投射式陰極射線管裝置的製作方法
2023-05-17 11:52:26 10
專利名稱：投射式陰極射線管裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及陰極射線管裝置，特別涉及適用於投影電視、視頻投影儀等投影式圖形顯示裝置的投射式陰極射線管裝置。
在投影式圖形顯示裝置中，為了使從上述3個投射式陰極射線管投射出來的圖像在屏幕上一致，需要利用會聚線圈產生的磁場進行光柵的畸變或者3種顏色光柵不一致(稱之為色偏離或者不會聚)的校正，得到沒有色偏離的圖像。這裡，關於該種投射式陰極射線管裝置可以列舉出日本特開平8-287845號公報等所開示的類型。
近年來，陸續開發了降低提供給偏轉電路的偏轉功率、提高顯示圖像的聚焦性能，並為提高色偏離校正效率而將安裝偏轉線圈的部分的頸部外徑做得較收容電子槍部分的頸部外徑減小了直徑尺寸構成的異徑頸方式的投射式陰極射線管。如果將用於進行上述的色偏離校正的會聚線圈安裝在該異徑頸方式的投射式陰極射線管的外徑尺寸相對小的頸部(頸徑小部)，則由於可以縮小會聚線圈本身的內徑，故可以提高投影式圖形顯示裝置的屏幕上的色偏離校正靈敏度。
此外，為了進行上述的聚焦特性的改善，電子槍越是將主透鏡形成大口徑則越容易得到其效果，故如果將之安裝在外徑尺寸相對大的頸部(頸徑大部)，則由於可以加大其透鏡口徑，故可以提高投影式圖像顯示裝置的屏幕上的像質。進而，偏轉線圈安裝得越靠近電子槍其偏轉效率越好，換言之，頸部外徑尺寸做得越小則越可以降低偏轉功率。具體地就是，對在頸徑小部設置了偏轉線圈的情況和在頸徑大部設置了偏轉線圈的情況，二者在偏轉功率上存在約25％左右的差。在頸徑小部設置了偏轉線圈，在頸徑大部插入了電子槍的異徑頸方式投射式陰極射線管裝置與只用頸徑大部構造而構成的投射式陰極射線管裝置相比，可以獲得大致等同的像質且可以抑制偏轉電流。
在異徑頸方式投射式陰極射線管裝置中，必須進行會聚線圈向頸徑大部的安裝以及偏轉線圈向頸徑小部的安裝，提高色偏離校正靈敏度便成為了課題。
但是，異徑頸方式投射式陰極射線管裝置從配置在頸徑大部內的電子槍發射出來的電子束受到偏轉線圈的偏轉磁場的強烈的影響，相對地在畫面周邊部產生了電子束的形狀變形的、所謂的偏轉畸變。
為達到上述目的，本發明的投射式陰極射線管裝置採用在上述偏轉線圈的開口部上下配置在水平方向具有不同的極性的第1磁體，且配置在偏轉線圈開口部的上側的第1磁體和配置在偏轉線圈開口部的下側的第1磁體在左右方向極性不同的構成，能夠修正衝入偏轉磁場內的電子束的軌道並將在縱長方向畸變了的電子束校正成為近似於圓形形狀的電子束形狀。
此外，本發明的另外的投射式陰極射線管裝置通過在上述偏轉線圈的開口部上下配置在水平方向具有不同的極性的第1磁體，配置在偏轉線圈開口部的上側的第1磁體和配置在偏轉線圈開口部的下側的第1磁體在左右方向極性不同，在偏轉線圈的開口部周緣配置在陰極射線管的管軸方向具有不同的極性的第2磁體，能夠將在縱長方向畸變了的電子束校正成為近似接近於圓形的形狀，並將在輻射狀方向上畸變了的電子束校正成為近似接近於圓形的形狀。
下面，參照實施例的圖面對本發明的實施形式進行詳細說明。
圖1是表示本發明的投射式陰極射線管裝置的一個實施例的部分剖視圖。圖1中，該投射式陰極射線管由面板1和頸部3的一端用漏鬥狀部2連接，而頸部3的另一端則利用芯柱5進行了密封的真空玻殼構成。在芯柱5上，埋設了用於向電子槍6的各個電極供給電壓的數根管腳51。基座4是保護該芯柱5以及管腳51的部件。
此外，投射式陰極射線管在近似矩形形狀的面板1的內面形成單色的近似矩形形狀的螢光面，從電子槍6發射出一束電子束。該電子束通過在水平以及垂直方向受偏轉線圈7的偏轉作用並在螢光面上進行掃描而使畫面發光。
面板1的外面具有近似於平坦的形狀，內面則形成在電子槍6側呈凸形狀的形狀，並由此形成了凸透鏡。在本實施形式中，面板1的內面是球面形狀，其曲率半徑R為350mm。此外，為了減少像差，有時也非球面地形成面板1的內面。面板1的中央的玻璃厚度To為14.1mm。面板1的對角線方向外形尺寸是7英寸，形成有螢光面的有效畫面的對角線方向的尺寸為5.5英寸。另外，投射式陰極射線管的全長L1是276mm。
頸部3具有連接於漏鬥狀部2側的頸徑小部31、被芯柱5密封住的頸徑大部32和連接頸徑小部31與頸徑大部32的頸連接部33。在頸徑小部31和漏鬥狀部2的過渡區域外周設置有偏轉線圈7。頸徑小部31的外徑是29.1mm。此外，在頸徑大部32的內部收容了電子槍6。該頸徑大部32的外徑是36.5mm，形成為具有比頸徑小部31大7mm的尺寸。將這樣具有外徑尺寸不同的頸部類型的投射式陰極射線管稱之為「異頸徑方式陰極射線管」。另外，還應該在上述的具體的尺寸上考慮製造上的尺寸誤差。
這樣，偏轉電子束的偏轉線圈7的水平偏轉線圈71以及垂直偏轉線圈72設置在外徑尺寸小的頸徑小部31。由此，可以抑制偏轉功率。此時，該偏轉功率與頸部外徑尺寸36.5mm的情況相比節省約25％左右。此外，由於會聚電子束的電子槍6的主透鏡形成電極被收容在外徑大的頸徑大部32，故可以加大電子透鏡的徑向尺寸。
另外，電子槍6的第1柵電極(控制電極)61形成為杯狀，發射電子束的陰極收容在第1柵電極61內。再有，第2柵電極(加速電極)62與第1柵電極61一同形成了預聚焦透鏡。此外，在第3柵電極(第1陽極)63上，外加有與作為最終電極的第5柵電極(第2陽極)65大致相等的約30kV陽極電壓。一般地，投射式陰極射線管的陽極電壓約為25kV以上。
如果在束偏轉區域和束會聚區域使頸部外徑不同，則因機械方面的制約電子槍將遠離螢光面。如果電子槍遠離開螢光面，則電子束的聚焦特性將劣化。但是，通過在投射式陰極射線管中升高陽極電壓，可以容易地解決聚焦劣化的問題。在投射式陰極射線管中，也可以以約30kV以上的最高陽極電壓進行工作。
此外，第4柵電極(聚焦電極)64被分割形成為第4柵電極第1構件(聚焦電極第1構件)641和第4柵電極第2構件(聚焦電極第2構件)642，兩個電極構件均外加約8kV左右的聚焦電壓。該聚焦電極第2構件642的螢光面一側徑尺寸變大，並進入第2陽極65的內部形成了大口徑最後級主透鏡。該主透鏡是頸部外徑越大則在改善聚焦特性改善方面越有效，故可以加大其透鏡口徑。該最後級主透鏡的中心位置用上述聚焦電極第2構件642的螢光面側的前端部ML定義，從最後級主透鏡位置ML到面板1的內面中央的管軸方向距離L2為139.7mm。
另外，由於投射式陰極射線管需要做成高亮度，故束電流(陰極電流)達到約4mA以上。為了在這樣的大電流下也能夠維持高的聚焦性能，能夠加大主透鏡口徑是極為重要的。由於PRT螢光面的電壓高，特別是由大電流時的空間電荷的排斥作用所引起的束髮散變得較小，故大電流時的螢光面上的電子束點的大小大致由電子槍的球差所引起的束擴散來確定。即，在PRT中，與使頸徑不同而電子槍遠離螢光面的影響相比，加大電子槍的透鏡口徑的影響更大。
再有，屏蔽杯66與第2陽極65一體形成了主透鏡。屏蔽杯66的螢光面一側的直徑逐漸地變小。對應於在電子槍6的前端附近頸連接部3 3的外徑變小，該電子槍6的前端附近的直徑也變小，防止了電子槍6過大地離開螢光面。
作為單電子束方式的投射式陰極射線管，與作為在一直線上排列了的3個電子束方式的蔭罩型彩色陰極射線管不同，可以不考慮兩邊電子束與頸部內壁的碰撞。在本發明的異徑頸方式的投射式陰極射線管中，為了滿足處於相反的關係的偏轉功率降低和擴大主透鏡直徑兩者，如前面所述的那樣，應該儘可能地加大頸徑大部32和頸徑小部31的頸徑差，如果有5mm以上的差則效果明顯。
另一方面，因為連接著頸徑大部32和頸徑小部31的頸連接部33是沿管軸方向頸徑逐漸地變化的區域，故如果加大頸徑大部32和頸徑小部31的頸徑差，則頸連接部33的管軸方向長度也將被擴大。如前述的那樣，在頸徑大部32的外徑尺寸為36.5mm、頸徑小部31的外徑尺寸為29.1mm時，頸連接部33的管軸方向長度為8mm。該頸連接部33成為剩餘空間。
此外，在投射式陰極射線管中，較偏轉線圈7靠基座4一側安裝了會聚線圈8、速調線圈9以及定心磁體10、11。偏轉線圈7具有使電子束在水平方向掃描的水平偏轉線圖71、使電子束在垂直方向掃描的垂直偏轉線圈72以及將水平偏轉線圈71和垂直偏轉線圈72保持在各自的位置上的線圈隔離物73。偏轉線圈7的基座4一側安裝在外徑尺寸小的頸徑小部31上。
這裡，雖然沒有詳細地圖示出偏轉線圈7，但具體的構造是水平偏轉線圈71裝入在線圈支承部內，中介於線圈隔離物73裝入垂直偏轉線圈72，進而，由磁性體構成的磁芯包覆且保持固定該垂直偏轉線圈72的外面側，安裝在頸徑小部31上。
另外，會聚線圈8具有使得產生會聚磁場的環形線圈，配置成從外徑大的頸徑大部32一直跨到頸連接部33的狀態，並安裝在設置在偏轉線圈7的線圈隔離物73的基座4一側端部的會聚線圈保持架81上。之所以將會聚線圈8安裝在了頸徑大部32上，是因為通過向頸徑小部31的基座4一側的延長，可以防止從電子槍最後級主透鏡位置ML到螢光面中央的距離L2和PRT的全長L1過於變大。
進而，會聚線圈8其內面形成為大致圓筒面形狀，具有沿管軸方向整體對應了頸徑大部32的大的內徑。這是因為是從基座4一側安裝會聚線圈8。儘管會聚線圈8的頸連接部33的內徑與頸徑大部32相同，但由於是利用構成前述的剩餘空間的頸連接部33延長了會聚線圈8的線圈全長，故即使不將會聚線圈8安裝在頸徑小部31上也可以提高色偏離校正靈敏度。
這裡，為了提高色偏離校正靈敏度，也可以考慮將會聚線圈8的全長向基座4一側延長。但是，由於在較會聚線圈8靠基座4一側中介於頸部構件保持架13用夾具12固定了速調線圈9以及定心磁體10、11等頸部構件，故需要考慮會聚線圈8不能與這些頸部構件產生幹涉。此外，會聚線圈8的線圈的管軸方向中央位置CY從電子槍的最後級主透鏡位置ML偏離到基座4一側，存在對電子束的會聚作用產生影響的可能性。因而，上述會聚線圈8的管軸方向線圈中央位置CY最好配置在較最後級主透鏡位置ML靠螢光面側。
速調線圈9是為提高圖像的對比度而使用的。因該速調線圈9設置在外徑36.5mm的頸徑大部32，故色偏離校正靈敏度將成為問題。為了提高速調線圈9的靈敏度，聚焦電極64被分割成聚焦電極第1構件641和聚焦電極第2構件642，在第1構件64 1和第2構件642之間形成間隙而使速調線圈9的磁場容易對電子束產生作用。
圖2是本發明的投射式陰極射線管裝置的一個實施例的偏轉線圈的構成圖。圖2A是從螢光面側看到的平面圖，圖2B是其側面圖，在與圖1相同的部分上附加了相同的標號並省略其說明。偏轉線圈在利用具有絕緣性功能以及支承功能的合成樹脂形成了近似為喇叭狀的線圈支承體20內，裝入並保持固定了水平偏轉線圈71，進而，中介於雖然沒有圖示但為一體形成的線圈隔離物裝入了垂直偏轉線圈72。在該垂直偏轉線圈72的外面側，是由磁性體構成的磁芯21包覆並安裝在圖1所示的頸徑小部31進而利用帶22綁縛固定的構造。
此外，在線圈支承部20的水平偏轉線圈71的漏鬥狀部一側開口部的上下部，設置有磁化方向為水平方向(與X軸平行)但相互不同的一對第1磁體23、24。該一對第1磁體23、24被埋設並保持固定在支承水平偏轉線圈71的線圈支承體20內的漏鬥狀部側開口的上下部。另外，磁體在與面板的長邊相同的方向(與X軸平行)配置了N極以及S極。
因為異形頸方式的投射式陰極射線管的管頸的直徑大，故如果先組裝偏轉線圈7則不能從基座4一側安裝偏轉線圈。為此，偏轉線圈7不是在組裝並進行調整後安裝的構件，而是需要直接安裝到投射式陰極射線管上並進行調整。
這裡，在組裝中，水平偏轉線圈71被裝入在線圈支承體20的內側，由沒有圖示的線圈隔離物進行按壓，故在裝入時易於發生的安裝位置的變動等造成的差異比較少。
但是，為了使垂直偏轉線圈72保持與水平偏轉線圈71的絕緣性而將其安裝在了線圈隔離物73的外面側。為此，如果垂直偏轉線圈72的外形尺寸過大，則將不能裝入磁芯21。
為了能夠容易地裝入該磁芯21，需要具有垂直偏轉線圈72可以以適度的力組合成對這樣的一種彈性構造，為了吸收該彈性的尺寸，需要擴大一對垂直偏轉線圈72相互間的對接間隔尺寸。
圖3A、圖3B是在圖2說明過的垂直偏轉線圈72的構成圖，圖3A是從上面看到的平面圖，圖3B是從螢光面側看到的平面圖。成對的垂直偏轉線圈72相互間的間隔D設定在0.8mm以下。
圖4A、圖4B、圖4C、圖4D是表示根據圖3A、圖3B所示的一對垂直偏轉線圈72相互間的間隔D而磁場分布改變的情況的磁場的示意圖。一對垂直偏轉線圈72形成彎曲了的稱之為桶形(樽形)的桶形磁場BA。在垂直偏轉線圈72的外形尺寸小於線圈隔離物73的外徑尺寸時，因為需要擴大一對垂直偏轉線圈72相互間的對接間隔，故如圖4C所示的那樣，對接間隔D變大並產生間隙。
此外，在該一對垂直偏轉線圈72相互間接近(間隔D小)時，磁場彎曲成為桶形狀。在間隔D大時，彎曲成了桶形狀的磁場產生畸變。
垂直偏轉磁場具有在上下方向延伸電子束的作用。
圖4A是間隔D小的垂直偏轉線圈的剖視圖。圖4B是表示由圖4A的垂直偏轉線圈形成的磁場BA1和電子束的通過位置的關係的圖。偏轉到畫面角落部的電子束通過的區域的磁場彎曲度較強。因此，偏轉到畫面角落部的電子束B1較偏轉到畫面的Y軸上的電子束在垂直方向上受到的力弱。
圖4C是間隔D大的垂直偏轉線圈的剖視圖。圖4D是表示由圖4C的垂直偏轉線圈形成的磁場BA2和電子束的通過位置的關係的圖。如果間隔D大，則偏轉磁場進入其間隙，偏轉磁場產生畸變。在間隔D大的Y軸附近，磁場BA2彎曲度大，而在離開了Y軸的位置則彎曲度小。
在間隙附近，磁場BA2的彎曲度強，磁場發生傾斜。為此，通過傾斜了的磁場的電子束較弱地受到在垂直方向作用的力。另一方面，在離開了Y軸的位置，彎曲成了桶形狀的磁場BA2的彎曲度較弱。因此，偏轉到畫面角落部的電子束B2較圖4B的電子束B1從偏轉磁場受到的垂直方向的力強。其結果，電子束B2在畫面上成為畸變了的電子束點形狀。
圖5A是表示在畫面上的電子束點形狀的圖，在使左右的垂直偏轉線圈72接觸的狀態下，調節磁場分布使電子束的束點形狀在畫面(螢光面)G各個部位成為圓形。這裡，雖然不能避免因電子槍與畫面G的幾何學上的尺寸差所造成的一定的形狀變形，但這樣遍及畫面G的近乎全域使電子束點形狀成為圓形是理想的。
但是，在組裝偏轉線圈時，有時間隔D變大。圖5B是使用了圖4B的垂直偏轉線圈時的電子束點形狀。由於電子束B2在垂直方向強烈地受力，故在畫面G上的電子束點形狀產生畸變。在現實中，由於電子束也受到水平偏轉成分，故在畫面G上的電子束點形狀為在輻射方向延伸了的形狀。
通過使垂直偏轉線圈的間隔D變化，可以使畫面G上的電子束的束點形狀變化。但是，畫面角落部和畫面上下部的電子束形狀存在折衷的關係。即如果做寬垂直偏轉線圈的間隔D，則偏轉到畫面角落部的電子束強烈地受到在垂直方向延伸的力，而此時偏轉到畫面上下部的電子束則較弱地受到在垂直方向延伸的力。
反之，如果做窄垂直偏轉線圈的間隔D，則偏轉到畫面角落部的電子束較弱地受到在垂直方向延伸的力，此時偏轉到畫面上下部的電子束則較強地受到在垂直方向延伸的力。
這樣，畫面G上的上下部以及角落部和垂直偏轉線圈72的對接間隔D的關係為相反的關係。為了改善該關係，畫面G的上下部使用一對磁體23、24修正衝入到偏轉線圈7內的電子束的軌道，校正畫面上的電子束的形狀。
圖6是說明利用在用圖2說明過的水平偏轉線圈7的開口部的上下設置了磁化方向相互不同的一對磁體23、24的構成的、畫面G上的電子束軌道的校正狀態的示意圖。圖6中，在設電流的方向為I、一對磁體23、24產生的磁場方向為H時，根據弗萊明定理，施加校正的方向F朝向用空心箭頭表示的畫面中央發生作用。
利用該校正方向F，可以如圖7所示的那樣，將在曾畫面G的上下點產生的橢圓狀電子束B校正成近似為圓形狀的電子束B形狀。其結果是可以得到與不受偏轉畸變的影響時的理想的電子束形狀近似等同的電子束形狀。
此外，通過在這樣的構成基礎上將前述的一對垂直偏轉線圈72的對接間隔D設定在0.8mm以下，可以吸收偏轉線圈7的組裝時的尺寸，還可以使組裝變得容易，進而通過修正電子束的軌道，可以將電子束形狀校正成近似圓形狀，得到近似圓形狀的電子束形狀，具有這樣的兩者兼備的效果。
圖8A、圖8B是用於說明本發明的投射式陰極射線管裝置的其他的實施例的偏轉線圈的構成圖。圖8A是從螢光面側看到的平面圖，圖8B是其側面圖，在與圖2相同的部分上附加了相同標號並省略其說明。在設置在喇叭狀地形成的線圈支承部20的上下部的一對第1磁體23、24的圓周方向相互間，具有預定的間隔設置了在管軸方向(Z軸方向)磁化方向相互不同的二對第2磁體25、26、27、28。這二對磁體25、26、27、28的安裝位置為在線圈支承體20內的水平偏轉線圈71的開口部一側朝向與管軸方向相同方向安裝並保持固定的構造。
此時，這二對磁體25、26、27、28中，第1的一對磁體25和磁體26以偏轉線圈7的開口上部的磁體23為中心，從Y軸方向朝向圓周方向按分別具有25度±10度的間隔進行配置，進而，第2的一對磁體27和磁體28也同樣地以磁體24為中心，從Y軸方向朝向圓周方向按分別具有25度±10度的間隔進行配置。
圖9是說明利用圖8說明過的在偏轉線圈7的開口部，且在線圈支承部20的上下部設置了的一對磁體23、24的圓周方向相互間，具有預定的間隔配備設置了在管軸方向(Z軸方向)磁化方向相互不同的二對磁體25、26、27、28的構成的畫面G上的電子束軌道的校正狀態的示意圖。
圖9中，在設朝向電子束的偏轉中心流動的電流的方向為I、磁體26、28產生的磁場方向為M1、M2時，根據弗萊明定理，施加校正的方向F朝向用空心箭頭所示的那樣的X軸發生作用。這裡，在圖9中，雖然只對朝向畫面G的右側部分，即一對磁體26、28的作用進行了圖示，而沒有對關於Y軸成對稱的方向的一對磁體25、27的作用進行圖示，但因畫面G的左側部分相對於Y軸呈幾何學的對稱，故同樣地是朝向X軸方向作用。
由此，圖5B所示那樣的不僅是在畫面G上的上下點產生了的橢圓狀電子束B，而且在畫面G上的左右的各點產生了的橢圓狀電子束，也將如圖7所示那樣地被校正成為近似圓形形狀的電子束B形狀。其結果是可以遍及畫面G上的全域地得到與圖5A所示的那樣的不受偏轉畸變的影響時的理想的電子束B的形狀大致等同的電子束形狀。
此外，在這樣的構成中，第1的一對磁體25和磁體26以偏轉線圈7的開口上部的磁體23為中心，從Y軸朝向圓周方向按分別具有25度±10度的範圍間隔進行配置，第2的一對磁體27以及磁體28也同樣地以磁體24為中心，從Y軸朝向圓周方向按分別具有25度±10度的範圍間隔進行配置，通過在上述±10度的範圍內適當地調節並安裝各磁體25、26、27、28的設置位置，除了可以對應通常使用的投射式陰極射線管的4∶3的畫面區域外，還可以對應16∶9的寬屏幕區域，可以不增大偏轉功率地獲得與大口徑透鏡大致等同的像質(聚焦)。
圖10是表示投影電視的系統概念的示意圖。在投影電視中，如圖10所示的那樣，通過各透鏡LNS，將來自紅色用投射式陰極射線管裝置rPRT、綠色用投射式陰極射線管裝置gPRT、蘭色用投射式陰極射線管裝置bPRT的3個投射式陰極射線管的圖像會聚到螢光屏SRN上形成投射圖像。該會聚的粗調整通過使各投射式陰極射線管相互傾斜來進行，而微調整則是利用安裝在各個投射式陰極射線管的會聚線圈8進行。
圖11是背投式投影電視的概略剖視圖。從投射式陰極射線管PRT發射出來的圖像由透鏡LNS進行放大，並經鏡面MR反射投射在螢光屏SRN上。在安裝在投射式陰極射線管PRT上的會聚線圈8上，連接有會聚驅動電路CGC。通過對安裝在本發明的投射式陰極射線管上的偏轉線圈7設置一對的磁體或者在此基礎上至少再設置一對磁體，可以使之在屏幕SRN上投射聚焦特性良好的圖像。
此外，由於投影電視使用3隻投射式陰極射線管，故與通常的電視的情況相比，具有約3倍的節減偏轉功率或者提高電子束的形狀校正效果的效果。進而，投影電視通常是畫面對角尺寸為公稱40英寸以上的大畫面。在這樣的大畫面中，在通常的NTSC信號中，掃描線醒目使像質劣化。為了防止該現象，在投影電視中，大多採用掃描線數較多的Advanced-TV方式。此時，掃描線數為通常的NTSC方式的2～3倍，偏轉功率增大。此外，還要求有高精度的色偏離校正。因而，如果使用本發明的投射式陰極射線管，則不增大投影電視的偏轉功率，而具有基於電子束的形狀校正效果提高聚焦性能的極大效果。
這裡，作為投射式陰極射線管本發明對異形頸方式的適用於投影用投射式陰極射線管的情況進行了說明，但本發明並非僅限定於此，當然即便是適用於使用了3隻投射式陰極射線管的普通的投影用投射式陰極射線管也可以獲得與前述大致相同的效果。
如以上所說明過的這樣，利用本發明的投射式陰極射線管裝置，可以通過在偏轉線圈的開口部上下配備設置了磁化方向在長度方向上相互不同的一對磁體，修正受到了偏轉畸變的電子束的軌道，將畫面上的上下點的電子束的形狀校正成近似圓形狀，故可以大幅度地提高螢光屏上的聚焦性能，得到能夠再現接近於正規的圖像信號的顯示圖像這樣的極其優異的效果。
此外，利用本發明的其他的投射式陰極射線管裝置，通過在偏轉線圈的開口部的上下設置的磁化方向相互不同的一對磁體的圓周方向相互間，設置在與管軸方向相同的方向上磁化的至少一對的磁體，可以修正受到了偏轉畸變的電子束的軌道，遍及畫面上的全部區域將電子束的形狀校正成近似圓形狀，故可以大幅度地提高螢光屏上的全部區域的聚焦性能，得到能夠再現接近於正規的圖像信號的顯示圖像這樣的極其優異的效果。
權利要求
1.一種投射式陰極射線管裝置，包括由內面形成了螢光面的矩形的面板部、內部收容了發射電子束的電子槍的頸部、連接上述面板部和上述頸部的一端的漏鬥狀部、密封上述頸部的另一端的芯柱部構成的真空玻殼；使上述電子束在上述螢光面上掃描的偏轉線圈；和會聚線圈；其特徵在於上述頸部包括配置在上述漏鬥狀部側的具有第1外徑的第1頸部，配置在較上述第1頸部靠上述芯柱部一側的具有第2外徑的第2頸部，和連接該第1頸部和該第2頸部的第3頸部，且上述第1外徑小於上述第2外徑，上述偏轉線圈配置在上述漏鬥狀部和上述第1頸部的過渡區域，上述會聚線圈配置得從上述第2頸部跨到第3頸部，在上述偏轉線圈的開口部上下配置有在水平方向具有不同的極性的第1磁體，配置在偏轉線圈開口部的上側的第1磁體與配置在偏轉線圈開口部的下側的第1磁體在左右方向極性不同。
2.根據權利要求1所述的投射式陰極射線管裝置，其特徵在於上述偏轉線圈具有保持固定一對水平偏轉線圈的線圈支承體，上述一對磁體安裝固定在了該線圈支承體上。
3.根據權利要求1所述的投射式陰極射線管裝置，其特徵在於上述偏轉線圈將垂直偏轉線圈相互間的間隔設定在0.8mm以下進行配置。
4.一種投射式陰極射線管裝置，包括由內面形成了螢光面的矩形的面板部、內部收容了發射電子束的電子槍的頸部、連接上述面板部和上述頸部的一端的漏鬥狀部、密封上述頸部的另一端的芯柱部構成的真空玻殼；使上述電子束在上述螢光面上掃描的偏轉線圈；和會聚線圈；其特徵在於上述頸部包括配置在上述漏鬥狀部側的具有第1外徑的第1頸部，配置在較上述第1頸部靠上述芯柱部一側的具有第2外徑的第2頸部，和連接該第1頸部和該第2頸部的第3頸部，且上述第1外徑小於上述第2外徑，上述偏轉線圈配置在上述漏鬥狀部和上述第1頸部的過渡區域，上述會聚線圈配置得從上述第2頸部跨到第3頸部，在上述偏轉線圈的開口部上下配置有在水平方向具有不同的極性的第1磁體，配置在偏轉線圈開口部的上側的第1磁體與配置在偏轉線圈開口部的下側的第1磁體在左右方向極性不同，在上述偏轉線圈的開口部周緣配置了在陰極射線管的管軸方向具有不同的極性的第2磁體。
5.根據權利要求4所述的投射式陰極射線管裝置，其特徵在於上述偏轉線圈具有保持固定一對水平偏轉線圈的線圈支承體，上述的一對磁體安裝固定在了該線圈支承體上。
6.根據權利要求4所述的投射式陰極射線管裝置，其特徵在於上述偏轉線圈將垂直偏轉線圈相互間的間隔設定在0.8mm以下進行配置。
全文摘要
本發明提供一種投射式陰極射線管裝置，在投影電視或者投影儀等中使用的單電子束方式投射式陰極射線管中修正受到偏轉畸變影響的電子束的軌道，將畫面上的電子束的形狀校正成近似圓形形狀，提高螢光屏上的顯示圖像的聚焦性能。在偏轉線圈7的漏鬥狀部側開口部的上下部配備設置磁化方向在水平方向(X軸)相互不同的一對磁體23、24。該一對磁體23、24被埋入並保持固定在支承水平偏轉線圈71的線圈支承體20內。
文檔編號H01J29/76GK1472770SQ03146310
公開日2004年2月4日 申請日期2003年7月8日 優先權日2002年7月8日
發明者渡邊榮, 廣田勝己, 己 申請人:株式會社日立顯示器