截面積的50%以下，在進行回流焊時膨脹的空穴容易
沿著槽部向側方排出。
在技術方案13中，通過把平坦部的面積做成凸緣的與軸杆 垂直方向的截面積的10 %以上，可以牢固地將該平坦部連4妄於 被連接焊盤。另一方面，通過使平坦部的面積為凸緣的與軸杆 垂直方向的截面積的30%以下，在進行回流焊時膨脹的空穴容 易沿著槽部向側方排出。
在技術方案14的印製電路板中，半導體安裝用引腳不會傾斜。


圖l ( A)是本發明的第l實施方式的半導體安裝用引腳的 俯視圖，圖1(B)是側視圖，圖1(C)是立體圖。
圖2是示出將半導體安裝用引腳安裝到封裝基板上、以及 安裝IC晶片的工序的工序圖。
圖3(A)示出圖2(B)中的橢圓C內的半導體安裝用引腳 10,圖3(B)示出圖2(C)中的橢圓C內的半導體安裝用引腳 10。圖3 ( C)示出圖10 ( A)中的橢圓C內的半導體安裝用引 腳IO,圖3 ( D )示出圖10 ( B )中的橢圓C內的半導體安裝用 引腳10。
圖4 ( Al )是第l實施方式的第l變型例的半導體安裝用引 腳的俯視圖，圖4(A2)是側視圖，圖4(A3)是立體圖。圖4 (Bl )是第l實施方式的第2變型例的半導體安裝用引腳的俯視 圖，圖4(B2)是側視圖，圖4(B3)是立體圖。
圖5 ( A)是第2實施方式的半導體安裝用引腳的俯視圖， 圖5(B)是側視圖，圖5(C)是立體圖。圖6 ( Al)是第2實施方式的第l變型例的半導體安裝用引 腳的俯視圖，圖6(A2)是側視圖，圖6(A3)是立體圖。圖6 (Bl )是第2實施方式的第2變型例的半導體安裝用引腳的俯視 圖，圖6(B2)是側視圖，圖6(B3)是立體圖。
圖7( A)是第2實施方式的第3變型例的半導體安裝用引腳 的立體圖，圖7 ( B)是第4變型例的半導體安裝用引腳的立體 圖，圖7 ( C)是第6變型例的半導體安裝用引腳的立體圖。
圖8 ( A)是第3實施方式的半導體安裝用引腳的俯視圖， 圖8(B)是側視圖，圖8(C)是立體圖。
圖9 ( Al)是第3實施方式的第l變型例的半導體安裝用引 腳的俯視圖，圖9(A2)是側視圖，圖9(A3)是立體圖。圖9 (Bl )是第3實施方式的第2變型例的半導體安裝用引腳的俯視 圖，圖9(B2)是側視圖，圖9(B3)是立體圖。
圖IO是表示將IC晶片安裝到使用現有技術的半導體安裝 用引腳的封裝基板上的安裝工序的工序圖。
圖ll是表示對平坦部的面積與凸緣的與軸杆垂直方向的 截面積之比進行試驗的結果的圖表。
附圖標記的說明
10:半導體安裝用引腳；12:軸杆；20:凸緣；20C:中 央部；20E:側端；22:平坦部；22C:圓部；22L:延伸部； 24:槽部；22F:平坦面；40:封裝基板；42:焊盤；44:焊 錫塊；46:焊盤；48 - a:焊錫膏；48-b:焊錫；50: IC芯 片；52:焊盤。
具體實施例方式
〔第1實施方式〕
下面，參照圖1~圖4說明本發明的第1實施方式的半導體安裝用引腳。
圖l (A)是本發明的第l實施方式的半導體安裝用引腳的
俯視圖，圖1(B)是側視圖，圖1(C)是立體圖。
半導體安裝用引腳10由圓柱狀的軸杆12與凸緣20組成。凸 緣20由能夠與封裝基板的電極焊盤抵接的面狀的平坦部22 、和 /人該平坦部22呈大致半圓狀凹陷的四個槽部24構成。平坦部22 被形成為從凸緣20的中央位置延伸到側端20E，且相對於通過 軸杆12的中心CN和槽部24的最深的部位的垂線VL對稱。槽部 24從側端20E向中央側地形成。
在此，半導體安裝用引腳由銅合金等製造，總長L1形成為 3.16 mm。軸杆12的直徑①2形成為0.45mm。凸緣20的直徑O l形成為l.l mm,厚度Tl形成為0.26mm。槽部24在最深的側 端20E處的深度Hl形成為0.13mm。如圖1(A)中所示，相對 置的槽部24之間的間隔Wli殳定為0.45mm。
接下來，參照圖2和圖3說明將第1實施方式的半導體安裝 用引腳安裝到封裝基板上。
圖2是表示將半導體安裝用引腳安裝到封裝基板上、以及 安裝IC晶片的工序的工序圖。如圖2(A)所示，在封裝基板40 的上表面的電極焊盤42上形成有焊錫塊46,在下表面側的電極 焊盤44上配置有連接用的焊錫膏48-a。在此，如圖2(B)所 示，通過回流焊熔化焊錫膏48-a，將半導體安裝用引腳10安 裝到封裝基板的下表面上。然後，如圖2(C)所示，通過回流 焊熔化封裝基板4 0的上表面的焊錫塊4 6而使其與IC晶片5 0的
電極焊盤52連接。
圖3(A)示出圖2(B)中的橢圓C內的半導體安裝用引腳 10,圖3(B)示出圖2(C)中的橢圓C內的半導體安裝用引腳 10。如圖3(A)所示，在焊錫塊44與半導體安裝用引腳的凸緣20之間的焊錫48 - b內殘留空穴B。如上述那樣為了安裝IC芯 片而進行回流焊時，雖然連接用的焊錫48 - b也熔化，並且焊 錫內的空穴B膨脹，但由於該空穴B沿著圖3 ( B)所示的槽部 24向側方排出，不會產生由於凸緣20因空穴B被抬起而導致半 導體安裝用引腳10傾斜的現象。
此外，在第l實施方式的半導體安裝用引腳10中，槽部24 形成為大致半圓形，是向凸緣20的側端20E傾斜的結構，所以 在進行回流焊時膨脹的空穴容易沿著槽部24向側方排出。而 且，即使空穴未從焊錫48-b排出，通過沿著槽部24張展，半 導體安裝用引腳10也不會傾斜。
另外，由於平坦部22被構成為從凸緣20的中央位置延伸到 側端20E,且相對於通過軸杆12的中心的垂線VL對稱，所以即 使在安裝IC晶片的回流焊時連接用的焊錫48熔化了 ，半導體安 裝用引腳10也能保持相對於封裝基板40的垂直性。
通過使用第l實施方式的半導體安裝用引腳，即使不增大 構成IC晶片連接用焊錫塊46的焊錫與半導體安裝用引腳連接 用的焊錫48 - b之間的熔點之差，也可以防止IC晶片回流焊時 的半導體安裝用引腳的傾斜。
圖4 ( Al)是第l實施方式的第l變型例的半導體安裝用引 腳的俯視圖，圖4(A2)是側視圖，圖4(A3)是立體圖。圖4 (Bl )是第l實施方式的第2變型例的半導體安裝用引腳的俯視 圖，圖4(B2)是側視圖，圖4(B3)是立體圖。
在參照圖l說明的上述第l實施方式的半導體安裝用引腳 IO中，設置四處凸緣20的槽部24。如圖4(A1)、圖4(A2)、 圖4(A3)所示，也可以設置三處來取代設置四處槽部24，此 外，如圖4 (Bl)、圖4 (B2)、圖4 (B3)所示，還可以設置五 處以上來取代設置四處槽部24。〔第2實施方式〕 下面，參照圖5~圖7說明本發明的第2實施方式的半導體 安裝用引腳。
圖5 ( A)是第2實施方式的半導體安裝用引腳的俯視圖， 圖5(B)是側視圖，圖5(C)是立體圖。
半導體安裝用引腳10由圓柱狀的軸杆12與凸緣20構成。凸 緣20由能夠與封裝基板的電極焊盤抵接的面狀的平坦部22、和 從該平坦部22凹陷的四個槽部24構成。平坦部22由與凸緣20 同心狀的圓部22C、和延伸部22H構成，該延伸部22H為半圓 形截面，從該圓部22C延伸到側端20E側，上端(頂面位置) 與該圓部22C相同高度。平坦部22形成為相對於通過軸杆12的 中心CN和延伸部22H的最高部位的垂線VL對稱。槽部24從側 端20E向中央側形成。
在此，半導體安裝用引腳由銅合金等製造，總長L1形成為 3.16 mm。軸杆12的直徑①2形成為0.45mm。凸緣20的直徑① l形成為l.lmm,厚度Tl形成為0.26mm。槽部24的深度H1形 成為0.05mm。如圖1(A)所示，圓部22C的上端直徑W3形成 為0.45mm,下端直徑W2形成為0.55mm。延伸部22H的寬度 W4設定為0.2mm。
第2實施方式的半導體安裝用引腳IO,與第l實施方式同 樣，在為了安裝IC晶片而進行回流焊時，由於在焊錫中膨脹的 空穴B沿著槽部24向側方排出，所以不會產生由於凸緣20因空 穴B被抬起而導致半導體安裝用引腳10傾斜的現象。
此外，在第2實施方式的半導體安裝用引腳10中，平坦部 22由與凸緣20同心狀的圓部22C、和延伸部22H構成，該延伸 部22H為半圓形截面，從該圓部22C延伸到側端側，上端與該 圓部22C相同高度。因此，可容易用金屬模具形成平坦部22。而且，由於平坦部22被構成為其延伸部22H從凸緣20的中 央位置延伸到側端20E，並且相對於通過軸杆12的中心的垂線 VL對稱，所以在為了安裝IC晶片而進行回流焊時，即使連接用 的焊錫膏48 - a熔化，半導體安裝用引腳10也能保持相對於封 裝 基板40的垂直性。
圖6 ( Al)是第2實施方式的第l變型例的半導體安裝用引 腳的俯視圖，圖6(A2)是側視圖，圖6(A3)是立體圖。圖6 (Bl )是第2實施方式的第2變型例的半導體安裝用引腳的俯視 圖，圖6(B2)是側視圖，圖6(B3)是立體圖。
在參照圖5說明的上述第2實施方式的半導體安裝用引腳 IO中，設有四處凸緣20的槽部24。如圖6(A1)、圖6(A2)、 圖6(A3)所示，可以設置三處來取代設置四處槽部24，此外， 如圖6(B1)、圖6(B2)、圖6(B3)所示，還可以設置五處以 上來取代設置四處槽部24。
圖7( A)是第2實施方式的第3變型例的半導體安裝用引腳 的立體圖，圖7 ( B)是第4變型例的半導體安裝用引腳的立體 圖，圖7 ( C)是第6變型例的半導體安裝用引腳的立體圖。
在參照圖5說明的上述第2實施方式、及參照圖6說明的上 述第2實施方式的第1變型例、第2變型例、第3變型例中，將延 伸部22H形成為半圓形截面。對此，如圖7(A)、圖7(B)、圖 7(C)所示，也可以在延伸部22H的最上表面設置線狀的平坦 面22F。
〔第3實施方式〕
下面，參照圖8和圖9說明本發明的第3實施方式的半導體 安裝用引腳。
圖8 ( A)是第3實施方式的半導體安裝用引腳的俯視圖， 圖8(B)是側視圖，圖8(C)是立體圖。半導體安裝用引腳10由圓柱狀的軸杆12與凸緣20構成。凸 緣20由能夠與封裝基板的電極焊盤抵接的面狀的平坦部22 、和 從該平坦部22呈V字形地凹陷的四個槽部24構成。平坦部22由 從凸緣的中心CN呈十字形地延伸到側端20E的線狀的延伸部 22L構成。平坦部22形成為相對於通過軸杆12的中心CN與槽部 24的最深部位的垂線VL對稱。槽部24^^人側端20E向中央側形 成。
在此，半導體安裝用引腳由銅合金等製造，總長L1形成為 3.16 mm。軸杆12的直徑O 2形成為0.46mm。凸緣20的直徑① l形成為l.l mm,厚度Tl形成為0.26mm。槽部24在最深的側 端20E處深度H2形成為0.13 mm。如圖1(A)所示，線狀的延 伸部22L的寬度W5設定為0.05mm。
第3實施方式的半導體安裝用引腳IO,與第l實施方式同 樣，在為了安裝IC晶片而進行回流焊時，由於在焊錫內膨脹的 空穴沿著槽部24向側方排出，從而不會產生由於凸緣20因空穴 B而被抬起而導致半導體安裝用引腳10傾斜的現象。
此外，在第3實施方式的半導體安裝用引腳10中，由於槽 部24是形成為大致V字形、向凸緣20的側端20E傾斜的結構， 所以在進行回流焊時膨脹的空穴容易沿著槽部24向側方排出。 而且，即使空穴未從焊錫48排出，也會沿著槽部24擴展，從而 半導體安裝用引腳10不會傾斜。
而且，由於平坦部22形成為從凸緣20的中央位置延伸到側 端20E,且相對於通過軸杆12的中心的垂線VL對稱，所以在為 了安裝IC晶片而進行回流焊時，即使連接用的焊錫48熔化了 ， 半導體安裝用引腳10也能保持相對於封裝基板40的垂直性。
圖9 ( Al)是第3實施方式的第1變型例的半導體安裝用引 腳的俯視圖，圖9(A2)是側視圖，圖9(A3)是立體圖。圖9(Bl )是第3實施方式的第2變型例的半導體安裝用引腳的俯視 圖，圖9(B2)是側視圖，圖9(B3)是立體圖。
在參照圖8說明的上述第3實施方式的半導體安裝用引腳 10中，設置四處凸緣20的槽部24。如圖9(A1)、圖9(A2)、 圖9( A3)所示，可以設置三處槽部24來取代設置四處槽部24, 此外，如圖9 ( Bl )、圖9 ( B2)、圖9 ( B3)所示，還可以設置 五處以上槽部24來代替設置四處槽部24。 〔評價試驗〕
在此，對改變第l實施方式的半導體安裝用引腳的槽部24 的深度H1而進行的試驗結果進行說明。在此，製造六個(件) 具有360根半導體安裝用引腳的封裝基板，調查半導體安裝用 引腳的傾斜的有無。作為比較例，把圖IO所示的具有平坦的凸 緣20的半導體安裝用引腳安裝到封裝基板上。在此，在連接IC 晶片的焊錫塊中使用熔點為230。C的Pb - Sn- Sb焊錫，作為固 定半導體安裝用引腳的焊錫使用236°C的Pb82 - Sn10- Sb8焊錫。
在此，在把深度H1設定成0.04 mm時，與使用現有技術的 半導體安裝用引腳的比較例同樣，在六個封裝基板中，在兩個 封裝基板中觀察到半導體安裝用引腳的傾斜。在把深度H1設定 為0.05mm時，不發生半導體安裝用引腳的傾斜。由結果得知， 最好是把深度Hl設定成0.05mm以上。
相反，在把深度設定成2.1mm時，在一個封裝基板中觀察 到半導體安裝用引腳的傾斜。在把深度Hl設定成2mm時，不 發生半導體安裝用引腳的傾斜。由該結果得知，最好是把深度
Hli殳定成2mm以下。
而且，對平坦部的面積與凸緣的與軸杆垂直方向的截面積 之比進行了試驗。將該結果示於圖ll中的圖表。
在此，在平坦部的面積為50% ,即、槽部為50%時，在240 °C下經過了 4 0秒時在 一 個封裝基板中觀察到半導體安裝用引 腳的傾斜。即，可知如果是平坦部的面積為50%以下則有效。 在此，可知從安裝時的處理的餘量方面考慮，最好是平坦部設 定為面積為30%以下。
相反，在把平坦部的面積做成4%時，不能得到規定的抗 拉強度(4.5Kgf),在做成5%時，能得到規定的抗拉強度。在 此，即使做成10%以上，抗拉強度也不提高。由結果可知，通 過把平坦部的面積做成5%以上，可以牢固地將該平坦部連接 於被連接焊盤。
另外，在此所說的抗拉強度的測定方法，與日本特開2001 -267451號公報的接合強度測定方法相同。
另外，雖然對第l實施方式的半導體安裝用引腳進行了評 價試驗，但可以認為上述結果，在第2實施方式的半導體安裝 用引腳、第3實施方式的半導體安裝用引腳中也可以得到同樣 的結果。
產業上的可利用性
在上述第1 ~第3實施方式中，對特定形狀的平坦部和槽部 進行了說明，當然是只要是通過設置槽部使空穴可以向側方排 出，就可以使用各種形狀的平坦部和槽部。
權利要求
1. 一種半導體安裝用引腳，由軸杆與凸緣構成，其特徵在於，上述凸緣包括能夠與被連接焊盤抵接的平坦部、和從該平坦部凹陷的三個以上的槽部，平坦部是從凸緣的中央向側端延伸的線狀的延伸部，槽部的截面呈V字形狀，並且槽部以在側端變得最深的方式向凸緣的側端傾斜。
2. 根據權利要求l所述的半導體安裝用引腳，其特徵在於， 上述平坦部的面積為凸緣與軸杆垂直方向的截面積的5 50% 。
3. 根據權利要求l所述的半導體安裝用引腳，其特徵在於， 上述平坦部的面積為凸緣與軸杆垂直方向的截面積的5 30% 。
4. 根據權利要求l所述的半導體安裝用引腳，其特徵在於， 上述平坦部的面積為凸緣與軸杆垂直方向的截面積的5 ~ 10% 。
5. 根據權利要求l ~ 4中任一項所述的半導體安裝用引腳， 其特徵在於，上述平坦部是從凸緣的中心向側端呈十字狀延伸 的線狀的延伸部。
6. —種印製電路板，其特徵在於，具有權利要求l所述的 半導體安裝用引腳。
7. —種半導體安裝用引腳，由軸杆與凸緣構成，其特徵在 於，其中，上述凸緣包括能夠與被連接焊盤抵接的面狀的平坦部、和 從該平坦部凹陷的三個以上的槽部，平坦部被形成為從凸緣的中央位置延伸到側端，並相對於 通過上述軸杆的中心的少見定垂線對稱，槽部>(人側端向中央側地形成。
8. 根據權利要求7所述的半導體安裝用引腳，其特徵在於， 上述平坦部形成在上述凸緣的與上述軸杆相反的一側。
9. 根據權利要求7所述的半導體安裝用引腳，其特徵在於， 上述槽部形成為大致半圓形。
10. 根據權利要求7所述的半導體安裝用引腳，其特徵在 於，上述平坦部由與凸緣同心狀的圓部、和半圓形截面的延伸 部構成，該延伸部從該圓部延伸到側端側，其上端與該圓部相 同高度。
11. 根據權利要求7所述的半導體安裝用引腳，其特徵在 於，上述平坦部由從凸緣的中心延伸到側端的線狀的延伸部構 成，上述槽部形成為V字形截面。
12. 根據權利要求7 ll中任一項所述的半導體安裝用引 腳，其特徵在於，上述平坦部的面積為凸糹彖與軸杆垂直方向的截面積的5~ 50% 。
13. 根據權利要求7 ll中任一項所述的半導體安裝用引 腳，其特徵在於，上述平坦部的面積為凸緣與軸杆垂直方向的 截面積的10~30%。
14. 一種印製電路板，其特徵在於，具有權利要求7 13 中任一項所述的半導體安裝用引腳。
全文摘要
本發明提供一種半導體安裝用引腳和印製電路板。該半導體安裝用引腳在進行回流焊時不傾斜。如圖3(A)所示，有時在電極焊盤(44)與半導體安裝用引腳的凸緣(20)之間的焊錫(48)內殘留有空穴(B)。當為了安裝IC晶片而進行回流焊時，連接用的焊錫(48)側也熔化，並且焊錫內的空穴(B)膨脹。如圖3(B)所示，由於空穴沿著槽部(24)向側面排出，所以凸緣(20)被空穴(B)抬起，從而半導體安裝用引腳(10)不會傾斜。
文檔編號H01L23/488GK101414594SQ20081018097
公開日2009年4月22日 申請日期2005年8月30日 優先權日2004年9月15日
發明者川出雅德, 敦賀寬之, 蝦名誠 申請人:揖斐電株式會社;株式會社Tibc