一種用於製作晶片的雙臺面矽片的製作方法

2023-05-03 16:02:51 1

專利名稱：一種用於製作晶片的雙臺面矽片的製作方法
技術領域：
本發明涉及用於製作晶片的矽片，具體地說是一種用於製作晶片的雙臺面矽片。
背景技術：
目前，一般採用雙臺面或單臺面矽片製作晶片。無論是雙臺面的矽片或還是單臺面的矽片，都需要在矽片上製作PN結和PN結隔離槽；其中雙臺面矽片上製作的PN結隔離槽間距相等且對稱，使得雙臺面矽片的碎片多，且對晶片分割的劃片設備精度要求較高，造成晶片的合格率較低；另外單臺面矽片上的PN結隔離槽的對通隔離需經過高溫長時間擴散，給單晶矽造成缺陷，導致晶片合格率低，成本偏高，且一致性較差。

發明內容
本發明的目的是針對現有技術的缺陷，提供一種結構簡單、製作容易、單晶缺陷低、產品合格率高且製造成本低的用於製作晶片的雙臺面矽片。本發明的目的是通過以下技術方案解決的
一種用於製作晶片的雙臺面矽片，包括矽片，所述矽片的正面和背面分別設有正面PN 結和背面PN結，其中矽片的正面間隔設置有分隔正面PN結的正面PN結隔離槽，矽片的背面間隔設置有分隔背面PN結的背面PN結隔離槽；所述相鄰正面PN結隔離槽之間的間距與相鄰背面PN結隔離槽之間的間距不等。所述的相鄰正面PN結隔離槽之間的間距小於相鄰背面PN結隔離槽之間的間距。所述的正面PN結隔離槽與背面PN結隔離槽相互錯開設置。所述的正面PN結隔離槽與背面PN結隔離槽為弧形槽。所述正面PN結隔離槽的半徑小於背面PN結隔離槽的半徑。所述正面PN結隔離槽的底部至正面PN結上邊沿的高度大於正面PN結的厚度。所述背面PN結隔離槽的底部至背面PN結下邊沿的高度大於背面PN結的厚度。所述的矽片採用N型矽片或P型矽片。本發明相比現有技術有如下優點
本發明通過在矽片的正背表面上設置兩層PN結，並在雙層PN結上設置間距大小不同的PN結隔離槽的方式，使矽片厚度最小處的距離加大，降低了矽片在生產過程中碎裂的機率，在降低雙臺面矽片製造難度的同時提高了產品的合格率。本發明的產品結構簡單、生產成本低，製備出來的產品合格率高且單晶缺陷低， 適宜推廣使用。


附圖1為本發明的結構示意圖。其中1 一矽片；2—正面PN結；3—背面PN結；4一正面PN結隔離槽；5—背面PN 結隔離槽。
具體實施例方式下面結合附圖和具體實施例，進一步闡明本發明，應理解該實施例僅用於說明本發明而不用於限制發明的範圍，在閱讀了本發明之後，本領域技術人員對本發明的各種等價形式的修改均落於本申請所附權利要求所限定的範圍。如圖1所示一種用於製作晶片的雙臺面矽片，包括矽片1，矽片1可根據實際需要採用N型或P型矽片，在矽片1的正面和背面分別設有正面PN結2和背面PN結3，該正面PN結2和背面PN結3均是將矽片1中摻入雜質後形成，正面PN結2和背面PN結3均勻設置在矽片1的正面和背面上。在矽片1的正面間隔設置有分隔正面PN結2的正面PN 結隔離槽4，該正面PN結隔離槽4為弧形槽，且正面PN結隔離槽4的底部至正面PN結2上邊沿的高度大於正面PN結2的厚度 』矽片1的背面間隔設置有分隔背面PN結3的背面PN 結隔離槽5，該背面PN結隔離槽5為弧形槽，背面PN結隔離槽5的底部至背面PN結3下邊沿的高度大於背面PN結3的厚度。另外正面PN結隔離槽4與背面PN結隔離槽5相互錯開設置，不但正面PN結隔離槽4的半徑小於背面PN結隔離槽5的半徑，而且相鄰正面PN 結隔離槽4之間的間距小於相鄰背面PN結隔離槽5之間的間距。本發明通過在矽片的正背表面上設置兩層PN結，並在雙層PN結上設置間距大小不同的PN結隔離槽的方式，使矽片厚度最小處的距離加大，降低了矽片在生產過程中碎裂的機率，在降低雙臺面矽片製造難度的同時提高了產品的合格率；產品具有結構簡單、生產成本低的特點，製備出來的產品合格率高且單晶缺陷低，適宜推廣使用。本發明未涉及的技術均可通過現有技術加以實現。
權利要求
1.一種用於製作晶片的雙臺面矽片，包括矽片(1 )，其特徵在於所述矽片(1)的正面和背面分別設有正面PN結(2)和背面PN結(3)，其中矽片(1)的正面間隔設置有分隔正面PN 結(2)的正面PN結隔離槽(4)，矽片(1)的背面間隔設置有分隔背面PN結(3)的背面PN結隔離槽(5);所述相鄰正面PN結隔離槽(4)之間的間距與相鄰背面PN結隔離槽(5)之間的間距不等。
2.根據權利要求1所述的用於製作晶片的雙臺面矽片，其特徵在於所述的相鄰正面PN 結隔離槽(4)之間的間距小於相鄰背面PN結隔離槽(5)之間的間距。
3.根據權利要求1或2所述的用於製作晶片的雙臺面矽片，其特徵在於所述的正面PN 結隔離槽(4)與背面PN結隔離槽(5)相互錯開設置。
4.根據權利要求1所述的用於製作晶片的雙臺面矽片，其特徵在於所述的正面PN結隔離槽(4)與背面PN結隔離槽(5)為弧形槽。
5.根據權利要求4所述的用於製作晶片的雙臺面矽片，其特徵在於所述正面PN結隔離槽(4)的半徑小於背面PN結隔離槽(5)的半徑。
6.根據權利要求1所述的用於製作晶片的雙臺面矽片，其特徵在於所述正面PN結隔離槽(4)的底部至正面PN結(2)上邊沿的高度大於正面PN結(2)的厚度。
7.根據權利要求1所述的用於製作晶片的雙臺面矽片，其特徵在於所述背面PN結隔離槽(5)的底部至背面PN結(3)下邊沿的高度大於背面PN結(3)的厚度。
8.根據權利要求1所述的用於製作晶片的雙臺面矽片，其特徵在於所述的矽片(1)採用N型矽片或P型矽片。
全文摘要
本發明公開了一種用於製作晶片的雙臺面矽片，包括矽片(1)，所述矽片(1)的正面和背面分別設有正面PN結(2)和背面PN結(3)，其中矽片(1)的正面間隔設置有分隔正面PN結(2)的正面PN結隔離槽(4)，矽片(1)的背面間隔設置有分隔背面PN結(3)的背面PN結隔離槽(5)；所述相鄰正面PN結隔離槽(4)之間的間距與相鄰背面PN結隔離槽(5)之間的間距不等。本發明通過設置間距大小皆不同的PN結隔離槽，使矽片厚度最小處的距離加大，降低了矽片在生產過程中的碎裂機率，在降低雙臺面矽片製造難度的同時提高了產品的合格率；產品的結構簡單、生產成本低、合格率高且單晶缺陷低，適宜推廣使用。
文檔編號H01L29/06GK102332466SQ201110316549
公開日2012年1月25日 申請日期2011年10月18日 優先權日2011年10月18日
發明者伍林, 張海金, 潘建英 申請人:宜興市環洲微電子有限公司